CN111333545A - 一种3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物、其制备和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明属于有机光电材料制备及应用科技领域,更具体地,涉及一种3,6‑二氧代环己‑1,4‑二烯‑1,2‑二腈衍生物、其制备和应用。通过对该3,6‑二氧代环己‑1,4‑二烯‑1,2‑二腈衍生物关键的化学结构进行改进,引入强吸电子基团,并将该3,6‑二氧代环己‑1,4‑二烯‑1,2‑二腈衍生物作为P型掺杂剂料应用于有机电致发光器件中,很大程度上提高了空穴传输层HOMO上的空穴浓度,使空穴的迁移率增加,能够有效提高器件效率,降低效率滚降和开启电压,且该衍生物具有良好的热稳定性,由此解决现有技术的P型掺杂剂在器件制备中存在的稳定性不佳及应用中存在的结晶、成膜性差等的技术问题。
Description
技术领域
本发明属于有机光电材料制备及应用科技领域,更具体地,涉及一种3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物、其制备和应用。
背景技术
随着时代的进步,低碳环保越来越成为人们关注的焦点,因此,如何节约能源也开始吸引越来越多的人们注意。有机发光二极管(OLED)就是近几年来适应时代需求所新兴的一项技术。凭借着其本身特有的视角广,能耗低,自发光,高亮度,适用环境广泛,可制作柔性产品等特点,OLED在白光照明和平板显示中,有着广阔的应用。
有机发光二极管(OLED)的电子通过阴极注入,空穴通过阳极注入,电子与空穴成对出现,当两者在发光层相遇时,就产生了光。与等离子体显示面板或无机电致发光显示器相比,OLED具有启动电压低、能耗小、亮度高等优势。
然而,目前OLED技术在发展过程中却遇到了不少难题,例如,器件的发光效率低、效率滚降大、使用寿命短以及工业化生产所需的制备工艺难,导致OLED现在仍然无法取代液晶显示器在市场上的主导地位。器件的发光效率及滚降和使用寿命很大程度上取决于载流子平衡,在空穴传输层中掺杂P型掺杂剂对于降低器件的启动电压,降低效率滚降,延长材料的寿命具有重要的意义。
由于P型掺杂剂需要比较深的LUMO(其LUMO要求在-5eV左右),导致目前可用的P型的种类很少。F4-TCNQ由于其LUMO在-5.24eV被认为是最理想掺杂在空穴传输层的P型掺杂剂,但是F4-TCNQ易挥发并且粘黏系数低,真空蒸镀时难以控制其掺杂浓度并且很容易造成污染。HAT-CN也是一类常用掺杂在空穴传输层的P型掺杂剂,但是由于结晶和电流泄漏导致沉积厚度很薄,不利于解决问题。DDQ(2,3-二氯-5,6-二氰对苯醌)也是一种常见的掺杂在空穴传输层的P型掺杂剂,然而其热稳定性极差,应用于OLED器件制备中难以形成质量较高的薄膜,反而不利于空穴载流子的注入,导致器件性能变差。
因此,如何进一步降低P型掺杂空穴注入技术中的传输势垒,同时解决P型掺杂剂在器件制备中存在的稳定性及应用中存在的结晶问题,平衡载流子的传输效率是当前OLED领域亟需解决的重要问题。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求,本发明提供了一种3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物、其制备和应用,其通过对该3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物关键的化学结构进行改进,引入强吸电子基团,并将该3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物作为P型掺杂剂料应用于有机电致发光器件中,很大程度上提高了空穴传输层HOMO上的空穴浓度,使空穴的迁移率增加,能够有效提高器件效率,降低效率滚降和开启电压,且该衍生物具有良好的热稳定性,由此解决现有技术的P型掺杂剂在器件制备中存在的稳定性不佳及应用中存在的结晶、成膜性差等的技术问题。
为实现上述目的,按照本发明的一个方面,提供了一种3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物,具有如式(I)所示的结构:
其中,R为碳原子数为1~60的芳香杂环基或者碳原子数为1~60的芳香环基。
优选地,R为吸电子芳香环基团。
优选地,R为被氟原子、氰基和硝基中的一个或多个取代的苯基。
优选地,R为以下取代基中的任一种:
按照本发明的另一个方面,提供了一种所述的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物的制备方法,包括如下步骤:
(1)RCOOH与叔丁醇钾反应得到RCOOK;
(2)RCOOK和2,3-二氯-5,6-二氰对苯醌经过钯催化脱羧交叉偶联反应,得到所述3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物。
按照本发明的另一个方面,提供了一种所述的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物在有机电致发光器件中的应用。
优选地,用作有机电致发光器件中空穴传输层的P型掺杂剂。
按照本发明的另一个方面,提供了一种有机电致发光器件,包括空穴传输层的P型掺杂剂,所述P型掺杂剂包括所述的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物。
总体而言,通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比,能够取得下列有益效果:
(1)本发明提供的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物其LUMO在-5.0eV左右,与大多数的空穴传输层材料的HOMO相近(如TAPC的HOMO为-5.5eV,CAS号58473-78-2;NPB的HOMO为-5.4eV,CAS号123847-85-8),与空穴传输层的能级能够良好的匹配,有利于空穴传输层HOMO上的电子跃迁到P掺杂剂的LUMO上,提高空穴传输层中空穴的浓度,从而提高电导率,有利于降低启动电压和效率滚降,提高器件的外量子效率和发光亮度;
(2)本发明提供的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物的制备方法简单,将其应用于电致发光材料,便于进行生产;
(3)本发明中的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物相对于广泛使用的F4-TCNQ、HAT-CN等P型掺杂剂具有良好热稳定性,不易挥发,且具有良好的成膜性,便于蒸镀工艺的操作以及掺杂浓度、蒸镀厚度的控制,有效解决在面板制造及应用中存在的有机膜层污染、合格率低等现实性问题。
附图说明
图1为加入P型掺杂剂器件性能图;
图2为化合物11,12和13的材料热稳定性测试结果图。
图3为采用化合物11、12和13作为P型掺杂剂的器件电流-电压-亮度图;
图4为采用化合物11、12和13作为P型掺杂剂的器件的电流效率-电流密度示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。此外,下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
本发明提供的一种3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物,具有如式(I)所示的结构:
其中,R为碳原子数为1~60的芳香杂环基或者碳原子数为1~60的芳香环基。
一些实施例中,R为吸电子芳香环基团。
一些实施例中,R为被氟原子、氰基和硝基中的一个或多个取代的苯基。
一些实施例中,R为以下取代基中的任一种:
本发明所述的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物,包括但不限于如下所示化合物1~化合物21任意一项的结构:
本发明还提供了3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物的制备方法,包括如下步骤:
(1)RCOOH与叔丁醇钾反应得到RCOOK;
(2)RCOOK和2,3-二氯-5,6-二氰对苯醌经过钯催化脱羧交叉偶联反应,得到所述3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物。
本发明中的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物,通过在3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈上接入吸电子基团R获得,作为P型掺杂剂应用在OLED的空穴注入层。
本发明还提供了所述的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物在有机电致发光器件中的应用。
一些实施例中,将该3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物用作有机电致发光器件中空穴传输层的P型掺杂剂。
本发明还提供了一种有机电致发光器件,包括对电极以及对电极之间的传输层、发光层和掺杂剂,所述掺杂剂包括本发明所述的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物。
优选实施例中,空穴传输层与电子阻挡层选择NPB,电子传输层与空穴阻挡层选择TPBI,发光层选择常见的蓝光MADN-BD-1,P型掺杂剂选择本发明提供的上述3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物。
本发明公开了3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物的设计合成及其制备方法、及其作为P掺杂剂在OLED器件中的应用。在3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物的结构式中,R为单独的选自碳原子数为1~60的烷基、取代或无取代的芳香杂环基、以及取代或无取代的芳香环基中的任意一种基团。本发明通过对3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物键连的化学结构进行改进,引入吸电子基团,使其LUMO能级明显下移,与空穴传输层材料的HOMO能级接近,将该衍生物作为P型掺杂剂应用于有机电致发光器件中,能够有效的提高空穴的注入能力,并降低启动电压和效率滚降。同时,本发明提供的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物热稳定性好,热分解温度高达300℃以上,有利于器件的高温制备。
以下为实施例:
实施例1
以如化合物1所示3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物为例,采用如下合成路线:
4-氰基苯甲酸钾合成:
在250ml的烧杯中加入4-氰基苯甲酸(5g),叔丁醇钾(3.9g),和乙醇(40ml),在室温下搅拌40min,抽滤得到上层固体,在45℃下干燥2h得到8.5g(93%)。
化合物1的合成:
将4-氰基苯甲酸钾(2.5g),2,3-二氯-5,6-二氰对苯醌(1g),Pd(OAC)2(0.04g),三(邻甲基苯基)磷(0.1g)加入到50ml的烧瓶中,抽换N2三次,向其中注入20ml的二乙二醇二甲醚,在室温下搅拌10min,升温至140℃反应24h,减压蒸馏出二乙二醇二甲醚,过柱得到固体0.08g(3.7%)。
MS(APCI)(m/z):[M+H+]calcd,360.3300;found,361.3300.
实施例2
以如化合物4所示的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物为例,采用如下合成路线:
4-氰基-3,5-二氟苯甲酸钾制备:
在250ml的烧杯中加入4-氰基-3,5-二氟苯甲酸(3.2g),叔丁醇钾(1.96g),和乙醇(30ml),在室温下搅拌40min,抽滤得到上层固体,在45℃下干燥2h得到3.7g(95.8%)。
化合物4的合成:
将4-氰基-3,5-二氟苯甲酸钾(3.7g),2,3-二氯-5,6-二氰对苯醌(1.3g),Pd(OAC)2(0.04g),三(邻甲基苯基)磷(0.2g)加入到50ml的烧瓶中,抽换N2三次,向其中注入20ml的二乙二醇二甲醚,在室温下搅拌10min,升温至140℃反应24h,减压蒸馏出二乙二醇二甲醚,过柱得到固体0.13g(5%)。
(MS(APCI)(m/z):[M+H+]calcd,432.3200;found,433.3200)。
实施例3
以如化合物10所示的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物为例,采用如下合成路线:
4-氰基-2,3,5,6-四氟苯甲酸钾的合成:
在250ml的烧杯中加入4-氰基-2,3,5,6-四氟苯甲酸(3.5g),叔丁醇钾(1.8g),和乙醇(40ml),在室温下搅拌40min,抽滤得到上层固体,在45℃下干燥2h得到3.9g(95%)。
化合物10的合成:
将4-氰基-2,3,5,6-四氟苯甲酸钾(3.9g),2,3-二氯-5,6-二氰对苯醌(1.1g),Pd(OAC)2(0.04g),三(邻甲基苯基)磷(0.2g)加入到50ml的烧瓶中,抽换N2三次,向其中注入30ml的二乙二醇二甲醚,在室温下搅拌10min,升温至140℃反应24h,减压蒸馏出二乙二醇二甲醚,过柱得到固体0.06g(2%)。
MS(APCI)(m/z):[M+H+]calcd,504.0520;found,505.0520)。
实施例4
以如化合物11所示的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物为例,采用如下合成路线:
2,3,4,5,6-五氟苯甲酸钾合成:
在250ml的烧杯中加入2,3,4,5,6-五氟苯甲酸(2.5g),叔丁醇钾(1.3g),和乙醇(20ml),在室温下搅拌40min,抽滤得到上层固体,在45℃下干燥2h得到2.8g(94.9%)。
化合物11的合成:
将2,3,4,5,6-五氟苯甲酸钾(2.8g),2,3-二氯-5,6-二氰对苯醌(0.9g),Pd(OAC)2(0.04g),三(邻甲基苯基)磷(0.2g)加入到50ml的烧瓶中,抽换N2三次,向其中注入30ml的二乙二醇二甲醚,在室温下搅拌10min,升温至140℃反应24h,减压蒸馏出二乙二醇二甲醚,过柱得到固体0.05g(2.3%)。
MS(APCI)(m/z):[M+H+]calcd,490.2550;found,491.2550)。
实施例5
以如化合物12所示的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物为例,采用如下合成路线:
4-氰基-3-硝基苯甲酸钾合成:
在250ml的烧杯中加入4-氰基-3-硝基苯甲酸(3.5g),叔丁醇钾(2.0g),和乙醇(40ml),在室温下搅拌40min,抽滤得到上层固体,在45℃下干燥2h得到4.1g(97.6%)。
化合物12的合成:
将4-氰基-3-硝基苯甲酸钾(4.1g),2,3-二氯-5,6-二氰对苯醌(1.4g),Pd(OAC)2(0.04g),三(邻甲基苯基)磷(0.3g)加入到50ml的烧瓶中,抽换N2三次,向其中注入30ml的二乙二醇二甲醚,在室温下搅拌10min,升温至140℃反应24h,减压蒸馏出二乙二醇二甲醚,过柱得到固体0.06g(2.1%)。MS(APCI)(m/z):[M+H+]calcd,450.9570;found,451.9570)。
实施例6
以如化合物14所示的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物为例,采用如下合成路线:
4-氰基-3-氟-5-硝基苯甲酸钾合成:
在250ml的烧杯中加入4-氰基-3-氟-5-硝基苯甲酸(3.5g),叔丁醇钾(1.9g),和乙醇(40ml),在室温下搅拌40min,抽滤得到上层固体,在45℃下干燥2h得到3.8g(92.7%)。
化合物14的合成:
将4-氰基-3-氟-5-硝基苯甲酸(3.8g),2,3-二氯-5,6-二氰对苯醌(1.2g),Pd(OAC)2(0.04g),三(邻甲基苯基)磷(0.2g)加入到50ml的烧瓶中,抽换N2三次,向其中注入30ml的二乙二醇二甲醚,在室温下搅拌10min,升温至140℃反应24h,减压蒸馏出二乙二醇二甲醚,过柱得到固体0.05g(2.4%)。MS(APCI)(m/z):[M+H+]calcd,486.1295;found,487.1295)。
实施例7
以如化合物15所示的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物为例,采用如下合成路线:
3,5-二氰基苯甲酸钾合成:
在250ml的烧杯中加入3,5-二氰基苯甲酸(4g),叔丁醇钾(2.6g),和乙醇(40ml),在室温下搅拌40min,抽滤得到上层固体,在45℃下干燥2h得到4.7g(96.3%)。
化合物15的合成:
将3,5-二氰基苯甲酸钾(4.7g),2,3-二氯-5,6-二氰对苯醌(1.7g),Pd(OAC)2(0.04g),三(邻甲基苯基)磷(0.3g)加入到50ml的烧瓶中,抽换N2三次,向其中注入40ml的二乙二醇二甲醚,在室温下搅拌10min,升温至140℃反应24h,减压蒸馏出二乙二醇二甲醚,过柱得到固体0.02g(1.4%)MS(APCI)(m/z):[M+H+]calcd,410.0040;found,411.0040)。
实施例8
以如化合物20所示3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物为例,采用如下合成路线:
3,4,5-三氰基苯甲酸钾合成:
在250ml的烧杯中加入3,4,5-三氰基苯甲酸(3g),叔丁醇钾(1.7g),和乙醇(30ml),在室温下搅拌40min,抽滤得到上层固体,在45℃下干燥2h得到3.4g(94.9%)。
化合物20的合成:
将3,4,5-三氰基苯甲酸钾(3.4g),2,3-二氯-5,6-二氰对苯醌(1.1g),Pd(OAC)2(0.04g),三(邻甲基苯基)磷(0.2g)加入到50ml的烧瓶中,抽换N2三次,向其中注入40ml的二乙二醇二甲醚,在室温下搅拌10min,升温至140℃反应24h,减压蒸馏出二乙二醇二甲醚,过柱得到固体0.05g(2.5%)MS(APCI)(m/z):[M+H+]calcd,460.7210;found,461.7210)。
实施例9
有机发光二极管的应用:
将本发明中的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物应用于有机发光二极管器件中;如附图1所示,该器件结构可以采用如下结构:由下至上包括ITO,HTL+p dopant(空穴传输层,掺杂p掺杂剂,优选厚度为:10-100nm),EBL(电子阻挡层,优选厚度:0-20nm),EML(发光层),HBL(空穴阻挡层,优选厚度:0-30nm),ETL(电子传输层,优选厚度:10-100nm),LiQ(电子注入层),Al(铝金属电极)。
p-dopant在器件中应用实施例
实例中的p-dopant选用化合物11、12、13所示的化合物,做为P型掺杂剂制备得到电致发光器件。见表1所列为化合物11,12和13的HOMO能级与LUMO能级特性总结。图2为化合物11,12和13的材料热稳定性测试结果,材料的分解温度较高,达到300℃或以上,良好的材料热稳定性有利于获得更好的器件工作稳定性。
器件的制备工艺:ITO(氧化铟锡)玻璃作为衬底基板相继在清洗剂和去离子水中以超声波清洗30分钟。然后真空干燥2小时(120℃),再将ITO(氧化铟锡)玻璃放入等离子反应器中进行5分钟的氧等离子处理,传送到真空室内制备有机膜和金属电极。如图1所示为器件结构示意图。通过真空蒸发的方法在预处理的衬底上制备一层70nm的HTL空穴传输材料NPB与p-dopant材料的掺杂型薄膜,蒸镀制备一层10nm的TCTA作为电子阻挡层的EBL。之后,以共同蒸镀的方式制备发光层EML 20nm,实现5wt%的掺杂比例,在制备电子传输层结构之前先蒸镀制备一层3nm的DPEPO作为空穴阻挡层HBL。之后,蒸镀一层27nm的电子传输层材料TPBi与LiQ的掺杂型ETL薄膜,具体为TPBi:LiQ(4:6)(27nm),最后再蒸镀一层2nm的LiQ和140nm的Al。
铝作为器件的阴极,将直流电的正极加于ITO(氧化铟锡)层,将负极加于金属层,即可得到从ITO(氧化铟锡)层发出的明亮均匀的深蓝光,发光波长在460nm左右。
具体器件结构1-1~1-3为:ITO/NPB:p-dopant 11,12or 13(70nm)/TCTA(10nm)/MADN:BD 5wt%(20nm)/DPEPO(3nm)/TPBi:LiQ(4:6)(27nm)/LiQ(2nm)/Al(140nm)。其中1-1为应用化合物11的器件,1-2为应用化合物12的器件,1-3为应用化合物13的器件。
为了更加明确使用本发明所提供的p掺杂剂能够有效改善器件的性能,同时制备了没有在空穴传输层中加入p-dopant的器件结构作为对比。其器件结构为1-4:ITO/NPB(70nm)/TCTA(10nm)/MADN:BD 5wt%(20nm)/DPEPO(3nm)/TPBi:LiQ(4:6)(27nm)/LiQ(2nm)/Al(140nm)。
见表2所示为引入P型掺杂剂的器件结构及未使用掺杂剂的对比器件结构总结,表中详细列出了各个功能层所使用的材料体系及蒸镀的厚度。
表1部分化合物实施例的HOMO/LUMO特性
化合物11 | 化合物12 | 化合物13 | |
LUMO | -4.95 | -5.31 | -5.37 |
HOMO | -7.53 | -7.94 | -8.25 |
表2引入P型掺杂剂的器件结构及未使用掺杂剂的对比器件结构
表3 P型掺杂剂器件的电致发光特性与非掺杂的性能比较
在上述的器件制备过程中,各功能层厚度经过优化确定,所获得器件性能处于该材料体系中的最优结果。通过图3的测试结果可以看出,采用了化合物11,12或13的器件均具备较低的器件开启电压(在3V左右)及工作电压。结合表3的器件性能总结规律,可以看出当加入p-dopant后,器件的开启电压比未加入P型掺杂剂的最优情况还要低,即加入P型掺杂剂后,当器件的工作电流密度达到10mA/cm2左右时的工作电压由6V下降到5V左右,1V左右的工作电压改善,说明加入P型掺杂剂对降低器件的开启电压有利。
表3中对器件1-1,1-2和1-3的电致发光特性进行了总结,器件的最大电流效率可分别达到8.157cd/A,8.392cd/A和8.107cd/A;最大功率效率可分别达到5.227lm/W,5.27lm/W和5.195lm/W;最大外量子效率EQE可分别达到6.532%,6.857%和6.49%。在获得的最大器件效率方面,采用了P掺杂剂构建空穴传输层结构的器件,均远高于未使用P掺杂剂的器件1-4,器件1-4的最大电流效率,功率效率和EQE分别为5.676cd/A,2.97lm/W和5.1%。而从器件的光色上看,P掺杂型的空穴传输层的使用并未产生非常明显的影响,器件1-1~1-2与器件1-4相比色度坐标的变化主要来源于激子复合区位置变化的影响。总的来说,所有器件均表现为荧光发光染料的本征发光。
图4所示,为采用化合物11、12和13作为P型掺杂剂的器件的电流效率-电流密度示意图,可以看出使用P型掺杂剂构建空穴传输层结构的器件因为获得了更为平衡的载流子分布,器件的功率效率和电流效率在较大的亮度范围内都保持在较高的水平上,也即器件在高电流密度、亮度下的效率滚降较小,良好的滚降特性有利于OLED在显示和照明领域的实际应用。
本领域的技术人员容易理解,以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
2.如权利要求1所述的衍生物,其特征在于,R为吸电子芳香环基团。
3.如权利要求1所述的衍生物,其特征在于,R为被氟原子、氰基和硝基中的一个或多个取代的苯基。
5.如权利要求1至4任一项所述的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)RCOOH与叔丁醇钾反应得到RCOOK;
(2)RCOOK和2,3-二氯-5,6-二氰对苯醌经过钯催化脱羧交叉偶联反应,得到所述3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物。
6.如权利要求1至4任一项所述的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物在有机电致发光器件中的应用。
7.如权利要求6所述的应用,其特征在于,用作有机电致发光器件中空穴传输层的P型掺杂剂。
8.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括空穴传输层的P型掺杂剂,所述P型掺杂剂包括所述的3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物。
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