CN111312770B - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域。该显示基板包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的多个像素单元。该多个像素单元中的目标像素单元包括的存储电容中的第一电极和第二电极中，至少一个电极中具有镂空区域，且该存储电容在衬底基板上的正投影覆盖像素单元的开口区。由于具有镂空区域的电极实际与开口区重叠的部分的面积较小，且通过在电极中设计镂空区域，可以使得非镂空的部分能够较为均匀的分布在开口区，因此本申请提供的显示基板能够在保证像素单元的发光效率的前提下，提高像素单元的亮度均一性，显示装置的显示效果较好。

Description

显示基板及其制造方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示基板因其自发光、驱动电压低、响应快等特点而得到了广泛的应用。

相关技术中，底发射OLED显示基板包括：透明基板，以及设置在该透明基板上的多个OLED像素单元。每个OLED像素单元包括：发光单元，薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)，以及位于透明基板和发光单元之间的存储电容。该存储电容在透明基板上的正投影，与OLED像素单元的开口区(也称为有效发光区域)重叠。其中，该存储电容的两个极板以及位于两个极板之间的绝缘层均由透明材料制成。发光单元产生的光线可以透过存储电容从透明基板射出。

但是，由于存储电容的两个极板对发光单元发出的光线具有一定的吸收作用，因此为了提高发光单元的发光效率，可以将存储电容的面积设置的较小。但进一步的，由于存储电容的面积设置的较小，因此存储电容仅与开口区部分重叠，导致开口区中未与存储电容重叠的区域的亮度较高，而与存储电容重叠的区域的亮度的较低，像素单元的亮度均一性较差。

发明内容

本申请提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中像素单元的亮度均一性较差的问题。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括：透明的衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的多个像素单元，每个所述像素单元包括：发光单元，以及位于所述发光单元和所述衬底基板之间的存储电容，所述存储电容在所述衬底基板上的正投影覆盖所述像素单元的开口区；

所述存储电容包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极，绝缘层，以及第二电极，所述第一电极，所述绝缘层，以及所述第二电极均由透明材料制成；

多个所述像素单元中包括至少一个目标像素单元，每个所述目标像素单元包括的存储电容中的所述第一电极和所述第二电极中，至少一个电极中具有镂空区域。

可选的，所述至少一个电极为网格状电极；

或者，所述至少一个电极包括：多个间隔设置的条状子电极，多个所述条状子电极等间距平行排布或等间距交错排布；

又或者，所述至少一个电极包括：多个阵列排布的块状电极。

可选的，每个所述目标像素单元中的发光单元发出的光线的波长，小于其他像素单元中的发光单元发出的光线的波长；

每个所述其他像素单元包括的存储电容中的所述第一电极和所述第二电极均为片状电极。

可选的，每个所述目标像素单元中的发光单元发出的光线的颜色为蓝色或白色。

可选的，每个所述像素单元包括的存储电容中的所述第一电极和所述第二电极的总厚度，与所述像素单元中的发光单元发出的光线的波长正相关。

可选的，所述发光单元包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的阳极层，发光层，以及阴极层；

其中，所述阳极层的厚度，与所述发光单元发出的光线的波长正相关。

可选的，每个所述像素单元还包括：薄膜晶体管；

所述薄膜晶体管包括：栅极，源极，以及漏极，所述第一电极与所述源极连接，所述第二电极与所述栅极连接。

可选的，所述薄膜晶体管还包括有源层；所述第二电极与所述有源层同层设置。

另一方面，提供了一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一透明的衬底基板；

在所述衬底基板的一侧形成多个像素单元；

其中，每个所述像素单元包括发光单元，以及位于所述发光单元和所述衬底基板之间的存储电容，所述存储电容在所述衬底基板上的正投影覆盖所述像素单元的开口区；所述所述存储电容包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极，绝缘层，以及第二电极，所述第一电极，所述绝缘层，以及所述第二电极均由透明材料制成；

多个所述像素单元中包括至少一个目标像素单元，每个所述目标像素单元包括的存储电容中的所述第一电极和所述第二电极中，至少一个电极中具有镂空区域。

又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：驱动电路，以及上述方面所述的显示基板；

所述驱动电路用于为所述显示基板中的多个像素单元提供驱动信号。

本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

本申请提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，该显示基板包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的多个像素单元。该多个像素单元中的目标像素单元包括的存储电容中的第一电极和第二电极中，至少一个电极具有镂空区域，且该存储电容在衬底基板上的正投影覆盖像素单元的开口区。由于具有镂空区域的电极实际与开口区重叠的部分的面积较小，且通过在电极中设计镂空区域，可以使得非镂空的部分能够较为均匀的分布在开口区，因此本申请提供的显示基板能够在保证像素单元的发光效率的前提下，提高像素单元的亮度均一性，显示装置的显示效果较好。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；

图4是本申请实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；

图6是本申请实施例提供的一种发光单元发出的光线的波长与透过率的关系示意图；

图7是本申请实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；

图8是本申请实施例提供一种显示基板的制造方法的流程图；

图9是本申请实施例提供的一种第一电极的示意图；

图10是本申请实施例提供的另一种第一电极的示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

相关技术中，OLED显示基板可以为顶发射OLED显示基板。顶发射OLED显示基板包括：衬底基板，以及设置在该衬底基板上的多个OLED像素单元。每个OLED像素单元包括：发光单元，TFT，以及位于衬底基板和发光单元之间的存储电容。发光单元包括沿远离衬底基板的方向依次层叠的阳极层，发光层，以及透明的阴极层。由于该发光层发出光线可以从透明的阴极层射出，因此位于该发光层与衬底基板之间的TFT不会对该顶发射OLED显示基板中发光单元的出射光线造成遮挡，显示基板的开口率较大。

但是，由于顶发射OLED显示基板中光线从阴极层射出，因此为了提高发光单元发出的光线的透过率，该发光单元的阴极层需要设计的较薄。但进一步的，在顶发射OLED显示基板中，薄的阴极层的电阻较高，对于尺寸较大的显示基板，OLED显示基板的显示效果较差。因此，该顶发射OLED显示基板通常仅适用于尺寸较小的智能手机中。

对于尺寸较大的显示基板(例如65寸8K的显示基板，其中，8K可以用于表示分辨率为7680×4320的显示基板)，由于具有较大的空间设置TFT，即使底发射OLED显示基板中TFT遮挡了部分光线，也不会较大程度的影响显示基板的显示效果。但是，对于底发射OLED显示基板而言，随着对高像素密度(pixels per inch，PPI)的显示基板的需求，需要将显示基板中的TFT设置的较小。并且，为了提高显示基板的开口率，将位于发光单元与衬底基板之间的存储电容的两个极板以及位于两个极板之间的绝缘层均设置为透明的。发光单元发出的光线透过该存储电容从透明基板射出。

但是，由于存储电容的两个极板对发光单元发出的光线具有一定的吸收作用，且对波长较短的蓝光和白光的吸收作用较强，因此为了提高发出蓝光或白光的发光单元的发光效率，可以将存储电容的面积设置的较小，例如，可以将蓝色像素单元包括的存储电容的面积设计为像素单元的开口区的面积的40％，将白色像素单元包括的存储电容的面积设计为像素单元的开口区的面积的35％。但进一步的，由于存储电容的面积设置的较小，因此存储电容仅与开口区部分重叠，导致开口区中未与存储电容重叠的区域的亮度较高，而与存储电容重叠的区域的亮度的较低，像素单元的亮度均一性较差。

图1是本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图。参考图1可以看出，该显示基板可以包括：透明的衬底基板(substrate)01，以及设置在该衬底基板01上的多个像素单元02。例如，图1中仅示意性示出一个像素单元02。每个像素单元02可以包括：发光单元021，以及位于发光单元021和衬底基板01之间的存储电容(Cst)022，该存储电容022在衬底基板01上的正投影可以覆盖像素单元02的开口区a。其中，该像素单元02的开口区可以是指该像素单元02的有效发光区域。

如图1所示，该存储电容022可以包括：沿远离衬底基板01的方向依次层叠的第一电极0221，绝缘层0222以及第二电极0223。该第一电极0221，该第二电极0223以及绝缘层0222均由透明材料制成。发光单元021发出的光线能够透过该存储电容022从衬底基板01射出。也即是，该显示基板可以为底发射显示基板。其中，该绝缘层0222也可以称为缓冲层(buffer)。

该显示基板的多个像素单元02中包括至少一个目标像素单元02a。每个目标像素单元02a包括的存储电容022中的第一电极0221和第二电极0223中，至少一个电极具有镂空区域，该具有镂空区域的电极实际与开口区重叠的部分的面积较小，例如该具有镂空区域的电极与开口区重叠的部分的面积可以仅占开口区的面积的35％至40％。可选的，该第一电极和该第二电极可以均具有镂空区域。例如参考图2能够看出，该第二电极0223可以为网格状电极。

需要说明的是，存储电容022在衬底基板01上的正投影覆盖像素单元02的开口区a可以是指：该存储电容022在衬底基板01上的正投影的最小外接图形的面积大于或等于像素单元02的开口区a的面积，且像素单元02的开口区a位于存储电容022在衬底基板01上的正投影的最小外接图形内。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的多个像素单元。该多个像素单元中的目标像素单元包括的存储电容中的第一电极和第二电极中，至少一个电极中具有镂空区域，且该存储电容在衬底基板上的正投影覆盖像素单元的开口区。由于具有镂空区域的电极实际与开口区重叠的部分的面积较小，且通过在电极中设计镂空区域，可以使得非镂空的部分能够较为均匀的分布在开口区，因此本申请实施例提供的显示基板能够在保证像素单元的发光效率的前提下，提高像素单元的亮度均一性，显示装置的显示效果较好。

在本申请实施例中，衬底基板01可以为柔性衬底基板或硬性衬底基板。该第一电极0221和第二电极0223可以由氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)或铟镓锌氧化物(indiumgallium zinc oxide，IGZO)制成。该绝缘层0222的材料可以由二氧化硅(SiO₂)，氮化硅(Si₃N₄)、氧化铝(Al₂O₃)、三氧化二钇(Y₂O₃)、氧化镧(La₂O₃)、五氧化二钽(Ta₂O₅)、二氧化钛(TiO₂)、氧化铪(HfO₂)，或二氧化锆(ZrO₂)制成。

作为一种可选的实现方式，参考图2，该第一电极0221和第二电极0223中，至少一个电极可以为网格状电极。

作为另一种可选的实现方式，参考图3，该第一电极0221和第二电极0223中，至少一个电极可以包括：多个间隔设置的条状子电极b。该多个条状子电极b可以等间距平行排布。也即是，该多个条状子电极中每相邻两个条状子电极之间的距离可以为固定值。

或者，参考图4，该多个条状子电极b可以等间距交错排布，即该多个条状子电极b可以呈网格状排布。其中，该等间距交错排布的多个条状子电极b可以包括：沿第一方向延伸的多个条状子电极和沿第二方向延伸的多个条状子电极。该沿第一方向延伸的多个条状子电极以第一距离等间距平行排布，沿第二方向延伸的多个条状子电极以第二距离等间距平行排布。其中，该第一方向与该第二方向相交，例如，该第一方向与该第二方向垂直。其中，该第一距离与第二距离可以相等，也可以不等，本申请实施例对此不作限定。

需要说明的是，每个目标像素单元02a包括的存储电容022中该第一电极0221包括的多个条状子电极的排布方式与第二电极0223中包括的多个条状子电极的排布方式可以相同。例如，该第一电极0221包括的多个条状子电极的排布方式和第二电极0223包括的多个条状子电极的排布方式均为等间距平行排布。或者，该第一电极0221包括的多个条状子电极的排布方式和该第二电极0223包括的条状子电极的排布方式也可以不同，例如，该第一电极0221包括的多个条状子电极等间距平行排布。该第二电极0223包括的多个条状子电极b等间距交错排布。

作为又一种可选的实现方式，参考图5，该第一电极0221和第二电极0223中，至少一个电极可以包括：多个阵列排布的块状电极c。该多个块状电极c可以均匀分布在衬底基板01上。

在本申请实施例中，每个目标像素单元02a中的发光单元021发出的光线的波长，小于其他像素单元02中的发光单元021发出的光线的波长。每个其他像素单元02包括的存储电容022中的第一电极0221和第二电极0223均为片状电极。

图6是本申请实施例提供的一种发光单元发出的光线的波长与透过率的关系示意图。参考图6可以看出，在第一电极0221的厚度为固定值(例如该第一电极0221的厚度为25nm)时，存储电容022对发光单元021发出的光线中波长较短的光线的吸收作用较强，该波长较短的光线的透过率较低。

因此为了提高该波长较短的光线的透过率，可以将目标像素单元02a包括的存储电容022的面积设置的较小，其中，该目标像素单元02a中的发光单元发出的光线的波长较短。而进一步的，为了避免由于存储电容022的面积较小导致显示装置的显示效果较差的问题，可以使得该目标像素单元02a包括的存储电容022中的第一电极0221和第二电极0223中的至少一个电极中具有镂空区域。

该目标像素单元02a中发光单元021发出的光线能够从镂空区域射出，该具有镂空区域的电极对该目标像素单元02a中发光单元021发出的光线的吸收作用较弱，提高了该目标像素单元02a中发光单元021发出的光线的透过率。并且，由于通过在电极中设计镂空区域，可以使得非镂空的部分能够较均匀的分布在像素单元02的开口区a，多个发光单元的亮度均一性较好，显示装置的显示效果较好。

同时，由于发出的光线的波长较短的发光单元021所需的存储电容也较小，因此即使将该目标像素单元02a中存储电容022的第一电极0221和第二电极0222中，至少一个电极设计为具有镂空区域的电极，也可以满足发出的光线的波长较短的发光单元021对存储电容的需要。例如，发出的光线为蓝色的发光单元所需的存储电容为1.2皮法(PF)。

需要说明的是，显示基板中包括的多个像素单元02中每个像素单元可以均为目标像素单元02a，则该每个像素单元包括的存储电容中的第一电极0221和第二电极0223中，至少一个电极中具有镂空区域。

参考图6，在第一电极0221的厚度一定时，存储电容022对发出的光线中波长较长的光线的吸收作用较弱，该波长较长的光线的透过率较高。因此为了减少该波长较长的光线的透过率，以进一步提高显示基板中多个像素单元02中的发光单元021的亮度的均一性，可以使得其他像素单元02包括的存储电容022中的第一电极0221和第二电极0223均为片状电极(即存储电容的面积较大，例如该存储电容的面积占像素单元的开口区的面积的80％)。该片状电极对像素单元02中的发光单元021发出的光线的吸收作用较强，能够适当减小其他像素单元02中发光单元021发出的光线的透过率。

在本申请实施例中，由于目标像素单元02a中发光单元021发出的光线的透过率较低，因此将目标像素单元02a包括的存储电容中第一电极和第二电极中，至少一个电极设计为具有镂空区域的电极，可以提高目标像素单元02a中发光单元021发出的光线的透过率。由于多个像素单元中除目标像素单元之外的其他像素单元02发出的光线的透过率较高，因此将该其他像素单元02包括的第一电极和第二电极设置为片状电极，可以减小其他像素单元02中发光单元021发出的光线的透过率。即可以使得显示基板中多个像素单元02中发光单元021发出的光线的透过率相近，发光单元021的亮度均一性较好，从而提高显示装置的显示效果。

可选的，每个目标像素单元02a中的发光单元021发出的光线的颜色为蓝色或白色。相应的，其他像素单元02中的发光单元021发出的光线的颜色可以为红色或绿色。即该显示基板包括的多个像素单元中，目标像素单元02a可以为蓝色像素单元或白色像素单元。其他像素单元可以为红色像素单元或绿色像素单元。

在本申请实施例中，若第二电极0223的厚度为固定值，参考图6，第一电极的厚度为10nm，且发光单元021发出的光线的波长为380nm(纳米)时的透过率为0.88。第一电极的厚度为25nm，且发光单元021发出的光线的波长为380nm时的透过率为0.77。即第一电极的厚度为10nm时发光单元发出的光线的透过率，大于第一电极的厚度为25nm时发光单元发出的光线的透过率。

也即是，发光单元021发出的光线的波长一定时，存储电容022中第一电极0221和第二电极0223的总厚度越薄，存储电容022对该发光单元021发出的光线的吸收作用越弱，该发光单元021发出的光线的透过率越高。

因此为了使得存储电容022对各个发光单元021发出的光线的吸收作用相近，使得各个发光单元021发出的光线的透过率相近，可以将目标像素单元02a中包括的存储电容022的第一电极0221和第二电极0223的总厚度设置的较薄，将其他像素单元02包括的存储电容022的第一电极0221和第二电极0223的总厚度设置的较厚。其中，目标像素单元02a中的发光单元021发出的光线的波长较短，其他像素单元02中的发光单元021发出的光线的波长较长。

也即是，在本申请实施例中，每个像素单元02中包括的存储电容022中的第一电极0221和第二电极0223的总厚度，可以与像素单元02中的发光单元021发出的光线的波长正相关。像素单元02中的发光单元021发出的光线的波长越大，该像素单元02中的存储电容022中的第一电极0221和第二电极0223的总厚度越厚；像素单元02中的发光单元021发出的光线的波长越小，该像素单元02中的存储电容022中的第一电极0221和第二电极0223的总厚度越薄。

在本申请实施例中，多个像素单元02中每个像素单元02包括的存储电容022中第二电极0223的厚度为固定厚度。每个像素单元02中包括的存储电容022中的第一电极0221的厚度，可以与像素单元02中的发光单元021发出的光线的波长正相关。

或者，该多个像素单元02中每个像素单元02包括的存储电容022中的第一电极0221的厚度可以为固定厚度。每个像素单元02中包括的存储电容022中的第二电极0223的厚度，可以与像素单元02中的发光单元021发出的光线的波长正相关。

又或者，该多个像素单元02中每个像素单元02包括的存储电容022中的第一电极0221的厚度，以及多个像素单元02中每个像素单元02包括的存储电容022中的第二电极0223的厚度均不为固定厚度，只需使得该第一电极0221和第二电极0223的总厚度与像素单元02中的发光单元021发出的光线的波长正相关即可。

图7是本申请实施例提供的另一种显示基板的结构示意图。参考图7可以看出，每个像素单元02还可以包括：薄膜晶体管023。该薄膜晶体管023可以包括：栅极(gate，G)0231，源极(source，S)0232，以及漏极(drain，D)0233。

其中，源极0232和漏极0233彼此间隔，且存储电容022中的第一电极0221可以通过过孔与源极0232连接，第二电极0223通过过孔与漏极0233连接，漏极0233与栅极0231连接，即第二电极0223可以通过漏极0233与栅极0231连接。该薄膜晶体管023中的源极0232和漏极0233可以采用一次构图工艺形成，该源极0232和漏极0233的材质可以相同。

可选的，该栅极0231可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铝镍合金、铬(Cr)、铜(Cu)或钛(Ti)等材料形成的单层金属薄膜，或者也可以是Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti形成的多层金属薄膜。源极0232和漏极0233的材料可以与栅极0231的材料相同。

在本申请实施例中，参考图7，该薄膜晶体管023在衬底基板01上的正投影，可以与第一电极0221和绝缘层0222在衬底基板01上的正投影重叠，与第二电极0223在衬底基板01上的正投影不重叠。

参考图7还可以看出，薄膜晶体管023还可以包括：导体化的有源层(active，ACT)0234。存储电容022中的第二电极0223可以与该有源层0234同层设置。也即是，该第二电极0223可以与有源层0234采用一次构图工艺形成，且该第二电极0223和有源层0234的材质相同。例如，该第二电极0223和该有源层0234可以均由ITO或IGZO制成。

其中，薄膜晶体管023中的源极0232还可以与有源层0234连接，也即是，存储电容022中的第一电极0221可以通过源极0232与有源层0234连接。

参考图7，每个像素单元02包括的发光单元021可以包括：沿远离衬底基板01的方向依次层叠的阳极层0211，发光层0212，以及阴极层0213。该阳极层0211可以与薄膜晶体管023中的源极0232连接。

可选的，该阳极层0211可以由透明材料制成。例如，该阳极层0211可以由ITO制成。薄膜晶体管023驱动发光单元021产生的光线可以依次透过由透明材料制成的阳极层0211，第二电极0223，绝缘层0222，第一电极0221，以及衬底基板01射出。

该阴极层0213可以由非透明材料制成。例如，该阴极层0213可以由具备反光特性的金属材料制成。如该阴极层0213可以由铜(Cu)，银(Ag)或者Al(铝)制成。该阴极层0213由非透明材料制成，可以避免发光单元021产生的光线从阴极层0213射出，提高该发光单元021的发光效率。

需要说明的是，由于发光单元021中阳极层0211也会对光线具有一定的吸收作用，且对波长较短的光线的吸收作用较强，对波长较长的光线的吸收作用较弱。因此为了使得各个发光单元021发出的光线的透过率相近，还可以将发出的光线的波长较短的发光单元中的阳极层0211设置的较薄，将发出的光线的波长较长的发光单元中的阳极层0211设置的较厚。也即是，在本申请实施例中，发光单元021中阳极层0211的厚度也可以与该发光单元021发出的光线的波长正相关。

还需要说明的是，在形成发光层0212时，发出的光线的波长较短的发光单元021中的发光层0212通常较薄，发光层0212发出的光线的亮度较低。因此将发出的光线的波长较短的发光单元021中的阳极层0211设置的较薄，可以减小阳极层0211对该发光层0212发出的光线的吸收作用，提高发出的光线的波长较短的发光单元021的亮度。相应的，发出的光线的波长较长的发光单元021中的发光层0212通常较厚，发出的光线的亮度较高，发光层0212发出的光线的亮度较高。因此将发出的光线的波长较长的发光单元中的阳极层0211设置的较厚，可以增大阳极层0211对该发光层0212发出的光线的吸收作用，减少该发出的光线的波长较短的发光单元021的亮度。也即是，本申请实施例提供的显示基板中像素单元02的亮度均一性较好。

参考图7可以看出，该显示基板还可以包括：沿远离衬底基板01的方向依次层叠的保护层(shield)03，层间介电层(inter dielectric layer，IDL)04，钝化层(passi vationlayer，PVX)05，树脂层(resin)06，像素界定层(pixel definition layer，PDL)07，封装薄膜(thin-film encapsulation，TFE)08，阻挡结构(dam)09，填充层(filler)10，以及盖板(cover)11。

该保护层03可以位于第一电极0221和衬底基板01之间，且该保护层03在衬底基板01上的正投影与像素单元02的开口区a不重叠，该保护层03可以用于遮挡光线，避免发光单元021发出的光线对薄膜晶体管023造成影响。

层间介电层04可以位于第二电极0223远离衬底基板01的一侧，钝化层05可以位于层间介电层04远离衬底基板01的一侧。可选的，该钝化层05可以由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiOxNy)等一种或多种无机氧化物制成。

树脂层06可以位于钝化层05远离衬底基板01的一侧。像素界定层07可以位于树脂层06远离衬底基板01的一侧，且该像素界定层07在衬底基板01上的正投影与像素单元02的开口区a不重叠。

封装薄膜08可以位于发光单元021远离衬底基板01的一侧。该封装薄膜08可以用于对显示基板包括的各个结构进行封装。阻挡结构09和填充层10位于封装薄膜08远离衬底基板01的一侧。其中，阻挡结构09可以为环绕多个像素单元02的环状结构，用于阻挡显示基板中位于该阻挡结构09围成的区域内的有机层溢流。盖板11位于填充层10远离衬底基板01的一侧。

并且，参考图7，该显示基板还可以包括：彩色滤光片(color filter，CF)12。该彩色滤光片12可以位于钝化层05远离衬底基板01的一侧，用于过滤发光单元021发出的光线。

在本申请实施例中，每个像素单元02可以为红色(red，R)像素单元，蓝色(blue，B)像素单元和绿色(green，G)像素单元中的一种。并且，该多个不同颜色的像素单元02可以按照RGBBGR，RBGGBR，GRBBRG，GBRRBG，BRGGRB或BGRRGB中的一种方式排布。或者，每个像素单元02可以为红色像素单元，蓝色像素单元，绿色像素单元和白色像素单元中的一种。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的多个像素单元。该多个像素单元中的目标像素单元包括的存储电容中的第一电极和第二电极包括中，至少一个电极中具有镂空区域，且该存储电容在衬底基板上的正投影覆盖像素单元的开口区。由于具有镂空区域的电极实际与开口区重叠的部分的面积较小，且通过在电极中设计镂空区域，可以使得非镂空的部分能够较为均匀的分布在开口区，因此本申请实施例提供的显示基板能够在保证像素单元的发光效率的前提下，提高像素单元的亮度均一性，显示装置的显示效果较好。

图8是本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图。该制造方法可以用于制造上述实施例提供的显示基板。参考图8可以看出，该方法可以包括：

步骤101、提供一透明的衬底基板。

其中，该衬底基板可以为柔性衬底基板或硬性衬底基板。

步骤102、在该衬底基板的一侧形成多个像素单元。

其中，每个像素单元包括发光单元，以及位于发光单元和衬底基板之间的存储电容，该存储电容在衬底基板上的正投影可以覆盖像素单元的开口区。

该存储电容可以包括：沿远离衬底基板的方向依次层叠的第一电极，绝缘层，以及第二电极。该第一电极，绝缘层，以及第二电极均由透明材料制成。

多个像素单元中包括至少一个目标像素单元，每个目标像素单元包括的存储电容中的第一电极和第二电极中，至少一个电极中具有镂空区域。其中，该第一电极和该第二电极可以采用相应的掩膜版制备得到。

可选的，第一电极和第二电极中至少一个电极为网格状电极。或者，第一电极和第二电极中至少一个电极包括：多个间隔设置的条状子电极。该多个所述条状子电极等间距平行排布或等间距交错排布。又或者，第一电极和第二电极中至少一个电极包括：多个阵列排布的块状电极。

在本申请实施例中，目标像素单元中的发光单元发出的光线的波长，可以小于其他像素单元中的发光单元发出的光线的波长，每个其他像素单元包括的存储电容中的第一电极和第二电极均为片状电极。

可选的，该目标像素单元中的发光单元发出的光线的颜色可以为蓝色或白色。

可选的，每个像素单元中包括的存储电容中的第一电极和第二电极的总厚度，与像素单元中的发光单元发出的光线的波长正相关。

其中，该第一电极和第二电极可以采用多次沉积并分区刻蚀的方法形成。在形成第一电极和第二电极的过程中，在发出的光线的波长较长的发光单元所在区域，用于形成电极的材料的沉积次数，可以大于在发出的光线的波长较短的发光单元所在区域的沉积次数。

在本申请实施例中，参考图9和图10，形成该第一电极的材料在第一区域A可以沉积三次，在第二区域B可以沉积两次，在第三区域C可以沉积一次。其中，该第一区域A可以为发出的光线的波长较长的发光单元所在区域，第二区域B可以为发出的光线的波长居中的发光单元所在区域，第三区域C可以为发出的光线的波长较短的发光单元所在区域。

可选的，在沉积形成该第一电极的过程中，可以先在第一区域A沉积一次厚度为Xnm的电极材料层，然后在第一区域A和第二区域B沉积一次厚度为Ynm的电极材料层，最后在第一区域A，第二区域B和第三区域C沉积一次厚度为Znm的电极材料层。或者，在沉积形成该第一电极的过程中，可以先在第一区域A，第二区域B和第三区域C沉积一次厚度为Znm的电极材料层，然后在第一区域A和第二区域B沉积一次厚度为Ynm的电极材料层，最后在第一区域A沉积一次厚度为Xnm的电极材料层。也即是，最终形成的第一电极在第一区域A的厚度可以为(X+Y+Z)nm，在第二区域B的厚度可以为(Y+Z)nm，在第三区域C的厚度可以为Znm。

示例的，蓝色像素单元包括的存储电容中的第一电极和第二电极均是沉积一次电极材料层形成的。绿色像素单元包括的存储电容中的第一电极和第二电极中的至少一个电极是沉积两次电极材料层形成的。红色像素单元包括的存储电容中的第一电极和第二电极中的至少一个电极是沉积三次电极材料层形成的。其中，蓝色像素单元中的发光单元发出的光线为波长较短的蓝光，绿色像素单元中的发光单元发出的光线为波长居中的绿光，红色像素单元中的发光单元发出的光线为波长较长的红光。

并且，每次沉积的电极厚度可以相同也可以不同，本申请实施例对此不作限定，只需保证发出的光线的波长较长的发光单元所在区域中，第一电极和第二电极的总厚度，大于发出的光线的波长较短的发光单元所在区域中，第一电极和第二电极的总厚度。

在本申请实施例中，每个像素单元还可以包括：薄膜晶体管。该薄膜晶体管可以包括：栅极，源极，以及漏极。存储电容中的第一电极可以与该源极连接，存储电容中的第二电极可以与栅极连接。

可选的，薄膜晶体管还可以包括有源层，存储电容中的第二电极可以与有源层同层设置。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示基板的制造方法，该制造方法制备得到的显示基板包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的多个像素单元。该多个像素单元中的目标像素单元包括的存储电容中的第一电极和第二电极中，至少一个电极中具有镂空区域，且该存储电容在衬底基板上的正投影覆盖像素单元的开口区。由于具有镂空区域的电极实际与开口区重叠的部分的面积较小，且通过在电极中设计镂空区域，可以使得非镂空的部分能够较为均匀的分布在开口区，因此该显示基板能够在保证像素单元的发光效率的前提下，提高像素单元的亮度均一性，显示装置的显示效果较好。

本申请实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括：驱动电路，以及上述实施例提供的显示基板。该驱动电路可以用于为显示基板中的多个像素单元提供驱动信号。

其中，该驱动电路可以包括栅极驱动电路和源极驱动电路。该栅极驱动电路可以通过栅线与显示基板中的各行像素单元连接，用于为各行像素单元提供栅极驱动信号。源极驱动电路可以通过数据线与显示基板中的各列像素单元连接，用于为各列像素单元提供数据信号。

可选的，该显示装置可以为液晶显示装置、电子纸、有机发光二极管(organiclight-emitting diode，OLED)显示装置、有源矩阵有机发光二极管(active-matrixorganic light-emitting diode，AMOLED)显示装置、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

以上所述仅为本申请的示例性实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：透明的衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的多个像素单元，每个所述像素单元包括：发光单元，以及位于所述发光单元和所述衬底基板之间的存储电容，所述存储电容在所述衬底基板上的正投影覆盖所述像素单元的开口区；

所述存储电容包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极，绝缘层，以及第二电极，所述第一电极，所述绝缘层，以及所述第二电极均由透明材料制成；

多个所述像素单元中包括至少一个目标像素单元，每个所述目标像素单元包括的存储电容中的所述第一电极和所述第二电极中，至少一个电极中具有镂空区域；并且，每个所述目标像素单元中的发光单元发出的光线的波长，小于其他像素单元中的发光单元发出的光线的波长。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个电极为网格状电极；

或者，所述至少一个电极包括：多个间隔设置的条状子电极，多个所述条状子电极等间距平行排布或等间距交错排布；

又或者，所述至少一个电极包括：多个阵列排布的块状电极。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每个所述其他像素单元包括的存储电容中的所述第一电极和所述第二电极均为片状电极。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每个所述目标像素单元中的发光单元发出的光线的颜色为蓝色或白色。

5.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，每个所述像素单元包括的存储电容中的所述第一电极和所述第二电极的总厚度，与所述像素单元中的发光单元发出的光线的波长正相关。

6.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，所述发光单元包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的阳极层，发光层，以及阴极层；

其中，所述阳极层的厚度，与所述发光单元发出的光线的波长正相关。

7.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，每个所述像素单元还包括：薄膜晶体管；

所述薄膜晶体管包括：栅极，源极，以及漏极，所述第一电极与所述源极连接，所述第二电极与所述栅极连接。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括有源层；所述第二电极与所述有源层同层设置。

9.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一透明的衬底基板；

在所述衬底基板的一侧形成多个像素单元；

其中，每个所述像素单元包括发光单元，以及位于所述发光单元和所述衬底基板之间的存储电容，所述存储电容在所述衬底基板上的正投影覆盖所述像素单元的开口区；所述存储电容包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极，绝缘层，以及第二电极，所述第一电极，所述绝缘层，以及所述第二电极均由透明材料制成；

多个所述像素单元中包括至少一个目标像素单元，每个所述目标像素单元包括的存储电容中的所述第一电极和所述第二电极中，至少一个电极中具有镂空区域；并且，每个所述目标像素单元中的发光单元发出的光线的波长，小于其他像素单元中的发光单元发出的光线的波长。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：驱动电路，以及如权利要求1至8任一所述的显示基板；

所述驱动电路用于为所述显示基板中的多个像素单元提供驱动信号。

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