CN111341649B - 一种n型太阳能电池硼扩散方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种N型太阳能电池硼扩散方法，包括将制绒的硅片装入石英舟中，推入扩散炉石英管中；同时通入BCl3和O2，进行第一次沉积；升温，继续通入BCl3和O2，进行第二次沉积；升温，抽真空至低压状态；通入1～10L氮气；通入1～20L氧气；降温、推舟、卸片。本发明克服了高温硼掺杂中掺杂浓度难以控制以及边缘区域扩散方阻不均匀问题，显著降低太阳能电池表面少子复合速率并降低电池横向传输电阻，提升电池开路电压和填充因子。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种N型太阳能电池硼扩散方法。
背景技术
在太阳能光伏电池技术领域，由于其工艺技术的成熟和成本的降低，P型PERC电池片技术已成为市场上的主流。尽管拥有较大的市场份额，但是P型电池的效率极限和光衰等问题已经成为其进一步发展的障碍。而N型单晶硅具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等优势，是实现高效率太阳能电池的理想材料。N型电池组件还具有弱光响应好，温度系数低的优点。随着市场对效率和品质的要求越来越高，单晶N型电池由于自身的天然优势，将会成为市场的追逐的方向。
目前规模化量产高效晶硅电池结构基本都基于N型单晶，但是在规模化N型太阳能电池生产中，其难点在于硼扩散发射结的制备及其扩散均匀性和掺杂表面浓度的控制。目前，存在高温硼掺杂中掺杂浓度难以控制以及边缘区域扩散方阻不均匀问题。
发明内容
针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本发明提供一种N型太阳能电池硼扩散方法。
为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种N型太阳能电池硼扩散方法，包括以下步骤：
(1)将制绒的硅片装入石英舟中，扩散炉石英炉管采用低压扩散方式，将石英舟推入内部温度为800～850℃的扩散炉石英管中；
(2)同时通入50～300sccm的BCl3气体和100～1000sccm的O2气体，进行第一次沉积；
(3)升温至850～900℃，继续通入50～300sccm的BCl3气体、100～1000sccm的O2，进行第二次沉积；
(4)升温至950～1050℃，通过真空泵进行抽真空，使扩散炉石英炉管氛围为100mbar以下低压状态；
(5)温度稳定后，通入1～10L氮气，回压；
(6)通入1～20L氧气；
(7)降温出舟：温度降至700～800℃时，将石英舟从扩散炉石英炉管中取出；
(8)卸片：将硅片从石英舟上取下。
进一步地，步骤(1)中，低压扩散方式中的压力为200～300mbar。
进一步地，步骤(2)具体为：同时通入BCl3气体、O2，保持5min，进行一次沉积。
进一步地，步骤(3)具体为：升温至850～900℃，继续通入BCl3、O2，POCl3保持5min，进行二次沉积。
进一步地，步骤(5)具体为：温度稳定后，通入1～10L氮气，回压，并保持5min。
进一步地，步骤(6)具体为：通入1～20L氧气，保持20min。
本发明的有益效果是：
(1)本发明克服了高温硼掺杂中掺杂浓度难以控制以及边缘区域扩散方阻不均匀问题，显著降低太阳能电池表面少子复合速率并降低电池横向传输电阻，提升电池开路电压和填充因子。
(2)本发明通过低压下不同温度的多步硼源沉积，以及有氧和无氧推进，显著降低了硅片表面硼掺杂源的区域堆积，减少了未完全分解的气源对硅片表面影响。
(3)本发明同时通过分步推进，利用硼在SiO2余Si中分凝系数的差异可以较为简单地进行掺杂浓度和方块电阻的调控。
(4)本发明适用产品多，在N型PERT和TopCon电池上均有效率提升。
(5)本发明采用低压水平扩散能够增加扩散产能，降低工艺气体成本。
附图说明
图1为本发明的扩散方法的流程图。
图2为对比例1中常规N型太阳能电池硼扩散方法的流程图。
图3是本发明的实施例1中所制得硅片在不同位置取样所得片内方阻数据及均匀性数据，其中对炉口、炉中和炉尾分别取样5个位点。
图4是本发明的实施例2中所制得硅片在不同位置取样所得片内方阻数据及均匀性数据，其中对炉口、炉中和炉尾分别取样5个位点。
图5是本发明的实施例3中所制得硅片在不同位置取样所得片内方阻数据及均匀性数据，其中对炉口、炉中和炉尾分别取样5个位点。
图6是本发明的实施例4所制得硅片在不同位置取样所得片内方阻数据及均匀性数据与对比例1所制得硅片在不同位置取样所得片内方阻数据及均匀性数据的对比图，其中在实施例4和对比例1中均对炉口、炉中和炉尾分别取样5个位点。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的技术方案做进一步详细说明，应当指出的是，具体实施方式只是对本发明的详细说明，不应视为对本发明的限定。
实施例1
如图1所示，本发明提供一种N型太阳能电池硼扩散方法，包括以下步骤：
(1)将常规碱制绒的硅片装入石英舟中，每个石英舟中所放的硅片为1800片，炉管采用200mbar的低压扩散方式，并将石英舟推入内部温度为820℃的扩散炉石英管中；
(2)同时在石英炉管内通入300sccm的BCl3气体和500sccm的O2气体，保持5min，进行第一次沉积；
(3)升温至870℃，继续同时通入300sccm的BCl3气体和500sccm的O2气体，保持5min，进行第二次沉积；
(4)升温至1000℃，升温同时打开真空泵，使炉管氛围为100mbar以下低压状态；
(5)无氧推进：温度稳定后，通入氮气5L，保持5min；
(6)有氧推进：通入20L氧气，并保持20min；
(7)降温出舟：温度降至750℃，将石英舟从扩散炉石英管中取出；
(8)卸片：将硅片从石英舟上取下。
卸片前对石英舟上不同位置的硅片进行采样检测，测试结果如图3所示，通过图3所示的数据可以看出，本发明所制得的硅片，扩散方阻的均匀性好，一致性高(不一致性低)。
实施例2
如图1所示，本发明提供一种N型太阳能电池硼扩散方法，包括以下步骤：
(1)将常规碱制绒的硅片装入石英舟中，每个石英舟中所放的硅片为1800片，炉管采用300mbar的低压扩散方式，并将石英舟推入内部温度为850℃的扩散炉石英管中；
(2)同时在石英炉管内通入50sccm的BCl3气体和100sccm的O2气体，保持10min，进行第一次沉积；
(3)升温至900℃，继续通入50sccm的BCl3气体和100sccm的O2气体，保持10min，进行第二次沉积；
(4)升温至1050℃，升温同时打开真空泵，使炉管氛围为100mbar以下低压状态；
(5)无氧推进：温度稳定后，通入氮气1L，保持15min；
(6)有氧推进：通入1L氧气，并保持30min；
(7)降温出舟：温度降至800℃，将石英舟从扩散炉石英管中取出；
(8)卸片：将硅片从石英舟上取下。
卸片前对石英舟上不同位置的硅片进行采样检测，测试结果如图4所示，通过图4所示的数据可以看出，本发明所制得的硅片，扩散方阻的均匀性好，一致性高(不一致性低)。
实施例3
如图1所示，本发明提供一种N型太阳能电池硼扩散方法，包括以下步骤：
(1)将常规碱制绒的硅片装入石英舟中，每个石英舟中所放的硅片为1800片，炉管采用250mbar的低压扩散方式，并将石英舟推入内部温度为800℃的扩散炉石英管中；
(2)同时在石英炉管内通入300sccm的BCl3气体和1000sccm的O2气体，保持5min，进行第一次沉积；
(3)升温至850℃，继续通入300sccm的BCl3气体和1000sccm的O2气体，保持5min，进行第二次沉积；
(4)升温至950℃，升温同时打开真空泵，使炉管氛围为100mbar以下低压状态；
(5)无氧推进：温度稳定后，通入氮气10L，保持5min；
(6)有氧推进：通入20L氧气，并保持15min；
(7)降温出舟：温度降至700℃，将石英舟从扩散炉石英管中取出；
(8)卸片：将硅片从石英舟上取下。
卸片前对石英舟上不同位置的硅片进行采样检测，测试结果如图3所示，通过图3所示的数据可以看出，本发明所制得的硅片，扩散方阻的均匀性好，一致性高(不一致性低)。
实施例4
如图1所示，本发明提供一种N型太阳能电池硼扩散方法，包括以下步骤：
(1)将常规碱制绒的硅片装入石英舟中，每个石英舟中所放的硅片为1800片，炉管采用250mbar的低压扩散方式，并将石英舟推入内部温度为830℃的扩散炉石英管中；
(2)同时在石英炉管内通入260sccm的BCl3气体和800sccm的O2气体，保持8min，进行第一次沉积；
(3)升温至890℃，继续同时通入300sccm的BCl3气体和500sccm的O2气体，保持8min，进行第二次沉积；
(4)升温至980℃，升温同时打开真空泵，使炉管氛围为100mbar以下低压状态；
(5)无氧推进：温度稳定后，通入氮气9L，保持5min；
(6)有氧推进：通入15L氧气，并保持20min；
(7)降温出舟：温度降至750℃，将石英舟从扩散炉石英管中取出；
(8)卸片：将硅片从石英舟上取下。
卸片前对石英舟上不同位置的硅片进行采样检测，测试结果如图6所示。
对比例1
以下为常规N型太阳能电池硼扩散方法如图2所示，包括以下步骤：
(1)将常规碱制绒的硅片装入石英舟中，炉管采用低压扩散方式，并将石英舟推入内部温度为820℃的扩散炉石英管中；
(2)同时在石英炉管内通入300sccm的BCl3气体和500sccm的O2气体，保持15min，进行沉积；
(4)升温至1000℃，温度稳定后通入20L氧气，并保持20min；
(5)降温出舟：温度降至750℃，将石英舟从扩散炉石英管中取出；
(6)卸片：将硅片从石英舟上取下。
卸片前对石英舟上不同位置的硅片进行采样检测，测试结果如图6所示，通过图6所示数据可以显然看出，通过本发明的实施例与传统方法相比，N型电池硼扩散后均匀性，尤其是片内均匀性有较大提升，不一致性显著降低。
本发明在低压扩散炉石英管中使用水平石英舟装载硅片，在进舟升温之后，将炉管内压力控制在200～300mbar，升温，待温度稳定在800℃后通入氧气和氯化硼气体，进行一次沉积、二次沉积，然后进行打开真空泵将炉管抽真空至100mbar以下，在升温至1000℃稳定后，先进行无氧推进，然后进行20min长时间有氧推进，出舟完成本发明的扩散工艺。
本发明使用低压扩散技术，并在不同温度下进行多步硼源沉积，显著降低了硅片表面硼掺杂源的区域堆积，减少了未完全分解的气源对硅片表面影响。多次沉积下硅片表面B2O3分布均匀性显著改善，大幅提升了硼源掺杂均匀性。
沉积后的抽真空过程，完成了炉管内多余气源或者未完全反应气源的抽除，降低了后续高温升温过程中对硅片表面影响，进一步减少了对表面掺杂均匀性的影响。在硼源掺杂推进过程中，B在高温下不断向Si基中扩散，保证掺杂总量，然后在O2氛围中，一方面B继续向Si中扩散，另一方面受B在SiO2扩散系数影响，最表层的B不断被吸附到SiO2中，这样得到的PN结为低表面浓度，可有效改善电池短波响应，同时在均匀性的B掺杂源下扩散方块电阻均匀性提升，显著降低太阳能电池表面少子复合速率并降低电池横向传输电阻，提升电池开路电压和填充因子。
需要说明的是，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
通过实施例和对比例可以显然看出，本发明采用低压水平扩散能够增加扩散产能、降低工艺成本、提高扩散方阻的均匀性和重复性；给出了目前行业内N型单晶硅发射极电池扩散温度时间和气体流量等参数的最优化窗口值。本发明适用产品多，经验证在N型PERT和TopCon电池上均有效率提升。
Claims (1)
1.一种N型太阳能电池硼扩散方法，其特征是，
包括以下步骤：
(1)将制绒的硅片装入石英舟中，每个石英舟放入1800片硅片，扩散炉石英炉管采用低压扩散方式，压力为250～300mbar，将石英舟推入内部温度为830～850℃的扩散炉石英管中；
(2)同时通入260～300sccm的BCl3气体和800～1000sccm的O2气体，保持5-8min，进行第一次沉积；
(3)升温至890～900℃，通入50～300sccm的BCl3气体和500～1000sccm的O2气体，保持8-10min，进行第二次沉积；最表层的B被不断吸附到SiO2中，得到低表面浓度的PN结，太阳能电池表面少子复合速率降低并且电池横向传输电阻降低；
(4)升温至980～1050℃，同时通过真空泵进行抽真空，使扩散炉石英炉管氛围为100mbar以下的低压状态；
(5)温度稳定后，一次性通入5～9L氮气，使扩散炉石英炉管回压至常压，保持5-15min；
(6)一次性通入15～20L氧气，保持20-30min；
(7)温度降至750～800℃时，将石英舟从扩散炉石英炉管中取出；
(8)将硅片从石英舟上取下。
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| CN111883462B (zh) * | 2020-07-29 | 2024-08-20 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 一种硅太阳能电池扩散尾气石英管堵塞状态监测方法 |
| CN113066894B (zh) * | 2021-02-02 | 2022-11-22 | 普乐新能源科技(徐州)有限公司 | 一种适用于hbc电池的硼扩散方法 |
| CN113555468B (zh) * | 2021-06-18 | 2024-01-23 | 普乐新能源科技(泰兴)有限公司 | 一种提升n型硅片硼扩散方阻均匀性的工艺 |
| CN113571411B (zh) * | 2021-07-12 | 2024-04-05 | 江苏顺风新能源科技有限公司 | N型TOPCon太阳能电池的制作方法 |
| CN113809201B (zh) * | 2021-08-20 | 2024-09-06 | 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种硼扩散方法及太阳能电池 |
| CN114038935B (zh) * | 2021-10-08 | 2024-01-19 | 普乐新能源科技(泰兴)有限公司 | 一种太阳能电池新型硼扩散方法 |
| CN115117201B (zh) * | 2022-06-24 | 2024-03-12 | 英利能源发展有限公司 | 一种硅片磷或硼掺杂的方法 |
| CN115172518B (zh) * | 2022-07-08 | 2024-07-30 | 酒泉正泰新能源科技有限公司 | 一种太阳能电池的多次氧化扩散方法、制备方法 |
| CN116536771B (zh) * | 2023-06-30 | 2023-09-29 | 无锡松煜科技有限公司 | 一种提高硼扩散均匀度的方法 |
| CN117423774A (zh) * | 2023-09-19 | 2024-01-19 | 无锡松煜科技有限公司 | 一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014082152A1 (pt) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | União Brasileira De Educação E Assistência, Mantenedora Da Pucrs | Processo de difusão de dopantes em lâminas de silício para a fabricação de células solares |
| CN105304750A (zh) * | 2015-09-17 | 2016-02-03 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 两次连续沉积升温扩散工艺 |
| CN106206847A (zh) * | 2016-08-10 | 2016-12-07 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种基于低压扩散炉的超低浓度POCl3高温扩散方法 |
| CN108110088A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-01 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池的低压扩散工艺及利用其制备得到的太阳能电池 |
| CN109559982A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-04-02 | 开封大学 | 一种n型晶体硅太阳电池的硼扩散工艺 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9306087B2 (en) * | 2012-09-04 | 2016-04-05 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method for manufacturing a photovoltaic cell with a locally diffused rear side |
-
2020
- 2020-02-03 CN CN202010079282.4A patent/CN111341649B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014082152A1 (pt) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | União Brasileira De Educação E Assistência, Mantenedora Da Pucrs | Processo de difusão de dopantes em lâminas de silício para a fabricação de células solares |
| CN105304750A (zh) * | 2015-09-17 | 2016-02-03 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 两次连续沉积升温扩散工艺 |
| CN106206847A (zh) * | 2016-08-10 | 2016-12-07 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种基于低压扩散炉的超低浓度POCl3高温扩散方法 |
| CN108110088A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-01 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池的低压扩散工艺及利用其制备得到的太阳能电池 |
| CN109559982A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-04-02 | 开封大学 | 一种n型晶体硅太阳电池的硼扩散工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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