CN111341791A - Goa电路、goa膜层结构、goa膜层结构制备方法和显示面板 - Google Patents

Goa电路、goa膜层结构、goa膜层结构制备方法和显示面板 Download PDF

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Abstract

本申请涉及一种GOA电路、GOA膜层结构、GOA膜层结构制备方法和显示面板；所述GOA电路包括修复网络；修复网络与GOA电路的金属走线区和TFT电路区间隔设置，且覆盖金属走线区和TFT电路区；其中，修复网络用于在TFT电路区内的侧向CK金属走线断裂时，将侧向CK金属走线进行导电连通，通过相隔GOA电路的金属走线区和TFT电路区设置修复网络，当GOA电路的TFT电路区内某处的侧向CK金属走线出现断裂情况时，利用修复网络对应位置的导电线，将断裂的侧向CK金属走线进行导电连通，从而保证GOA电路正常运行，保证GOA电路的级传有效，且该修复方式无需另增工艺制程，避免提高制造成本。

Description

GOA电路、GOA膜层结构、GOA膜层结构制备方法和显示面板
技术领域
本申请涉及显示驱动技术，特别是涉及一种GOA电路、GOA膜层结构、GOA膜层结构制备方法和显示面板。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示屏的驱动技术也取得了长足的进步，为提高显示屏的性能提供了巨大的助力，其中，GOA(Gate Driver on Array，阵列基板行驱动)技术使得显示屏边框更窄，厚度更薄，集成度更高，产品形态更丰富，工艺流程更简化，未来产品更有竞争力，并可降低制造成本，提高模组良率。
但是，在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：传统GOA电路中的金属线易断裂，导致GOA电路的级传完全失效。
发明内容
基于此，有必要针对传统GOA电路中的金属线易断裂，导致GOA电路的级传完全失效的问题，提供一种GOA电路、GOA膜层结构、GOA膜层结构制备方法和显示面板。
为了实现上述目的，本申请实施例提供了一种GOA电路，包括修复网络；
修复网络与GOA电路的金属走线区和TFT电路区间隔设置，且覆盖金属走线区和TFT电路区；
其中，修复网络用于在TFT电路区内的侧向CK金属走线断裂时，将侧向CK金属走线进行导电连通。
在其中一个实施例中，修复网络还用于在TFT电路区内的级传走线断裂时，将级传走线进行导电连通。
在其中一个实施例中，修复网络还用于在金属走线区内的CK金属走线断裂时，将CK金属走线进行导电连通。
在其中一个实施例中，修复网络为由ITO/Ag/ITO材料制成导电网络。
一种GOA膜层结构，包括修复网络层；
修复网络层的一端部设于GOA膜层结构的平坦层内，另一端部延伸至平坦层上；修复网络层覆盖GOA膜层结构的金属走线区和TFT电路区；
其中，修复网络层用于在TFT电路区内的侧向CK金属走线层断裂时，将侧向CK金属走线层进行导电连通。
在其中一个实施例中，修复网络层还用于在TFT电路区内的级传走线层断裂时，将级传走线层进行导电连通。
在其中一个实施例中，修复网络层还用于在金属走线区内的CK金属走线层断裂时，将CK金属走线层进行导电连通。
在其中一个实施例中，还包括玻璃基板、避光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介电层、源漏金属层、钝化层、平坦层和像素定义层；
避光层设于玻璃基板上；缓冲层设于玻璃基板上，并覆盖避光层；
层间介电层叠加在缓冲层之上；有源层、栅极绝缘层和栅极层依次叠加在缓冲层之上，且设于层间介电层内；
钝化层、平坦层和像素定义层依次叠加在层间介电层之上；像素定义层覆盖修复网络层的另一端部；
源漏金属层的一端插入层间介电层内，并与有源层机械连接；源漏金属层的另一端插入钝化层内。
一种GOA膜层结构制备方法，包括以下步骤：
提供玻璃基板；玻璃基板上形成有避光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介电层、源漏金属层、钝化层和平坦层；
在平坦层形成槽，并在槽内形成修复网络；修复网络的一端部形成于槽内，另一端部形成于平坦层上；修复网络层覆盖GOA膜层结构的金属走线区和TFT电路区；修复网络层用于在TFT电路区内的侧向CK金属走线层断裂时，将侧向CK金属走线层进行导电连通。
一种显示面板，包括上述的GOA膜层结构。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
本申请各实施例提供的GOA电路，包括修复网络，修复网络与GOA电路的金属走线区和TFT电路区间隔设置，且覆盖金属走线区和TFT电路区，其中，修复网络用于在TFT电路区内的侧向CK金属走线断裂时，将侧向CK金属走线进行导电连通，通过相隔GOA电路的金属走线区和TFT电路区设置修复网络，当GOA电路的TFT电路区内某处的侧向CK金属走线出现断裂情况时，利用修复网络对应位置的导电线，将断裂的侧向CK金属走线进行导电连通，从而保证GOA电路正常运行，保证GOA电路的级传有效，且该修复方式无需另增工艺制程，避免提高制造成本。
附图说明
图1为一个实施例中GOA电路的结构示意图；
图2为一个实施例中GOA电路的修复示意图；
图3为另一个实施例中GOA电路的修复示意图；
图4为又一个实施例中GOA电路的修复示意图；
图5为一个实施例中GOA膜层结构的结构示意图；
图6为一个实施例中GOA膜层结构制备方法的流程示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体，或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“设于”、“一端部”、“另一端部”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
为了解决传统GOA电路中的金属线易断裂，导致GOA电路的级传完全失效的问题，如图1所示，提供了一种GOA Gate Driver On Array，阵列基板行驱动)电路，包括修复网络；
修复网络与GOA电路的金属走线区和TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)电路区间隔设置，且覆盖金属走线区和TFT电路区；
其中，修复网络用于在TFT电路区内的侧向CK(Clock drive signal，时钟驱动信号)金属走线断裂时，将侧向CK金属走线进行导电连通。
需要说明的是，在显示面板中，例如，AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)显示面板中，GOA电路的制作制程普遍采用top gate(顶栅)结构，GOA电路中某处金属线断裂就是导致GOA电路的级传失效，例如，TFT电路区内的侧向CK金属走线和级传走线、或金属走线区内的CK金属走线等走线断裂都会导致GOA电路的级传失效。为了避免因金属走线断裂造成GOA电路级传失效，而导致整个显示面板出现显示问题，因此，本申请通过在GOA电路的金属走线区和TFT电路区间隔的位置设置修复网络，提供了有效的、低成本的、易实现的修复方式。
GOA电路在膜层结构上布线，包括金属走线区和TFT电路区，金属走线区主要用于布置金属走线，TFT电路区主要用于布置薄膜晶体管，间隔金属走线区和TFT电路区设置修复网络，修复网络覆盖整个金属走线区和TFT电路区，从而使得金属走线区和TFT电路区内任何一处的走线断裂都能被修复，进一步的，修复网络平行于金属走线区和TFT电路区设置，修复网络中的各网格可一一对应地围住TFT电路区内的GOA单元(GOA单元为GOA电路中的级联的行驱动单元)，在GOA电路正常(GOA电路没有出现金属走线断裂的情况)时，修复网络与GOA电路无电连接。
如图2所示，在一个示例中，修复网络用于在TFT电路区内的侧向CK金属走线断裂时，将侧向CK金属走线进行导电连通，具体的，在检测到TFT电路区内的侧向CK金属走线出现断裂情况时(如图2中的1位置)，如图2中的1位置对应的GOA单元无法从金属走线区获取到正常的驱动电压，为了保证该位置及以后的GOA单元的级传有效，通过修复网络将图2中的1位置的侧向CK金属走线进行导电连通，具体的，将修复网络从图2中的2位置和3位置截断，然后将截断出来的修复线段在图2中的4位置和5位置与图2中的1位置的侧向CK金属走线进行熔接。
如图3所示，在一个示例中，修复网络还用于在TFT电路区内的级传走线断裂时，将级传走线进行导电连通，具体的，在检测到TFT电路区内的级传走线出现断裂情况时(如图3中的1位置)，图3中的1位置对应的GOA单元无法从上级GOA单元获取到正常的驱动电压，为了保证该位置及以后的GOA单元的级传有效，通过修复网络将图3中的1位置的级传走线进行导电连通，具体的，将修复网络从图3中的2位置和3位置截断，然后将截断出来的修复线段在图3中的4位置和5位置与图3中的1位置的级传走线进行熔接。
如图4所示，在一个实施例中，修复网络还用于在金属走线区内的CK金属走线断裂时，将CK金属走线进行导电连通，具体的，在检测到金属走线区内的CK金属走线出现断裂情况时(如图4中的1位置)，金属走线区无法正常向TFT电路区传输驱动信号，为了保证金属走线区能正常向TFT电路区传输驱动信号，通过修复网络将图4中的1位置的CK金属走线进行导电连通，具体的，将修复网络从图4中的2位置和3位置截断，然后将截断出来的修复线段在图4中的4位置和5位置与图4中的1位置的CK金属走线进行熔接。
在一个示例中，采用激光焊接工艺分别对修复网络与侧向CK金属走线、级传走线或者CK金属走线进行熔接。
修复线为导电材料制成的导电线，在一个示例中，修复网络为由ITO/Ag/ITO材料制成导电网络。
本申请GOA电路的各实施例中，包括修复网络，修复网络与GOA电路的金属走线区和TFT电路区间隔设置，且覆盖金属走线区和TFT电路区，其中，修复网络用于在TFT电路区内的侧向CK金属走线断裂时，将侧向CK金属走线进行导电连通，通过相隔GOA电路的金属走线区和TFT电路区设置修复网络，当GOA电路的TFT电路区内某处的侧向CK金属走线出现断裂情况时，利用修复网络对应位置的导电线，将断裂的侧向CK金属走线进行导电连通，从而保证GOA电路正常运行，保证GOA电路的级传有效，且该修复方式无需另增工艺制程，避免提高制造成本。
在一个实施例中，如图5所示，提供了一种GOA膜层结构，包括修复网络层51；
修复网络层51的一端部设于GOA膜层结构的平坦层53内，另一端部延伸至平坦层53上；修复网络层51覆盖GOA膜层结构的金属走线区和TFT电路区；
其中，修复网络层51用于在TFT电路区内的侧向CK金属走线层断裂时，将侧向CK金属走线层进行导电连通。
需要说明的是，将本申请的GOA电路图形化，制作到GOA膜层结构中，GOA膜层结构包括一端部设于GOA膜层结构的平坦层内，另一端部延伸至平坦层上的修复网络层。修复网络层在GOA膜层结构上的走线覆盖GOA膜层结构的金属走线区和TFT电路区。
在一个示例中，修复网络层用于在TFT电路区内的侧向CK金属走线层断裂时，将侧向CK金属走线层进行导电连通，具体的，在检测到TFT电路区内的侧向CK金属走线层出现断裂情况时，从该位置附近的修复网络上熔断一端修复线段，并将该位置的GOA膜层结构上的钝化层熔穿，然后将该修复线段与断裂的侧向CK金属走线层进行熔接，实现对断裂的侧向CK金属走线层进行导电连通。
在一个示例中，修复网络层还用于在TFT电路区内的级传走线层断裂时，将级传走线层进行导电连通，具体的，在检测到TFT电路区内的级传走线层出现断裂情况时，从该位置附近的修复网络上熔断一端修复线段，并将该位置的GOA膜层结构上的钝化层熔穿，然后将该修复线段与断裂的级传走线层进行熔接，实现对断裂的级传走线层进行导电连通。
在一个示例中，修复网络层还用于在金属走线区内的CK金属走线层断裂时，将CK金属走线层进行导电连通，具体的，在检测到金属走线区内的CK金属走线层出现断裂情况时，从该位置附近的修复网络上熔断一端修复线段，并将该位置的GOA膜层结构上的钝化层熔穿，然后将该修复线段与断裂的CK金属走线层进行熔接，实现对断裂的CK金属走线层进行导电连通。
为了避免增加新的制程工艺，避免提高生产制造成本，在一个示例中，修复网络的制作，采用传统制造显示面板的金属阳极制程工艺，来制作本申请的修复线层，仅仅对金属阳极的制程工艺的金属图案进行改变增加上本申请的修复网络，从而无需增加新的制程工艺，并不会导致成本的提高。
进一步的，在一个示例中，如图5所示，GOA膜层结构还包括玻璃基板55、避光层57、缓冲层59、有源层61、栅极绝缘层63、栅极层65、层间介电层67、源漏金属层69、钝化层71、平坦层53和像素定义层73；
避光层57设于玻璃基板55上；缓冲层59设于玻璃基板55上，并覆盖避光层57；
层间介电层67叠加在缓冲层59之上；有源层61、栅极绝缘层63和栅极层65依次叠加在缓冲层59之上，且设于层间介电层67内；
钝化层71、平坦层53和像素定义层73依次叠加在层间介电层67之上；像素定义层73覆盖修复网络层51的另一端部；
源漏金属层69的一端插入层间介电层67内，并与有源层61机械连接；源漏金属层69的另一端插入钝化层71内。
本申请GOA膜层结构的各实施例中，包括修复网络层，修复网络层的一端部设于GOA膜层结构的平坦层内，另一端部延伸至平坦层上；修复网络层覆盖GOA膜层结构的金属走线区和TFT电路区，其中，修复网络层用于在TFT电路区内的侧向CK金属走线层断裂时，将侧向CK金属走线层进行导电连通，通过相隔GOA膜层结构的金属走线区和TFT电路区设置修复网络层，当GOA膜层结构的TFT电路区内某处的金属走线出现断裂情况时，利用修复网络对应位置的导电层，将断裂的金属走线进行导电连通，从而保证GOA膜层结构正常运行，保证GOA膜层结构的级传有效，且该修复方式无需另增工艺制程，避免提高制造成本。
在一个实施例中，如图6所示，提供了一种GOA膜层结构制备方法，包括以下步骤：
步骤S61，提供玻璃基板；玻璃基板上形成有避光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介电层、源漏金属层、钝化层和平坦层；
步骤S63，在平坦层形成槽，并在槽内形成修复网络；修复网络的一端部形成于槽内，另一端部形成于平坦层上；修复网络层覆盖GOA膜层结构的金属走线区和TFT电路区；修复网络层用于在TFT电路区内的侧向CK金属走线层断裂时，将侧向CK金属走线层进行导电连通。
需要说明的是，采用沉积工艺，在在平坦层的槽内修复网络，进一步的，可采用但不限于以下沉积工艺形成：化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)、物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition，PVD)、原子层沉积法(atomic layer deposition，ALD)、低压化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)、激光烧蚀沉积法(Laser ablation deposition，LAD)和选择外延生长法(Selective epitaxialgrowth，SEG)。其中，修复线层为由钼铜或钼铝材料形成。缓冲层(Buffer层)为由无机材料(例如，氮化镓或氮化铝等)形成。
进一步的，沉积修复网络的制程工艺，可采用传统制备显示面板的金属阳极制程工艺，仅需在金属阳极的制程工艺的金属图案中增加修复网络，因此，本申请的修复网络是与金属阳极为一体，同时具备金属阳极的功能和修复功能。
该实施例中的修复网络层与本申请GOA膜层结构的各实施例所述的修复网络层相同，详情请参照本申请GOA膜层结构各实施例所述的修复网络层，此处不再赘述。
在一个示例中，在玻璃基板上形成有避光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介电层、源漏金属层、钝化层和平坦层的步骤包括：
在玻璃基板上形成避光层，并在玻璃基板上形成覆盖避光层的缓冲层；
在缓冲层上形成间隔设置的有源层，并在有源层上依次形成栅极绝缘层和栅极层；
在缓冲层上形成覆盖有源层、栅极绝缘层和栅极层的层间介电层；
在层间介电层上形成槽；槽的一端的侧壁与有源层机械连接；
在槽内形成源漏金属层；源漏金属层的一端与有源层机械连接，另一端延伸至层间介电层上；
在层间介电层上形成覆盖源漏金属层的钝化层，并在钝化层上形成平坦层。
具体的，避光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介电层、源漏金属层、钝化层和平坦层均采用沉积工艺形成，进一步的，可采用但不限于以下沉积工艺形成：化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)、物理气相沉积法(Physical VaporDeposition，PVD)、原子层沉积法(atomic layer deposition，ALD)、低压化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)、激光烧蚀沉积法(Laser ablationdeposition，LAD)和选择外延生长法(Selective epitaxial growth，SEG)。
其中，有源(Poly)层为由多晶硅等材料形成，作为源极。栅极绝缘(GateInsulator，GI)层为由无机材料(例如，氮化硅或氧化硅等)形成，用于隔离有源层和栅极层。栅极(gate，Gat)层为由导电材料(例如，钽、钨、氮化钽、或氮化钛等)形成。层间介电(inter-layer dielectric，ILD)层为由介电材料(例如，氟聚合物基体或氟硅烷表面改性的无机钛酸盐等)形成。源漏金属层为由铜、钼、铝、钛、或其组合等材料形成，钝化层为由氧化硅等材料形成，平坦层为由树脂等材料形成，
进一步的，GOA膜层结构制备方法，还包括以下步骤：
在平坦层上形成像素定义层。
需要说明的是，像素定义层为由感光树脂等材料形成。
本申请GOA膜层结构制备方法的实施例中，在GOA膜层结构上形成修复线网络层，通过相隔GOA膜层结构的金属走线区和TFT电路区设置修复网络层，当GOA膜层结构的TFT电路区内某处的金属走线出现断裂情况时，利用修复网络对应位置的导电层，将断裂的金属走线进行导电连通，从而保证GOA膜层结构正常运行，保证GOA膜层结构的级传有效，且该修复方式无需另增工艺制程，避免提高制造成本。
应该理解的是，虽然图6的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图6中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在一个实施例中，一种显示面板，包括申请GOA膜层结构各实施例所述的GOA膜层结构。
需要说明的是，显示面板可为OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机电激光显示)显示面板或LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)面板。
该实施例中的GOA膜层结构，与本申请GOA膜层结构各实施例中所述的GOA膜层结构相同，详细请参照本申请GOA膜层结构各实施例的描述，此处不再赘述。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种GOA电路，其特征在于，包括修复网络；
所述修复网络与所述GOA电路的金属走线区和TFT电路区间隔设置，且覆盖所述金属走线区和所述TFT电路区；
其中，所述修复网络用于在所述TFT电路区内的侧向CK金属走线断裂时，将所述侧向CK金属走线进行导电连通。
2.根据权利要求1所述的GOA电路，其特征在于，所述修复网络还用于在所述TFT电路区内的级传走线断裂时，将所述级传走线进行导电连通。
3.根据权利要求1所述的GOA电路，其特征在于，所述修复网络还用于在所述金属走线区内的CK金属走线断裂时，将所述CK金属走线进行导电连通。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的GOA电路，其特征在于，所述修复网络为由ITO/Ag/ITO材料制成导电网络。
5.一种GOA膜层结构，其特征在于，包括修复网络层；
所述修复网络层的一端部设于GOA膜层结构的平坦层内，另一端部延伸至所述平坦层上；所述修复网络层覆盖所述GOA膜层结构的金属走线区和所述TFT电路区；
其中，所述修复网络层用于在所述TFT电路区内的侧向CK金属走线层断裂时，将所述侧向CK金属走线层进行导电连通。
6.根据权利要求5所述的GOA膜层结构，其特征在于，所述修复网络层还用于在所述TFT电路区内的级传走线层断裂时，将所述级传走线层进行导电连通。
7.根据权利要求5所述的GOA膜层结构，其特征在于，所述修复网络层还用于在所述金属走线区内的CK金属走线层断裂时，将所述CK金属走线层进行导电连通。
8.根据权利要求5至7中任意一项所述的GOA膜层结构，其特征在于，还包括玻璃基板、避光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介电层、源漏金属层、钝化层、平坦层和像素定义层；
所述避光层设于所述玻璃基板上；所述缓冲层设于所述玻璃基板上，并覆盖所述避光层；
所述层间介电层叠加在所述缓冲层之上；所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极层依次叠加在所述缓冲层之上，且设于所述层间介电层内；
所述钝化层、所述平坦层和所述像素定义层依次叠加在所述层间介电层之上；所述像素定义层覆盖所述修复网络层的另一端部；
所述源漏金属层的一端插入所述层间介电层内，并与所述有源层机械连接；所述源漏金属层的另一端插入所述钝化层内。
9.一种GOA膜层结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供玻璃基板；所述玻璃基板上形成有避光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介电层、源漏金属层、钝化层和平坦层；
在所述平坦层形成槽，并在所述槽内形成修复网络；所述修复网络的一端部形成于所述槽内，另一端部形成于所述平坦层上；所述修复网络层覆盖GOA膜层结构的金属走线区和所述TFT电路区；所述修复网络层用于在所述TFT电路区内的侧向CK金属走线层断裂时，将所述侧向CK金属走线层进行导电连通。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求5至8中任意一项所述的GOA膜层结构。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113871434A (zh) * 2021-09-17 2021-12-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其修复方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100163881A1 (en) * 2008-12-26 2010-07-01 Kang Seung-Chul Array substrate for electrophoresis type display device and method of manufacturing the same, method of repairing a line of the same
JP2011033846A (ja) * 2009-08-01 2011-02-17 Videocon Global Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
CN105044946A (zh) * 2015-09-09 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及修复方法
CN105425484A (zh) * 2015-11-19 2016-03-23 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板结构及阵列基板断线修复方法
CN110729357A (zh) * 2019-10-22 2020-01-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管及其制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100163881A1 (en) * 2008-12-26 2010-07-01 Kang Seung-Chul Array substrate for electrophoresis type display device and method of manufacturing the same, method of repairing a line of the same
JP2011033846A (ja) * 2009-08-01 2011-02-17 Videocon Global Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
CN105044946A (zh) * 2015-09-09 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及修复方法
CN105425484A (zh) * 2015-11-19 2016-03-23 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板结构及阵列基板断线修复方法
CN110729357A (zh) * 2019-10-22 2020-01-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管及其制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
廖燕平等 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113871434A (zh) * 2021-09-17 2021-12-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其修复方法
CN113871434B (zh) * 2021-09-17 2023-04-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其修复方法

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