CN111341926A - Qled器件及其制作方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

Qled器件及其制作方法、显示面板、显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种QLED器件及其制作方法、显示面板、显示装置，QLED器件包括：量子点发光层以及设置在量子点发光层一侧的电子传输层；量子点发光层包含量子点材料，电子传输层包含异质多聚体，异质多聚体为至少包括第一电子传输材料与第二电子传输材料的纳米颗粒，第一电子传输材料与第二电子传输材料通过范德华力连接，第一电子传输材料的导带能级低于量子点材料的导带能级，第二电子传输材料的导带能级高于第一电子传输材料的导带能级。根据本发明的实施例，利用异质多聚体的导带位置差异构建多能级梯度，使得电子在跃迁时，可降低电子注入势垒，提高电子注入能力，从而提高QLED器件的发光效率和寿命。

Description

QLED器件及其制作方法、显示面板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种QLED器件及其制作方法、显示面板、显示装置。
背景技术
QLED显示器件(Quantum Dot Light Emitting Diode，量子点电致发光二极管)是一种电致发光器件。在外界电场的驱动下，空穴和电子克服界面障碍分別进入量子点发光层的价带能级和导带能级，当从激发态回到稳定的基态时，释放出光子。随着量子点材料的发展、器件结构的不断优化和电荷有效输运等研究的持续深入，QLED显示将超越光致发光的量子点增亮膜和量子点彩色滤光片，有望成为下一代主流显示技术。
在QLED器件中，选择合适的器件结构和各功能层的传输特性匹配对QLED器件的性能至关重要。对于Cd系QLED器件来说，ZnO因为具有较高的电子迁移率和与量子点匹配良好的能级结构，成为QLED器件中最理想的电子传输材料。然而无镉量子点(例如InP)比ZnO具有更高的导带能级，因此电子从ZnO注入无镉量子点是很困难的。
发明内容
本发明提供一种QLED器件及其制作方法、显示面板、显示装置，以解决相关技术中的不足。
为实现上述目的，本发明实施例的第一方面提供一种QLED器件，包括：量子点发光层以及设置在所述量子点发光层一侧的电子传输层；所述量子点发光层包含量子点材料，所述电子传输层包含异质多聚体，所述异质多聚体为至少包括第一电子传输材料与第二电子传输材料的纳米颗粒，所述第一电子传输材料与所述第二电子传输材料通过范德华力连接，所述第一电子传输材料的导带能级低于所述量子点材料的导带能级，所述第二电子传输材料的导带能级高于所述第一电子传输材料的导带能级。
可选地，所述第二电子传输材料的导带能级高于所述量子点材料的导带能级。
可选地，所述量子点材料包括InP或其衍生的核壳结构量子点；所述第一电子传输材料包括ZnO，所述第二电子传输材料包括ZnmX1-mO，X为Mg、Al、Y中的任一个，1>m>0。
可选地，所述异质多聚体还包括第三电子传输材料，所述第三电子传输材料通过范德华力与所述第一电子传输材料和所述第二电子传输材料中的至少一种连接，所述第二电子传输材料的导带能级低于所述量子点材料的导带能级，所述第三电子传输材料的导带能级高于所述第二电子传输材料的导带能级。
可选地，所述第三电子传输材料的导带能级高于所述量子点材料的导带能级。
可选地，所述量子点材料包括InP或其衍生的核壳结构量子点；所述第一电子传输材料包括ZnO，所述第二电子传输材料包括ZnmX1-mO，所述第三电子传输材料包括ZnnA1-nO，X、A分别为Mg、Al、Y中的任一个，X与A不同和/或1>m≠n>0。
本发明实施例的第二方面提供一种QLED器件的制作方法，包括：
提供量子点发光层，所述量子点发光层包含量子点材料；
在所述量子点发光层的一侧形成电子传输层，所述电子传输层包含异质多聚体，所述异质多聚体为至少包括第一电子传输材料与第二电子传输材料的纳米颗粒，所述第一电子传输材料与所述第二电子传输材料通过范德华力连接，所述第一电子传输材料的导带能级低于所述量子点材料的导带能级，所述第二电子传输材料的导带能级高于所述第一电子传输材料的导带能级。
可选地，所述异质多聚体的制作方法包括：
分别提供第一电子传输材料纳米颗粒的胶体与第二电子传输材料纳米颗粒的胶体；
在所述第一电子传输材料纳米颗粒的胶体中加入阳离子表面活性剂和阴离子表面活性剂中的一种，在所述第二电子传输材料纳米颗粒的胶体中加入阳离子表面活性剂和阴离子表面活性剂中的另一种，使所述第一电子传输材料纳米颗粒与所述第二电子传输材料纳米颗粒的表面分别对应带正电荷与负电荷；
混合所述第一电子传输材料纳米颗粒的胶体与所述第二电子传输材料纳米颗粒的胶体，使得正电荷与负电荷相互吸引，得到所述异质多聚体的反应液；
洗涤所述异质多聚体的反应液得到所述异质多聚体的胶体。
可选地，所述第一电子传输材料纳米颗粒包括ZnO纳米颗粒，所述第二电子传输材料纳米颗粒包括ZnmX1-mO纳米颗粒，X为Mg、Al、Y中的任一个，1>m>0。
可选地，所述阳离子表面活性剂包括十八烷基三甲基氯化铵、溴化二甲基苄基十二烷基铵、N,N二甲基十二烷基胺中的至少一种，和/或所述阴离子表面活性剂包括脂肪醇醚硫酸钠、乙氧基化脂肪酸甲酯的磺酸盐中的至少一种。
本发明实施例的第三方面提供一种QLED显示面板，包括基板以及以阵列的形式布置于所述基板的上述任一项所述的QLED器件。
本发明实施例的第四方面提供一种显示装置，包括：上述任一项所述的QLED显示面板。
根据本发明的上述实施例中，采用异质多聚体作为电子传输材料，异质多聚体为至少包括第一电子传输材料与第二电子传输材料的纳米颗粒，第一电子传输材料与第二电子传输材料通过范德华力连接，第一电子传输材料的导带能级低于量子点材料的导带能级，第二电子传输材料的导带能级高于第一电子传输材料的导带能级。利用异质多聚体中第一电子传输材料与第二电子传输材料的导带位置差异构建多能级梯度，使得电子在跃迁时，可先跃迁到低能级的第一电子传输材料，在低能级第一电子传输材料缓冲后再跃迁到高能级的第二电子传输材料，在高能级第二电子传输材料缓冲后再跃迁到量子点材料。相对于电子需直接跃迁到高能级量子点材料，可降低电子注入势垒，提高电子注入能力，从而提高QLED器件的发光效率和寿命。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是根据本发明一实施例示出的QLED器件的结构示意图；
图2是图1中的电子传输层中的异质多聚体的结构示意图；
图3是图1中的一种QLED器件的电子跃迁过程的示意图；
图4是图1中的另一种QLED器件的电子跃迁过程的示意图；
图5是根据本发明一实施例示出的QLED器件的制作方法的流程图；
图6是根据本发明另一实施例示出的QLED器件的电子传输层中的异质多聚体的结构示意图；
图7是图6中的一种QLED器件的电子跃迁过程的示意图；
图8是图6中的另一种QLED器件的电子跃迁过程的示意图。
附图标记列表：
量子点发光层11 电子传输层12
异质多聚体120、120'
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。
图1是根据本发明一实施例示出的QLED器件的结构示意图。图2是图1中的电子传输层中的异质多聚体的结构示意图。
参照图1与图2所示，QLED器件，包括：量子点发光层11以及设置在量子点发光层11一侧的电子传输层12；量子点发光层11包含量子点材料，电子传输层12包含异质多聚体120，异质多聚体120为至少包括第一电子传输材料与第二电子传输材料的纳米颗粒，第一电子传输材料与第二电子传输材料通过范德华力连接，第一电子传输材料的导带能级低于量子点材料的导带能级，第二电子传输材料的导带能级高于第一电子传输材料的导带能级。
量子点材料可以包括InP或其衍生的核壳结构量子点。InP量子点材料的能级结构为：价带-5.9eV，导带-3.5eV。InP衍生的核壳结构量子点例如为InP/GaP/ZnS，InP/ZnS，InP/ZnSeS，或InP/ZnSeS/ZnS。
参照图2所示，本实施例中，异质多聚体120仅包括第一电子传输材料与第二电子传输材料，因而，异质多聚体120为异质二聚体。
第一电子传输材料可以包括ZnO，第二电子传输材料可以包括ZnmX1-mO，X为Mg、Al、Y中的任一个，其中m为Zn元素占X元素与Zn元素之和的质量百分比，1>m>0。ZnO的能级结构为：价带-7.5eV，导带-4.3eV。通过控制X元素的种类及其占比，可调节ZnmX1-mO的导带能级高于第一电子传输材料ZnO的导带能级，甚至高于量子点材料InP的导带能级。
例如X为Mg时，0.95≥m≥0.8；X为Y时，0.98≥m≥0.8。
具体地，Zn0.85Mg0.15O的能级结构为：价带-7.32eV，导带-3.66eV。Zn0.95Mg0.05O的能级结构为：价带-7.01eV，导带-3.35eV。Zn0.9Mg0.1O的能级结构为：价带-7.09eV，导带-3.16eV。Zn0.98Y0.02O的能级结构为：价带-6.91eV，导带-3.38eV。Zn0.904Y0.096O的能级结构为：价带-6.34eV，导带-2.77eV。ZnmAl1-mO的能级结构为：价带-6.65eV左右，导带-3.25eV左右。
图3是图1中的一种QLED器件的电子跃迁过程的示意图。
参照图3所示，可以看出，第二电子传输材料在第一电子传输材料的基础上，构建了多能级梯度。使得电子在跃迁时，可先跃迁到低能级的第一电子传输材料，在低能级第一电子传输材料缓冲后再跃迁到高能级的第二电子传输材料，在高能级第二电子传输材料缓冲后再跃迁到更高能级的量子点材料。相对于电子需直接跃迁到高能级量子点材料，可降低电子注入势垒，提高电子注入能力，从而提高QLED器件的发光效率和寿命。
图4是图1中的另一种QLED器件的电子跃迁过程的示意图。参照图4所示，与图3中的跃迁过程大致相同，区别仅在于，第二电子传输材料的导带能级高于量子点材料的导带能级，使得电子在高能级第二电子传输材料缓冲后再跃迁到稍低能级的量子点材料，提高了电子注入能力。
此外，相比直接混合第一电子传输材料纳米颗粒与第二电子传输材料纳米颗粒，例如直接混合ZnO纳米颗粒和ZnMgO纳米颗粒，将异质二聚体作为电子传输层时，ZnO和ZnMgO之间是紧密接触并通过范德华力连接的，因此电子在ZnO和ZnMgO之间传输更为有效，更能够提高电子在QLED器件中的传输性能。
可通过控制纳米颗粒的大小、和/或第一电子传输材料与第二电子传输材料的质量百分比的大小，和/或第二电子传输材料中的Zn元素占X元素与Zn元素之和的质量百分比的大小，进一步调整梯度能级中的各能级。异质多聚体120的大小可以在1nm～100nm之间。
第一电子传输材料由于为ZnO，可提高QLED器件的电子迁移率。
一些实施例中，QLED器件还可以包括第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层与第二电极。其中，空穴注入层位于第一电极的一侧、空穴传输层位于空穴注入层远离第一电极的一侧，量子点发光层11位于空穴传输层远离空穴注入层的一侧，电子传输层12位于量子点发光层11远离空穴传输层的一侧，电子注入层位于电子传输层12远离量子点发光层11的一侧，第二电极位于电子注入层远离电子传输层12的一侧。
一些实施例中，QLED器件可以为底发光结构。此时，第一电极可以为阳极，具体可以为透光阳极，材料例如氧化铟锡(ITO)；第二电极可以为阴极，具有反光的功能，材料例如为金属铝。
另一些实施例中，QLED器件可以为顶发光结构。此时，第一电极可以为阳极，具体可以为反光阳极，材料例如金属银；第二电极可以为阴极，具有部分透光部分反光的功能，材料例如为金属镁与金属铝。
空穴注入层可以为PEDOT:PSS薄膜。聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸盐(PSS)通过一定比例混合而溶于水，可以形成均一分散的PEDOT:PSS溶液。由PEDOT:PSS溶液制成的PEDOT:PSS薄膜具有很好的柔性、稳定性，且在可见光范围具有很高的透明度。而且PEDOT:PSS的功函数一般在5.0～5.1eV，非常有利于注入空穴。
空穴传输层可以包含NiO、WO3中的至少一种。
电子传输层12的厚度范围可以为1nm～100nm。
对于图1中的QLED器件，本发明一实施例提供了一种制作方法。图5是制作方法的流程图。
参照图5中的步骤S1与图1所示：提供量子点发光层11，量子点发光层11包含量子点材料。
量子点材料可以包括InP或其衍生的核壳结构量子点。InP量子点材料的能级结构为：价带-5.9eV，导带-3.5eV。InP衍生的核壳结构量子点例如为InP/GaP/ZnS，InP/ZnS，InP/ZnSeS，或InP/ZnSeS/ZnS。
一些实施例中，步骤S1也可以包括：在第一电极上依次制作：空穴注入层、空穴传输层以及量子点发光层11。量子点发光层11可以采用旋涂量子点溶液，或喷墨打印量子点胶体形成。
参照图5中的步骤S2、图1与图2所示：在量子点发光层11的一侧形成电子传输层12，电子传输层12包含异质多聚体120，异质多聚体120为至少包括第一电子传输材料与第二电子传输材料的纳米颗粒，第一电子传输材料与第二电子传输材料通过范德华力连接，第一电子传输材料的导带能级低于量子点材料的导带能级，第二电子传输材料的导带能级高于第一电子传输材料的导带能级。
步骤S2可以采用旋涂异质多聚体120的溶液，或喷墨打印异质多聚体120的胶体。溶液或胶体中的可挥发分散剂例如为异丙醇或乙醇等溶剂。
异质多聚体120的制作方法具体可以包括以下步骤S21～S24。
步骤S21：分别提供第一电子传输材料纳米颗粒的胶体与第二电子传输材料纳米颗粒的胶体。
一些实施例中，第一电子传输材料纳米颗粒可以包括ZnO纳米颗粒，第二电子传输材料纳米颗粒可以包括ZnmX1-mO纳米颗粒，X为Mg、Al、Y中的任一个，1>m>0。第一电子传输材料纳米颗粒与第二电子传输材料纳米颗粒的胶体分散剂都可以为异丙醇或乙醇等溶剂。
步骤S22：在第一电子传输材料纳米颗粒的胶体中加入阳离子表面活性剂和阴离子表面活性剂中的一种，在第二电子传输材料纳米颗粒的胶体中加入阳离子表面活性剂和阴离子表面活性剂中的另一种，使第一电子传输材料纳米颗粒与第二电子传输材料纳米颗粒的表面分别对应带正电荷与负电荷。
一些实施例中，阳离子表面活性剂可以包括十八烷基三甲基氯化铵、溴化二甲基苄基十二烷基铵、N,N二甲基十二烷基胺中的至少一种；阴离子表面活性剂可以包括脂肪醇醚硫酸钠、乙氧基化脂肪酸甲酯的磺酸盐中的至少一种。
步骤S23：混合第一电子传输材料纳米颗粒的胶体与第二电子传输材料纳米颗粒的胶体，使得正电荷与负电荷相互吸引，得到异质多聚体的反应液。
本步骤S23可以通过搅拌，例如磁力搅拌加速正电荷与负电荷的相互吸引。
步骤S24：洗涤异质多聚体的反应液得到异质多聚体的胶体。
本步骤S24可以通过离心，过滤，洗涤等步骤，得到异质多聚体的胶体。
步骤S21中，可通过实验条件控制第一电子传输材料纳米颗粒的大小、以及第二电子传输材料纳米颗粒的大小来调节第一电子传输材料与第二电子传输材料的质量百分比的大小，以调整异质多聚体的梯度能级中的各能级。此外，步骤S21中，还可以通过控制第二电子传输材料中的Zn元素占X元素与Zn元素之和的质量百分比的大小，进一步调整异质多聚体的梯度能级中的各能级。异质多聚体120的大小可以在1nm～100nm之间。
图6是根据本发明另一实施例示出的QLED器件的电子传输层中的异质多聚体的结构示意图。参照图6所示，本实施例的异质多聚体120'与图2中的异质多聚体120大致相同，区别仅在于：纳米颗粒还包括第三电子传输材料，第三电子传输材料通过范德华力与第一电子传输材料和第二电子传输材料中的至少一种连接，第二电子传输材料的导带能级低于量子点材料的导带能级，第三电子传输材料的导带能级高于第二电子传输材料的导带能级。换言之，异质多聚体120'为异质三聚体。
一些实施例中，量子点材料包括InP或其衍生的核壳结构量子点；第一电子传输材料包括ZnO，第二电子传输材料包括ZnmX1-mO，第三电子传输材料包括ZnnA1-nO，X、A分别为Mg、Al、Y中的任一个，其中m、n都为Zn元素占X元素与Zn元素之和的质量百分比，1>m>0，1>n>0，X与A不同和/或m≠n。可以通过控制ZnO中的掺杂元素不同，和/或掺杂元素占的质量百分比不同来实现导带能级大小调整。
例如X与A都为Y时，0.98≥m>n≥0.8；m＝n＝0.9时，X为Mg，A为Y。
一些实施例中，第三电子传输材料的导带能级可以高于量子点材料的导带能级。
例如量子点材料为InP，第二电子传输材料为Zn0.85Mg0.15O，第三电子传输材料为Zn0.95Mg0.05O，Zn0.9Mg0.1O，Zn0.98Y0.02O，Zn0.904Y0.096O中的至少一种。
图7是图6中的一种QLED器件的电子跃迁过程的示意图。
参照图7所示，可以看出，第三电子传输材料在第一电子传输材料、第二电子传输材料的基础上，构建了更多能级的多能级梯度。使得电子在跃迁时，可先跃迁到低能级的第一电子传输材料，在低能级第一电子传输材料缓冲后再跃迁到中能级的第二电子传输材料，在中能级第二电子传输材料缓冲后再跃迁到高能级的第三电子传输材料，在高能级第三电子传输材料缓冲后再跃迁到更高能级的量子点材料。可进一步降低电子注入势垒，提高电子注入能力，从而进一步提高QLED器件的发光效率和寿命。
图8是图6中的另一种QLED器件的电子跃迁过程的示意图。参照图8所示，与图7中的跃迁过程大致相同，区别仅在于，第三电子传输材料的导带能级高于量子点材料的导带能级，使得电子在高能级第三电子传输材料缓冲后再跃迁到稍低能级的量子点材料，提高了电子注入能力。
一些实施例中，异质多聚体还可以包括：第四电子传输材料、……第N电子传输材料，N≥4；第一电子传输材料、第二电子传输材料、……第N电子传输材料的导带能级逐渐增高，第N-1电子传输材料的导带能级低于量子点材料的导带能级，第M电子传输材料通过范德华力与第一电子传输材料至第M-1电子传输材料中的任一个连接，M为(1,N]中的任一个正整数。
一些实施例中，第N电子传输材料的导带能级可以高于量子点材料的导带能级。另一些实施例中，第N电子传输材料的导带能级可以低于或等于量子点材料的导带能级。
相应地，对于异质多聚体120'的制作方法，与上述实施例中的制作方法大致相同，区别仅在于：步骤S21'中，还提供第三电子传输材料纳米颗粒的胶体。
步骤S22'：在第三电子传输材料纳米颗粒的胶体中加入阳离子表面活性剂和阴离子表面活性剂中的一种，使第三电子传输材料纳米颗粒的表面带正电荷或负电荷。阳离子表面活性剂和阴离子表面活性剂具体可以参照前述实施例中的阳离子表面活性剂和阴离子表面活性剂。
步骤S23'：混合第一电子传输材料纳米颗粒的胶体、第二电子传输材料纳米颗粒的胶体与第三电子传输材料纳米颗粒的胶体，使得正电荷与负电荷相互吸引，得到异质多聚体的反应液。
步骤S21'中，可通过实验条件控制第一电子传输材料纳米颗粒的大小、第二电子传输材料纳米颗粒的大小、以及第三电子传输材料纳米颗粒的大小来调节第一电子传输材料、第二电子传输材料与第三电子传输材料的质量百分比的大小，以调整异质多聚体的梯度能级中的各能级。此外，步骤S21'中，还可以通过控制第二电子传输材中的Zn元素占X元素与Zn元素之和的质量百分比的大小，和/或第三电子传输材中的Zn元素占A元素与Zn元素之和的质量百分比的大小，进一步调整异质多聚体的梯度能级中的各能级。
基于上述QLED器件，本发明一实施例还提供一种显示面板，包括基板以及以阵列的形式布置于基板的上述任一种QLED器件的显示面板。
显示面板中，阵列中的各个QLED器件可以为主动发光驱动方式。
基于上述显示面板，本发明一实施例还提供一种包括上述任一种显示面板的显示装置。显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种QLED器件，其特征在于，包括：量子点发光层以及设置在所述量子点发光层一侧的电子传输层；所述量子点发光层包含量子点材料，所述电子传输层包含异质多聚体，所述异质多聚体为至少包括第一电子传输材料与第二电子传输材料的纳米颗粒，所述第一电子传输材料与所述第二电子传输材料通过范德华力连接，所述第一电子传输材料的导带能级低于所述量子点材料的导带能级，所述第二电子传输材料的导带能级高于所述第一电子传输材料的导带能级。
2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述第二电子传输材料的导带能级高于所述量子点材料的导带能级。
3.根据权利要求1或2所述的QLED器件，其特征在于，所述量子点材料包括InP或其衍生的核壳结构量子点；所述第一电子传输材料包括ZnO，所述第二电子传输材料包括ZnmX1-mO，X为Mg、Al、Y中的任一个，1>m>0。
4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述异质多聚体还包括第三电子传输材料，所述第三电子传输材料通过范德华力与所述第一电子传输材料和所述第二电子传输材料中的至少一种连接，所述第二电子传输材料的导带能级低于所述量子点材料的导带能级，所述第三电子传输材料的导带能级高于所述第二电子传输材料的导带能级。
5.根据权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述量子点材料包括InP或其衍生的核壳结构量子点；所述第一电子传输材料包括ZnO，所述第二电子传输材料包括ZnmX1-mO，所述第三电子传输材料包括ZnnA1-nO，X、A分别为Mg、Al、Y中的任一个，X与A不同和/或1>m≠n>0。
6.一种QLED器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供量子点发光层，所述量子点发光层包含量子点材料；
在所述量子点发光层的一侧形成电子传输层，所述电子传输层包含异质多聚体，所述异质多聚体为至少包括第一电子传输材料与第二电子传输材料的纳米颗粒，所述第一电子传输材料与所述第二电子传输材料通过范德华力连接，所述第一电子传输材料的导带能级低于所述量子点材料的导带能级，所述第二电子传输材料的导带能级高于所述第一电子传输材料的导带能级。
7.根据权利要求6所述的QLED器件的制作方法，其特征在于，所述异质多聚体的制作方法包括：
分别提供第一电子传输材料纳米颗粒的胶体与第二电子传输材料纳米颗粒的胶体；
在所述第一电子传输材料纳米颗粒的胶体中加入阳离子表面活性剂和阴离子表面活性剂中的一种，在所述第二电子传输材料纳米颗粒的胶体中加入阳离子表面活性剂和阴离子表面活性剂中的另一种，使所述第一电子传输材料纳米颗粒与所述第二电子传输材料纳米颗粒的表面分别对应带正电荷与负电荷；
混合所述第一电子传输材料纳米颗粒的胶体与所述第二电子传输材料纳米颗粒的胶体，使得正电荷与负电荷相互吸引，得到所述异质多聚体的反应液；
洗涤所述异质多聚体的反应液得到所述异质多聚体的胶体。
8.根据权利要求7所述的QLED器件的制作方法，其特征在于，所述第一电子传输材料纳米颗粒包括ZnO纳米颗粒，所述第二电子传输材料纳米颗粒包括ZnmX1-mO纳米颗粒，X为Mg、Al、Y中的任一个，1>m>0；
和/或所述阳离子表面活性剂包括十八烷基三甲基氯化铵、溴化二甲基苄基十二烷基铵、N,N二甲基十二烷基胺中的至少一种；
和/或所述阴离子表面活性剂包括脂肪醇醚硫酸钠、乙氧基化脂肪酸甲酯的磺酸盐中的至少一种。
9.一种QLED显示面板，其特征在于，包括：基板以及以阵列的形式布置于所述基板的权利要求1至5任一项所述的QLED器件。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的QLED显示面板。
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