CN111341669B - 一种芯片再分布方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种芯片再分布方法，具体包括如下步骤：101)制作凸点步骤、102)下压接触步骤、103)成型步骤；本发明提供制作方便、工艺简化，调整芯片与载板接触高低，保证了芯片本身平面度一致的一种芯片再分布方法。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，更具体的说，它涉及一种芯片再分布方法。
背景技术
毫米波射频技术在半导体行业发展迅速，其在高速数据通信、汽车雷达、机载导弹跟踪系统以及空间光谱检测和成像等领域都得到广泛应用，预计2018年市场达到11亿美元，成为新兴产业。新的应用对产品的电气性能、紧凑结构和系统可靠性提出了新的要求，对于无线发射和接收系统，目前还不能集成到同一颗芯片上(SOC)，因此需要把不同的芯片包括射频单元、滤波器、功率放大器等集成到一个独立的系统中实现发射和接收信号的功能。
传统封装工艺把各种功能芯片和无源器件安装在基板上，占用面积大，可靠性差，不能满足封装系统越来越小型化的趋势。业内通过贴片工艺将不同衬底不同功能的芯片集成在一起，能在较小的区域内实现芯片的堆叠和互联，大大减小了功能件的面积并增加了其可靠性，越来越成为该产业未来发展的方向。
但是射频芯片面积较大，辅助芯片面积较小，在做芯片重新排布的时候，极容易出现芯片高度差异较大的问题，如果高度差异超过10um，则极可能在后面的PI和RDL工艺中造成不利影响。
发明内容
本发明克服了现有技术的不足，提供制作方便、工艺简化，调整芯片与载板接触高低的一种芯片再分布方法。
本发明的技术方案如下：
一种芯片再分布方法，具体包括如下步骤：
101)制作凸点步骤：通过光刻和干法刻蚀工艺在载板上表面制作凸点；在凸点表面涂布胶体，且胶体覆盖住凸点；
102)下压接触步骤：通过FC工艺把芯片放置在胶体上面，使芯片跟胶体充分接触，然后在芯片表面施加压力，使芯片底部跟凸点接触；
103)成型步骤：通过高温固化或者曝光的方式使步骤102)处理后的胶体固化，通过湿法腐蚀或者干法刻蚀的工艺，去除芯片周围的多余胶体得到最终芯片再分布的结构。
进一步的，凸点形状为方形、矩形、圆形或者不规则图形，凸点大小尺寸范围在1um到1000um之间，高度在10um到1000um之间。
进一步的，涂布胶体采用光刻胶、环氧树脂、热固胶、玻璃粉或无机材料。
进一步的，载板尺寸为4、6、8、12寸中的一种，转接板厚度为200um到2000um，其采用的材质为硅、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂或聚氨酯中的一种。
进一步的，在步骤101)通过光刻和干法刻蚀工艺在载板上表面制作凸点前，先在载板表面沉积一层增高层，增高层的材料采用光刻胶、环氧树脂、热固胶、玻璃粉或无机材料。
一种芯片再分布方法，具体包括如下步骤：
101)制作凹槽步骤：通过光刻和干法刻蚀工艺在载板上表面制作凹槽；在凹槽表面涂布胶体，且胶体覆盖住凹槽内部每个地方；
102)下压接触步骤：通过FC工艺把芯片放置在胶体上面，使芯片跟胶体充分接触，然后在芯片表面施加压力，使芯片底部跟凹槽顶部接触；
103)成型步骤：通过高温固化或者曝光的方式使步骤102)处理后的胶体固化，通过湿法腐蚀或者干法刻蚀的工艺，去除芯片周围的多余胶体得到最终芯片再分布的结构。
进一步的，凹槽形状为方形、圆形或者不规则图形，凹槽的大小尺寸范围在1um到1000um之间，高度在10um到1000um之间。
进一步的，涂布胶体采用光刻胶、环氧树脂、热固胶、玻璃粉或无机材料。
进一步的，载板尺寸为4、6、8、12寸中的一种，转接板厚度为200um到2000um，其采用的材质为硅、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂或聚氨酯中的一种。
本发明相比现有技术优点在于：本发明通过在载板表面或者芯片底部增加固定高度的凸点，或者降低载板表面和芯片的接触的凹槽工艺，使芯片在重新排布的时候，能够保持固定的高度和平整度，既保证了芯片跟芯片之间的顶部高度一致，又保证了芯片本身平面度的一致性。
附图说明
图1为本发明的载板示意图；
图2为本发明的载板上凸点示意图；
图3为本发明的图2上涂布胶体的示意图；
图4为本发明的图3上设置芯片示意图；
图5为本发明的第一种示意图；
图6为本发明的载板上设置增高层示意图；
图7为本发明的图6刻蚀出凸点的示意图；
图8为本发明的图7上涂布胶体、设置芯片的示意图；
图9为本发明的第二种示意图；
图10为本发明的载板上设置凹槽示意图；
图11为本发明的图10涂布胶体的示意图；
图12为本发明的图11上设置芯片的示意图；
图13为本发明的第三种示意图。
图中标识：载板101、凸点102、胶体103、芯片104、增高层201、凹槽301。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。
实施例1：
如图1至图5所示，一种芯片再分布方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
101)制作凸点步骤：通过光刻和干法刻蚀工艺在载板101上表面制作凸点102；凸点102形状可以是方形的，圆形的或者不规则图形，其尺寸范围在1um到1000um，高度在10um到1000um。在凸点102表面涂布胶体103，且胶体103覆盖住凸点102。其中，胶体103使用材料可以是光刻胶、环氧树脂、热固胶，也可以是玻璃粉、无机材料等。
102)下压接触步骤：通过FC工艺把芯片104放置在胶体103上面，使芯片104跟胶体103充分接触，然后在芯片104表面施加压力，使芯片104底部跟凸点102接触。
103)成型步骤：通过高温固化或者曝光的方式使步骤102)处理后的胶体103固化，通过湿法腐蚀或者干法刻蚀的工艺，去除芯片104周围的多余胶体103得到最终芯片104再分布的结构。
实施例2：
如图6至图9所示，一种芯片再分布方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
101)制作凸点步骤：在载板101表面沉积其他材质形成一层增高层201，使用材料可以是光刻胶、环氧树脂、热固胶，也可以是玻璃粉、无机材料等。通过光刻和干法刻蚀工艺在载板101上表面的增高层201形成凸点102；凸点102形状可以是方形的，圆形的或者不规则图形，其尺寸范围在1um到1000um，高度在10um到1000um。在凸点102表面涂布胶体103，且胶体103覆盖住凸点102。其中，胶体103使用材料可以是光刻胶、环氧树脂、热固胶，也可以是玻璃粉、无机材料等。
102)下压接触步骤：通过FC工艺把芯片104放置在胶体103上面，使芯片104跟胶体103充分接触，然后在芯片104表面施加压力，使芯片104底部跟凸点102接触。
103)成型步骤：通过高温固化或者曝光的方式使步骤102)处理后的胶体103固化，通过湿法腐蚀或者干法刻蚀的工艺，去除芯片104周围的多余胶体103得到最终芯片104再分布的结构。
实施例3：
如图10至图13所示，一种芯片再分布方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
101)制作凹槽步骤：通过光刻和干法刻蚀工艺在载板101上表面制作凹槽301；凹槽301形状可以是方形的，圆形的或者不规则图形，其尺寸范围在1um到1000um，高度在10um到1000um。在凹槽301表面涂布胶体103，且胶体103覆盖住凹槽301内部每个地方。
102)下压接触步骤：通过FC工艺把芯片104放置在胶体103上面，使芯片104跟胶体103充分接触，然后在芯片104表面施加压力，使芯片104底部跟凹槽301顶部接触。
103)成型步骤：通过高温固化或者曝光的方式使步骤102)处理后的胶体103固化，通过湿法腐蚀或者干法刻蚀的工艺，去除芯片104周围的多余胶体103得到最终芯片104再分布的结构。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明保护范围内。
Claims (5)
1.一种芯片再分布方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
101)制作凸点步骤：通过光刻和干法刻蚀工艺在载板上表面制作凸点；在凸点表面涂布胶体，且胶体覆盖住凸点；
102)下压接触步骤：通过FC工艺把芯片放置在胶体上面，使芯片跟胶体充分接触，然后在芯片表面施加压力，使芯片底部跟凸点接触；
103)成型步骤：通过高温固化或者曝光的方式使步骤102)处理后的胶体固化，通过湿法腐蚀或者干法刻蚀的工艺，去除芯片周围的多余胶体得到最终芯片再分布的结构。
2.根据权利要求1所述的一种芯片再分布方法，其特征在于，凸点形状为方形、矩形、圆形或者不规则图形，凸点大小尺寸范围在1um到1000um之间，高度在10um到1000um之间。
3.根据权利要求1所述的一种芯片再分布方法，其特征在于，涂布胶体采用光刻胶、环氧树脂、热固胶、玻璃粉或无机材料。
4.根据权利要求1所述的一种芯片再分布方法，其特征在于，载板尺寸为4、6、8、12寸中的一种，转接板厚度为200um到2000um，其采用的材质为硅、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂或聚氨酯中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种芯片再分布方法，其特征在于，在步骤101)通过光刻和干法刻蚀工艺在载板上表面制作凸点前，先在载板表面沉积一层增高层，增高层的材料采用光刻胶、环氧树脂、热固胶、玻璃粉或无机材料。
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