CN111326637A - 发光单元的制备方法及发光单元 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种发光单元的制备方法，通过在衬底上形成与每个发光器件沟槽对应的不透明图案，使得激光在激光剥离过程中产生衍射，从而在每个发光器件上形成半剥离区域，以抵消和疏导激光剥离中产生的冲击力和气体，有效的解决了激光剥离过程中产生的冲击导致外延层不同程度损坏的问题。其中发光单元的制备方法包括：在衬底上设置至少一个发光器件；在至少一个发光器件中的每个发光器件周围设置沟槽；在衬底的远离发光器件的一侧形成与沟槽对应的预设厚度的不透明图案，其中不透明图案的宽度大于沟槽的宽度；利用激光从衬底的远离发光器件的一侧进行照射，以在发光器件的边缘产生衍射而形成半剥离区域，从而使得衬底与发光器件剥离。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片制造领域，具体涉及一种发光单元的制备方法。
背景技术
随着显示设备的日渐普及，LED的需求日益增长。LED芯片的一种制备方法是使用激光剥离技术将衬底与外延层剥离，在现有的剥离过程中，激光照在外延层时由于外延层消耗激光能量会产生高温，导致氮化镓气化从而产生冲击，因此导致外延层破裂，器件失效或漏电情况，最终导致器件的成品率和可靠性大幅降低。
因此，亟待提供一种有效解决激光剥离过程中产生的冲击导致外延层不同程度损坏的问题的技术。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种发光单元的制备方法，可以有效的解决激光剥离过程中产生的冲击导致外延层不同程度损坏的问题。
根据本发明的一个方面，提供一种发光单元的制备方法，包括：在衬底上设置至少一个发光器件；在至少一个发光器件中的每个发光器件周围设置沟槽；在衬底的远离发光器件的一侧，形成与沟槽对应的预设厚度的不透明图案，其中不透明图案的宽度大于沟槽的宽度；利用激光从衬底的远离发光器件的一侧进行照射，以在发光器件的边缘产生衍射而形成半剥离区域，从而使得衬底与发光器件剥离。
可选地，不透明图案的宽度与沟槽的宽度的差值为激光的波长的0.1倍至2倍。
可选地，不透明图案为圆形、正方形、长方形或其他对称图案。
可选地，圆形的圆心位于所述沟槽的中点位置，并且所述圆形的直径与所述沟槽的宽度的差值为所述激光的波长的0.1倍至2倍。
可选地，在衬底形成预设厚度的不透明图案，包括：在衬底远离发光器件的一侧涂布光阻层；从发光器件的一侧通过沟槽对光阻层进行曝光，以形成不透明图案。
可选地，预设厚度的不透明图案为预设厚度的金属掩膜图案。
可选地，预设厚度的取值范围为激光的波长的0.1倍至2倍。
可选地，衬底为蓝宝石衬底。
可选地，发光器件衬底之间还包括氮化镓层，利用激光从衬底的远离发光器件的一侧进行照射，以在发光器件的边缘产生衍射而形成半剥离区域包括：利用激光从衬底的远离发光器件的一侧进行照射，以在氮化镓层与衬底接触的边缘产生衍射以形成半剥离区域。
根据本发明的另一个方面，提供一种发光单元，包括：衬底；至少一个发光器件，至少一个发光器件设置在衬底上，并且在至少一个发光器件的每个发光器件的周围设置有沟槽；不透明图案，不透明图案与沟槽对应并设置在衬底远离至少一个发光器件的一侧，用于在激光剥离中使激光在发光器件的边缘发生衍射而形成半剥离区域，从而使得衬底与发光器件剥离。
本发明的实施例提供的发光单元的制备方法，通过在衬底上形成与每个发光器件沟槽对应的不透明图案，使得激光在激光剥离过程中产生衍射，从而在每个发光器件上形成半剥离区域，以抵消和疏导激光剥离中产生的冲击力和气体，有效的解决了激光剥离过程中产生的冲击导致外延层不同程度损坏的问题。
附图说明
图1所示为本发明一实施例提供的发光单元的制备方法的流程示意图。
图2所示为本发明一实施例提供的发光单元的俯视结构示意图。
图3所示为本发明另一实施例提供的发光单元的俯视结构示意图。
图4所示为本发明一实施例提供的发光单元的剖面结构示意图。
图5所示为本发明一示例性实施例提供的发光单元的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1是本发明一实施例提供的发光单元的制备方法的流程示意图。图1的方法包括：
110：在衬底上设置至少一个发光器件。
在衬底上，可以使用常规的方法在衬底上生长出相应的缓冲层、外延层等结构，缓冲层可以是氮化镓构成的层，即氮化镓层，氮化镓层可以位于衬底和外延层之间，其中外延层结构还可以包括单个或多个发光器件。
120：在至少一个发光器件中的每个发光器件周围设置沟槽。
在发光器件设置好之后，可以对发光单元中的发光器件的边缘进行沟槽刻蚀。刻蚀可以是对发光单元的外延层进行沟槽刻蚀，刻蚀可以使用各种酸性溶液的化学制剂进行湿法刻蚀，也可以使用例如等离子体刻蚀的干法刻蚀，本申请中可以根据需求使用不同种类的刻蚀方法进行沟槽的刻蚀，无论使用何种方法进行刻蚀，刻蚀的深度都可以是刻蚀至衬底处。刻蚀完成后可以使用例如氮化硅(SiN)等材料在刻蚀后的外延层上形成钝化层，用来保护外延层。
130：在衬底的远离发光器件的一侧，形成与沟槽对应的预设厚度的不透明图案，其中不透明图案的宽度大于沟槽的宽度。
具体地，在衬底的底部，也就是远离外延层的一侧，形成与沟槽的结构和形状相似的不透明图案，不透明图案是用于对激光的路径进行遮挡，并在不透明图案的边缘使得激光发生衍射现象。因此不透明图案的宽度需要略大于沟槽的宽度，在不透明图案比沟槽宽出的那一小部分，可以使得激光衍射，从而使得激光的较少能量照在发光器件的边缘。
140：利用激光从衬底的远离发光器件的一侧进行照射，以在发光器件的边缘产生衍射而形成半剥离区域，从而使得衬底与发光器件剥离。
在激光剥离的过程中，利用激光从衬底的底部照射，也就是从衬底的远离发光器件的一侧进行照射，照射后的缓冲层可以吸收较多的激光能量，发生气化，产生冲击波，进而将发光器件与衬底剥离。需要注意的是，在本实施例中由于存在比沟槽略宽的不透明图案，因此在不透明图案比沟槽略宽的那一小部分，会发生激光的衍射，从而使得发光器件的边缘部分形成半剥离区域。
半剥离区域是相对于激光可以完全照射到的部分而言，在激光可以完全照射到的部分，称之为全剥离区域，在全剥离区域中，缓冲层会完全气化并产生冲击力；而在半剥离区域，缓冲层由于接受到了较少的激光能量，没有完全气化，还有一部分残留，因此在半剥离区域中外延层与衬底还有部分连接，这部分的连接会提供一个外延层与衬底的拉力，这个拉力可以抵消大部分全剥离区域产生的冲击力，从而使得激光剥离过程中产生的冲击力大部分被抵消，余下的冲击力只能起到剥离的作用，已经无法对外延层造成任何损害。
另外，由于在外延层部分进行了沟槽的刻蚀并刻蚀至衬底，因此在剥离时缓冲层气化所产生的气体还可以通过该沟槽进行疏导，进一步保护了外延层。有效的解决了激光剥离过程中产生的冲击导致外延层不同程度损坏的问题。
在一实施例中，不透明图案的宽度与沟槽的宽度的差值为激光的波长的0.1倍至2倍。
如图2所示，是本发明一实施例提供的发光单元的俯视结构示意图。从图中可以看出，发光单元的制备中，可以包括衬底210、发光器件220、不透明图案230以及不透明图案比沟槽宽出的距离240。下面针对这几部分进行说明：
衬底210是由激光可以穿过的材料制成。在衬底上可以生长缓冲层以及外延层，220是其中的一个发光器件，发光器件位于外延层中，每个发光器件220之间刻蚀出了沟槽，沟槽在图2中比不透明图案230略窄。在制备出不透明图案230后，可以看出不透明图案比沟槽宽出一段距离，这段距离240的宽度经过发明人的多次试验和计算，最佳的宽出的宽度位于的数值范围是激光波长的0.1倍至2倍。
需要了解的是，图2所示的发光单元的俯视结构图只是一部分的发光单元，因此在全部制备好不透明图案后，可以看出发光器件250中虚线的边缘部分就是在激光剥离过程中的半剥离区域，半剥离区域是围绕着发光器件的四周边缘分布，可以在边缘的虚线部分提供一个外延层与衬底之间的拉力，以抵消掉大部分全剥离区域所产生的冲击力。
不透明图案宽度与沟槽的宽度的差值为激光的波长的0.1倍至2倍，可以保证在激光剥离过程中，半剥离区域的面积不会过大也不会过小，而是正好起到保护外延层又可以保证剥离过程顺利进行的宽度。可以想象，如果半剥离区域过大，则提供的拉力会比全剥离区域的冲击力多，从而导致剥离过程不能顺利进行；如果半剥离区域过小，则全剥离区域的冲击力在被半剥离区域的拉力抵消后，依然可以损坏到外延层，不能达到保护外延层的目的。因此本实施例所述的宽度，可以起到保护外延层的作用。
在一实施例中，不透明图案为圆形、正方形、长方形或其他对称图案。
图3所示为该实施例提供的发光单元的俯视结构示意图。从图中可以看出，发光单元的制备中，可以包括衬底310、发光器件320、不透明图案330、不透明图案比沟槽宽出的距离340以及沟槽350。下面针对这几部分进行说明：
衬底310是由激光可以穿过的材料制成。在衬底上可以生长缓冲层以及外延层，320是其中的一个发光器件，发光器件位于外延层中，每个发光器件320之间刻蚀出了沟槽350，沟槽350在图3中比不透明图案330略窄。在制备出不透明图案330后，可以看出不透明图案330比沟槽350宽出一段距离。不透明图案330是均匀排列的，以使得每个不透明圆形都可以遮盖发光器件320的四个边的一小部分，这一小部分会在激光剥离过程中成为半剥离区域，提供拉力来抵消大部分的全剥离区域的冲击力。
圆形的不透明图案可以在经过计算后使用均匀的排列方式制备，并且圆形的不透明图案相较于其他与沟槽对应的不透明图案用料更少(例如对应沟槽的形状设置的与沟槽宽度相似的长条形不透明图案)，可以缩短整个工艺的时间，节省生产成本。
在一实施例中，圆形的圆心位于所述沟槽的中点位置，并且所述圆形的直径与所述沟槽的宽度的差值为所述激光的波长的0.1倍至2倍。
在图3中的不透明图案330是圆形，该圆形比沟槽350宽出一段距离340，这段距离340的宽度经过发明人的多次试验和计算，最佳的多出的距离位于的数值范围是激光波长的0.1倍至2倍。在这个范围内，才能更好的使激光发生衍射，形成半剥离区域。
需要了解的是，图3所示的发光单元的俯视结构图只是一部分的发光单元，因此在全部制备好不透明图案后，可以看出图中的虚线的部分就是在激光剥离过程中的半剥离区域，半剥离区域是在发光器件在衬底上投影图形的四个边上分布，可以在虚线部分提供一个外延层与衬底之间的拉力，以抵消掉大部分全剥离区域所产生的冲击力。
不透明圆形的直径长度与沟槽的宽度的差值可以为激光的波长的0.1倍至2倍，可以保证在激光剥离过程中，半剥离区域的面积不会过大也不会过小，而是正好起到保护外延层又可以保证剥离过程顺利进行的宽度。可以想象，如果半剥离区域过大，则提供的拉力会比全剥离区域的冲击力多，从而导致剥离过程不能顺利进行；如果半剥离区域过小，则全剥离区域的冲击力在被半剥离区域的拉力抵消后，依然可以损坏到外延层，不能达到保护外延层的目的。因此本实施例所述的宽度，可以起到保护外延层的作用。
在一实施例中，在衬底形成预设厚度的不透明图案，包括：在衬底远离发光器件的一侧涂布光阻层；从发光器件的一侧通过沟槽对光阻层进行曝光，以形成不透明图案。
具体地，形成预设厚度的不透明图案的一种方法可以是在衬底的背部，也就是远离器件的一侧涂布光阻。之后使用激光通过沟槽对光阻层进行曝光，该激光与后续衬底剥离时使用的激光使用相等或接近的波长进行曝光，但对光阻层的曝光时所使用的激光的能量相较后续衬底剥离时的激光能量要弱一些。使用激光通过沟槽来照射光阻层，可以利用激光的衍射来复刻出所需要的不透明图案的轮廓，经过曝光的光阻层会形成新的凹槽，这些凹槽与后续所需的不透明图案的轮廓相同。在光阻层的凹槽处制作不透明图案部分，不透明图案用来阻挡激光。之后再将光阻层部分剥离，形成不透明图案。不透明图案的宽度可以比沟槽略宽，宽出的距离可以是激光剥离时所使用激光波长的0.1倍至2倍。
在此实施例中，由于是利用激光通过沟槽照射衬底上的光阻层形成的凹槽来制备出不透明图案的轮廓，因此在光阻层上的凹槽也可以认为是激光衍射后形成的，所以凹槽比沟槽宽出的部分正好满足激光剥离时所使用激光波长的0.1倍至2倍。而不透明图案的厚度可以使用本领域的普通技术人员所熟知的常规方式进行控制。
通过上述方式制备出的不透明图案可以保证激光在照射衬底时产生衍射，在外延层处形成半剥离区域，在缓冲层气化时产生的冲击力与半剥离区域的拉力互相抵消，以减少在激光剥离过程中对外延层产生的冲击。
在一实施例中，预设厚度的不透明图案为预设厚度的金属掩膜图案。
不透明图案可以是使用例如金属溅镀或其他掩膜镀膜工艺制作而成的，金属掩膜可以起到阻挡激光照射的作用，以使得在激光剥离过程中，激光照射到预设宽度和厚度的金属掩膜的边缘时，可以发生衍射，形成半剥离区域，达到保护外延层免受损害的目的。
在一实施例中，预设厚度的取值范围为激光的波长的0.1倍至2倍。
不透明图案的厚度的取值范围可以是激光的波长的0.1倍至2倍，这个取值范围是发明人经过多次试验和计算得出的，在这个取值范围内制备出的不透明图案可以保证在激光剥离过程中，由于衍射产生的半剥离区域的大小可以刚好抵消掉激光剥离过程中所产生的冲击力，达到保护外延层免受损害的目的，如果激光的波长小于或大于这个范围，则无法产生衍射，也就无法形成半剥离区域，从而无法抵消激光剥离过程中所产生的冲击力。
在一实施例中，衬底为蓝宝石衬底。
具体来说，衬底可以是例如蓝宝石材料，蓝宝石是现在用于激光剥离过程中常见的衬底材料。激光剥离的原理是利用外延层材料与蓝宝石材料对激光具有不同的吸收效率。蓝宝石具有较高的带隙能量，因此蓝宝石对于激光是透明的，而外延层中的缓冲层会强烈吸收激光的能量。激光可以穿过蓝宝石达到缓冲层，在缓冲层与蓝宝石的接触面进行激光剥离，这将产生一个局部的冲击力，使得在该处的缓冲层与蓝宝石分离。蓝宝石做衬底的优点是在高温下具有很好的稳定性、制备的工艺也相对成熟并且具有很好的经济性。
在一实施例中，发光器件与衬底之间还包括氮化镓层，利用激光从衬底的远离发光器件的一侧进行照射，以在发光器件的边缘产生衍射而形成半剥离区域包括：利用激光从衬底的远离发光器件的一侧进行照射，以在氮化镓层与衬底接触的边缘产生衍射以形成半剥离区域。
外延层中可以包括缓冲层，而缓冲层可以是由氮化镓(GaN)构成的。氮化镓可以使用例如金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD，Metal-organic Chemical VaporDeposition)技术在蓝宝石衬底上制备。金属有机化合物化学气相沉积技术制备氮化镓过程中，三甲基镓作为金属有机源，氨气作为氮源并以氢气和氮气或者这两种气体的混合气体作为载气，将反应物载入反应腔并在一定温度下发生反应，生成相应薄膜材料的分子团，在衬底表面上吸附、成核、生长，最后形成所需的氮化镓缓冲层。
氮化镓作为常用的激光剥离缓冲层材料，拥有禁带宽度大、热导率高的特点，其在蓝宝石衬底上成熟的生长工艺，使得其无论从制造成本还是性能，都优于其他半导体材料。
图4所示为本发明一实施例提供的发光单元的剖面结构示意图，该发光单元包括：
衬底420，衬底可以是蓝宝石的衬底，也可以是其他材料的衬底，本发明对此不做限定。
至少一个发光器件410，至少一个发光器件410设置在衬底420上，并且在至少一个发光器件的每个发光器件的周围设置有沟槽440。需要了解的是，发光器件410可以是包括在外延层内，外延层以及沟槽的制备可以使用常规的方式进行制备，也可以使用上述描述的方法进行制备，在此不再赘述。
不透明图案430，不透明图案430与沟槽440对应并设置在衬底420远离至少一个发光器件410的一侧，用于在激光剥离中使激光在发光器件410的边缘发生衍射而形成半剥离区域，从而使得衬底420与发光器件410剥离。
本实施例中的发光单元设置有沟槽440以及不透明图案430，沟槽440可以用于疏导在激光剥离过程中产生的气体，不透明图案430可以用于使激光在照射衬底时产生衍射，从而形成半剥离区域，半剥离区域所提供的反向力可以恰好抵消掉大部分在激光剥离中产生的冲击力，从而使得冲击力只能帮助顺利进行剥离，而不对外延层产生任何损害，有效的解决了激光剥离过程中产生的冲击导致外延层不同程度损坏的问题。
图5所示为本发明一示例性实施例提供的发光单元的制备方法的流程示意图。该制备方法包括：
510：在衬底上形成外延层。
在衬底上，例如蓝宝石衬底上生长出外延层结构，其中外延层结构和蓝宝石衬底之间可以包括氮化镓层，氮化镓层的生长方式可以使用例如金属有机化合物化学气相沉积技术进行制备。之后使用常规方式制备外延层即可。外延层中可以包括发光器件。
520：对发光单元中发光器件的边缘进行沟槽刻蚀。
对制备完成的发光单元例如包含发光单元的外延层进行沟槽刻蚀，刻蚀可以使用各种酸性溶液的化学制剂进行湿法刻蚀，也可以使用例如等离子体刻蚀的干法刻蚀，本领域的普通技术人员可以根据需求使用不同种类的刻蚀方法进行沟槽的刻蚀，无论使用何种方法进行刻蚀，刻蚀的深度都可以是刻蚀至蓝宝石衬底处。刻蚀完成后可以使用例如氮化硅(SiN)等材料在刻蚀后的外延层上形成钝化层，用来保护外延层。
530：在衬底上形成和相邻发光器件之间的沟槽轮廓一致的不透明图案。
在蓝宝石衬底的底部，也就是远离器件的一侧涂布光阻。之后使用激光通过沟槽对光阻层进行曝光，该激光与后续衬底剥离时使用的激光使用相等或接近的波长进行曝光，但对光阻层的曝光时所使用的激光的能量相较后续衬底剥离时的激光能量要弱一些。使用激光通过沟槽来照射光阻层，可以利用激光的衍射来复刻出所需要的不透明图案的轮廓，经过曝光的光阻层会形成新的凹槽，这些凹槽与后续所需的不透明图案的轮廓相同。在光阻层的凹槽处使用例如金属溅镀或其他掩膜镀膜工艺来制作不透明图案部分，不透明图案可以是金属掩膜，用来阻挡激光。之后再将光阻层部分剥离，形成金属掩膜图案。金属掩膜图案的宽度可以比沟槽略宽，宽出的距离可以是激光剥离时所使用激光波长的0.1倍至2倍。在此实施例中，由于是利用激光通过沟槽照射蓝宝石衬底上的光阻层形成的凹槽来制备出金属掩膜的轮廓，因此在光阻层上的凹槽也可以认为是激光衍射后形成的，所以凹槽比沟槽宽出的部分正好满足激光剥离时所使用激光波长的0.1倍至2倍。而金属掩膜的厚度可以使用本领域的普通技术人员所熟知的常规方式进行控制，厚度可以是激光剥离时所使用激光波长的0.1倍至2倍。通过上述方式制备出的金属掩膜可以保证激光在照射蓝宝石衬底时产生衍射，在外延层处形成半剥离区域，在氮化镓气化时产生的冲击力与半剥离区域的拉力互相抵消，以减少在激光剥离过程中对外延层产生的冲击。
540：进行激光剥离。
利用激光在蓝宝石衬底的远离外延层一侧进行照射，在照射的过程中，没有金属掩膜的部分产生全剥离区域，在全剥离区域中，氮化镓(GaN)缓冲层会完全气化并产生冲击力；而金属掩膜的边缘位置，激光的衍射产生半剥离区域，半剥离区域的氮化镓(GaN)缓冲层由于接受到了较少的激光能量，没有完全气化，还有一部分残留，因此在半剥离区域中外延层与蓝宝石衬底还有部分连接，这部分的连接会提供一个外延层与蓝宝石衬底的拉力，这个拉力可以抵消大部分来自于全剥离区域产生的冲击力，从而使得激光剥离过程中产生的冲击力大部分被抵消，余下的冲击力只能起到帮助顺利剥离的作用，已经无法对外延层造成任何损害。
本实施例中使用刻蚀工艺对发光器件的边缘进行刻蚀，形成沟槽，沟槽可以疏导激光剥离时产生的气体；在蓝宝石衬底的下方，又制备了与沟槽形状相似的比沟槽宽度略宽的金属掩膜，而金属掩膜是通过激光的衍射制备出的，其尺寸可以正好满足激光剥离时所产生的半剥离区域可以恰好抵消掉大部分的冲击力，从而使得冲击力只能帮助顺利进行剥离，而不对外延层产生任何损害，有效的解决了激光剥离过程中产生的冲击导致外延层不同程度损坏的问题。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种发光单元的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上设置至少一个发光器件；
在所述至少一个发光器件中的每个发光器件周围设置沟槽；
在所述衬底的远离所述发光器件的一侧，形成与所述沟槽对应的预设厚度的不透明图案，其中所述不透明图案的宽度大于所述沟槽的宽度；
利用激光从所述衬底的远离所述发光器件的一侧进行照射，以在所述发光器件的边缘产生衍射而形成半剥离区域，从而使得所述衬底与所述发光器件剥离。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述不透明图案的宽度与所述沟槽的宽度的差值为所述激光的波长的0.1倍至2倍。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述不透明图案为圆形、正方形、长方形或其他对称图案。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述圆形的圆心位于所述沟槽的中点位置，并且所述圆形的直径与所述沟槽的宽度的差值为所述激光的波长的0.1倍至2倍。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底形成预设厚度的不透明图案，包括：
在所述衬底远离所述发光器件的一侧涂布光阻层；
从所述发光器件的一侧通过所述沟槽对所述光阻层进行曝光，以形成所述不透明图案。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述预设厚度的不透明图案为预设厚度的金属掩膜图案。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述预设厚度的取值范围为所述激光的波长的0.1倍至2倍。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述发光器件与所述衬底之间还包括氮化镓层，所述利用激光从所述衬底的远离所述发光器件的一侧进行照射，以在所述发光器件的边缘产生衍射而形成半剥离区域包括：
利用所述激光从所述衬底的远离所述发光器件的一侧进行照射，以在所述氮化镓层与所述衬底接触的边缘产生衍射以形成半剥离区域。
10.一种发光单元，其特征在于，包括：
衬底；
至少一个发光器件，所述至少一个发光器件设置在所述衬底上，并且在所述至少一个发光器件的每个发光器件的周围设置有沟槽；
不透明图案，所述不透明图案与所述沟槽对应并设置在所述衬底远离所述至少一个发光器件的一侧，用于在激光剥离中使激光在所述发光器件的边缘发生衍射而形成半剥离区域，从而使得所述衬底与所述发光器件剥离。
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