CN111337735A - 芯片和电流采样电路 - Google Patents

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CN111337735A CN202010097876.8A CN202010097876A CN111337735A CN 111337735 A CN111337735 A CN 111337735A CN 202010097876 A CN202010097876 A CN 202010097876A CN 111337735 A CN111337735 A CN 111337735A
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Abstract

本发明涉及一种芯片和电流采样电路，包括：MOS管MS0、MOS管MP0、栅极驱动电路、源端输入运放电路、MOS管MP3和MOS管MP4；其中，MOS管MS0、MOS管MP0的源端均用于接入输入电流，MOS管MS0、MOS管MP0的栅端均与栅极驱动电路连接，MOS管MP0的漏端还与所述栅极驱动电路连接，所述MOS管MS0、MOS管MP0的漏端跟源端输入运放电路连接，所述MOS管MP3和MOS管MP4的均源端与所述MOS管MS0的漏端连接，所述源端输入运放电路的输出端用于将MOS管MS0的漏端以及MOS管MP0的漏端钳位至相同的电压，MOS管MP3中通过的电流用于过流采样，MOS管MP4中通过的电流用于过流保护，电路结构简单。

Description

芯片和电流采样电路
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种芯片和电流采样电路。
背景技术
电流采样电路作为集成电路中的重要模块，广泛用于模数转换器、接口电路及电源管理电路中。在电流采样电路实现系统功能的同时，往往还需要额外的过流保护电路防止系统由于过大的电流出现损伤。在大部分现有电路中，这两个功能是通过不同的电路实现的，即需要同时存在电流采样电路和过流保护电路，电流采样电路和过流保护电路均接入输入电流，如果输入端存在高压源，二者与输入端相连的部分还要分别引入耐高压器件，电路结构较为复杂。
发明内容
基于此，有必要提供一种电流采样电路，能够简化电路的结构。
第一方面，提出一种电流采样电路，所述电流采样电路包括：MOS管MS0、MOS管MP0、栅极驱动电路、源端输入运放电路、MOS管MP3和MOS管MP4；
其中，所述MOS管MS0、MOS管MP0的源端均用于接入输入电流，所述MOS管MS0、MOS管MP0的栅端均与所述栅极驱动电路的一端连接，所述MOS管MP0的漏端与所述栅极驱动电路的另一端连接，所述MOS管MS0的漏端与所述源端输入运放电路的一输入端连接，所述MOS管MP0的漏端与所述源端输入运放电路的另一输入端连接，所述源端输入运放电路的输出端分别与所述MOS管MP3的栅端、所述MOS管MP4的栅端连接，所述MOS管MP3的源端和MOS管MP4的源端均与所述MOS管MS0的漏端连接；
所述栅极驱动电路用于提供驱动电压以驱动所述MOS管MS0、MOS管MP0工作，所述源端输入运放电路用于根据其输出端的输出电流调节通过所述MOS管MP3的电流和通过所述MOS管MP3的电流，所述MOS管MP3中通过的电流用于过流采样，所述MOS管MP4中通过的电流用于过流保护；
所述源端输入运放电路用于根据其输出端的输出电流调节通过所述MOS管MP3的电流和通过所述MOS管MP4的电流，以及将MOS管MS0的漏端以及MOS管MP0的漏端钳位至相同的电压。
其中一个实施例中，所述源端输入运放电路包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN1、MOS管MN2以及第一恒流源和第二恒流源；
所述MOS管MS0的漏端跟所述MOS管MP1的源端连接，所述MOS管MP0的漏端跟源端输入运放电路中MOS管MP2的源端连接，所述MOS管MP1的漏端跟所述MOS管MN1的漏端连接，所述MN1的源端通过第一恒流源接地，所述MOS管MP2的漏端跟所述MOS管MN2的漏端连接，所述MOS管MN2的源端通过第二恒流源接地，所述MOS管MP2的漏端分别与所述MOS管MP3、MOS管MP4的栅端连接，所述MOS管MN1的栅端和所述MOS管MN2的栅端用于接入驱动电压。
其中一个实施例中，所述电流采样电路还包括电阻R3，所述MOS管MP3、MOS管MP4的源端均通过所述电阻R3与所述MOS管MS0的漏端连接。
其中一个实施例中，所述电流采样电路还包括运算放大器和第四恒流源，所述运算放大器的同相输入端与所述MOS管MP3的漏端连接，所述运算放大器的反向输入端与所述第四恒流源连接，所述运算放大器的输出端用于输出放大后的采样电流。
其中一个实施例中，所述电流采样电路还包括第三恒流源和过流标志位，所述第三恒流源用于设置翻转电流阈值，所述过流标志位用于在通过MOS管MP4的过流保护电流大于翻转电流阈值时产生过流标志信号。
其中一个实施例中，所述电流采样电路还包括电阻R4，所述MOS管MP3漏端通过所述电阻R4接地。
其中一个实施例中，所述电流采样电路还包括钳位电路和MOS管MP5，所述钳位电路与所述MOS管MP5的栅端连接，所述MOS管MP5的源端与所述MOS管MP3的漏端连接，所述MOS管MP5的漏端接地，所述钳位电路用于钳位所述MOS管MP5的栅端电压，所述MOS管MP5用于在其源端电压超过栅端电压时导通，形成与所述电阻R4并联的对地通路。
其中一个实施例中，所述钳位电路包括MOS管MP6和MOS管MN3；所述MOS管MP5的源极与所述MOS管MP3的漏极连接，所述MOS管MP5的漏极接地，所述MOS管MP5的栅极与所述MOS管MP6的源极连接，所述MOS管MP6的漏极接地，所述MOS管MP6的栅极与所述MOS管MN3的源极连接，所述MOS管MN3的栅极接入高电平电压，所述MOS管MN3的源极接地。
其中一个实施例中，所述钳位电路还包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、第四恒流源、第五恒流源和第六恒流源，所述第四恒流源通过电阻R5接地，还连接MOS管MN3的栅极，MOS管MN3的漏极通过电阻R6接入高电平电压，MOS管MN3的源极通过第六恒流源接地，还跟MOS管MP6的栅极连接，MOS管MP6的源极通过电阻R7跟MOS管MP5的栅极连接，MOS管MP6的源极通过电阻R7跟第五恒流源串接，第五恒流源接入高电平电压，MOS管MP6的漏极通过电阻R8接地。
上述电流采样电路，通过MOS管MP3的电流用于过流采样，通过MOS管MP4的电流用于过流保护，MOS管MP3和MOS管MP4共用一个输入端就可以使电路同时具备电流采样和过流保护功能，即便输入端存在高压源，二者与输入端相连的部分也是共用耐高压器件，相比在芯片中采用传统的电流采样电路和过流保护电路，采用本发明实施例中的电流采样电路，将过流保护电路与电流采样电路相结合，可以简化电路结构，减少对芯片面积的占用，且相比于传统的电流采样电路和过流保护电路，采用本发明实施例中的电流采样电路因减少了与输入端口连接的电路，减少了静电放电和浪涌风险。
另一方面，本发明实施例还提出一种芯片，形成有如上任一实施例中所述的电流采样电路，所述芯片为模数转换芯片、接口芯片或电源管理芯片。
附图说明
图1为传统的电流采样电路的结构示意图；
图2为传统的过流保护电路的结构示意图；
图3为本发明一实施例中的过流保护电路的结构示意图；
图4为本发明另一实施例中的过流保护电路的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如背景技术所述，在大部分现有电流采样电路中，需要同时存在电流采样电路和过流保护电路，如图1和图2分别为传统的过流采样电路和过流保护电路的结构示意图，如图1和图2所示，传统的过流采样电路和过流保护电路均接入输入电流，如果输入端存在高压源，二者与输入端相连的部分还要分别引入耐高压器件，这样就会使得电路结构比较复杂。
基于此，本发明实施例提出一种电流采样电路，可以简化电路结构，减少对芯片面积的占用。
请参阅图3，所述电流采样电路包括电流采样子电路10，该电流采样子电路10包括：MOS管MS0、MOS管MP0、栅极驱动电路U1、源端输入运放电路101、MOS管MP3和MOS管MP4；其中，MOS管MS0、MOS管MP0的源端均用于接入输入电流VIN，具体地，如图3所示，可以设置一输入端口，MOS管MS0、MOS管MP0的输入端(即源端)连接该输入端口以接入输入电流VIN。所述MOS管MS0、MOS管MP0的栅端均与所述栅极驱动电路U1的一端连接，所述MOS管MP0的漏端还与所述栅极驱动电路U1的另一端连接，所述MOS管MS0与所述源端输入运放电路101的一输入端连接，所述MOS管MP0的漏端与所述源端输入运放电路101的另一输入端连接，所述源端输入运放电路101的输出端分别与所述MOS管MP3的栅端、所述MOS管MP4的栅端连接，所述MOS管MP3和MOS管MP4的源端均与所述MOS管MS0的漏端连接；所述栅极驱动电路U1用于提供驱动电压以驱动所述MOS管MS0、MOS管MP0工作，所述源端输入运放电路101用于根据输入电流VIN调节通过所述MOS管MP3的电流和通过所述MOS管MP4的电流，其中所述MOS管MP3中通过的电流用于过流采样，所述MOS管MP4中通过的电流用于过流保护，所述源端输入运放电路101还用于将MOS管MS0的漏端以及MOS管MP0的漏端钳位至相同的电压。
上述电流采样电路，MOS管MP3和MOS管MP4的源端跟MOS管的MS0漏端连接，以接入输入电流VIN，MOS管MP3和MOS管MP4的栅端跟源端输入运放电路101的输出端连接，可以调节通过所述MOS管MP3的电流和通过所述MOS管MP4的电流，其中通过MOS管MP3的电流用于过流采样，通过MOS管MP4的电流用于过流保护，MOS管MP3和MOS管MP4共用一个输入端就可以使电路同时具备电流采样和过流保护功能，即便输入端存在高压源，二者与输入端相连的部分也是共用耐高压器件，相比在芯片中采用传统的电流采样电路和过流保护电路，采用本发明实施例中的电流采样电路，将电流采样电路同时还具备过流保护功能，可以简化电路结构，减少对芯片面积的占用，且相比于传统的电流采样电路和过流保护电路，采用本发明实施例中具备过流保护功能的电流采样电路减少了与输入端口连接的电路，减少了静电放电和浪涌风险。
在一个可选方案中，所述MOS管MS0和MOS管MP0均为N型，所述MOS管MP3和MOS管MP4均为P型。
关于源端输入运放电路101调节通过所述MOS管MP3的电流和通过所述MOS管MP4的电流，在本实施例中，因为源端输入运放电路101的输入利用MOS管MS0接入输入电流VIN，源端输入运放电路101的输出电流会随输入电流VIN大小变化而改变，源端输入运放电路101的输出端又跟MOS管MP3和MOS管MP4的栅端相连，所以源端输入运放电路101可以根据其输出电流调节通过所述MOS管MP3的电流和通过所述MOS管MP4的电流。
关于所述源端输入运放电路101的钳位功能，如图3所示，MOS管MS0、MOS管MP0的漏端电压作为源端输入运放电路101的两个输入，而源端输入运放电路101的输出端最终又连接回了源端输入运放电路101的输入端，即MOS管MS0的漏端，MOS管MS0的漏端电压和MOS管MP0的漏端电压被钳位至相同的电压。
关于所述源端输入运放电路101，在一个实施例中，请参阅图3，其包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN1、MOS管MN2以及第一恒流源和第二恒流源，第一恒流源和第二恒流源的电流分别为I1和I2。关于MOS管MS0、MOS管MP0的漏端跟源端输入运放电路101的输入端连接，本实施例是MOS管MS0的漏端跟源端输入运放电路101中MOS管MP1的源端连接，以及MOS管MP0的漏端跟源端输入运放电路101中MOS管MP2的源端连接；关于所述源端输入运放电路101的输出端与所述MOS管MP3的栅端、所述MOS管MP4的栅端连接，本实施例是MOS管MP2的漏端作为源端输入运放电路101的输出端与所述MOS管MP3的栅端、所述MOS管MP4的栅端连接；MOS管MP1的漏端跟MOS管MN1的漏端连接，MN1的源端通过第一恒流源接地，MOS管MP2的漏端跟MOS管MN2的漏端连接，MN2的源端通过第二恒流源接地，MOS管MN1、MOS管MN2的栅端均接入驱动电压EN，以驱动MOS管MN1、MOS管MN2工作。
可选地，MOS管MP1、MOS管MP2均为P型，MOS管MN1、MOS管MN2均为N型。
具体地，所述电流采样子电路10还包括电阻R3，所述MOS管MP3、MOS管MP4的源端均通过所述电阻R3与所述MOS管MS0的漏端连接。
优选的，如图3所示，所述源端输入运放电路101还进一步包括电阻R1和电阻R2，MOS管MP1的漏端是通过所述电阻R1跟MOS管MN1的漏端连接，MOS管MP2的漏端是通过所述电阻R2跟MOS管MN2的漏端连接。
以下介绍MOS管MP3中通过的采样电流的计算原理以及MOS管MP4中通过的过流保护电流的计算原理。
如图3所示，电流从MOS管MS0的漏端引出后，分为两个分支，一个分支流向MOS管MP1，另一个分支流向MOS管MP3和MOS管MP4，因此MOS管MP3和MOS管MP4的总电流为MOS管MS0的电流减去MOS管MP1的电流。所述MOS管MP2的漏端分别与所述MOS管MP3、MOS管MP4的栅端连接，所述MOS管MP3、MOS管MP4的栅端均通过所述电阻R3与所述MOS管MS0的漏端连接，所述MOS管MP2的漏端作为所述源端输入运放电路101的输出端去连接MOS管MP3的栅端和MOS管MP4的栅端，MOS管MP3的栅端和MOS管MP4的源端又通过电阻R3连接回源端输入运放的一个输入端，即MOS管MS0的漏端，MOS管MS0的漏端以及MOS管MP0的漏端被源端输入运放电路101钳位至相同的电压。所述电流采样电路中流过电阻R3的电流IR3，也即MOS管MP3和MOS管MP4的总电流为：
Figure BDA0002385853410000081
式中，
Figure BDA0002385853410000082
为MOS管MS0流过的电流，I1为第一恒流源的电流。因为源端输入运放电路101的输出端通过负反馈即电阻R3又连接回MOS管MS0的漏端，所以源端输入运放电路101将MOS管MS0的漏端以及MOS管MP0的漏端钳位至相同的电压，说明MOS管MS0的漏端电压以及MOS管MP0的漏端电压相同，因此，MOS管MP0与MOS管MS0流过的电流之比即为其导电沟道的宽长比之比。
设流过MOS管MP3与MOS管MP4的电流之比为α，即：
Figure BDA0002385853410000091
可以得到，流过MOS管MP3的采样电流IMP3和流过MOS管MP4管的电流IMP4分别为：
Figure BDA0002385853410000092
Figure BDA0002385853410000093
以上为通过MOS管MP3的采样电流以及通过MOS管MP4的过流保护电流的计算原理。
本发明实施例中，采样电流IMP3可经一放大电路放大后用于芯片的正常运作，例如输至芯片的内部控制电路。在一个实施例中，请参阅图3，所述电流采样电路还包括运算放大器U2，所述运算放大器U2的同相输入端与所述MOS管MP3的漏端连接，所述运算放大器U2的反向输入端用于接入参考电流，运算放大器U2的输出端用于输出放大后的采样电流。
在一个实施例中，所述所述运算放大器U2的反向输入端可以与下文钳位电路20中的第四恒流源连接，以引入该参考电流。如此，有利于电路结构的简化。
以下通过一个具体实施例简述运算放大器放大采样电流IMP3的原理。
在一个具体实施例中，如图3所示，所述电流采样电路还包括电阻R5，所述第四恒流源通过所述电阻R5接地。所述电流采样子电路10还包括电阻R4，所述MOS管MP3漏端通过所述电阻R4接地。
通过MOS管MP3进行电流采样后，采样电流IMP3形成采样电压传输至运算放大器U2的同向输入端，第四恒流源的电流I4形成的设定电压传输至运算放大器U2的反向输入端。运算放大器U2的输出电压VSENSE跟采样电流IMP3形成的采样电压以及第四恒流源的电流I4形成的设定电压相关，图3中，运算放大器U2的输出电压为VSENSE＝(IMP3×R4-I4×R5)×AV，其中AV为该运算放大器U2的放大系数。
本发明实施例中通过MOS管MP4得到过流保护电流后，可以将过流保护电流与翻转电流阈值比较，如大于翻转电流阈值，产生过流标志信号。在本发明其中一个实施例中，请参阅图3，所述电流采样子电路10还包括第三恒流源和过流标志位，所述第三恒流源用于设置所述翻转电流阈值I3，所述过流标志位用于通过MOS管MP4得到的过流保护电流大于翻转电流阈值I3时产生过流标志信号VOCP。具体地，过流标志位可串接一施密特触发器，过流时过流标志信号VOCP会上升，在后级串接一个施密特触发器即可得到整波后的方波信号。第三恒流源可以将来自芯片基准模块产生的零温电流，镜像至此，作为所述翻转电流阈值I3。
当满足过流要求时，过流保护电流IMP4和采样电流IMP3满足以下条件：
IMP4＝I3
IMP3＝αI3
为了保证系统在正常工作中不会误触发过流保护，翻转电流阈值I3被设置的较大，范围可以为10微安至200微安，其他实施例中翻转电流阈值I3可视电路实际情况设置。
本发明另一个实施例的电流采样电路还可以进一步避免MOS管MP4误触发过流保护功能。在电流采样电路实际工作过程中，为了提高电流采样的精度，电阻R4和电阻R5会选用较大的电阻值，以减小系统和随机失调的影响，电阻R4和电阻R5可以为50K至500K欧姆，也可以为其他值。在过流时通过电阻R4的电压VR4的计算方式如下：
VR4＝αI3×R4
在输入电流VIN形成的电源电压较低时，因为电阻R4较高，造成电压VR4过高，这可能会使得MOS管MP3进入线性区，MOS管MP3的电流随时间则会发生变化，MOS管MP3和MOS管MP4的电流比例就会与设计值a发生偏差。且由于MOS管MP3进入线性区，就导致更少的电流进入了MOS管MP3，而更多的电流进入了MOS管MP4，如此，即便输入电流VIN较低，由于更多的电流进入了MOS管MP4，也会误触发过流保护功能。
为了解决这个问题，如图3所示，本发明该另一个实施例还进一步引入了钳位电路20，所述电流采样电路包括钳位电路20和MOS管MP5，所述钳位电路20与所述MOS管MP5的栅端连接，所述MOS管MP5的源端与所述MOS管MP3的漏端连接，所述MOS管MP5的漏端接地，所述钳位电路用于钳位所述MOS管MP5的栅端电压，所述MOS管MP5用于在其源端电压与栅端电压的差值大于预设阈值时导通。优选地，MOS管MP5为P型。
本实施例中，当MOS管MP5的源端电压与栅端电压的差值大于预设阈值时，MOS管MP5才会开启，MOS管MP5开启后形成与电阻R4并联的对地通路，该通路也能引入一部分电流，因此能让更少的电流进入MOS管MP4，避免误触发过流保护功能。
因为钳位电路20钳位MOS管MP5的栅端电压相当于提高MOS管MP5的输入电压即源端电压，即也相当于利用了MOS管MP5提高MOS管MP3的漏端电压，MOS管MP5也起到了电流采样子电路10中电阻R4的并联通路角色。因此，如图4所示，MOS管MP5可以作为钳位电路20的一部分，又可以作为电流采样子电路10的一个组成器件。
关于所述钳位电路20的具体结构，在一个实施例中，如图4所示，所述钳位电路包括MOS管MP5、MOS管MP6、MOS管MN3。MOS管MN3可以为N型，MOS管MP6可以为P型，所述MOS管MP5的源极与所述MOS管MP3的漏极连接，所述MOS管MP5的漏极接地，所述MOS管MP5的栅极与所述MOS管MP6的源极连接，所述MOS管MP6的漏极接地，所述MOS管MP6的栅极与所述MOS管MN3的源极连接，所述MOS管MN3的漏极接入高电平电压VDD，所述MOS管MN3的源极接地。
以下利用一个具体实施例简述钳位电路20的工作原理。该具体实施例中，如图4所示，钳位电路20还可以进一步包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、第四恒流源、第五恒流源和第六恒流源，第四恒流源通过电阻R5接地，还连接MOS管MN3的栅极，MOS管MN3的漏极通过电阻R6接入高电平电压VDD，MOS管MN3的源极通过第六恒流源接地，还跟MOS管MP6的栅极连接，MOS管MP6的源极通过电阻R7跟MOS管MP5的栅极连接，MOS管MP6的源极通过电阻R7跟第五恒流源串接，第五恒流源接入VDD电压，MOS管MP6的漏极通过电阻R8接地。
MOS管MP5栅端的电压为：
VGP5＝I4×R5-VGSN3+VSGP6+I5×R7
其中，VGSN3为MOS管MN3的栅源电压，VSGP6为MOS管MP6的栅源电压，I4为第四恒流源的电流，I5为第五恒流源的电流。
MOS管MP5的源端的电压为：
VGP5＝I4×R5-VGSN3+VSGP6+VSGP5+I5×R7，其中，VGSN3为MOS管MN3的栅源电压，VSGP6为MOS管MP6的栅源电压，VSGP5为MOS管MP5的栅源电压，I4为第四恒流源的电流，I5为第五恒流源的电流。
当MOS管MP5的源端电压与其栅端电压的差值大于一定阈值时，MOS管MP5才会开启，形成与电阻R4并联的对地通路，该通路分担一部分电流，能让更少的电流进入MOS管MP4。这样，通过MOS管MP4的电流和通过MOS管MP3的电流比例就会与设计值a相符，减少进入MOS管MP4的电流，过流判断点与电流翻转阈值也相符，避免输入电流较小时误触发过流保护功能。
综上，本发明实施例中的电流采样电路结合了过流保护功能，简化了电路结构，减少了芯片面积的占用，因减少了与输入端口连接的电路，所以也减少了静电放电和浪涌风险。且利用合适的电压钳位，保证电流采样电路在过流保护阶段在输入电流较低时也能正确工作，不会误触发过流保护功能。
为了在电流采样电路引入过流保护功能，还可以直接通过电流镜将采样电流比例镜像后进行过流保护，但是这种方案需要额外的功耗，以及较多的电流镜像管。而本发明实施例的电流采样电路采样电流直接由输入端提供，没有经过内部镜像，减小了电流采样电路功耗。
另一方面，本发明实施例还提出一种芯片，形成有如上任一实施例中所述的电流采样电路。所述芯片可以为模数转换芯片、接口芯片或电源管理芯片。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路包括：MOS管MS0、MOS管MP0、栅极驱动电路、源端输入运放电路、MOS管MP3和MOS管MP4；
其中，所述MOS管MS0、MOS管MP0的源端均用于接入输入电流，所述MOS管MS0、MOS管MP0的栅端均与所述栅极驱动电路的一端连接，所述MOS管MP0的漏端与所述栅极驱动电路的另一端连接，所述MOS管MS0的漏端与所述源端输入运放电路的一输入端连接，所述MOS管MP0的漏端与所述源端输入运放电路的另一输入端连接，所述源端输入运放电路的输出端分别与所述MOS管MP3的栅端、所述MOS管MP4的栅端连接，所述MOS管MP3的源端和MOS管MP4的源端均与所述MOS管MS0的漏端连接；
所述栅极驱动电路用于提供驱动电压以驱动所述MOS管MS0、MOS管MP0工作，所述MOS管MP3中通过的电流用于过流采样，所述MOS管MP4中通过的电流用于过流保护；
所述源端输入运放电路用于根据其输出端的输出电流调节通过所述MOS管MP3的电流和通过所述MOS管MP4的电流，以及将MOS管MS0的漏端以及MOS管MP0的漏端钳位至相同的电压。
2.根据权利要求1所述的电流采样电路，其特征在于，所述源端输入运放电路包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN1、MOS管MN2以及第一恒流源和第二恒流源；
所述MOS管MS0的漏端跟所述MOS管MP1的源端连接，所述MOS管MP0的漏端跟所述MOS管MP2的源端连接，所述MOS管MP1的漏端跟所述MOS管MN1的漏端连接，所述MN1的源端通过第一恒流源接地，所述MOS管MP2的漏端跟所述MOS管MN2的漏端连接，所述MOS管MN2的源端通过第二恒流源接地，所述MOS管MP2的漏端分别与所述MOS管MP3、MOS管MP4的栅端连接，所述MOS管MN1的栅端和所述MOS管MN2的栅端用于接入驱动电压。
3.根据权利要求2所述的电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路还包括电阻R3，所述MOS管MP3、MOS管MP4的源端均通过所述电阻R3与所述MOS管MS0的漏端连接。
4.根据权利要求1所述的电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路还包括运算放大器和第四恒流源，所述运算放大器的同相输入端与所述MOS管MP3的漏端连接，所述运算放大器的反向输入端与所述第四恒流源连接，所述运算放大器的输出端用于输出放大后的采样电流。
5.根据权利要求1所述的电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路还包括第三恒流源和过流标志位，所述第三恒流源用于设置翻转电流阈值，所述过流标志位用于在通过MOS管MP4的过流保护电流大于翻转电流阈值时产生过流标志信号。
6.根据权利要求1所述的电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路还包括电阻R4，所述MOS管MP3漏端通过所述电阻R4接地。
7.根据权利要求6所述的电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路还包括钳位电路和MOS管MP5，所述钳位电路与所述MOS管MP5的栅端连接，所述MOS管MP5的源端与所述MOS管MP3的漏端连接，所述MOS管MP5的漏端接地，所述钳位电路用于钳位所述MOS管MP5的栅端电压，所述MOS管MP5用于在导通时形成与所述电阻R4并联的对地通路。
8.根据权利要求7所述的电流采样电路，其特征在于，所述钳位电路包括MOS管MP6和MOS管MN3；所述MOS管MP5的源极与所述MOS管MP3的漏极连接，所述MOS管MP5的漏极接地，所述MOS管MP5的栅极与所述MOS管MP6的源极连接，所述MOS管MP6的漏极接地，所述MOS管MP6的栅极与所述MOS管MN3的源极连接，所述MOS管MN3的栅极用于接入高电平电压，所述MOS管MN3的源极接地。
9.根据权利要求8所述的电流采样电路，其特征在于，所述钳位电路还包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、第四恒流源、第五恒流源和第六恒流源，所述第四恒流源通过电阻R5接地，还连接MOS管MN3的栅极，MOS管MN3的漏极通过电阻R6接入高电平电压，MOS管MN3的源极通过第六恒流源接地，还跟MOS管MP6的栅极连接，MOS管MP6的源极通过电阻R7跟MOS管MP5的栅极连接，MOS管MP6的源极通过电阻R7跟第五恒流源串接，所述第五恒流源还接入高电平电压，MOS管MP6的漏极通过电阻R8接地。
10.一种芯片，其特征在于，所述芯片中形成有如权利要求1-9任一项所述的电流采样电路。
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