CN111328217A

CN111328217A - Mems封装载板叠构及其制作方法

Info

Publication number: CN111328217A
Application number: CN202010273802.5A
Authority: CN
Inventors: 马洪伟; 刘浩; 宗芯如
Original assignee: Jiangsu Punuowei Electronic Co ltd
Current assignee: Jiangsu Punuowei Electronic Co ltd
Priority date: 2020-04-09
Filing date: 2020-04-09
Publication date: 2020-06-23
Anticipated expiration: 2040-04-09
Also published as: CN111328217B

Abstract

本发明公开了一种MEMS封装载板叠构及其制作方法，包括以下步骤：准备覆铜基板A和覆铜基板B；对覆铜基板A进行处理，得到单面覆铜基板；对覆铜基板B进行处理，得到具有单面线路的双面覆铜基板Ⅱ；将单面覆铜基板、PP片和双面覆铜基板Ⅱ顺序叠放、对位并压合处理后，形成一为假四层板结构的MEMS封装载板叠构结构。本发明所提供的MEMS封装载板叠构的制作方法相对简单、易操作，很好的解决了翘曲问题，既确保了电路板产品的品质，又降低了生产成本。

Description

MEMS封装载板叠构及其制作方法

技术领域

本发明涉及电路板制作技术领域，具体提供一种MEMS封装载板叠构及其制作方法。

背景技术

目前，电路板制造行业内常规采用的三层MEMS封装载板叠构的制作方法主要为以下两种：制作方法一)、将覆铜板做完内层线路后与铜箔单面压合；但由于PP半固化树脂具有一定的流动性，那么在热压过程中，PP半固化树脂逐渐固化并产生应力，从而导致PCB板单面出现受力不均现象，进而产生翘曲问题。制作方法二)、利用特殊材料作为固定板材，在此基础上逐次进行增层叠构；采用此方法虽然可改善翘曲问题，但其工艺相对复杂、技术难点多、生产成本较高，不利于大批量生产。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

为了克服上述缺陷，本发明提供了一种MEMS封装载板叠构及其制作方法，该制作方法不仅相对简单、易操作，且还很好的解决了翘曲问题，既确保了电路板产品的品质，又降低了生产成本。

本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是：一种MEMS封装载板叠构的制作方法，包括以下步骤：

步骤1)、准备两张双面覆铜基板Ⅰ，并分别定义为覆铜基板A和覆铜基板B；

步骤2)、对所述覆铜基板A进行处理，得到单面覆铜基板；对所述覆铜基板B进行处理，得到具有单面线路的双面覆铜基板Ⅱ；

步骤3)、将所述单面覆铜基板、PP片和所述双面覆铜基板Ⅱ顺序叠放、并对位，其中，所述单面覆铜基板的铜箔背向所述PP片，所述双面覆铜基板Ⅱ的线路朝向所述PP片；

步骤4)、将叠放对位好的所述单面覆铜基板、所述PP片和所述双面覆铜基板Ⅱ压合在一起，形成一假四层板，即为该MEMS封装载板叠构结构。

作为本发明的进一步改进，上述步骤2)中，对所述覆铜基板A进行处理的具体方法为：

2a)、对所述覆铜基板A进行表面处理；

2b)、在经过表面处理后的所述覆铜基板A上压一层光致抗蚀干膜；

2c)、对所述覆铜基板A的一面进行整体曝光处理、另一面不作曝光处理；

2d)、先对曝光处理后的所述覆铜基板A进行显影处理，以实现将所述覆铜基板A另一面的铜箔完全露出；再对显影处理后的所述覆铜基板A进行蚀刻处理，以实现将所述覆铜基板A另一面的铜箔整体蚀刻掉；

2e)、将覆盖在所述覆铜基板A一面上的光致抗蚀干膜去除，再经清洗、烘干处理后，即可得到所述单面覆铜基板。

作为本发明的进一步改进，上述步骤2)中，对所述覆铜基板B进行处理的具体方法为：

2A)、对所述覆铜基板B进行表面处理；

2B)、在经过表面处理后的所述覆铜基板B上压一层光致抗蚀干膜；

2C)、对所述覆铜基板B的一面进行整体曝光处理、另一面进行局部曝光处理；

2D)、先对曝光处理后的所述覆铜基板B进行显影处理，以实现在所述覆铜基板B的另一面上形成有光致抗蚀干膜覆盖的线路图形、以及露出无光致抗蚀干膜覆盖的待处理铜箔；随之对显影处理后的所述覆铜基板B进行蚀刻处理，以实现将所述覆铜基板B另一面上的待处理铜箔蚀刻掉；

2E)、将覆盖在所述覆铜基板B两面上的光致抗蚀干膜去除，再经清洗、烘干处理后，即可得到所述具有单面线路的双面覆铜基板Ⅱ。

本发明还提供了一种MEMS封装载板叠构，采用本发明所述的MEMS封装载板叠构的制作方法制备而成。

本发明的有益效果是：相较于现有技术，本发明所采用的MEMS封装载板叠构的制作方法具有以下优点：①该制作方法很好的解决了因压合PP出现受力不均而导致的翘曲问题，这样既确保了电路板产品的品质，又有效降低了因翘曲不良而造成得产品报废率，降低了生产成本。②该制作方法相对简单、易操作，利于大批量生产。

附图说明

图1为本发明所述MEMS封装载板叠构的制作流程图；

图2为图1所示MEMS封装载板叠构的放大结构示意图。

结合附图，作以下说明：

10—覆铜基板A；11—覆铜基板B；20—单面覆铜基板；21—双面覆铜基板Ⅱ；22—PP片。

具体实施方式

以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。

须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技艺的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。于本说明书中所述的“Ⅰ”、“Ⅱ”仅为便于叙述明了，而非用以限定本发明可实施的范围。

实施例1：

请参阅附图1和附图2所示，分别为本发明所述MEMS封装载板叠构的制作流程图、及放大结构示意图。

本发明提供了一种MEMS封装载板叠构的制作方法，包括以下步骤：

步骤1)、准备两张双面覆铜基板Ⅰ，并分别定义为覆铜基板A10和覆铜基板B11；

步骤2)、对所述覆铜基板A10进行处理，得到单面覆铜基板20，且具体处理方法为：2a)、对所述覆铜基板A10进行表面处理，即将所述覆铜基板A的两层铜箔表面的氧化和脏污除去，以增强干膜与铜箔之间的附着力；2b)、在经过表面处理后的所述覆铜基板A10上压一层光致抗蚀干膜；2c)、对所述覆铜基板A10的一面进行整体曝光处理、另一面不作曝光处理；2d)、先对曝光处理后的所述覆铜基板A10进行显影处理，以实现将所述覆铜基板A10另一面的铜箔完全露出；再对显影处理后的所述覆铜基板A10进行蚀刻处理，以实现将所述覆铜基板A10另一面的铜箔整体蚀刻掉；2e)、将覆盖在所述覆铜基板A10一面上的光致抗蚀干膜去除，再经清洗、烘干处理后，即可得到所述单面覆铜基板20；

对所述覆铜基板B11进行处理，得到具有单面线路的双面覆铜基板Ⅱ21，且具体处理方法为：2A)、对所述覆铜基板B11进行表面处理，即将所述覆铜基板B的两层铜箔表面的氧化和脏污除去，以增强干膜与铜箔之间的附着力；2B)、在经过表面处理后的所述覆铜基板B11上压一层光致抗蚀干膜；2C)、对所述覆铜基板B11的一面进行整体曝光处理、另一面进行局部曝光处理(具体按线路设计要求进行)；2D)、先对曝光处理后的所述覆铜基板B11进行显影处理，以实现在所述覆铜基板B11的另一面上形成有光致抗蚀干膜覆盖的线路图形、以及露出无光致抗蚀干膜覆盖的待处理铜箔；随之对显影处理后的所述覆铜基板B11进行蚀刻处理，以实现将所述覆铜基板B11另一面上的待处理铜箔蚀刻掉；2E)、将覆盖在所述覆铜基板B11两面上的光致抗蚀干膜去除，再经清洗、烘干处理后，即可得到所述具有单面线路的双面覆铜基板Ⅱ21；

步骤3)、将所述单面覆铜基板20、PP片22和所述双面覆铜基板Ⅱ21顺序叠放、并对位，其中，所述单面覆铜基板20的铜箔背向所述PP片22，所述双面覆铜基板Ⅱ21的线路朝向所述PP片22；

步骤4)、将叠放对位好的所述单面覆铜基板20、所述PP片22和所述双面覆铜基板Ⅱ21热压合在一起，即制得一为假四层板结构的MEMS封装载板叠构结构。

相较于现有技术，本发明所采用的MEMS封装载板叠构的制作方法很好的解决了因压合PP出现受力不均而导致的翘曲问题，这样既确保了电路板产品的品质，又有效降低了因翘曲不良而造成得产品报废率，降低了生产成本。此外，该制作方法相对简单、易操作，利于大批量生产。

上述实施方式仅例示性说明本发明的功效，而非用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为在本发明的保护范围内。

Claims

1.一种MEMS封装载板叠构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1)、准备两张双面覆铜基板Ⅰ，并分别定义为覆铜基板A(10)和覆铜基板B(11)；

步骤2)、对所述覆铜基板A(10)进行处理，得到单面覆铜基板(20)；对所述覆铜基板B(11)进行处理，得到具有单面线路的双面覆铜基板Ⅱ(21)；

步骤3)、将所述单面覆铜基板(20)、PP片(22)和所述双面覆铜基板Ⅱ(21)顺序叠放、并对位，其中，所述单面覆铜基板(20)的铜箔背向所述PP片(22)，所述双面覆铜基板Ⅱ(21)的线路朝向所述PP片(22)；

步骤4)、将叠放对位好的所述单面覆铜基板(20)、所述PP片(22)和所述双面覆铜基板Ⅱ(21)压合在一起，形成一假四层板，即为该MEMS封装载板叠构结构。

2.根据权利要求1所述的MEMS封装载板叠构的制作方法，其特征在于：上述步骤2)中，对所述覆铜基板A(10)进行处理的具体方法为：

2a)、对所述覆铜基板A(10)进行表面处理；

2b)、在经过表面处理后的所述覆铜基板A(10)上压一层光致抗蚀干膜；

2c)、对所述覆铜基板A(10)的一面进行整体曝光处理、另一面不作曝光处理；

2d)、先对曝光处理后的所述覆铜基板A(10)进行显影处理，以实现将所述覆铜基板A(10)另一面的铜箔完全露出；再对显影处理后的所述覆铜基板A(10)进行蚀刻处理，以实现将所述覆铜基板A(10)另一面的铜箔整体蚀刻掉；

2e)、将覆盖在所述覆铜基板A(10)一面上的光致抗蚀干膜去除，再经清洗、烘干处理后，即可得到所述单面覆铜基板(20)。

3.根据权利要求1所述的MEMS封装载板叠构的制作方法，其特征在于：上述步骤2)中，对所述覆铜基板B(11)进行处理的具体方法为：

2A)、对所述覆铜基板B(11)进行表面处理；

2B)、在经过表面处理后的所述覆铜基板B(11)上压一层光致抗蚀干膜；

2C)、对所述覆铜基板B(11)的一面进行整体曝光处理、另一面进行局部曝光处理；

2D)、先对曝光处理后的所述覆铜基板B(11)进行显影处理，以实现在所述覆铜基板B(11)的另一面上形成有光致抗蚀干膜覆盖的线路图形、以及露出无光致抗蚀干膜覆盖的待处理铜箔；随之对显影处理后的所述覆铜基板B(11)进行蚀刻处理，以实现将所述覆铜基板B(11)另一面上的待处理铜箔蚀刻掉；

2E)、将覆盖在所述覆铜基板B(11)两面上的光致抗蚀干膜去除，再经清洗、烘干处理后，即可得到所述具有单面线路的双面覆铜基板Ⅱ(21)。

4.一种MEMS封装载板叠构，采用权利要求1-3中任意一项所述的MEMS封装载板叠构的制作方法制备而成。