CN111341766B - 一种mini LED主板制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 25
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明提供一种mini LED主板制作方法，包括以下步骤：S1.准备双面覆铜板；S2.钻孔；S3.镀铜；S4.填孔；S5.电路制作；S6.阻焊文字；S7.制备金属层:在双面覆铜板的LED面通过物理气相沉积方式形成金属层；S8.光刻；S9.表面处理、成型、测试。本发明PCB采用物理气相沉积（PVD）在主板LED面沉积一层超薄金属层，然后采用光刻工艺制作精细线路，实现极限能力20/20um左右线宽线距，使得LED灯节距在0.1‑0.4mm。本发明突破了mini LED显示屏目前的生产能力，达到更高的清晰度。
Description
技术领域
本发明属于PCB加工方法领域，具体涉及一种mini LED 主板制作方法。
背景技术
mini LED就是“小LED灯珠”——这个小，是和普通的LED灯泡相比的小。但是请注意，它的每一个发光单元（或者说每一个“灯泡”）都还是没有小到能当屏幕像素使用的程度，因此当我们说到“mini LED屏幕”时，这其实是个错误的表述，因为mini LED本身是不能做屏幕面板使用的，它的真正用途其实是用于液晶屏幕的背光模组。
与传统的侧面背光或者老式的直下式背光相比，mini LED的优点和缺点都非常明显。首先优点是因为每一个背光“灯泡”都更小，所以能够实现更精密的动态背光效果，在有效提高屏幕亮度和对比度的同时，还能抑制传统大灯泡动态背光在屏幕亮暗区域之间造成的眩光现象。而缺点则主要是高密度的LED背光模组所导致的高能耗、高发热、高成本，以及本质上依然还是液晶显示所导致的整块屏幕厚重问题了。
目前，主流mini LED主板均采用常规PCB的加工工艺，但是现有技术的LED 主板PCB难以做到灯间距0.6mm以下。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种mini LED 主板制作方法，本发明最外层采用PVD的方式制作，在主板LED面沉积一层精细线路，实现生产间距0.5mm以下的mini LED显示屏。
本发明突破了mini LED显示屏目前的生产能力，达到更高的清晰度。
本发明的技术方案为：
一种mini LED 主板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.准备双面覆铜板，将线路板通过内层、压合、镭射工艺，制备获得双面覆铜板；
S2.钻孔：对所述双面覆铜板进行钻孔，确保所钻的钻孔贯穿所述双面覆铜板的两层铜箔；
S3.镀铜：对所述双面覆铜板的钻孔孔壁进行镀铜，以使位于所述钻孔孔壁的镀铜层连接所述双面覆铜板两面的铜箔，以使所述双面覆铜板两面的铜箔形成电连接；
S4.填孔：用黑色树脂或黑色油墨将所述钻孔填满；
S5.电路制作：在双面覆铜板的两面分别制作正、反面电路，并在所述电路设置电路焊盘；
S6.阻焊文字制作：用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的IC面涂覆，用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的顶面边缘涂覆，以保护电路；在阻焊表面印文字，烘干后采用蓝胶保护文字表面；
S7.制备金属层：在双面覆铜板的LED面通过物理气相沉积方式形成金属层；
S8.光刻：采用光刻胶涂覆，光刻处理；采用光刻工艺制作精细线路，实现极限能力20/20um左右线宽线距。
S9.表面处理、成型、测试。
进一步的，所述步骤S7中，具体步骤为：采用物理气相沉积方式在所述双面覆铜板的LED面表面形成金属层；对沉积所述金属层后的所述双面覆铜板进行退火处理，得到结晶态金属氧化物薄膜。
进一步的，所述退火处理的温度为700℃-800℃，保温时间为1min-3min，退火气氛为氧气或者氧气与氮气的混合气体。
进一步的，所述退火处理中，退火气氛的气体通入流量为31标准升/分钟-45标准升/分钟。
进一步的，所述金属层的材料为Ni、Al、Ti、Mg及Ag中的任意一种。
进一步的，所述金属层的材料为Ni。
进一步的，所述金属层的厚度为1um-10um。
进一步的，步骤S9中，成型工艺包括：通过黑色树脂将异向导电胶贴附在需要贴装miniled芯片的电路焊盘；将miniled芯片转移至相应的所述电路焊盘，并将所述miniled芯片粘合在所述异向导电胶的表面；将所述miniled芯片与所述电路焊盘通过回流焊接的方式焊接在一起，回流焊接后，所述异向导电胶制作步骤所用到的黑色树脂熔化，并因表面张力包裹所述miniled芯片的侧面，而所述异向导电胶在所述miniled芯片的底部受热熔化，以将所述miniled芯片的底部焊盘与所述基板的焊盘导通焊接。
进一步的，所述miniled芯片的间距为0.1-0.4mm。
本发明PCB采用物理气相沉积（PVD）在主板LED面沉积一层超薄金属层，然后采用光刻工艺制作精细线路，实现极限能力20/20um左右线宽线距，使得LED灯间距在0.1-0.4mm。本发明突破了mini LED显示屏目前的生产能力，达到更高的清晰度。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本发明进行进一步的详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本发明，并不限定本发明的保护范围。
实施例1
一种mini LED 主板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.准备双面覆铜板，将线路板通过内层、压合、镭射工艺，制备获得双面覆铜板；
S2.钻孔：对所述双面覆铜板进行钻孔，确保所钻的钻孔贯穿所述双面覆铜板的两层铜箔；
S3.镀铜：对所述双面覆铜板的钻孔孔壁进行镀铜，以使位于所述钻孔孔壁的镀铜层连接所述双面覆铜板两面的铜箔，以使所述双面覆铜板两面的铜箔形成电连接；
S4.填孔：用黑色树脂或黑色油墨将所述钻孔填满；
S5.电路制作：在双面覆铜板的两面分别制作正、反面电路，并在所述电路设置电路焊盘；
S6.阻焊文字制作：用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的IC面涂覆，用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的顶面边缘涂覆，以保护电路；在阻焊表面印文字，烘干后采用蓝胶保护文字表面；
S7.制备金属层：在双面覆铜板的LED面通过物理气相沉积方式形成金属层；
S8.光刻：采用光刻胶涂覆，光刻处理；采用光刻工艺制作精细线路，实现极限能力20/20um左右线宽线距。
S9.表面处理、成型、测试。
进一步的，所述步骤S7中，具体步骤为：采用物理气相沉积方式在所述双面覆铜板的LED面表面形成金属层；对沉积所述金属层后的所述双面覆铜板进行退火处理，得到结晶态金属氧化物薄膜。
进一步的，所述退火处理的温度为750℃，保温时间为2min，退火气氛为氧气与氮气的混合气体。
进一步的，所述退火处理中，退火气氛的气体通入流量为36标准升/分钟。
进一步的，所述金属层的材料为Ni。
进一步的，所述金属层的厚度为5um。
进一步的，步骤S9中，成型工艺包括：通过黑色树脂将异向导电胶贴附在需要贴装miniled芯片的电路焊盘；将miniled芯片转移至相应的所述电路焊盘，并将所述miniled芯片粘合在所述异向导电胶的表面；将所述miniled芯片与所述电路焊盘通过回流焊接的方式焊接在一起，回流焊接后，所述异向导电胶制作步骤所用到的黑色树脂熔化，并因表面张力包裹所述miniled芯片的侧面，而所述异向导电胶在所述miniled芯片的底部受热熔化，以将所述miniled芯片的底部焊盘与所述基板的焊盘导通焊接。
进一步的，所述miniled芯片的间距为0.1mm。
实施例2
一种mini LED 主板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.准备双面覆铜板，将线路板通过内层、压合、镭射工艺，制备获得双面覆铜板；
S2.钻孔：对所述双面覆铜板进行钻孔，确保所钻的钻孔贯穿所述双面覆铜板的两层铜箔；
S3.镀铜：对所述双面覆铜板的钻孔孔壁进行镀铜，以使位于所述钻孔孔壁的镀铜层连接所述双面覆铜板两面的铜箔，以使所述双面覆铜板两面的铜箔形成电连接；
S4.填孔：用黑色树脂或黑色油墨将所述钻孔填满；
S5.电路制作：在双面覆铜板的两面分别制作正、反面电路，并在所述电路设置电路焊盘；
S6.阻焊文字制作：用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的IC面涂覆，用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的顶面边缘涂覆，以保护电路；在阻焊表面印文字，烘干后采用蓝胶保护文字表面；
S7.制备金属层：在双面覆铜板的LED面通过物理气相沉积方式形成金属层；
S8.光刻：采用光刻胶涂覆，光刻处理；采用光刻工艺制作精细线路，实现极限能力20/20um左右线宽线距。
S9.表面处理、成型、测试。
进一步的，所述步骤S7中，具体步骤为：采用物理气相沉积方式在所述双面覆铜板的LED面表面形成金属层；对沉积所述金属层后的所述双面覆铜板进行退火处理，得到结晶态金属氧化物薄膜。
进一步的，所述退火处理的温度为700℃，保温时间为3min，退火气氛为氧气。
进一步的，所述退火处理中，退火气氛的气体通入流量为45标准升/分钟。
进一步的，所述金属层的材料为Al。
进一步的，所述金属层的厚度为8um。
进一步的，步骤S9中，成型工艺包括：通过黑色树脂将异向导电胶贴附在需要贴装miniled芯片的电路焊盘；将miniled芯片转移至相应的所述电路焊盘，并将所述miniled芯片粘合在所述异向导电胶的表面；将所述miniled芯片与所述电路焊盘通过回流焊接的方式焊接在一起，回流焊接后，所述异向导电胶制作步骤所用到的黑色树脂熔化，并因表面张力包裹所述miniled芯片的侧面，而所述异向导电胶在所述miniled芯片的底部受热熔化，以将所述miniled芯片的底部焊盘与所述基板的焊盘导通焊接。
进一步的，所述miniled芯片的间距为0.4mm。
实施例3
一种mini LED 主板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.准备双面覆铜板，将线路板通过内层、压合、镭射工艺，制备获得双面覆铜板；
S2.钻孔：对所述双面覆铜板进行钻孔，确保所钻的钻孔贯穿所述双面覆铜板的两层铜箔；
S3.镀铜：对所述双面覆铜板的钻孔孔壁进行镀铜，以使位于所述钻孔孔壁的镀铜层连接所述双面覆铜板两面的铜箔，以使所述双面覆铜板两面的铜箔形成电连接；
S4.填孔：用黑色树脂或黑色油墨将所述钻孔填满；
S5.电路制作：在双面覆铜板的两面分别制作正、反面电路，并在所述电路设置电路焊盘；
S6.阻焊文字制作：用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的IC面涂覆，用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的顶面边缘涂覆，以保护电路；在阻焊表面印文字，烘干后采用蓝胶保护文字表面；
S7.制备金属层：在双面覆铜板的LED面通过物理气相沉积方式形成金属层；
S8.光刻：采用光刻胶涂覆，光刻处理；采用光刻工艺制作精细线路，实现极限能力20/20um左右线宽线距。
S9.表面处理、成型、测试。
进一步的，所述步骤S7中，具体步骤为：采用物理气相沉积方式在所述双面覆铜板的LED面表面形成金属层；对沉积所述金属层后的所述双面覆铜板进行退火处理，得到结晶态金属氧化物薄膜。
进一步的，所述退火处理的温度为800℃，保温时间为1min，退火气氛为氧气与氮气的混合气体。
进一步的，所述退火处理中，退火气氛的气体通入流量为45标准升/分钟。
进一步的，所述金属层的材料为Ti。
进一步的，所述金属层的厚度为3um。
进一步的，步骤S9中，成型工艺包括：通过黑色树脂将异向导电胶贴附在需要贴装miniled芯片的电路焊盘；将miniled芯片转移至相应的所述电路焊盘，并将所述miniled芯片粘合在所述异向导电胶的表面；将所述miniled芯片与所述电路焊盘通过回流焊接的方式焊接在一起，回流焊接后，所述异向导电胶制作步骤所用到的黑色树脂熔化，并因表面张力包裹所述miniled芯片的侧面，而所述异向导电胶在所述miniled芯片的底部受热熔化，以将所述miniled芯片的底部焊盘与所述基板的焊盘导通焊接。
进一步的，所述miniled芯片的间距为0.2mm。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。需注意的是，本发明中所未详细描述的技术特征，均可以通过本领域任一现有技术实现。
Claims (1)
1.一种mini LED主板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.准备双面覆铜板，将线路板通过内层、压合、镭射工艺，制备获得双面覆铜板；
S2.钻孔：对所述双面覆铜板进行钻孔，确保所钻的钻孔贯穿所述双面覆铜板的两层铜箔；
S3.镀铜：对所述双面覆铜板的钻孔孔壁进行镀铜，以使位于所述钻孔孔壁的镀铜层连接所述双面覆铜板两面的铜箔，以使所述双面覆铜板两面的铜箔形成电连接；
S4.填孔：用黑色树脂或黑色油墨将所述钻孔填满；
S5.电路制作：在双面覆铜板的两面分别制作正、反面电路，并在所述电路设置电路焊盘；
S6.阻焊文字制作：用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的IC面涂覆，用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的顶面边缘涂覆，以保护电路；在阻焊表面印文字，烘干后采用蓝胶保护文字表面；
S7.制备金属层：在双面覆铜板的LED面通过物理气相沉积方式形成金属层；
S8.光刻：采用光刻胶涂覆，光刻处理；
S9.表面处理、成型、测试；
所述步骤S7中，具体步骤为：采用物理气相沉积方式在所述双面覆铜板的LED面表面形成金属层；对沉积所述金属层后的所述双面覆铜板进行退火处理，得到结晶态金属氧化物薄膜；
所述退火处理的温度为700℃-800℃，保温时间为1min-3min，退火气氛为氧气或者氧气与氮气的混合气体；
所述退火处理中，退火气氛的气体通入流量为31标准升/分钟-45标准升/分钟；
所述金属层的材料为Ni；
所述金属层的厚度为1um-10um；
步骤S9中，成型工艺包括：通过黑色树脂将异向导电胶贴附在需要贴装mini LED芯片的电路焊盘；将mini LED芯片转移至相应的所述电路焊盘，并将所述mini LED芯片粘合在所述异向导电胶的表面；将所述mini LED芯片与所述电路焊盘通过回流焊接的方式焊接在一起，回流焊接后，所述异向导电胶制作步骤所用到的黑色树脂熔化，并因表面张力包裹所述mini LED芯片的侧面，而所述异向导电胶在所述mini LED芯片的底部受热熔化，以将所述mini LED芯片的底部焊盘与基板的焊盘导通焊接；
所述mini LED芯片的间距为0.1-0.4mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010124562.2A CN111341766B (zh) | 2020-02-27 | 2020-02-27 | 一种mini LED主板制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010124562.2A CN111341766B (zh) | 2020-02-27 | 2020-02-27 | 一种mini LED主板制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111341766A CN111341766A (zh) | 2020-06-26 |
| CN111341766B true CN111341766B (zh) | 2023-12-22 |
Family
ID=71185682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010124562.2A Active CN111341766B (zh) | 2020-02-27 | 2020-02-27 | 一种mini LED主板制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111341766B (zh) |
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|
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