CN111338499B - 显示基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示基板及其制作方法和显示装置。显示基板包括衬底基板、显示区、围绕显示区的周边区、触控电极、触控电极线，以及位于周边区中的第一阻挡结构和第二阻挡结构，第一阻挡结构环绕显示区设置，第二阻挡结构环绕第一阻挡结构，且与第一阻挡结构间隔设置；且触控电极线由显示区延伸至第二阻挡结构远离显示区一侧的周边区；位于第一阻挡结构和第二阻挡结构之间的触控电极线与衬底基板之间的垂直距离的最小值，大于第一阻挡结构和第二阻挡结构靠近衬底基板一侧的表面与衬底基板之间的垂直距离的最小值。这样，本发明实施例能够降低导电层走线过程中的爬坡高度，从而有助于提高走线的可靠性。

Description

显示基板及其制作方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置的发光单元通常包括层叠设置的第一无机层、有机发光层和第二无机层，由于有机发光层的耐水/氧性较差，水/氧可能沿膜层的交界面侵入而导致有机发光层破坏。相关技术中的OLED显示面板通常通过环绕显示区的凸起状的阻挡结构(dam)提高阻隔水/氧，能够显著的提高对于水/氧的阻隔效果。
然而显示面板的某些走线需要跨越这些阻挡结构，例如对于具有与像素单元集成的触控传感器(On-Cell touch)的显示面板来说，其触控传感器的走线需要跨越阻挡结构。为了确保对于水/氧的阻隔效果，阻挡结构需要具有一定的高度，所以走线在跨越这些阻挡结构的时候，其延伸方向需要连续变化，且爬坡高度较大，容易出现短路、断路等问题，因此，这些阻挡结构可能对走线的可靠性造成影响。
发明内容
本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法和显示装置，以解决阻挡结构可能对走线的可靠性造成影响的问题。
为了解决上述技术问题，本发明是这样实现的：
第一方面，本发明实施例提供了一种显示基板，包括衬底基板、显示区、围绕所述显示区的周边区、触控电极、触控电极线，以及位于所述周边区中的第一阻挡结构和第二阻挡结构，所述第一阻挡结构环绕所述显示区设置，所述第二阻挡结构环绕所述第一阻挡结构，且与所述第一阻挡结构间隔设置；
所述触控电极包括第一电极层和/或第二电极层，所述触控电极位于所述显示区，所述触控电极线与所述第一电极层和/或所述第二电极层电连接，所述触控电极线位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构远离所述衬底基板的一侧，且所述触控电极线由所述显示区延伸至所述第二阻挡结构远离所述显示区一侧的所述周边区；
位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构之间的所述触控电极线与所述衬底基板之间的垂直距离的最小值，大于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构靠近所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间的垂直距离的最小值。
可选地，还包括连接桥，所述连接桥位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构之间，且所述连接桥的两端分别延伸至所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构，所述触控电极线位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构之间部分的在所述衬底基板上的正投影，位于所述连接桥在所述衬底基板上的正投影的范围之内。
可选地，所述连接桥与所述第一阻挡结构的部分同层同材料设置，所述连接桥和所述第二阻挡结构的部分同层同材料设置。
可选地，所述显示基板还包括平坦层，所述平坦层的部分形成所述连接桥。
可选地，所述显示基板还包括平坦层、像素界定层和隔垫结构中的一项或多项，所述所述平坦层的部分、所述像素界定层的部分和所述隔垫结构的部分中的一项或多项形成所述第一阻挡结构的至少部分和/或形成所述第二阻挡结构的至少部分。
可选地，所述连接桥的数量为多个，且相邻两个所述连接桥之间形成镂空区。
可选地，在沿着由所述第一阻挡结构到所述第二阻挡结构的方向上，所述镂空区在平行于衬底基板的方向上的截面包括依次排布的多个圆形区域。
第二方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括以上任一项所述的显示基板。
第三方面，本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括以下步骤：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的周边区制作第一阻挡结构和第二阻挡结构，其中，所述第一阻挡结构环绕所述显示基板的显示区设置，所述第二阻挡结构环绕所述第一阻挡结构，且与所述第一阻挡结构间隔设置；
在所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构远离所述衬底基板的一侧制作触控电极和触控电极线，所述触控电极包括第一电极层和/或第二电极层，所述触控电极位于所述显示区，所述触控电极线与所述第一电极层和/或所述第二电极层电连接，所述触控电极线由所述显示区延伸至所述第二阻挡结构远离所述显示区一侧的周边区，位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构之间的所述触控电极线与所述衬底基板之间的垂直距离的最小值，小于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构与所述衬底基板之间的垂直距离的最小值。
可选地，所述在所述衬底基板上制作第一阻挡结构和第二阻挡结构之前，还包括：
在所述衬底基板上制作平坦层，所述平坦层位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构对应的区域之间的部分形成连接桥，且所述连接桥由所述第一阻挡结构对应的区域延伸至所述第二阻挡结构的区域。
这样，本发明实施例中，通过控制触控电极线的高度差小于所述第一阻挡结构的高度，且小于所述第二阻挡结构的高度，也就是说，降低了触控电极线走线过程中的爬坡高度，从而有助于提高走线的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1A是本发明实施例提供的显示基板中阻挡结构的结构示意图；
图1B是本发明实施例提供的显示基板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的显示基板的又一结构示意图；
图3A是图2中A处局部结构的一种示意图；
图3B是图2中A处局部结构的另一种示意图；
图4A是相关技术中显示基板的结构示意图；
图4B是相关技术中显示基板的又一结构示意图；
图5是本发明实施例提供的显示基板的制作方法的流程图；
图6是本发明实施例提供的显示基板的制作方法的又一流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种显示基板。
在一个实施例中，该显示基板包括衬底基板110和位于衬底基板110上的发光层，其中，还可能包括一些其他功能膜层，具体可参考相关技术中的显示基板，此处不作进一步限定和描述。
如图1A和图1B所示，显示基板包括显示区(AA区)以及环绕显示区的周边区，该显示基板还包括位于衬底基板110上的阻挡结构(dam)和触控电极线130，其中，阻挡结构具体包括第一阻挡结构121和第二阻挡结构122，该第一阻挡结构121和第二阻挡结构122均位于显示基板的周边区。
应当注意的是，本申请各附图中的衬底基板110实际上指的是完成了背板(BP)前段工艺的显示基板，即包括衬底基板110及制作阻挡结构之前所需制作的其他膜层，例如，可能包括多个有机层、无机层等，还可能包括薄膜晶体管(TFT)等驱动电路结构，为了便于观察，在附图中未示出这些结构。
如图2所示，第一阻挡结构121环绕显示基板的显示区设置，第二阻挡结构122环绕第一阻挡结构121，且与第一阻挡结构121间隔设置，第一阻挡结构121和第二阻挡结构122远离衬底基板110一侧还需要制作发光单元，该第一阻挡结构121和第二阻挡结构122用于降低水/氧侵入发光单元的有机发光材料的可能性。
如图1B所示，该第一阻挡结构121和第二阻挡结构122远离衬底基板110的一侧还制作有触控电极线130和触控电极131，其中，触控电极131包括第一电极层131A和/或第二电极层131B，触控电极线130的数量为多组，且分别与第一电极层131A和/或第二电极层131B电连接，以传递触控信号。
该触控电极线130由显示基板的显示区延伸至位于第二阻挡结构122远离所述显示区一侧的所述周边区，也可以理解为，触控电极线130需要跨越第一阻挡结构121和第二阻挡结构122。
在一个可选地具体实施方式中，显示基板还包括触控传感器，触控电极线130与触控电极131和触控传感器电连接，以实现触控信号的传递。
位于第一阻挡结构121和第二阻挡结构122之间的触控电极线130与衬底基板110之间的垂直距离的最小值，大于第一阻挡结构121和第二阻挡结构122靠近衬底基板110的一侧表面与衬底基板110之间的垂直距离的最小值。
也可以理解为，位于第一阻挡结构121和第二阻挡结构122之间的触控电极线130与衬底基板110之间距离大于第一阻挡结构121的底部与衬底基板110之间距离，且大于第二阻挡结构122的底部与衬底基板110之间距离。
这里，第一阻挡结构121的底部和第二阻挡结构122的底部分别指的是第一阻挡结构121的底部和第二阻挡结构122的底部最靠近衬底基板110的位置。
这样，在垂直于衬底基板110的方向上，触控电极线130的高度差小于第一阻挡结构121的高度，且小于第二阻挡结构122的高度。
应当理解的是，本实施例中，触控电极线130相对于衬底基板110距离最远点位于第一阻挡结构121或第二阻挡结构122的正上方，这样，触控电极线130的高度差实际上就是触控电极线130位于阻挡结构上的部分和位于两个阻挡结构之间的部分的高度差。
由于触控电极线130与衬底基板110之间的垂直距离大于两个阻挡结构与衬底基板110之间的垂直距离，所以触控电极线130的高度差小于阻挡结构的高度。
也就是说，触控电极线130相对于衬底基板110的高度变化小于第一阻挡结构121相对于衬底基板110的高度，且小于第二阻挡结构122相对于衬底基板110的高度，因此，降低了触控电极线130的爬坡高度。
当其在平行于衬底基板110的方向上的延伸长度一定的情况下，由于其爬坡高度降低，所以其高度变化率也就降低了，或者，可以称作其爬坡率降低，从而有助于提高结构的强度和可靠性。
这样，本发明实施例中，通过控制触控电极线130的高度差小于所述第一阻挡结构121的高度，且小于所述第二阻挡结构122的高度，也就是说，降低了触控电极线130走线过程中的爬坡高度，从而有助于提高走线的可靠性。
可选地，如图1A、图3A和图3B所示，在一个具体实施方式中，是通过连接桥140降低触控电极线130的爬坡高度。
具体的，连接桥140位于第一阻挡结构121和第二阻挡结构122之间，且连接桥140的两端分别延伸至第一阻挡结构121和第二阻挡结构122，触控电极线130位于第一阻挡结构121和第二阻挡结构122之间部分的在衬底基板110上的正投影，位于连接桥140在衬底基板110上的正投影的范围之内。
应当理解的是，触控电极线130的走线位置位于各阻挡结构远离衬底基板110的一侧，所以可以认为触控电极线130的高度差约等于各阻挡结构的高度。
当第一阻挡结构121和第二阻挡结构122之间设置有连接桥140，且触控电极线130在衬底基板110上的正投影位于连接桥140在衬底基板110上的正投影的范围之内时，可以理解为触控电极线130的走线位置恰好位于连接桥140上。
这样，触控电极线130位于第一阻挡结构121和第二阻挡结构122之间的部分与衬底基板110的距离增加，且增加的大小可以近似认为等于连接桥140在垂直于衬底基板110的方向上的厚度。也就是说，触控电极线130的高度差降低了，且降低的量约等于连接桥140的厚度。
这样，通过设置连接桥140，且触控电极线130在衬底基板110上的正投影位于连接桥140在衬底基板110上的正投影的范围之内，能够提高触控电极线130与衬底基板110之间的最小距离，在其他结构不变的情况下，能够降低触控电极线130的高度差，从而实现降低触控电极线130的爬坡高度和爬坡率，有助于提高触控电极线130走线的可靠性。
可选地，如图1A和图1B所示，在一个具体实施方式中，连接桥140与第一阻挡结构121的部分同层同材料设置，连接桥140和第二阻挡结构121的部分同层同材料设置。
应当理解的是，阻挡结构可以单独制作；阻挡结构也可以与其他结构一起制作，以减少工序。
例如，在一个具体实施方式中，在制作平坦层(PLN)151、像素界定层(PDL)152、隔垫结构(PS)153过程中，分别保留相应的环形区域，这样，所保留的环形区域层叠形成阻挡结构，也就是说，平坦层151、像素界定层152和隔垫结构153中的一项或多项的部分材料形成了第一阻挡结构121的至少一部分和/或第二阻挡结构的至少一部分。
在该具体实施方式中，制作相应的膜层时，不仅保留两个阻挡结构对应的两个环形区域，还保留部分位于两个环形区域之间的材料，这一部分材料形成了连接桥140。
本实施例的技术方案不需要额外增加工序，只需要调整制作相应膜层时的掩膜版(mask)的结构，从而调整曝光区域，使连接桥140对应的部分的材料保存下来，即可形成连接桥140。
也就是说，本实施例的技术方案不需要对工艺作出调整，而仅需要调整掩膜版的结构，即可完成连接桥140的制作，工艺相对成熟和稳定，同时也有助于控制成本。
在一个可选的具体实施方式中，显示基板包括平坦层151，平坦层151的部分形成连接桥140。
平坦层151的部分材料可能是阻挡结构的一部分，也可能不是该阻挡结构的一部分。实施时，保留平坦层151与连接桥140对应的区域的材料，这样，完成平坦层151的制作之后，所保留的材料则形成了连接桥140。
以平坦层151的部分材料形成阻挡结构为例说明。
如图4A所示，相关技术中，在衬底基板410上制作平坦层420过程中，仅保留与阻挡结构对应的区域。
如图1A所示，本实施例的技术方案中，制作平坦层151时，则还保留部分位于第一阻挡结构121和第二阻挡结构122之间的材料，这样，所保留的部分材料则形成了连接桥140。
后续进一步参考相关技术制作其他膜层，并在制作过程中形成阻挡结构的其他部分。例如，保留像素界定层152的部分材料，使其形成阻挡结构的组成部分，保留隔垫结构153的部分材料，使其也形成阻挡结构的组成部分等。
如图4B所示，相关技术中，在完成阻挡结构的制作之后，触控电极线130的走线高度差约为阻挡结构的高度H，该高度差相对较大，而本实施例的技术方案中，走线高度差则小于H，具体的，约为阻挡结构的高度减去连接桥的高度。
可选地，如图3A和图3B所示，连接桥140的数量为多个，且相邻两个连接桥140之间形成镂空区141。
应当理解的是，如果第一阻挡结构121到第二阻挡结构122之间的区域的高度(即与衬底基板110之间的距离)如果与第一阻挡结构121或第二阻挡结构122的高度之差较小，那么可能降低其对水/氧的隔绝效果，因此，本实施例中，将相邻两个连接桥140之间的区域的材料去除，以使其形成镂空区141。
如图3A所示，镂空区141的形状可以为矩形，如图3B所示，显然，镂空区141的形状并不局限于此，例如，其平行于衬底基板110方向上的截面包括依次排布的多个圆形区域，这样，通过增加镂空区141形状的复杂程度，有助于提高其对于水/氧的隔绝效果。
显然，该显示基板上还可能包括一些其他结构，例如位于触控电极远离衬底基板110一侧的无机层161等结构，具体可参考相关技术，此处不再赘述。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括以上任一种显示基板。由于本实施例的技术方案包括了上述显示基板实施例的全部技术方案，因此至少能实现上述全部技术效果，此处不再赘述。
本发明还提供了一种显示基板的制作方法。
如图5所示，在一个实施例中，该显示基板的制作方法包括以下步骤：
步骤501：提供一衬底基板。
步骤502：在所述衬底基板的周边区制作第一阻挡结构和第二阻挡结构,其中，所述第一阻挡结构环绕所述显示基板的显示区设置，所述第二阻挡结构环绕所述第一阻挡结构，且与所述第一阻挡结构间隔设置；
步骤503：在所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构远离所述衬底基板的一侧制作触控电极和触控电极线，所述触控电极包括第一电极层和/或第二电极层，所述触控电极位于所述显示区，所述触控电极线与所述第一电极层和/或所述第二电极层电连接，所述触控电极线由所述显示区延伸至所述第二阻挡结构远离所述显示区一侧的周边区，位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构之间的所述触控电极线与所述衬底基板之间的垂直距离的最小值，小于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构与所述衬底基板之间的垂直距离的最小值。
本实施例的技术方案能够制作上述显示基板实施例中的显示基板，并能够实现基本相同的技术效果，此处不再赘述。
可选地，所述在所述衬底基板上制作第一阻挡结构和第二阻挡结构之前，还包括：
在所述衬底基板上制作平坦层，所述平坦层位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构对应的区域之间的部分形成连接桥，且所述连接桥由所述第一阻挡结构对应的区域延伸至所述第二阻挡结构的区域。
本实施例中，在制作平坦层过程中，保留平坦层的部分材料形成阻挡结构的一部分，其中阻挡结构具体包括第一阻挡结构和第二阻挡结构。
同时，还保留平坦层的部分材料形成连接桥，这样，制作过程中，仅需要调整制作平坦层过程中所使用的掩膜版的曝光区域，即可实现保留部分平坦层材料形成该阻挡结构。
也就是说，本实施例的技术方案不需要对生成工艺作出较大的调整，工艺相对成熟和稳定，有利于控制成本。
可选地，所述在所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构远离所述衬底基板的一侧制作触控电极和触控电极线，包括：
制作触控电极线，其中，所述触控电极线在所述衬底基板上的正投影位于所述连接桥在所述衬底基板上的正投影的范围内。
本实施例中，制作触控电极线的工艺具体可参考相关技术，与相关技术的主要区别在于，本实施例中所使用的掩膜版的结构做出了调整，且作出调整的部分主要位于第一阻挡结构和第二阻挡结构之间的部分对应的区域。
通过控制其曝光区域，使得在第一阻挡结构和第二阻挡结构之间的区域内，触控电极线的走线范围与连接桥的位置是相对应的。也可以理解为，在该区域内，触控电极线在衬底基板上的正投影位于连接桥在衬底基板上的正投影的范围以内。
这样，本实施例的制作方法能够制作上述显示基板实施例中的显示基板，并能实现基本相同的技术效果，此处不再赘述。
此外，相对于相关技术来说，本实施例的技术方案并没有对工艺的步骤、顺序等作出调整，而主要需要对制作平坦层以及制作触控电极线中所使用的掩膜版作出适应性调整，工艺相对成熟，需要调整的内容较少，不会增加额外的成本。
如图6所示，本实施例的技术方案可以概括为，首先在衬底基板上完成背板前段工艺(BP前段工艺)，这里BP前段工艺可以根据需要包括薄膜晶体管等结构的制作，具体可参考相关技术，此处不再赘述。
然后进行平坦层的制作，制作平坦层的工艺可以参考相关技术，与相关技术的主要区别在于，所使用的掩膜版略有不同，能够使一部分平坦层的材料保留下来形成连接桥。
接下来，进一步完成阳极、像素界定层的制作，并进一步完成BP后段工艺，显然，这些步骤也是可以参考相关技术实现的。
再接下来，进行蒸镀封装，在蒸镀封装之后，进行触控传感器的制作，触控传感器的制作过程主要包括依次进行的第一电极层、触控介电层(touch ILD)、第二电极层和触控平坦层的制作，与分别与第一电极层和第二电极层电连接的触控电极线与相应的电极层同时制作，其中，各步骤的过程均可参考相关技术，与相关技术的主要区别在于，制作第一电极层和第二电极层时，所使用的掩膜版略有调整，以使在第一阻挡结构和第二阻挡结构之间的区域内，触控电极线的走线位置位于连接桥上。
在完成触控传感器的制作之后，进一步完成其他后续工艺。
由此可见，本实施例的技术方案中，并未对各步骤的顺序作出调整，也未增加或减少步骤，主要通过对制作平坦层和触控传感器时所使用的掩膜版进行调整，从而实现形成连接桥及控制触控电极线的走线位置与连接桥的位置相对应，因此，相对于相关技术，本实施例的显示基板的制作方法不需要作出较多调整，工艺相对成熟，也不会增加其他额外的成本，有助于推广和实现。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板、显示区、围绕所述显示区的周边区、触控电极、触控电极线，以及位于所述周边区中的第一阻挡结构和第二阻挡结构，所述第一阻挡结构环绕所述显示区设置，所述第二阻挡结构环绕所述第一阻挡结构，且与所述第一阻挡结构间隔设置；
所述触控电极包括第一电极层和/或第二电极层，所述触控电极位于所述显示区，所述触控电极线与所述第一电极层和/或所述第二电极层电连接，所述触控电极线位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构远离所述衬底基板的一侧，且所述触控电极线由所述显示区延伸至所述第二阻挡结构远离所述显示区一侧的所述周边区；
所述触控电极线与所述第一阻挡结构远离所述衬底基板的一侧表面直接接触，所述触控电极线与所述第二阻挡结构远离所述衬底基板的一侧表面直接接触，位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构之间的所述触控电极线与所述衬底基板之间的垂直距离的最小值，大于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构靠近所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间的垂直距离的最小值；
还包括连接桥，所述连接桥位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构之间，且所述连接桥的两端分别延伸至所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构，所述触控电极线位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构之间部分的在所述衬底基板上的正投影，位于所述连接桥在所述衬底基板上的正投影的范围之内，所述连接桥的数量为多个，且相邻两个所述连接桥之间形成镂空区。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述连接桥与所述第一阻挡结构的部分同层同材料设置，所述连接桥和所述第二阻挡结构的部分同层同材料设置。
3.如权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括平坦层，所述平坦层的部分形成所述连接桥。
4.如权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括平坦层、像素界定层和隔垫结构中的一项或多项，所述平坦层的部分、所述像素界定层的部分和所述隔垫结构的部分中的一项或多项形成所述第一阻挡结构的至少部分和/或形成所述第二阻挡结构的至少部分。
5.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在沿着由所述第一阻挡结构到所述第二阻挡结构的方向上，所述镂空区在平行于衬底基板的方向上的截面包括依次排布的多个圆形区域。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至5中任一项所述的显示基板。
7.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的周边区制作第一阻挡结构和第二阻挡结构，其中，所述第一阻挡结构环绕所述显示基板的显示区设置，所述第二阻挡结构环绕所述第一阻挡结构，且与所述第一阻挡结构间隔设置；
在所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构远离所述衬底基板的一侧制作触控电极和触控电极线，所述触控电极包括第一电极层和/或第二电极层，所述触控电极位于所述显示区，所述触控电极线与所述第一电极层和/或所述第二电极层电连接，所述触控电极线由所述显示区延伸至所述第二阻挡结构远离所述显示区一侧的周边区，所述触控电极线与所述第一阻挡结构远离所述衬底基板的一侧表面直接接触，所述触控电极线与所述第二阻挡结构远离所述衬底基板的一侧表面直接接触，位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构之间的所述触控电极线与所述衬底基板之间的垂直距离的最小值，小于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构靠近所述衬底基板一侧的表面到所述衬底基板之间的垂直距离的最小值；
所述在所述衬底基板上制作第一阻挡结构和第二阻挡结构之前，还包括：
在所述衬底基板上制作平坦层，所述平坦层位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构对应的区域之间的部分形成连接桥，且所述连接桥由所述第一阻挡结构对应的区域延伸至所述第二阻挡结构的区域，所述连接桥的数量为多个，且相邻两个所述连接桥之间形成镂空区。
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