CN111337812A - 一种mosfet晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路 - Google Patents

一种mosfet晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，其测试方法包括以下步骤：S101，通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接；S102，通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能正常；S103，测试Rdson，选择功能正常且距离被测颗粒最近的颗粒作为辅助颗粒；S104，将辅助颗粒的栅极驱动为常通状态；S105，将共漏极的测量端连接至辅助颗粒的源极，然后进行Rdson参数测试；本发明还相应的公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试电路，能够提高对MOSFET晶圆的Rdson参数的测量精度，有效降低了测试误差。

Description

一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路
技术领域
本发明涉及分立器件测试技术领域，尤其是一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路。
背景技术
在MOSFET的漏极测量端是接在载物台上的，即使载物台的内阻很低，误差可忽略，漏极衬底电流路径上的等效电阻会累加到被测器件Rdson(导通电阻)的数值上，使得漏极回路不再是标准的Kelvin连接，这样就造成了大量的测量误差。这种测量误差是不稳定的，当被测颗粒的底部接触较好时，误差很小，当被测颗粒底部及附近的颗粒接触都不好时，误差就比较大。
为了降低误差，就需使晶圆与CHUNK台贴合的尽量紧密，中间的空隙尽量少。这样可以减小共漏极测量端到被测器件的路径长度，减小非Kelvin连接部分的电阻。当漏极引起的附加电阻远小于Rdson(导通电阻)时，测试结果就是可信的。这种测试方法对载物台的平整度和表面接触电阻提出了很高的要求。
目前的测试方案，绝大多是通过向载片台镀厚金层来提升载片台的平整度，减弱接触不均匀造成的影响，但是这样探针台的成本被大大提升，因此产生了标准临近颗粒法，但是传统的临近颗粒法有一个严重的问题，就是当用于实施临近颗粒法的辅助颗粒是坏管芯时，会导致被测颗粒无法测试，系统就会将这种颗粒直接判断为失效管芯，造成良品率的下降。
发明内容
在本发明的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，能够提高对MOSFET晶圆的Rdson(导通电阻)参数的测量精度，有效降低了测试误差。
为了实现本发明的目的，所采用的技术方案是：
本发明公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，其测试方法包括以下步骤：S101，通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接；S102，通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能正常；S103，测试Rdson(导通电阻)，选择功能正常且距离被测颗粒最近的颗粒作为辅助颗粒；S104，将辅助颗粒的栅极驱动为常通状态；S105，将共漏极的测量端连接至辅助颗粒的源极，然后进行Rdson(导通电阻)参数测试，本发明还相应的公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试电路，能够提高对MOSFET晶圆的Rdson(导通电阻)参数的测量精度，有效降低了测试误差。
方案进一步是：所述N个被测颗粒其数量与测试工位的电路臂数量保持一致，其N值越大测试误判率越低。
方案进一步是：所述栅极驱动电压保持在±5V以内，便可保持常通状态。
方案进一步是：所述被测颗粒最近的颗粒进行小电流参数测试为不正常颗粒，因此选择次近的颗粒作为辅助颗粒。
方案进一步是：所述临近颗粒测试方法测量被测MOSFET晶圆良品率90％，四工位时误判率为0.1％，八工位时误判率为0.00001％。
本发明的瞬态热阻测试电路的有益效果是：
本发明的一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路能够提高对MOSFET晶圆的Rdson(导通电阻)参数的测量精度，有效降低了测试误差。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1是MOSFET晶圆临近颗粒测试方法流程图；
图2是四工位测量MOSFET晶圆测试电路图；
图3四工位改进临近颗粒法测试MOSFET晶圆原理图；
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
实施例一：
如图1所示，本实施例的一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，其测试方法包括以下步骤：S101，通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接；S102，通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能正常；S103，测试Rdson(导通电阻)，选择功能正常且距离被测颗粒最近的颗粒作为辅助颗粒；S104，将辅助颗粒的栅极驱动为常通状态；S105，将共漏极的测量端连接至辅助颗粒的源极，然后进行Rdson(导通电阻)参数测试。
所述N个被测颗粒其数量与测试工位的电路臂数量保持一致，其N值越大测试误判率越低。
所述栅极驱动电压保持在±5V以内，便可保持常通状态。
所述被测颗粒最近的颗粒进行小电流参数测试为不正常颗粒，因此选择次近的颗粒作为辅助颗粒
所述临近颗粒测试方法测量被测MOSFET晶圆良品率90％，四工位时误判率为0.1％，八工位时误判率为0.00001％。
实施例二：
如图2所示，实施例的一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路用于测试MOSFET晶圆的Rdson(导通电阻)测试参数，包括测试模块、MOSFET、开关、载物台；
所述MOSFET的栅极和测试模块A端口的采样端口和输出端口连接，MOSFET的源极与测试采样模块C端口的采样端口和输出端口连接；
所述工位的测试模块B端口通过开关与被测MOSFET的公共漏极连接；
所述被测MOSFET晶圆置于载物台之上；
所述以4SITE并行测试为例说明MOSFET晶圆临近颗粒测试参数Rdson(导通电阻)的方法：
S201：当被测颗粒为Die1时，闭合开关K3，用Die2作为临近颗粒；
S202：在Die1的B端口的加载端加载电流I，A端口的加载端加载驱动电压将MOSFET的栅极导通；
S203：在Die2的A端口的加载端加载驱动电压将Die2的源极和漏极导通；
S204：测量Die1的C端口的测量端与Die2的C端口之间的电压V；
S205：根据公式
Figure BDA0002457836660000041
计算Rdson(导通电阻)的值；
综上所述，用上述方法测试MOSFET晶圆的Rdson(导通电阻)参数是可行的，并且有效提高了测试精度，降低了测试误差。
应当理解，以上所描述的具体实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明，由本发明的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (5)

1.一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，用于测试MOSFET晶圆的Rdson（导通电阻）测试参数，其测试方法包括以下步骤：
S101：通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接；
S102：通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能正常；
S103：测试Rdson（导通电阻），选择功能正常且距离被测颗粒最近的颗粒作为辅助颗粒；
S104：将辅助颗粒的栅极驱动为常通状态；
S105：将共漏极的测量端连接至辅助颗粒的源极，然后进行参数Rdson（导通电阻）测试。
2.根据权利要求1所述的MOSFET晶圆临近颗粒测试方法，其特征在于，所述N个被测颗粒其数量与测试工位的电路臂数量保持一致，其N值越大测试误判率越低。
3.根据权利要求1所述的MOSFET晶圆临近颗粒测试方法，其特征在于，所述栅极驱动电压保持在±5V以内，便可保持常通状态。
4.根据权利要求1所述的MOSFET晶圆临近颗粒测试方法，其特征在于，所述被测颗粒最近的颗粒进行小电流参数测试为不正常颗粒，因此选择次近的颗粒作为辅助颗粒。
5.根据权利要求2所述的MOSFET晶圆临近颗粒测试方法，其特征在于，所述临近颗粒测试方法测量被测MOSFET晶圆良品率90%，四工位时误判率为0.1%，八工位时误判率为0.00001%。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113030675A (zh) * 2021-02-26 2021-06-25 陕西三海测试技术开发有限责任公司 一种基于临近颗粒法的无背金mosfet晶圆测试方法
CN113030676A (zh) * 2021-02-26 2021-06-25 陕西三海测试技术开发有限责任公司 一种基于临近颗粒法的二极管三极管晶圆测试方法
CN117233569A (zh) * 2023-11-13 2023-12-15 成都高投芯未半导体有限公司 电阻测量系统、方法及测试设备

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