CN111341823B - 显示基板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示基板及其制备方法。该显示基板包括依次层叠设置的显示结构层、反射层和光探测层，所述反射层用于将所述显示结构层发出的光线反射至出光方向，所述反射层上间隔设有多个通孔，所述光探测层用于检测所述显示结构层发出的通过所述反射层的通孔的光线的强度；所述显示基板还包括吸光结构，所述吸光结构位于所述反射层远离所述显示结构层的一侧，所述吸光结构用于吸收所述显示结构层发出的被所述光探测层反射的光线。该制备方法用于制备所述显示基板。本申请的显示基板及其制备方法，通过设置所述吸光结构可以有效阻断光探测单元的表面的反射光的传播路径，从而提高了光学检测效率。

Description

显示基板及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法。

背景技术

目前，OLED显示装置按照光的取出方式可以分为底发射型和顶发射型两大类。顶发射的显示基板具有开口率高、透过率高、效率高等优势，成为业界看好的光取出技术，但是由于高透过率阴极的开发受阻、阴极均一性差、透过率低、大面积蒸镀均一性差等因素，目前顶发射OLED的显示基板主要应用于手机，手表等小尺寸显示装置中，在大尺寸OLED显示装置中应用并未普及。而底发射OLED的显示基板由于工艺成熟，良率高，广泛应用于TV等大尺寸产品中。

随着生活水平的提高，人们对显示效果要求也逐步提高，随着TV等大尺寸产品使用寿命的影响，制作工艺的影响，往往存在画面色彩显示和亮度不均现象，所以需要通过补偿手段达到高质量画面显示效果目的。其中，采用光学检测层检测发光实际效果的方法是一种重要的检测方法，其主要原理是通过在一个子像素附近设置一个光探测单元，或者在多个子像素附近设置一个光探测单元，通过光探测单元感应显示结构层的发光强度的变化，通过算法，达到光学补偿效果。底发射OLED的显示基板中采用高反射率的反射层反射显示结构层中的发光层发出的光线，达到显示结构层中远离反射层一侧更多的出光通量，同时在高反射率的反射层上制作开孔，发光层发出的光线可以通过反射层的开孔到达光探测单元而被检测到，但是，如图1所示，由于光探测单元41’的上表面也会对入射的光线F’起到反射作用，而被光探测单元的上表面反射后的光线会被反射层30’的下表面进行反射而又入射至相邻或者其他的光探测单元41’上，即显示结构层中的发光层22’发出的光线会在多个光探测单元41’的上表面和高反射率的反射层30’之间来回反射(光线的入射及反射路径如图1中的箭头所示)，从而干扰光探测单元的光学检测，影响光探测单元的光学检测结果。

因为反射层的存在，每一个光探测单元的表面会有3～5％的反射光，当所有子像素同时点亮的时候，每个光探测单元将会有12％～30％干扰光的存在。当我们点亮第9行、第40列子像素时，光探测单元检测到光强度情况如图2所示。可以看出第9行、第40列子像素对应的光探测单元检测到光强度最强，相邻的光探测单元也能够检测到光强度，说明反射光在反射层的下表面发生反射现象，影响了检测结果。

发明内容

本申请提供一种显示基板及其制备方法，可以有效阻断光探测单元的表面的反射光的传播路径，从而提高了光学检测效率。

根据本申请实施例的第一方面，提供一种显示基板。所述显示基板包括依次层叠设置的显示结构层、反射层和光探测层，所述反射层用于将所述显示结构层发出的光线反射至出光方向，所述反射层上间隔设有多个通孔，所述光探测层用于检测所述显示结构层发出的通过所述反射层的通孔的光线的强度；

所述显示基板还包括吸光结构，所述吸光结构位于所述反射层远离所述显示结构层的一侧，所述吸光结构用于吸收所述显示结构层发出的被所述光探测层反射的光线。

可选的，所述吸光结构包括上吸光层；

所述上吸光层位于所述反射层与所述光探测层之间，所述上吸光层上设有沿高度方向贯穿所述上吸光层的上凹槽，所述上凹槽与所述反射层的通孔的位置一一对应，且所述上凹槽的截面的尺寸小于或等于所述通孔的截面的尺寸。

可选的，所述上凹槽包括相对设置的两个斜面，所述斜面由靠近所述反射层的一端至远离所述反射层的一端向内倾斜，所述上凹槽中远离所述反射层的一端的截面尺寸小于或等于所述通孔的截面的尺寸。

可选的，所述斜面与所述反射层所在的平面形成一夹角，所述夹角为50度～90度。

可选的，所述上吸光层的厚度为0.3um～5.5um。

可选的，所述显示基板还包括第一无机封装层、第二无机封装层和粘接层；

所述第一无机封装层位于所述反射层与所述上吸光层之间；

所述第二无机封装层覆设于所述上吸光层的下表面、所述上凹槽的侧面、所述反射层的通孔的内壁、以及露出的所述显示结构层的下表面；

所述粘接层位于所述光探测层与所述第二无机封装层之间，且填充于所述上吸光层的上凹槽以及所述反射层的通孔内。

可选的，所述吸光结构包括下吸光层；

所述显示结构层的发光层包括多个按阵列排列的显示子像素，所述光探测层包括多个光探测单元，每一所述光探测单元对应于一所述显示子像素设置，所述下吸光层设有沿高度方向贯穿所述下吸光层的下凹槽，所述光探测单元位于所述下凹槽中，且所述下凹槽与所述光探测单元一一对应，所述下吸光层的上表面到所述反射层的距离小于所述光探测单元的上表面到所述反射层的距离。

可选的，所述下吸光层的厚度为2um～20um；和/或，所述下吸光层的上表面到所述反射层的距离小于所述光探测单元的上表面到所述反射层的距离5um～20um。

可选的，所述显示基板还包括第一无机封装层、第二无机封装层和粘接层；

所述第一无机封装层覆设于所述反射层的下表面；

所述第二无机封装层覆设于所述第一无机封装层的下表面、所述反射层的通孔的内壁、以及露出的所述显示结构层的下表面；

所述粘接层位于所述下吸光层与所述第二无机封装层之间，且填充于所述下吸光层的下凹槽以及所述反射层的通孔内。

可选的，所述吸光结构包括上吸光层和下吸光层；

所述上吸光层位于所述反射层与所述光探测层之间，所述上吸光层上设有沿高度方向贯穿所述上吸光层的上凹槽，所述上凹槽与所述反射层的通孔的位置一一对应，且所述上凹槽的截面的尺寸小于或等于所述通孔的截面的尺寸；

所述显示结构层的发光层包括多个按阵列排列的显示子像素，所述光探测层包括多个光探测单元，每一所述光探测单元对应于一所述显示子像素设置，所述下吸光层设有沿高度方向贯穿所述下吸光层的下凹槽，所述光探测单元位于所述下凹槽中，且所述下凹槽与所述光探测单元一一对应，所述下吸光层的上表面到所述反射层的距离小于所述光探测单元的上表面到所述反射层的距离。

可选的，所述显示基板还包括第一无机封装层、第二无机封装层和粘接层；

所述第一无机封装层位于所述反射层与所述上吸光层之间；

所述第二无机封装层覆设于所述上吸光层的下表面、所述上凹槽的侧面、所述反射层的通孔的内壁、以及露出的所述显示结构层的下表面；

所述粘接层位于所述下吸光层与所述第二无机封装层之间，且填充于所述上吸光层的上凹槽、所述反射层的通孔以及所述下吸光层的下凹槽。

根据本申请实施例的第二方面，提供一种显示基板的制备方法，用于制备如上所述的显示基板，所述制备方法包括以下步骤：

在基板上形成所述显示结构层，所述显示结构层的发光层包括多个按阵列排列的显示子像素；

在所述显示结构层上依次形成所述反射层、所述第一无机封装层以及所述上吸光层，并在所述上吸光层间隔形成所述上凹槽、及在所述反射层上形成多个所述通孔，所述通孔与所述上凹槽的位置一一对应，且所述上凹槽的截面的尺寸小于或等于所述通孔的截面的尺寸；

在所述上吸光层的表面、所述上凹槽的侧面、所述反射层的通孔的内壁、以及露出的所述显示结构层的表面形成所述第二无机封装层，以形成阵列基板；

在衬底上形成所述光探测层，所述光探测层包括多个所述光探测单元，每一所述光探测单元对应于一所述显示子像素设置，以形成光探测基板；

将所述阵列基板和所述光探测基板对合，并通过所述粘接层将所述阵列基板和所述探测基板固定，得到所述显示基板。

根据本申请实施例的第三方面，提供另一种显示基板的制备方法，用于制备如上所述的显示基板，所述制备方法包括以下步骤：

在基板上形成所述显示结构层，所述显示结构层的发光层包括多个按阵列排列的显示子像素；

在所述显示结构层依次形成所述反射层、所述第一无机封装层，并在所述反射层上间隔形成多个所述通孔；

在所述第一无机封装层的表面、所述反射层的通孔的内壁、以及露出的所述显示结构层的表面上形成第二无机封装层，以形成阵列基板；

在衬底上形成所述光探测层，所述光探测层包括多个所述光探测单元，每一所述光探测单元对应于一所述显示子像素设置；

在所述衬底及所述光探测层上形成所述下吸光层，在所述下吸光层上对应所述光探测单元的位置开设所述下凹槽，所述光探测单元位于所述下凹槽中，且所述下凹槽与所述光探测单元一一对应，所述下吸光层的上表面所在的水平面高于所述光探测单元的上表面所在的水平面，以形成光探测基板；

将所述阵列基板和所述光探测基板对合，并通过所述粘接层将所述阵列基板和所述探测基板固定，得到所述显示基板。

根据本申请实施例的第四方面，提供又一种显示基板的制备方法，用于制备如上所述的显示基板，所述制备方法包括以下步骤：

在基板上形成所述显示结构层，所述显示结构层的发光层包括多个按阵列排列的显示子像素；

在所述显示结构层上依次形成所述反射层、所述第一无机封装层以及所述上吸光层，并在所述上吸光层间隔形成所述上凹槽、及在所述反射层上形成多个所述通孔，所述通孔与所述上凹槽的位置一一对应，且所述上凹槽的截面的尺寸小于或等于所述通孔的截面的尺寸；

在所述上吸光层的表面、所述上凹槽的侧面、所述反射层的通孔的内壁、以及露出的所述显示结构层的表面形成所述第二无机封装层，以形成阵列基板；

在衬底上形成所述光探测层，所述光探测层包括多个所述光探测单元，每一所述光探测单元对应于一所述显示子像素设置；

在所述衬底及所述光探测层上形成所述下吸光层，在所述下吸光层上对应所述光探测单元的位置开设所述下凹槽，所述光探测单元位于所述下凹槽中，且所述下凹槽与所述光探测单元一一对应，所述下吸光层的上表面所在的水平面高于所述光探测单元的上表面所在的水平面，以形成光探测基板；

将所述阵列基板和所述光探测基板对合，并通过所述粘接层将所述阵列基板和所述探测基板固定，得到所述显示基板。

上述实施例的显示基板及其制备方法，通过在所述反射层远离所述显示结构层的一侧设置吸光结构，通过吸光结构能够吸收所述显示结构层发出的被所述光探测层反射的光线，从而切断光线由所述反射层到所述光探测层的反射路线，保证每个光探测单元不会受到其他反射光线的影响，保证精确的检测效果，即，可以有效阻断光探测单元的表面的反射光的传播路径，从而提高了光学检测效率。

附图说明

图1是现有技术中的显示基板中发光层发出的光线的光路示意图。

图2是现有技术中光探测单元检测子像素的光强度变化图。

图3是本申请的实施例1的显示基板的剖面结构示意图。

图4是本申请的实施例1的显示基板中发光层发出的光线的光路示意图。

图5是本申请的实施例1的显示基板的上吸光层的立体结构示意图。

图6是本申请的实施例1的显示基板的上吸光层的剖面结构示意图。

图7是本申请的实施例1的显示基板的上吸光层的上凹槽与显示子像素的对应位置及尺寸的示意图。

图8(a)-图8(i)是本申请的实施例1的显示基板的制备方法的工艺流程图。

图9是本申请的实施例2的显示基板的剖面结构示意图。

图10是本申请的实施例2的显示基板中发光层发出的光线的光路示意图。

图11(a)-图11(f)是本申请的实施例2的显示基板的制备方法的工艺流程图。

图12是本申请的实施例3的显示基板的剖面结构示意图。

图13是本申请的实施例3的显示基板中发光层发出的光线的光路示意图。

图14(a)-图14(d)是本申请的实施例3的显示基板的制备方法的工艺流程图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“多个”包括两个，相当于至少两个。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

实施例1

请结合图3-图7以理解，本实施案例提供一种显示基板。所述显示基板包括依次层叠设置的显示结构层20、反射层30和光探测层40。反射层30用于将显示结构层20发出的光线反射至出光方向O，反射层30上间隔设有多个通孔31，光探测层40用于检测显示结构层20发出的通过反射层30的通孔31的光线L的强度。显示结构层20包括由远离反射层30至靠近反射层30方向依次叠设像素驱动电路层21、阳极(图中未标示)、发光层22和阴极23。发光层22包括多个按阵列排列的显示子像素221，光探测层40包括多个光探测单元41，每一光探测单元41对应于一显示子像素221设置。

其中，所述显示基板还包括吸光结构，所述吸光结构位于反射层30远离显示结构层20的一侧，所述吸光结构用于吸收显示结构层20发出的被光探测层40反射的光线。通过设置吸光结构，能够将显示结构层20发出的被光探测层40反射的光线吸收，从而可以有效阻断光探测单元的表面的反射光的传播路径，从而提高了光学检测效率。

具体地，所述吸光结构包括上吸光层50。上吸光层50位于反射层30与光探测层40之间，上吸光层50上设有沿高度方向贯穿上吸光层50的上凹槽51，上凹槽51与反射层30的通孔31的位置一一对应，且上凹槽51的截面的尺寸小于或等于通孔31的截面的尺寸。通过上凹槽51的截面的尺寸小于或等于通孔31的截面的尺寸，实现上吸光层50的实体部分全面覆盖住反射层30的实体部分，从而通过上吸光层50的实体部分将光探测单元的上表面的反射的光线全部吸收，而达到完全阻断光探测单元的表面的反射光的传播路径的效果。如图4所示，发光层22发出的光线F，依次通过反射层30的通孔31、以及上吸光层50的上凹槽51入射至光探测单元41，经光探测单元41的表面反射后，到达上吸光层50的光线被上吸光层50吸收，从而阻断光探测单元41的表面的反射光的传播路径。反射层30的通孔31与光探测单元41的位置一一对应，以使发光层22发出的光线F入射至光探测单元41。同样，上吸光层50的上凹槽511也与光探测单元41的位置一一对应，以使发光层22发出的光线F入射至光探测单元41。

上凹槽51包括相对设置的两个斜面511，斜面511由靠近反射层30的一端至远离反射层30的一端向内倾斜，上凹槽51中远离反射层30的一端的截面尺寸小于或等于通孔31的截面的尺寸。

所述显示基板还包括第一无机封装层71、第二无机封装层72和粘接层80。

第一无机封装层71位于反射层30与上吸光层50之间。第一无机封装层71是一层封装结构，其的作用是保护反射层30和阴极23，以避免在制作吸光层50的过程中，进行水洗工艺过程中对中反射层30和阴极23造成损伤。第一无机封装层71的材料为SiNx，SiON，SIO₂，Al₂O₃。第一无机封装层71的厚度范围为100nm～2000nm，优选300nm。

第二无机封装层72覆设于上吸光层50的下表面、上凹槽51的侧面、反射层30的通孔31的内壁、以及露出的显示结构层20的下表面。第二无机封装层72是一层封装结构，其的作用是保护发光结构层中的阴极23。第二无机封装层72的材料为SiNx，SiON，SIO₂，Al₂O₃。第二无机封装层72的厚度范围为100nm～2000nm，优选1200nm。

粘接层80位于光探测层40与第二无机封装层72之间，且填充于上吸光层50的上凹槽51以及反射层30的通孔31内。通过在上吸光层50的上凹槽51以及反射层30的通孔31内抽真空，粘接层80能够完全填充于上吸光层50的上凹槽51以及反射层30的通孔31内。

如图5所示，图5中上吸光层50的第一表面52为邻接光探测层的一面(即图3中上吸光层50的下表面)，与第一表面52相对设置的第二表面为邻接反射层30的一面(即图3中上吸光层50的上表面)，由于上吸光层50的上凹槽51的侧面为斜面511，而使上凹槽51由靠近反射层30至远离反射层30(即靠近光探测层40)呈现向内延伸的效果，即上凹槽51的截面的尺寸由靠近反射层30至远离反射层30逐渐减小。这样，通过设置上凹槽51的结构，能够在粘接层80填充进上凹槽51后，由于上凹槽51的有一个向内延伸的结构，能够增加粘接力，而提高封装信赖性。

如图6所示，图5中上吸光层50的第一表面52为邻接光探测层的一面(即图3中上吸光层50的下表面)，上凹槽51的斜面511与反射层所在的平面形成一夹角m，夹角m为50度～90度，优选72度。这因为当夹角m大于90度时，发光层22发出的光线会在上凹槽51的斜面511产生衍射现象，干扰其他光探测单元41的检测结果，当角度为72度时，发光层22发出的光线的不会在上凹槽51的斜面511产生衍射至临近光探测单元41，从而确保检测结果的准确性。并且，通过设置上吸光层50的上凹槽51的具体结构，可以有效降低粘接层80的厚度，从而进一步避免衍射光线对相邻的光探测单元41的检测的干扰作用。

可选的，上吸光层50的厚度h1为0.3um～5.5um，优选1.8um。

如图7所示，图中视角是由光探测层方向观察上吸光层50的上凹槽51在显示子像素221子上的位置。上吸光层50的上凹槽51的宽度a取值范围2um～15um，优选3um；上吸光层50的上凹槽51的长度b取值范围10um～150um，优选85um；上吸光层50的上凹槽51的左侧边距离显示子像素221子的左侧边的距离c取值范围10um～50um，优选28um；上吸光层50的上凹槽51的右侧边距离显示子像素221子的右侧边的距离d取值范围10um～50um，优选28um。显示子像素221子的长度e取值范围10um～150um，优选95um；显示子像素221子的宽度f取值范围10um～150um，优选60um。

请复参阅图3，显示基板还包括基板10和衬底90，基板10覆设于显示结构层20的上表面，衬底90覆设于光探测层40的下表面。即，基板10覆设于显示结构层20远离反射层30的一侧；衬底90覆设于光探测层40远离反射层30的一侧。

基于同一发明构思，本申请的实施例1还提供一种显示基板的制备方法，用于制备如上所述的显示基板，如图8(a)-图8(i)所示。所述制备方法包括以下步骤：

步骤110：在基板上形成所述显示结构层，所述显示结构层的发光层包括多个按阵列排列的显示子像素；

步骤120：在所述显示结构层上依次形成所述反射层、所述第一无机封装层以及所述上吸光层，并在所述上吸光层间隔形成所述上凹槽、及在所述反射层上形成多个所述通孔，所述通孔与所述上凹槽的位置一一对应，且所述上凹槽的截面的尺寸小于或等于所述通孔的截面的尺寸；

步骤130：在所述上吸光层的表面、所述上凹槽的侧面、所述反射层的通孔的内壁、以及露出的所述显示结构层的表面形成所述第二无机封装层，以形成阵列基板；

步骤200：在衬底上形成光探测层，所述光探测层包括多个光探测单元，每一所述光探测单元对应于一所述显示子像素设置，以形成光探测基板；

步骤300：将所述阵列基板和所述光探测基板对合，并通过所述粘接层将所述阵列基板和所述探测基板固定，得到所述显示基板。

在步骤110中，如图8(a)所示，显示结构层20的发光层22包括多个按阵列排列的显示子像素221。具体的，在基板10上形成显示结构层20，显示结构层20包括依次叠设于基板10上的像素驱动电路层21、阳极、发光层22和阴极23。发光层22包括多个按阵列排列的显示子像素221。

在步骤120中，具体地，包括以下步骤：

步骤121，如图8(b)所示，在显示结构层20中远离所述基板10的一侧形成反射层30，反射层30的材料为Ag、Al、Cu、Mo、Yb、Zn、Ga或它们中任意两种及两种以上金属合金、或者氧化物等，优选Al，反射层30的厚度H1为10nm～1000nm，优选200nm。

步骤122，如图8(c)所示，在反射层30形成第一无机封装层71，第一无机封装层71的材料为SiNx，SiON，SIO₂，Al₂O₃。第一无机封装层71的厚度H2范围为100nm～2000nm，优选300nm。

步骤123，如图8(d)所示，在第一无机封装层71上形成上吸光层50；如图8(e)所示，并通过曝光、显影进行图案化，以形成上凹槽51。上吸光层50可以选自黑矩阵、黑色阻挡层等，上吸光层50的材料可以是光敏树脂类、环氧化合物、黑色光阻薄膜等，上吸光层50的厚度h1为0.3um～5.5um，优选1.8um。上凹槽51贯穿上吸光层50。步骤124，如图8(f)所示，通过刻蚀方式，将第一无机封装层71和反射层30图案化，在反射层30形成与上凹槽51的位置一一对应的通孔31，且上凹槽51的截面的尺寸小于或等于通孔31的截面的尺寸。在形成通孔31的时候，在无机封装层71上相对应地也形成了开孔，以连通上吸光层50的上凹槽51与反射层30的通孔31。

在步骤130中，如图8(g)所示，在上吸光层50的表面、上凹槽51的侧面、反射层30的通孔31的内壁、以及露出的显示结构层20的表面形成第二无机封装层72，以形成阵列基板1。第二无机封装层72的材料为SiNx，SiON，SIO₂，Al₂O₃。第二无机封装层72的厚度H3范围为100nm～2000nm，优选1200nm。

在步骤200中，如图8(h)所示，在衬底90上形成光探测层40，光探测层40包括多个光探测单元41，每一光探测单元41对应于一显示子像素设置，以形成光探测基板2。需要说明的是制备阵列基板与制备光探测基板不分先后顺序，在步骤300前完成即可。

在步骤300中，如图8(i)所示，将阵列基板1的第二无机封装层72的一面朝向光探测基板2的光探测层40的一面进行对合，并通过粘接层80填充于阵列基板1于光探测基板2之间，以通过粘接层80将所述阵列基板和所述探测基板固定，得到所述显示基板。

本申请的显示基板的制备方法，只需制作一层薄薄的上吸光层，就可以有效地阻断光探测单元的表面的反射光的传播路径，提高了光学检测效率；具有制作工艺简单，现有设备即可满足工艺要求，且能够有效控制低成本，而达到器件性能最优。

实施例2

如图9和图10所示，本实施例的显示基板的整体结构基本和实施例1中的结构相同，其不同的之处在于，所述吸光结构不包括上吸光层50，而包括下吸光层60。

下吸光层60设有沿高度方向贯穿下吸光层60的下凹槽61，光探测层40的光探测单元41位于下凹槽61中，且下凹槽61与光探测单元41一一对应。下吸光层60的上表面到反射层30的距离小于光探测单元41的上表面到反射层30的距离，即，下吸光层60的上表面所在的水平面高于光探测单元41的上表面所在的水平面。可选的，下吸光层60的厚度为2um～20um，优选6um。

下吸光层60的上表面所在的水平面比光探测单元41的上表面所在的水平面高出5um～20um，优选5um，即，下吸光层60的上表面到反射层30的距离小于光探测单元41的上表面到反射层30的距离5um～20um，优选5um。由于在本实施例中，下吸光层60的下表面与光探测单元41的下表面均位于同一平面上(均位于衬底90上)，因此，下吸光层60的厚度大于光探测单元41的厚度的范围也为5um～20um，优选5um。

第二无机封装层72覆设于第一无机封装层71的下表面、反射层30的通孔31的内壁、以及露出的显示结构层20的下表面。

粘接层80位于下吸光层60与第二无机封装层72之间，且填充于下吸光层60的下凹槽61以及反射层30的通孔31内。

如图10所示，显示结构层20的发光层22发出的光线F，通过反射层30的通孔31入射至光探测单元41，经光探测单元41的表面反射后，到达下吸光层60的光线被下吸光层60吸收，从而阻断光探测单元41的表面的反射光的传播路径。

基于同一发明构思，本申请的实施例2还提供一种显示基板的制备方法，用于制备如上所述的显示基板，如图11(a)-图11(f)所示。本实施例的显示基板的制备方法基本和实施例1中的制备方法相同，其不同的之处在于：

在完成实施例1中的制备方法的步骤122后，直接进入步骤125：如图11(a)所示，通过刻蚀方式，将第一无机封装层71和反射层30图案化，在反射层30形成通孔31；

接续，进入步骤126：如图11(b)所示，在第一无机封装层71的表面、反射层30的通孔31的内壁、以及露出的显示结构层20的表面上形成第二无机封装层72，以形成阵列基板1。

在步骤200中，包括：

步骤210：如图11(c)所示，在衬底90上形成光探测层40，光探测层40包括多个光探测单元41，每一光探测单元41对应于一显示子像素设置；

步骤220：如图11(d)所示，在衬底90及光探测层40上形成下吸光层60；如图11(e)所示，对下吸光层60进行图案化，形成下凹槽61，下凹槽61对应光探测单元41的位置设置，光探测单元41位于下凹槽61中，且下凹槽61与光探测单元41一一对应，下吸光层60的上表面所在的水平面高于光探测单元41的上表面所在的水平面，以形成光探测基板2。其中，下吸光层60的上表面所在的水平面高出光探测单元41的上表面所在的水平面的范围为5um～20um，优选5um。由于在本实施例中，下吸光层60的下表面与光探测单元41的下表面均位于同一平面上(均位于衬底90上)，因此，下吸光层60的厚度h2大于光探测单元41的厚度H4的范围也为5um～20um，优选5um。

在步骤300中，如图11(f)所示，将阵列基板的第二无机封装层72的一面朝向光探测基板的下吸光层60的一面进行对合，并通过粘接层80填充于阵列基板于光探测基板之间，以通过粘接层80将所述阵列基板和所述探测基板固定，得到所述显示基板。

本申请的显示基板的制备方法，只需制作一层薄薄的下吸光层，就可以有效地阻断光探测单元的表面的反射光的传播路径，提高了光学检测效率；具有制作工艺简单，现有设备即可满足工艺要求，且能够有效控制低成本，而达到器件性能最优。

实施例3

如图12和图13所示，本实施例的显示基板的整体结构基本和实施例1中的结构相同，其不同的之处在于，所述吸光结构包括上吸光层50和下吸光层60。

下吸光层60设有沿高度方向贯穿下吸光层60的下凹槽61，光探测层40的光探测单元41位于下凹槽61中，且下凹槽61与光探测单元41一一对应。下吸光层60的上表面到反射层30的距离小于光探测单元41的上表面到反射层30的距离，即，下吸光层60的上表面所在的水平面高于光探测单元41的上表面所在的水平面。可选的，下吸光层60的厚度为2um～20um。

下吸光层60的上表面所在的水平面比光探测单元41的上表面所在的水平面高出5um～20um，优选5um，即，下吸光层60的上表面到反射层30的距离小于光探测单元41的上表面到反射层30的距离5um～20um，优选5um。由于在本实施例中，下吸光层60的下表面与光探测单元41的下表面均位于同一平面上(均位于衬底90上)，因此，下吸光层60的厚度大于光探测单元41的厚度的范围也为5um～20um，优选5um。

粘接层80位于下吸光层60与第二无机封装层72之间，且填充于下吸光层60的下凹槽61以及反射层30的通孔31内。

如图13所示，发光层22发出的光线F，依次通过反射层30的通孔31、以及上吸光层50的上凹槽51入射至光探测单元41，经光探测单元41的表面反射后，到达上吸光层50的光线被上吸光层50吸收、以及到达下吸光层60的光线被下吸光层60吸收，从而阻断光探测单元41的表面的反射光的传播路径。

基于同一发明构思，本申请的实施例3还提供一种显示基板的制备方法，用于制备如上所述的显示基板，如图14(a)-图14(d)所示。本实施例的显示基板的制备方法基本和实施例1中的制备方法相同，其不同的之处在于：

在步骤200中，包括：

步骤210：如图14(a)所示，在衬底90上形成光探测层40，光探测层40包括多个光探测单元41，每一光探测单元41对应于一显示子像素221设置；

步骤220：如图14(b)所示，在衬底90及光探测层40上形成下吸光层60；如图14(c)所示，对下吸光层60进行图案化，形成下凹槽61，下凹槽61对应光探测单元41的位置设置，光探测单元41位于下凹槽61中，且下凹槽61与光探测单元41一一对应，下吸光层60的上表面所在的水平面高于光探测单元41的上表面所在的水平面，以形成光探测基板2。其中，下吸光层60的上表面所在的水平面高出光探测单元41的上表面所在的水平面的范围为5um～20um，优选5um。由于在本实施例中，下吸光层60的下表面与光探测单元41的下表面均位于同一平面上(均位于衬底90上)，因此，下吸光层60的厚度h2大于光探测单元41的厚度H4的范围也为5um～20um，优选5um。

在步骤300中，如图14(d)所示，将阵列基板的第二无机封装层72的一面朝向光探测基板的下吸光层60的一面进行对合，并通过粘接层80填充于阵列基板于光探测基板之间，以通过粘接层80将所述阵列基板和所述探测基板固定，得到所述显示基板。

本申请的显示基板的制备方法，只需制作一层薄薄的上吸光层和下吸光层，就可以有效地阻断光探测单元的表面的反射光的传播路径，提高了光学检测效率；具有制作工艺简单，现有设备即可满足工艺要求，且能够有效控制低成本，而达到器件性能最优。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。

Claims (14)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括依次层叠设置的显示结构层、反射层和光探测层，所述反射层用于将所述显示结构层发出的光线反射至出光方向，所述反射层上间隔设有多个通孔，所述光探测层用于检测所述显示结构层发出的通过所述反射层的通孔的光线的强度；

所述显示基板还包括吸光结构，所述吸光结构位于所述反射层远离所述显示结构层的一侧，所述吸光结构用于吸收所述显示结构层发出的被所述光探测层反射的光线；

所述吸光结构包括下吸光层；

所述显示结构层的发光层包括多个按阵列排列的显示子像素，所述光探测层包括多个光探测单元，每一所述光探测单元对应于一所述显示子像素设置，所述下吸光层设有沿高度方向贯穿所述下吸光层的下凹槽，所述光探测单元位于所述下凹槽中，且所述下凹槽与所述光探测单元一一对应，所述下吸光层的上表面到所述反射层的距离小于所述光探测单元的上表面到所述反射层的距离。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述吸光结构包括上吸光层；

所述上吸光层位于所述反射层与所述光探测层之间，所述上吸光层上设有沿高度方向贯穿所述上吸光层的上凹槽，所述上凹槽与所述反射层的通孔的位置一一对应，且所述上凹槽的截面的尺寸小于或等于所述通孔的截面的尺寸。

3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述上凹槽包括相对设置的两个斜面，所述斜面由靠近所述反射层的一端至远离所述反射层的一端向内倾斜，所述上凹槽中远离所述反射层的一端的截面尺寸小于或等于所述通孔的截面的尺寸。

4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述斜面与所述反射层所在的平面形成一夹角，所述夹角为50度～90度。

5.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述上吸光层的厚度为0.3um～5.5um。

6.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第一无机封装层、第二无机封装层和粘接层；

所述第一无机封装层位于所述反射层与所述上吸光层之间；

所述第二无机封装层覆设于所述上吸光层的下表面、所述上凹槽的侧面、所述反射层的通孔的内壁、以及露出的所述显示结构层的下表面；

所述粘接层位于所述光探测层与所述第二无机封装层之间，且填充于所述上吸光层的上凹槽以及所述反射层的通孔内。

7.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述下吸光层的厚度为2um～20um；和/或，所述下吸光层的上表面到所述反射层的距离小于所述光探测单元的上表面到所述反射层的距离5um～20um。

8.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第一无机封装层、第二无机封装层和粘接层；

所述第一无机封装层覆设于所述反射层的下表面；

所述第二无机封装层覆设于所述第一无机封装层的下表面、所述反射层的通孔的内壁、以及露出的所述显示结构层的下表面；

所述粘接层位于所述下吸光层与所述第二无机封装层之间，且填充于所述下吸光层的下凹槽以及所述反射层的通孔内。

9.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述上凹槽包括相对设置的两个斜面，所述斜面由靠近所述反射层的一端至远离所述反射层的一端向内倾斜，所述上凹槽中远离所述反射层的一端的截面尺寸小于或等于所述通孔的截面的尺寸；所述斜面与所述反射层所在的平面形成一夹角，所述夹角为50度～90度。

10.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述上吸光层的厚度为0.3um～5.5um；和/或，

所述下吸光层的厚度为2um～20um；和/或，

所述下吸光层的上表面到所述反射层的距离小于所述光探测单元的上表面到所述反射层的距离5um～20um。

11.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第一无机封装层、第二无机封装层和粘接层；

所述第一无机封装层位于所述反射层与所述上吸光层之间；

所述第二无机封装层覆设于所述上吸光层的下表面、所述上凹槽的侧面、所述反射层的通孔的内壁、以及露出的所述显示结构层的下表面；

所述粘接层位于所述下吸光层与所述第二无机封装层之间，且填充于所述上吸光层的上凹槽、所述反射层的通孔以及所述下吸光层的下凹槽。

12.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备如权利要求6所述的显示基板，所述制备方法包括以下步骤：

在基板上形成所述显示结构层，所述显示结构层的发光层包括多个按阵列排列的显示子像素；

在所述显示结构层上依次形成所述反射层、所述第一无机封装层以及所述上吸光层，并在所述上吸光层间隔形成所述上凹槽、及在所述反射层上形成多个所述通孔，所述通孔与所述上凹槽的位置一一对应，且所述上凹槽的截面的尺寸小于或等于所述通孔的截面的尺寸；

在所述上吸光层的表面、所述上凹槽的侧面、所述反射层的通孔的内壁、以及露出的所述显示结构层的表面形成所述第二无机封装层，以形成阵列基板；

在衬底上形成所述光探测层，所述光探测层包括多个光探测单元，每一所述光探测单元对应于一所述显示子像素设置，以形成光探测基板；

将所述阵列基板和所述光探测基板对合，并通过所述粘接层将所述阵列基板和所述光探测基板固定，得到所述显示基板。

13.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备如权利要求8所述的显示基板，所述制备方法包括以下步骤：

在基板上形成所述显示结构层，所述显示结构层的发光层包括多个按阵列排列的显示子像素；

在所述显示结构层依次形成所述反射层、所述第一无机封装层，并在所述反射层上间隔形成多个所述通孔；

在所述第一无机封装层的表面、所述反射层的通孔的内壁、以及露出的所述显示结构层的表面上形成第二无机封装层，以形成阵列基板；

在衬底上形成所述光探测层，所述光探测层包括多个所述光探测单元，每一所述光探测单元对应于一所述显示子像素设置；

在所述衬底及所述光探测层上形成所述下吸光层，在所述下吸光层上对应所述光探测单元的位置开设所述下凹槽，所述光探测单元位于所述下凹槽中，且所述下凹槽与所述光探测单元一一对应，所述下吸光层的上表面所在的水平面高于所述光探测单元的上表面所在的水平面，以形成光探测基板；

将所述阵列基板和所述光探测基板对合，并通过所述粘接层将所述阵列基板和所述光探测基板固定，得到所述显示基板。

14.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备如权利要求11所述的显示基板，所述制备方法包括以下步骤：

在基板上形成所述显示结构层，所述显示结构层的发光层包括多个按阵列排列的显示子像素；

在所述显示结构层上依次形成所述反射层、所述第一无机封装层以及所述上吸光层，并在所述上吸光层间隔形成所述上凹槽、及在所述反射层上形成多个所述通孔，所述通孔与所述上凹槽的位置一一对应，且所述上凹槽的截面的尺寸小于或等于所述通孔的截面的尺寸；

在所述上吸光层的表面、所述上凹槽的侧面、所述反射层的通孔的内壁、以及露出的所述显示结构层的表面形成所述第二无机封装层，以形成阵列基板；

在衬底上形成所述光探测层，所述光探测层包括多个所述光探测单元，每一所述光探测单元对应于一所述显示子像素设置；

在所述衬底及所述光探测层上形成所述下吸光层，在所述下吸光层上对应所述光探测单元的位置开设所述下凹槽，所述光探测单元位于所述下凹槽中，且所述下凹槽与所述光探测单元一一对应，所述下吸光层的上表面所在的水平面高于所述光探测单元的上表面所在的水平面，以形成光探测基板；

将所述阵列基板和所述光探测基板对合，并通过所述粘接层将所述阵列基板和所述光探测基板固定，得到所述显示基板。

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