CN111342807A - 具有增大的过孔面积的滤波器和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种滤波器单元，包括：功能基底；功能器件，设置于所述功能基底，具有输入端口、输出端口和接地端口；和封装基底，与功能基底对置，封装基底设置有延伸通过其的多个过孔，其中：所述多个过孔设置在所述功能器件所在区域之外；所述多个过孔中的至少一个为与对应的端口电连接的第一过孔，所述第一过孔在所述封装基底的表面的开口的面积不小于100平方微米。本发明也涉及一种滤波器以及具有该滤波器的电子设备。基于以上方案，可以降低由非功能区引起的附加电学阻抗，同时提高器件散热效果，提高器件的可靠性。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种滤波器单元，具有该滤波器单元的滤波器以及一种具有该滤波器单元或者滤波器的电子设备。
背景技术
射频滤波器是各种无线通讯系统射频前端中必不可少的重要器件之一，它能够有效滤除各种无用信号及噪声，降低各通信频道间的信号干扰，从而保障通信设备的正常工作，实现高质量通信，进而达到频谱资源的有效利用。
近年来随着无线移动通讯技术的快速发展，无线通讯设备逐渐向着便携式、多功能、高性能、低成本方向发展，促使电子元器件也朝着小型化、高集成、高可靠性、高良率的方向发展，射频滤波器也不例外。
射频滤波器小型化的要求导致芯片面积越来越小，对于特定滤波器指标，采用固定材料加工制造时，芯片上器件功能区域的面积会基本保持不变，从而迫使缩小功能区域以外的垫片(Pad)及过孔尺寸。而垫片及过孔尺寸越小，其电学阻抗越大，会影响滤波器的插入损耗以及散热，从而导致滤波器的功率容量降低。
图1a为现有技术中滤波器单元(滤波器芯片)100的示意性俯视图。在图1a中，附图标记110为垫片，附图标记120为器件有效区域或者功能区域，附图标记130为金属通孔即过孔。器件有效区域120具有单端-单端梯形结构，由多个串联连接的压电声波谐振器S121、S122、S123和多个并联连接的压电声波谐振器P121、P122构成。图1a中，“IN”表示输入端口，“OUT”表示输出端口，“G1”和“G2”表示接地端口。
图1b为沿图1a中的AA’线截得的局部放大剖视图。图1b中，附图标记140为封装基底(cap)，附图标记150为功能基底，附图标记160为粘附层,附图标记170为密封结构。垫片110上的金属层及粘附层160可以采用由金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、砷掺杂金制成，或其合金或组合制成。
图1c示意性示出了滤波器单元100处于倒装方式封装完成的状态。图1c中，附图标记180为基板，附图标记190为将基板180与滤波器单元100键合在一起的金属支球(焊球)。滤波器工作时产生的热量将通过粘附层160、金属通孔130、垫片110上的金属层、金属支球190以及粘附层160导入基板180中，实现散热。
当金属垫片及过孔较小且数量较少时，导热路径少从而导致散热效果差，造成功能区谐振器局部升温严重而失效。
可见，现有的滤波器单元中，其过孔的阻抗大，器件封装后散热效果差，功率容量低，影响产品的技术指标，降低其可靠性。
发明内容
降低由非功能区引起的附加电学阻抗，提高器件散热效果，提高器件的可靠性已成为目前射频滤波器发展亟待解决的问题之一。为缓解或解决使用现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种滤波器单元，包括：
功能基底；
功能器件，设置于所述功能基底，具有输入端口、输出端口和接地端口；和
封装基底，与功能基底对置，封装基底设置有延伸通过其的多个过孔，
其中：
所述多个过孔设置在所述功能器件所在区域之外；
所述多个过孔中的至少一个为与对应的端口电连接的第一过孔，所述第一过孔在所述封装基底的表面的开口的面积不小于100平方微米，更进一步的，不小于300平方微米。
可选的，所述多个过孔在所述封装基底的表面处的开口的面积之和不小于所述封装基底的表面的面积的15％。
可选的，所述第一过孔在所述封装基底的表面的开口的纵向口径尺寸不小于20μm，且横向口径尺寸不小于5μm，纵横比大于4；或者纵向口径尺寸不小于25μm，且横向口径尺寸不小于10μm。
可选的，所述多个过孔包括并置的两个第一过孔。
可选的，在所述封装基底的表面，并置的两个第一过孔在开口位置分别设置有围绕其设置且与其电连接的第一垫片和第二垫片；且所述第一垫片围合成的闭合形状与所述第二垫片围合成的闭合形状具有共同的边，或者所述第一垫片围合成的闭合形状与所述第二垫片围合成的闭合形状彼此间隔开。进一步的，所述封装基底与所述功能基底之间在并置的两个第一过孔对应的位置设置有传热导电层；且并置的两个第一过孔均与所述传热导电层电连接。
可选的，所述多个过孔还包括与对应的第一过孔并置的第二过孔，在所述封装基底的表面，并置的第一过孔在开口位置设置有围绕其设置且与其电连接的第一垫片，对应的第二过孔在开口位置设置有围绕其设置且与其电连接的第二垫片；且所述第一垫片围合成的闭合形状与所述第二垫片围合成的闭合形状彼此间隔开。进一步的，所述第二过孔在所述封装基底的表面的开口的面积不小于100平方微米，进一步的，不小于300平方微米。进一步的，所述第二过孔在所述封装基底的表面的开口的纵向口径尺寸不小于20μm，且横向口径尺寸不小于5μm，纵横比大于4；或者纵向口径尺寸不小于25μm，且横向口径尺寸不小于10μm。
可选的，所述第二过孔中的至少一个与所述功能器件热连接，用于散发来自所述功能器件的热量。
可选的，所有过孔为所述第一过孔。
可选的，所述功能器件中的所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的2/3,进一步的，为1/2。
上述滤波器单元中，可选的，所述功能器件包括多个谐振器，所述谐振器包括由顶电极、压电层和底电极构成的三明治结构；所述压电层掺杂有如下元素中的一种或多种：钪、钇、镁、钛、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥；且掺杂元素的原子分数范围为1％-40％。
可选的，所述压电层为氮化铝压电层、氧化锌压电层、铌酸锂压电层或钛锆酸铅压电层。
可选的，掺杂元素的原子分数范围为3％-20％。
本发明的实施例还涉及一种滤波器，包括：上述的滤波器单元；和基板，所述滤波器单元设置在所述基板上，其中：至少一个过孔与所述基板形成热连接。
本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器单元或者上述的滤波器。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1a为现有技术中滤波器单元100的示意性俯视图；
图1b为沿图1a中的AA’线截得的局部放大剖视图；
图1c示意性示出了图1a的滤波器单元处于倒装方式封装完成的状态；
图2a为根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元的俯视示意图；
图2b为沿图2a中的BB’线截得的示意性局部放大剖视图；
图2c示意性示出了图2a的滤波器单元处于倒装方式封装完成的状态；
图3a为根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元的俯视示意图；
图3b为沿图3a中的CC’线截得的示意性局部放大剖视图；
图4a为根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元的俯视示意图；
图4b为沿图4a中的DD’线截得的示意性局部放大剖视图；
图5为根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元的俯视示意图。
图6为体声波谐振器的三明治结构示意图；以及
图7为体声波谐振器的机电耦合系数Nkt与比例r之间的关系曲线图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
下面参照附图2a-图5示例性描述本发明。
下面参照图2a-2c描述根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元200。
图2a为根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元200的示意性俯视图。在图2a中，附图标记210为垫片(pad)，附图标记220为器件有效区域或者功能区域，附图标记230为金属通孔即过孔。器件有效区域220具有单端-单端梯形结构，由多个串联连接的压电声波谐振器S221、S222、S223和多个并联连接的压电声波谐振器P221、P222构成。
在本发明中，“IN”表示输入端口，“OUT”表示输出端口，“G1”和“G2”表示接地端口。
图2b为沿图2a中的BB’线截得的局部放大剖视图。图2b中，附图标记240为封装基底(cap)，附图标记250为功能基底，附图标记260为粘附层,附图标记270为密封结构。垫片210上的金属层及粘附层260可以采用由金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、砷掺杂金制成，或其合金或组合制成。
图2c示意性示出了滤波器单元200处于倒装方式封装完成的状态。图2c中，附图标记280为基板，附图标记290为将基板280与滤波器单元200键合在一起的金属支球(焊球)。滤波器工作时产生的热量将通过粘附层260、金属通孔230、垫片210上的金属层、金属支球290以及粘附层260导入基板280中，实现散热。
在图2a-2c所示的示例中，与图1a-1c中相比，过孔的开口面积增大。
这里的增大可以体现为：过孔在所述封装基底的表面的开口的面积不小于100平方微米，更进一步的，不小于300平方微米。在可选的实施例中，所述多个过孔在所述封装基底的表面处的开口的面积之和不小于所述封装基底的表面的面积的15％。
更进一步的，过孔在所述封装基底的表面处的纵向口径尺寸不小于20μm，且横向口径尺寸不小于5μm，纵横比大于4。
需要指出的是，在本发明中，纵向口径尺寸是指对于过孔在封装基底表面处的开口边缘上的两点之间的最长距离，横向口径尺寸是与所述纵向垂直的方向上开口边缘的两点之间的最长距离。这里的纵向和横向仅仅依据过孔的开口尺寸确定，例如，可以简单的认为对于过孔的开口而言，开口的长度方向为纵向，开口的宽度方向为横向。更具体的，例如在图2a中，过孔的开口示出为矩形，其纵向对应于矩形的长边方向，而横向则对应于矩形的短边方向。以上表述也适用于本发明的其他实施例。
参见图2a，其中器件有效区域或者功能区域220相较于图1a中的区域120为小。
在一个实施例中，该小可以体现为：所述功能器件中的所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的2/3，进一步的为1/2。
需要指出的是，这里的功能基底的表面的面积为其一个表面的整个面积(包括了过孔以及功能器件所在的面积)。
在图2b中，过孔230在厚度方向或者高度方向上的宽度相同。不过，过孔230的截面也可以为等腰梯形的形状，或者其他形状，均在本发明的保护范围之内。
在图2a-2c示出的实施例中，过孔230的横截面积增大，即使与图1a-1c中相比，过孔的数量没有变化，也会提高散热效果，提高器件的功率容量。
下面参照图3a-3b描述根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元300。
图3a为根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元300的示意性俯视图。在图3a中，附图标记310为垫片(pad)，附图标记320为器件有效区域或者功能区域，附图标记330为金属通孔即过孔。器件有效区域320具有单端-单端梯形结构，由多个串联连接的压电声波谐振器S321、S322、S323和多个并联连接的压电声波谐振器P321、P322构成。
图3b为沿图3a中的CC’线截得的局部放大剖视图。图3b中，附图标记340为封装基底(cap)，附图标记350为功能基底，附图标记360为粘附层,附图标记370为密封结构。垫片310上的金属层及粘附层360可以采用由金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、砷掺杂金制成，或其合金或组合制成。
滤波器单元300与基板350的倒装封装与图2c中所示类似，这里不再赘述。
在图3a-3b所示的示例与图2a-2c中的示例相比，区别在于，在图2a-2c中，过孔为单体结构，而在图3a-3b中，过孔为连接在一起的双孔结构。明显的，在图3a-3b的示例中，相较于图1a-1c中的方案，过孔的开口面积进一步增大。
类似的，这里的增大可以体现为：连体过孔中的每一个过孔在所述封装基底的表面的开口的面积不小于100平方微米，且所述多个过孔在所述封装基底的表面处的开口的面积之和至少为所述封装基底的表面的面积的15％。更进一步的，连体过孔中的每一个过孔在所述封装基底的表面处的纵向口径尺寸不小于20μm，且横向口径尺寸不小于5μm，纵横比大于4；或者纵向口径尺寸不小于25μm，且横向口径尺寸不小于10μm。
参见图3a，其中器件有效区域或者功能区域320相较于图1a中的区域120为小。在一个实施例中，该小可以体现为：所述功能器件中的所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的2/3，进一步的为1/2。
在图3a-3b示出的实施例中，过孔330的联合体的横截面积与图1a-1c中单个过孔的横截面积相比显著增大，这会提高散热效果，提高器件的功率容量。
如图3a和3b所示，并置的两个过孔彼此间隔开，在所述封装基底340的表面，一个过孔在开口设置有围绕其设置且与其电连接的第一垫片，另一个过孔在开口设置有围绕其设置且与其电连接的第二垫片；且所述第一垫片围合成的闭合形状与所述第二垫片围合成的闭合形状具有共同的边。如图3b所示，所述封装基底340与所述功能基底350之间在并置的过孔对应的位置设置有传热导电层360。粘附层360可为传热的导电体，且并置的过孔均与对应的粘附层电连接。与并置的过孔电连接的粘附层也可以替换为其他的传热导电层。在上述情况下，并置的两个过孔形成并联，从而阻抗变小，同时散热途径变多或者散热效率提高。
下面参照图4a-4b描述根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元400。
图4a为根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元400的示意性俯视图。在图4a中，附图标记410为垫片(pad)，附图标记420为器件有效区域或者功能区域，附图标记430为金属通孔即过孔。器件有效区域420具有单端-单端梯形结构，由多个串联连接的压电声波谐振器S421、S422、S423和多个并联连接的压电声波谐振器P421、P422构成。
图4b为沿图4a中的DD’线截得的局部放大剖视图。图4b中，附图标记440为封装基底(cap)，附图标记350为功能基底，附图标记360为粘附层,附图标记370为密封结构。垫片410上的金属层及粘附层460可以采用由金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、砷掺杂金制成，或其合金或组合制成。
滤波器单元400与基板450的倒装封装与图2c中所示类似，这里不再赘述。
在图4a-4b所示的示例与图2a-2c中的示例相比，区别在于，在图2a-2c中，过孔为单体结构，而在图4a-4b中，过孔为彼此分开的双孔结构。明显的，在图4a-4b的示例中，相较于图1a-1c中的方案，过孔的开口面积进一步增大。
这里的增大可以体现为：双孔结构中的每一个过孔在所述封装基底的表面的开口的面积不小于300平方微米，且所述多个过孔在所述封装基底的表面处的开口的面积之和至少为所述封装基底的表面的面积的15％。更进一步的，双孔结构中的每一个过孔在所述封装基底的表面处的纵向口径尺寸不小于25μm，且横向口径尺寸不小于10μm。
参见图4a，其中器件有效区域或者功能区域420相较于图1a中的区域120为小。在一个实施例中，该小可以体现为：所述功能器件中的所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的2/3，进一步的为1/2。
在图4a-4b示出的实施例中，两个过孔430加起来的横截面积与图1a-1c中单个过孔的横截面积相比显著增大，这会提高散热效果，提高器件的功率容量。
如图4a和4b所示，并置的两个过孔彼此间隔开，在所述封装基底440的表面，一个过孔在开口位置设置有围绕其设置且与其电连接的第一垫片410，另一个过孔在开口位置设置有围绕其设置且与其电连接的第二垫片410’，第一垫片和第二垫片可以采用相同材料也可不同；且如图4a和4b所示，所述第一垫片围合成的闭合形状与所述第二垫片围合成的闭合形状彼此间隔开。如图4b所示，所述封装基底440与所述功能基底450之间在并置的过孔对应的位置设置有传热导电层460。粘附层460可为传热的导电体，且并置的过孔均与对应的粘附层电连接，而对应的粘附层460通过金属连接层480电连接，金属连接层480可以为粘附层的一部分，也可以为不同于粘附层的材料。与并置的过孔电连接的粘附层以及该金属连接层也可以替换为其他的传热导电层。在上述情况下，并置的两个过孔形成并联，从而阻抗变小，同时散热途径变多或者散热效率提高。
下面参照图5描述根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元500。
图5为根据本发明的一个示例性实施例的滤波器单元500的示意性俯视图。在图5中，附图标记510为垫片(pad)，附图标记520为器件有效区域或者功能区域，附图标记530为金属通孔即过孔。器件有效区域或功能区域520具有单端-单端梯形结构，由多个串联连接的压电声波谐振器S521、S522、S523和多个并联连接的压电声波谐振器P521、P522构成。
在图5中，示例性的，在图的上侧，输入端口与输出端口分别连接有一个过孔，例如输出端口连接到过孔530B。此外，还有两个过孔分别热连接到功能区域，例如过孔530A热连接到功能区域520；在图的下侧，每一个接地端口同时与两个过孔530电连接。
由此，在图5中，对应的两个过孔彼此间隔开，且分别在开口处设置有垫片，两个垫片各自围合成的闭合形状彼此间隔开。
从图5可以看到，至少一个过孔(例如530A)为与功能区域热连接的散热用过孔，用于散发来自功能区域的热量。
垫片510上的金属层及相应的粘附层可以采用由金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、砷掺杂金制成，或其合金或组合制成。
滤波器单元500与基板的倒装封装与图2c中所示类似，这里不再赘述。
在图5所示的示例与图4a-4b中的示例相比，区别在于，在图4a-4b中，过孔为彼此分开的双孔结构，但是双孔同时与对应的端口电连接；而在图5中，部分的双孔结构中的两个过孔，一个与端口电连接，而另一个与功能区域热连接。
类似的，在一个实施例中，这里的增大可以体现为：过孔在所述封装基底的表面的开口的面积不小于300平方微米，且所述多个过孔在所述封装基底的表面处的开口的面积之和至少为所述封装基底的表面的面积的15％。更进一步的，过孔在所述封装基底的表面处的纵向口径尺寸不小于25μm，且横向口径尺寸不小于10μm。
参见图5，其中器件有效区域或者功能区域520相较于图1a中的区域120为小。在一个实施例中，该小可以体现为：所述功能器件中的所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的2/3，进一步的为1/2。
在图5示出的实施例中，两个过孔530加起来的横截面积与图1a-1c中单个过孔的横截面积相比显著增大，这会提高散热效果，提高器件的功率容量。
与参照图4a和4b的示例描述类似，在图5中，并置的两个过孔形成并联的情况下，过孔阻抗变小，同时散热途径变多或者散热效率提高。
需要指出的是，虽然在本发明中，以功能区域具有单端-单端梯形结构为例进行说明，但功能区域的结构不限于此。
扩大过孔的横截面积或者增加过孔的数量，可以在提高当前谐振器的尺寸的情况下实现，也可以在不改变甚至减小当前谐振器的尺寸的情况下实现。针对后一种情况，本发明提出了减小谐振器的有效区域的面积的方式来减小谐振器的尺寸的方案。
具体的，在一个实施例中，体声波谐振器(具有压电层、底电极和顶电极)，通过在例如氮化铝(AlN)压电层的压电层中参入杂质元素，使谐振器的有效区域的面积缩小，从而使得谐振器的尺寸变小。
下面参照附图6-7具体说明利用元素掺杂降低体声波谐振器的有效区域的面积的原理。
机电耦合系数(Nkt)是体声波谐振器的重要性能指标之一，该性能参数和如下因素有密切关系：(1)压电薄膜参入杂质元素的比例；以及(2)三明治结构中电极层和压电层的厚度比例。
图6所示的体声波谐振器的三明治结构包含厚度为t的顶电极TE、底电极BE以及厚度为d的压电层PZ。此处定义比例
对于特定的未掺杂的谐振器，其归一化的机电耦合系数Nkt和比例r之间的关系可用图7所示的特性曲线C0描述。
如图7所示，当对该谐振器的压电层掺杂时，特性曲线C0向上移动形成曲线C1。若未掺杂之前，具有厚度比r0的谐振器的机电耦合系数为Nkt0,那么掺杂之后该系数升高至Nkt1。
通常机电耦合系数受到滤波器相对带宽及滚降特性的技术指标限制而需保持不变，因此在掺杂的情况下，需要通过调节比例r来将机电耦合系数恢复到未掺杂的水平。注意到曲线C1有一个最大值，因此对比例r的调节有两种方式，可使比例r从r0缩小到r2或增大至r1。但由于缩小r意味着电极层变薄阻抗增大，从而造成器件损耗上升，因此选择增大比例r至r1。
另一方面，谐振器的频率f受滤波器中心频率技术指标约束而需固定不变。频率f与三明治结构的总体厚度有如下简化关系：
其中D是将电极材料(Mo)等效为压电材料的等效总厚度，具体为D＝2tv1/v2+d，其中，v2是电极材料中纵波声速，v1是压电材料中纵波声速。将公式(1)带入公式(2)中，可以得到：
由于掺杂带来的声速v1降低，同时，r增大，那么若要求频率f不发生变化，那么压电层厚度d应减小。
此外，对谐振器的阻抗也有限制(50欧姆)的技术要求，而阻抗Z与压电层厚度d之间由下式相联系：
其中，ε是压电材料的介电常数，A是谐振器的有效面积，j是表示相位的虚数单位。
当要求阻抗Z不变时，若压电层厚度d变小时，有效面积A也必须变小。
基于以上，可以通过向压电层添加杂质元素使得压电层厚度d变小，从而减小谐振器的有效面积A。
在实施例中，所述压电层掺杂有如下元素中的一种或多种：钪、钇、镁、钛、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥；且掺杂元素的原子分数范围为1％-40％，进一步的，为3％-20％。具体的原子分数可以为3％、6％、9％、20％、30％、40％等。
所述压电层可为氮化铝压电层、氧化锌压电层、铌酸锂压电层或钛锆酸铅压电层。
在本发明中，顶电极和底电极的材料可选但不限于：钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬等或以上金属的复合或其合金。
利用上述掺杂的技术方案使得谐振器的面积大幅缩小，进而可以减小滤波器(谐振器作为滤波器的核心器件)的尺寸，在滤波器面积不变的情况下，可以扩大过孔的横截面积或者增加过孔的数量。
相应的，本发明也涉及一种滤波器，包括上述的滤波器单元。
本发明也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器单元或者滤波器。需要指出的是，这里的电子设备，包括但不限于射频前端、滤波放大模块等中间产品，以及手机、WIFI、无人机等终端产品。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (20)
1.一种滤波器单元，包括：
功能基底；
功能器件，设置于所述功能基底，具有输入端口、输出端口和接地端口；和
封装基底，与功能基底对置，封装基底设置有延伸通过其的多个过孔，
其中：
所述多个过孔设置在所述功能器件所在区域之外；
所述多个过孔中的至少一个为与对应的端口电连接的第一过孔，所述第一过孔在所述封装基底的表面的开口的面积不小于100平方微米。
2.根据权利要求1所述的滤波器单元，其中：
所述第一过孔在所述封装基底的表面的开口的面积不小于300平方微米。
3.根据权利要求1所述的滤波器单元，其中：
所述多个过孔在所述封装基底的表面处的开口的面积之和不小于所述封装基底的表面的面积的15％。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的滤波器单元，其中：
所述第一过孔在所述封装基底的表面的开口的纵向口径尺寸不小于20μm，且横向口径尺寸不小于5μm，纵横比不小于4；或者纵向口径尺寸不小于25μm，且横向口径尺寸不小于10μm。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的滤波器单元，其中：
所述多个过孔包括并置的两个第一过孔。
6.根据权利要求5所述的滤波器单元，其中：
在所述封装基底的表面，并置的两个第一过孔在开口位置分别设置有围绕其设置且与其电连接的第一垫片和第二垫片；且
所述第一垫片围合成的闭合形状与所述第二垫片围合成的闭合形状具有共同的边，或者所述第一垫片围合成的闭合形状与所述第二垫片围合成的闭合形状彼此间隔开。
7.根据权利要求6所述的滤波器单元，其中：
所述封装基底与所述功能基底之间在并置的两个第一过孔对应的位置设置有传热导电层；且
并置的两个第一过孔均与所述传热导电层电连接。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的滤波器单元，其中：
所述多个过孔还包括与对应的第一过孔并置的第二过孔，在所述封装基底的表面，并置的第一过孔在开口位置设置有围绕其设置且与其电连接的第一垫片，对应的第二过孔在开口位置设置有围绕其设置且与其电连接的第二垫片；且
所述第一垫片围合成的闭合形状与所述第二垫片围合成的闭合形状彼此间隔开。
9.根据权利要求8所述的滤波器单元，其中：
所述第二过孔在所述封装基底的表面的开口的面积不小于100平方微米。
10.根据权利要求9所述的滤波器单元，其中：
所述第二过孔在所述封装基底的表面的开口的面积不小于300平方微米。
11.根据权利要求8所述的滤波器单元，其中：
所述第二过孔中的至少一个与所述功能器件热连接，用于散发来自所述功能器件的热量。
12.根据权利要求5-11中任一项所述的滤波器单元，其中：
所述第二过孔在所述封装基底的表面的开口的纵向口径尺寸不小于20μm，且横向口径尺寸不小于5μm，纵横比不小于4；或者纵向口径尺寸不小于25μm，且横向口径尺寸不小于10μm。
13.根据权利要求1-3中任一项所述的滤波器单元，其中：
所有过孔为所述第一过孔。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的滤波器单元，其中：
所述功能器件包括多个谐振器，所述谐振器包括由顶电极、压电层和底电极构成的三明治结构；
所述功能器件中的所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的2/3。
15.根据权利要求14所述的滤波器单元，其中：
所述功能器件中的所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的1/2。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的滤波器单元，其中：
所述功能器件包括多个谐振器，所述谐振器包括由顶电极、压电层和底电极构成的三明治结构；
所述压电层掺杂有如下元素中的一种或多种：钪、钇、镁、钛、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥；且
掺杂元素的原子分数范围为1％-40％。
17.根据权利要求16所述的滤波器单元，其中：
所述压电层为氮化铝压电层、氧化锌压电层、铌酸锂压电层或钛锆酸铅压电层。
18.根据权利要求16或17所述的滤波器单元，其中：
掺杂元素的原子分数范围为3％-20％。
19.一种滤波器，包括：
根据权利要求1-18中任一项所述的滤波器单元；和
基板，所述滤波器单元设置在所述基板上，
其中：
至少一个过孔与所述基板形成热连接。
20.一种电子设备，包括根据权利要求1-18中任一项所述的滤波器单元或者根据权利要求19所述的滤波器。
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