CN111308772B - 阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法，属于显示技术领域。该阵列基板包括衬底基板、驱动电路层、反射电极层、发光层、电致变色层和公共电极层；驱动电路层设置有第一驱动电路和第二驱动电路；反射电极层设于驱动电路层远离衬底基板的一侧，设置有相互绝缘的第一反射电极和第二反射电极，第一反射电极与第一驱动电路的输出端电连接，第二反射电极与第二驱动电路的输出端连接；发光层包括设置于第二反射电极远离衬底基板的表面的发光单元；电致变色层设于第一反射电极远离衬底基板的表面；公共电极层覆盖电致变色层和发光单元。该阵列基板能够打开或者关闭镜面显示功能。

Description

阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法。
背景技术
镜面显示面板既具有镜面功能，又具有显示功能，在智能家居、商业显示领域具有巨大的应用前景。目前的镜面显示面板，包含镜面反射层以起到镜子功能，但是镜面反射层具有的高反射率(50％左右)，降低了整体透过率以及对比度，需提升显示模组光源强度来实现显示可视。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法，能够打开或者关闭镜面显示功能，提高显示画面的对比度。
为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：
根据本公开的第一个方面，提供一种阵列基板，包括：
衬底基板；
驱动电路层，设于所述衬底基板的一侧；所述驱动电路层设置有第一驱动电路和第二驱动电路；
反射电极层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述反射电极层设置有第一反射电极和第二反射电极，所述第一反射电极与所述第一驱动电路的输出端电连接，且与所述第二反射电极相互绝缘；所述第二反射电极与所述第二驱动电路的输出端电连接；
发光层，包括发光单元，所述发光单元设置于所述第二反射电极远离所述衬底基板的表面；
电致变色层，设于所述第一反射电极远离所述衬底基板的表面；
公共电极层，覆盖所述电致变色层远离所述衬底基板的表面和所述发光单元远离所述衬底基板的表面。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第二反射电极的数量为多个，所述第一反射电极形成有与各个所述第二反射电极一一对应的多个镂空的第一像素窗口，任意一个所述第二反射电极设于对应的所述第一像素窗口内。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一反射电极为一体式结构。
在本公开的一种示例性实施例中，所述电致变色层的材料为氧化钨、氧化钼、氧化钛、氧化钒、氧化铌中的一种或者多种的组合，或者所述电致变色层的材料为氧化镍、氧化铱、氧化钴、氧化铑中的一种或者多种的组合。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：
像素定义层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述像素定义层形成有镂空的第二像素窗口，所述第二反射电极设于所述第二像素窗口内；所述第一反射电极覆盖所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中，所述发光单元为发光二极管；所述阵列基板还包括：
钝化保护层，设于所述反射电极层与所述公共电极层之间；所述钝化保护层形成有镂空的第三像素窗口，所述发光单元嵌入所述第三像素窗口内。
根据本公开的第二个方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成驱动电路层，所述驱动电路层设置有第一驱动电路和第二驱动电路；
在所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧形成反射电极层；所述反射电极层设置有第一反射电极和第二反射电极，所述第一反射电极与所述第一驱动电路的输出端电连接，且与所述第二反射电极相互绝缘；所述第二反射电极与所述第二驱动电路的输出端电连接；
形成发光层，所述发光层包括发光单元，所述发光单元设置于所述第二反射电极远离所述衬底基板的表面；
形成电致变色层，所述电致变色层覆盖所述第一反射电极远离所述衬底基板的表面；
形成公共电极层，所述公共电极层覆盖所述电致变色层远离所述衬底基板的表面和所述发光单元远离所述衬底基板的表面。
根据本公开的第三个方面，提供一种显示面板，所示显示面板包括上述的阵列基板。
根据本公开的第四个方面，提供一种显示面板的驱动方法，用于驱动上述的显示面板，所述显示面板的驱动方法包括：
在第一种情形下，向所述第一驱动电路加载第一控制信号，使得所述第一驱动电路根据所述第一控制信号向所述第一反射电极加载第一控制电压；向所述公共电极层加载第一公共电压，使得所述第一反射电极与所述公共电极层之间的电势差在第一预设范围内，进而使得所述电致变色层呈透明态；
在第二种情形下，向所述第一驱动电路加载第二控制信号，使得所述第一驱动电路根据所述第二控制信号向所述第一反射电极加载第二控制电压；向所述公共电极层加载第二公共电压，使得所述第一反射电极与所述公共电极层之间的电势差在第二预设范围内，进而使得所述电致变色层呈不透明态。
本公开提供的阵列基板及其制备方法、显示面板及其驱动方法中，发光层设置于反射电极层远离衬底基板的一侧，因此发光单元发出的光线无需通过反射电极层即可实现出射，提高了整体光线透过率并降低了出射光线的损失；不仅如此，第二反射电极还可以将发光单元照射向衬底基板方向的光线反射，进而可以进一步提高出射光线的比例。因此，该阵列基板具有更高的透光性和更高的出光率，进而可以提高显示画面的对比度，并且可以降低发光单元的发光强度以降低阵列基板的功耗。该阵列基板在第一反射电极与公共电极层之间设置有电致变色层，电致变色层可以响应第一反射电极与公共电极层之间电动势的变化而改变其透光状态，例如可以实现透明态和不透明态之间的可逆转化。因此，该阵列基板能够根据需求独立的控制镜面显示功能的开启和关闭，进而可以适应不同的应用场景，实现更好地显示效果。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1是现有技术中镜面显示面板的结构示意图。
图2是本公开实施方式的阵列基板的结构示意图。
图3是本公开实施方式的第一驱动电路与第一反射电极的连接关系示意图。
图4是本公开实施方式的第二驱动电路与第二反射电极的连接关系示意图。
图5是本公开实施方式的电致变色层呈透明态时的显示效果图。
图6是本公开实施方式的电致变色层呈不透明态时的显示效果图。
图7是本公开一种实施方式的第一驱动电路的等效电路图。
图8是本公开一种实施方式的第二驱动电路的等效电路图。
图9是本公开一种实施方式的反射电极层的俯视结构示意图。
图10是本公开一种实施方式的像素定义层和第二反射电极的俯视结构示意图。
图11是本公开一种实施方式的像素定义层和钝化保护层的俯视结构示意图。
图12是本公开实施方式的阵列基板的制备方法流程示意图。
图中主要元件附图标记说明如下：
100、衬底基板；200、驱动电路层；201、第一驱动电路；202、第二驱动电路；300、反射电极层；301、第一反射电极；302、第二反射电极；310、第一像素窗口；400、发光层；410、发光单元；500、电致变色层；600、公共电极层；710、像素定义层；711、第二像素窗口；720、钝化保护层；721、第三像素窗口；910、衬底基板；920、发光层；921、发光单元；930、镜面反射层。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。
在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的主要技术创意。
当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
图1为现有技术中，镜面显示面板的结构示意图。参见图1，现有技术中，镜面显示面板包括依次层叠的衬底基板910、发光层920和镜面反射层930，其中，镜面反射层930采用具有透光性的高反射膜，反射率一般为50％左右。举例而言，镜面反射层930可以采用半透半返膜。如此，镜面显示面板的镜面反射层930可以反射环境光线(图1中用虚线示意)，实现镜面显示效果。发光层920一般包括多个发光单元921，发光单元921所发出的光线透过该镜面反射层930以实现画面显示。然而，发光单元921发出的光线会被镜面反射层930部分反射而产生较高的反射损耗，导致光线整体透光率降低，降低了镜面显示面板的出光率和对比度；不仅如此，镜面显示面板需要提高发光单元921的发光亮度，因此会导致功耗的增加。
本公开提供一种阵列基板，如图2～图4所示，该阵列基板包括衬底基板100、驱动电路层200、反射电极层300、发光层、电致变色层500和公共电极层600。
其中，驱动电路层200设于衬底基板100的一侧；驱动电路层200设置有第一驱动电路201和第二驱动电路202；反射电极层300设于驱动电路层200远离衬底基板100的一侧；反射电极层300设置有第一反射电极301和第二反射电极302，第一反射电极301与第一驱动电路201的输出端电连接，且与第二反射电极302相互绝缘；第二反射电极302与第二驱动电路202的输出端电连接；发光层包括发光单元410，发光单元410设置于第二反射电极302远离衬底基板100的表面；电致变色层500设于第一反射电极301远离衬底基板100的表面；公共电极层600覆盖电致变色层500远离衬底基板100的表面和发光单元410远离衬底基板100的表面。
本公开提供的阵列基板设置有反射电极层300，该反射电极层300能够反射环境光线而实现镜面反射功能。在该阵列基板中，发光层设置于反射电极层300远离衬底基板100的一侧，因此发光单元410发出的光线无需通过反射电极层300即可实现出射，提高了整体光线透过率并降低了出射光线的损失；不仅如此，第二反射电极302还可以将发光单元410照射向衬底基板100方向的光线反射，进而可以进一步提高出射光线的比例。因此，本公开的阵列基板既可以避免反射电极层300造成的出射光线损失，又可以借助第二反射电极302的反射功能提高出射光线的比例；该阵列基板具有更高的透光性和更高的出光率，进而可以提高显示画面的对比度，并且可以降低发光单元410的发光强度以降低阵列基板的功耗。
该阵列基板在第一反射电极301与公共电极层600之间设置有电致变色层500，电致变色层500可以响应第一反射电极301与公共电极层600之间电动势的变化而改变其透光状态，例如可以实现透明态和不透明态之间的可逆转化。当该阵列基板不需要进行镜面显示时，可以通过第一驱动电路201控制第一反射电极301上的电压而使得电致变色层500呈现不透明态，进而使得环境光线不能照射至第一反射电极301，抑制或者消除了阵列基板的镜面显示，避免了环境光线对显示画面的影响，进而可以提高显示画面的对比度；不仅如此，由于没有环境光线的干扰，因此阵列基板可以不增加发光单元的亮度，进而降低阵列基板的功耗。当该阵列基板需要进行镜面显示时，可以通过第一驱动电路201控制第一反射电极301上的电压而使得电致变色层500呈现透明态，进而使得环境光线能照射至第一反射电极301而被反射，使得阵列基板实现镜面显示。因此，该阵列基板能够根据需求独立的控制镜面显示功能的开启和关闭，进而可以适应不同的应用场景，实现更好地显示效果。
下面，结合具体的附图，对本公开的阵列基板的结构、原理和效果进行进一步的解释和说明。
衬底基板100可以为无机材料的衬底基板100，也可以为有机材料的衬底基板100。举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板100的材料可以为钠钙玻璃(soda-limeglass)、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或者可以为不锈钢、铝、镍等金属材料。在本公开的另一种实施方式中，衬底基板100的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)、聚乙烯基苯酚(Polyvinylphenol，PVP)、聚醚砜(Polyether sulfone，PES)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯(Poly carbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate，PEN)或其组合。在本公开的另一种实施方式中，衬底基板100也可以为柔性衬底基板100，例如衬底基板100的材料可以为聚酰亚胺(polyimide，PI)。衬底基板100还可以为多层材料的复合，举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板100可以包括依次层叠设置的底膜层(Bottom Film)、压敏胶层、第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层。
驱动电路层200设置于衬底基板100的一侧，其可以采用有源驱动结构或者无源驱动结构，还可以为有源驱动结构和无源驱动结构的结合。如图2和图3所示，驱动电路层200可以设置有第一驱动电路201，第一驱动电路201用于控制第一反射电极301上的电压。
在本公开的一种实施方式中，第一驱动电路201可以为连接引线，该连接引线的一端可以连接第一反射电极301，另一端可以连接驱动焊盘，该驱动焊盘用于与驱动器电连接。如此，驱动器可以将所需的电压加载至驱动焊盘，并通过该驱动焊盘和连接引线而将所需的电压加载至第一反射电极301，可以实现对第一反射电极301的无源驱动。
举例而言，驱动器可以通过驱动焊盘向连接引线加载第一控制信号，第一控制信号的电压为第一控制电压，如此，该连接引线可以向第一反射电极301加载第一控制电压。换言之，驱动器可以向第一驱动电路201加载第一控制信号，使得第一驱动电路201根据第一控制信号向第一反射电极301加载第一控制电压。驱动器还可以向公共电极层600加载第一公共电压，使得第一反射电极301与公共电极层600之间的电势差在第一预设范围内，进而使得电致变色层500呈透明态。此时，阵列基板的显示效果如图5所示。参见图5，各个发光单元410的周围区域中，电致变色层500呈透明态，使得该阵列基板能够反射环境光线。
再举例而言，驱动器可以通过驱动焊盘向连接引线加载第二控制信号，第二控制信号的电压为第二控制电压，如此，该连接引线可以向第一反射电极301加载第二控制电压。换言之，驱动器可以向第一驱动电路201加载第一控制信号，使得第一驱动电路201根据第一控制信号向第一反射电极301加载第一控制电压。驱动器还可以向公共电极层600加载第二公共电压，使得第一反射电极301与公共电极层600之间的电势差在第二预设范围内，进而使得电致变色层500呈不透明态。此时，阵列基板的显示效果如图6所示。参见图6，各个发光单元410的周围区域中，电致变色层500呈不透明态，使得该阵列基板不能够反射环境光线。
在本公开的另一种实施方式中，第一驱动电路201可以为由电子元件组成的电路，例如第一驱动电路201可以包括引线以及引线连接的薄膜晶体管，以实现通过有源驱动的方式控制第一反射电极301上的电压。可以理解的是，第一驱动电路201上还可以设置有存储电容。
举例而言，如图7所示，第一驱动电路201可以包括有第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2，其中，第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2中的一个为N型薄膜晶体管，另一个为P型薄膜晶体管。第一薄膜晶体管TFT1能够在第一控制信号的控制下导通并在第二控制信号的控制下截止，第二薄膜晶体管TFT2能够在第二控制信号的控制下导通并在第一控制信号的控制下截止。第一薄膜晶体管TFT1的输入端用于加载第一控制电压V1，输出端与第一反射电极301电连接，控制端与一控制引线Gate电连接。第二薄膜晶体管TFT2的输入端用于加载第二控制电压V2，输出端与第一反射电极301电连接，控制端与控制引线Gate电连接。
当向控制引线Gate加载第一控制信号时，第一薄膜晶体管TFT1导通且第二薄膜晶体管TFT2截止，则第一控制电压V1通过第一薄膜晶体管TFT1加载至第一反射电极301。当向控制引线Gate加载第二控制信号时，第二薄膜晶体管TFT2导通且第一薄膜晶体管TFT1截止，则第二控制电压V2通过第二薄膜晶体管TFT2加载至第一反射电极301。
可选地，第一薄膜晶体管TFT1的输入端可以用于加载第一电源电压(VDD)作为第一控制电压，即第一薄膜晶体管TFT1的输入端可以与阵列基板的电源引线电连接。
可选地，第一驱动电路201还可以设置有一分压电路，该分压电路的输入端用于加载第一电源电压(VDD)，即该分压电路的输入端可以与阵列基板的电源引线电连接；该分压电路的输出端可以与第一薄膜晶体管TFT1的输入端电连接。如此，可以通过分压电路获取一定的电压，例如获取0.5VDD(第一电源电压的一半)，作为第一控制电压。
可选地，第二薄膜晶体管TFT2的输入端可以与公共电极层600电连接，如此，第二控制电压可以与公共电极层600上的电压相同，即均为第二电源电压(VSS)。
如图4所示，第二驱动电路202用于向第二反射电极302加载所需的电流或者电压，以驱动发光单元410的发光。在本公开的一种实施方式中，第二驱动电路202可以为有源驱动电路，其可以设置有薄膜晶体管。可选地，第二驱动电路202还可以设置有存储电容等电子元件。薄膜晶体管可以为LTPS-TFT(低温多晶硅-薄膜晶体管)或者Oxide-TFT(氧化物-薄膜晶体管)，例如可以为IGZO-TFT，本公开对此不做限定。薄膜晶体管可以为顶栅型或者底栅型，本公开也不做限定。
可选地，当发光层设置有多个发光单元410时，反射电极层可以设置有与各个发光单元410一一对应的多个第二反射电极302，其中，任意一个发光单元410设置于对应的第二反射电极302远离衬底基板100的表面。驱动电路层设置有多个第二驱动电路202，各个第二驱动电路202的输出端与各个第二反射电极302一一对应的电连接。如此，多个第二驱动电路202一一对应地驱动多个发光单元410，使得各个发光单元410能够独立可控的发光。
可以根据发光单元410的类型以及阵列基板的性能要求，选择和确定第二驱动电路202。举例而言，当发光单元410为LED(发光二极管)、micro LED(微发光二极管)、OLED(有机发光二极管)等器件时，第二驱动电路202可以选择用于输出驱动电流的驱动电路。当发光单元410为液晶单元等时，第二驱动电路202可以选择用于输出驱动电压的驱动电路。
下面，示例性地提供一种第二驱动电路202的具体实现方式，以对第二驱动电路202的结构和原理进行进一步的示例性解释说明。
如图8所示，该示例性的第二驱动电路202可以为2T1C(2个薄膜晶体管、1个存储电容)架构，其包括驱动晶体管TFT3、数据写入晶体管TFT4和存储电容Cst，所驱动的发光单元410可以为micro LED。其中，驱动晶体管TFT3的输入端(源极)用于加载第一电源电压(VDD)，驱动晶体管TFT3的输出端(漏极)用于连接第二反射电极302，驱动晶体管TFT3的控制端(栅极)与存储电容Cst的第一电极电连接。数据写入晶体管TFT4的输入端(源极)用于加载数据电压信号Vdata，数据写入晶体管TFT4的输出端(漏极)与存储电容Cst的第一电极电连接，数据写入晶体管TFT4的控制端(栅极)用于加载扫描信号Vgate。存储电容Cst的第二电极用于加载第二电源电压(VSS)。其中，发光单元410设置于第二反射电极302和公共电极层600之间，公共电极层600上也加载第二电源电压(VSS)。
在充电阶段，扫描引线向数据写入晶体管TFT4的控制端加载扫描信号Vgate，使得数据写入晶体管TFT4导通；数据引线向数据写入晶体管TFT4的输入端加载数据电压信号Vdata，使得数据电压信号Vdata加载至存储电容Cst的第一电极并写入存储电容Cst中。由于存储电容Cst的第一电极与驱动晶体管TFT3的控制端电连接，因此驱动晶体管TFT3可以在存储电容Cst的第一电极上的电压的控制下而输出驱动电流，驱动电流通过第二反射电极302和发光单元410(micro LED)而流向公共电极层600，发光单元410在驱动电流的驱动下发光。在发光保持阶段，扫描引线不再加载扫描信号Vgate后，数据写入晶体管TFT4截止，因此存储电容Cst可以保持其第一电极上的电压不变，进而使得驱动晶体管TFT3可以持续输出驱动电流，使得发光单元410持续发光。
可以理解的是，上述2T1C架构的驱动电路仅为第二驱动电路202的示例，在其他的情形下，第二驱动电路202还可以为其他的电路结构，例如可以采用5T1C架构、6T1C架构、7T1C架构、4T2C架构、5T2C架构等，本公开在此不一一详述。
反射电极层300设置有第一反射电极301，第一反射电极301、电致变色层500和公共电极层600组成了受到第一驱动电路201控制的镜面反射器件。
在第一种情形下，可以向第一驱动电路201加载第一控制信号，使得第一驱动电路201根据第一控制信号向第一反射电极301加载第一控制电压；向公共电极层600加载第一公共电压，使得第一反射电极301与公共电极层600之间的电势差在第一预设范围内，进而使得电致变色层500呈透明态。参见图5，在该第一种情形下，由于电致变色层500呈透明态，因此环境光线可以照射至第一反射电极301并被第一反射电极301反射，进而使得阵列基板具有镜面显示功能。
在第二种情形下，可以向第一驱动电路201加载第二控制信号，使得第一驱动电路201根据第二控制信号向第一反射电极301加载第二控制电压；向公共电极层600加载第二公共电压，使得第一反射电极301与公共电极层600之间的电势差在第二预设范围内，进而使得电致变色层500呈不透明态。参见图6，在该第二种情形下，由于电致变色层500呈不透明态，因此环境光线不可以照射至第一反射电极301，不能够被第一反射电极301反射，如此可以抑制或者消除阵列基板的镜面反射功能，避免阵列基板反射的环境光线对显示画面的影响，提高阵列基板所显示的画面的对比度。
可选地，第一公共电压和第二公共电压相同，也可以不相同。
反射电极层300设置有相互绝缘的第一反射电极301和第二反射电极302，以保证阵列基板的画面显示功能和镜面显示功能相互独立。
在本公开的一种实施方式中，如图9所示，第二反射电极302的数量为多个；第一反射电极301可以形成有与各个第二反射电极302一一对应的多个镂空的第一像素窗口310，任意一个第二反射电极302设于对应的第一像素窗口310内。如此，任意两个第二反射电极302之间均设置有第一反射电极301，可以提高第一反射电极301的面积，进而保证阵列基板具有更好地镜面反射能力。
第二反射电极302与第一反射电极301之间的间距可以根据工艺要求、像素密度等进行确定。在本公开的一种实施方式中，任意一个第二反射电极302与第一反射电极301之间的间距为1～10微米，如此可以在保证第二反射电极302与第一反射电极301之间能够有效绝缘的前提下，增大第一反射电极301的面积，提高反射电极层300相对于整个阵列基板的面积占比，提高阵列基板的镜面显示效果。优选地，任意一个第二反射电极302与第一反射电极301之间的间距为2～5微米。
在本公开的一种实施方式中，如图9所示，第一反射电极301可以为一体式结构，即第一反射电极301的任意两个位置之间相互电连接。如此，可以提高第一反射电极301的面积，并可以实现通过一个第一驱动电路201控制整个第一反射电极301，简化该阵列基板的驱动电路层200和控制方法。
当然的，可以理解的是，在本公开的其他实现方式中，第一反射电极301也可以被分割为多个不相连的部分，第一反射电极301的不同部分既可以与同一个第一驱动电路201的输出端同时连接，也可以分别与不同的第一驱动电路201的输出端电连接。
如图9所示，多个第二反射电极302阵列分布。参见图4和图8，任意一个第二反射电极302可以作为像素电极与对应的发光单元410配合，以实现驱动发光单元410发光。其中，各个第二反射电极302与各个第二驱动电路202一一对应地电连接，如此，可以使得各个发光单元410被各个第二驱动电路202一一对应地独立控制。
第一反射电极301和第二反射电极302的材料和厚度可以相同，以便在同一工艺过程中同时制备第一反射电极301和第二反射电极302。举例而言，在本公开的一种实施方式中，可以通过如下方法制备反射电极层300：
在驱动电路层200远离衬底基板100的一侧形成一反射电极材料层；然后对该反射电极材料层进行图案化操作，以形成反射电极层300，该反射电极层300形成有第一反射电极301和第二反射电极302。
可选地，反射电极层300应当具有良好的反射能力，以保证反射电极层300的反射能力，进而保证阵列基板的镜面显示效果。可选地，反射电极层300的反射率不低于90％，优选地，反射电极层300的反射率不低于95％。如此，可以保证反射电极层300，尤其是保证第二反射电极302层300的具有较高的反射率。
可选地，反射电极层300选用具有良好导电性能的材料，例如可以选用金属、合金等材料。
在本公开的一种实施方式中，反射电极层300的材料可以为银、铝、钼、钛等中的一种或者多种的组合。
发光单元410可以为LED、Micro LED、OLED、PLED等电致发光器件或者其他电致发光器件，液晶单元由于可以用于控制背光源的光线通过与否以及用于控制通过的光线强度，因此液晶单元也可以视为本公开的发光单元410。
在本公开中，发光单元410既可以由阴阳两电极以及设置于阴阳两电极之间的功能层组成，也可以只包括功能层而将第二反射电极302和公共电极层600作为阴阳两电极。
举例而言，在本公开的一种实施方式中，发光单元410可以为Micro LED，该MicroLED的两端分别与第二反射电极302和公共电极层600连接。该LED包括层叠设置的多层无机半导体层，以形成PN结面接触型二极管。第二反射电极302与公共电极层600中的一个作为阳极，另一个作为阴极；当阳极与阴极之间施加一正向偏压时，电流从阳极流经Micro LED流向阴极，此时电子和空穴在Micro LED的主动区复合，使得Micro LED发出单色光。可选地，Micro LED的厚度为3～5微米。
可选地，阵列基板中发光单元410包括红色发光单元410、绿色发光单元410和蓝色发光单元410。示例性地，红色发光单元410可以包括依次层叠于第二反射电极302远离衬底基板100表面的AlGaAs层、GaAsP层、AlGaInP层和GaP层，GaP层远离衬底基板100的表面与公共电极层600电连接。示例性地，绿色发光单元410可以包括依次层叠于第二反射电极302远离衬底基板100表面的InGaN层、GaN层、GaP层、AlGaInP层和AlGaP层，AlGaP层远离衬底基板100的表面与公共电极层600电连接。示例性地，蓝色发光单元410可以包括依次层叠于第二反射电极302远离衬底基板100表面的GaN层、InGaN层和ZnSe层，ZnSe层远离衬底基板100的表面与公共电极层600电连接。
可选地，当发光单元410为micro LED时，可以通过巨量转移技术将各个micro LED转移至各自对应的第二反射电极302。
电致变色层500能够在第一反射电极301和公共电极层600的电势差的变化下，可逆地改变其颜色或者透明度。在第一种情形下，第一反射电极301与公共电极层600之间的电势差在第一预设范围内，电致变色层500呈透明态。在第二种情形下，第一反射电极301与公共电极层600之间的电势差在第二预设范围内电致变色层500呈不透明态。
电致变色层500得材料可以为有机材料，也可以为无机材料。在本公开的一种实施方式中，电致变色层500可以采用金属氧化物或者多种金属氧化物的混合物。举例而言，在本公开的一种实施方式中，电致变色层500的材料为氧化钨、氧化钼、氧化钛、氧化钒、氧化铌中的一种或者多种的组合。再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，电致变色层500的材料为氧化镍、氧化铱、氧化钴、氧化铑中的一种或者多种的组合。示例性地，电致变色层500的材料可以为氧化钨。
公共电极层600为透明导电电极，以使得发光单元410发出的光线可以透过该公共电极层600出射，以及使得环境光线能够透过该公共电极层600以实现阵列基板的镜面显示。公共电极层600的材料可以为a-Si(a-多晶硅)、ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、碳纳米管等透明导电材质。在本公开的一种实施方式中，公共电极层600的材料为ITO。
如图2所示，本公开提供的阵列基板，还可以包括有像素定义层710，像素定义层710设于驱动电路层200远离衬底基板100的一侧。
在本公开的一种实施方式中，发光单元410可以为Micro LED。如图2和图10所示，像素定义层710形成有与各个第二反射电极302一一对应的多个镂空的第二像素窗口711，任意一个第二反射电极302设于对应的第二像素窗口711内，即第二像素窗口711暴露对应的第二反射电极302；第一反射电极301设于像素定义层710远离衬底基板100的一侧。如此，该像素定义层710可以形成有用于对接作为发光单元410的Micro LED的第二像素窗口711。
可选地，像素定义层710的厚度可以根据Micro LED的厚度进行确定，使得第二像素窗口711能够容置各个Micro LED。在本公开的一种实施方式中，像素定义层710的厚度不小于Micro LED的厚度。
可选地，像素定义层710的材料可以为黑色材料。
可选地，可以在形成像素定义层710后，通过溅射或者蒸镀等工艺形成覆盖像素定义层710远离衬底基板100一侧的反射电极材料层，然后对反射电极材料层进行图案化，进而获得第一反射电极301以及形成一一对应地位于各个第二像素窗口711内的各个第二反射电极302。
当然的，当发光单元410为其他类型的发光器件时，例如为OLED或者PLED等时，像素定义层710的第二像素窗口711可以用于限定发光单元410的发光面积。举例而言，可以先在驱动电路层200远离衬底基板100的一侧形成第二反射电极302，然后在第二反射电极302远离衬底基板100的一侧形成像素定义层710，该像素定义层710的第二像素窗口711暴露各个第二反射电极302，或者暴露部分第二反射电极302。
如图2和图11所示，本公开的阵列基板，还可以包括有钝化保护层720，该钝化保护层720设于反射电极层300与公共电极层600之间；钝化保护层720形成有与各个发光单元410一一对应的多个镂空的第三像素窗口721，任意一个发光单元410嵌入对应的第三像素窗口721内。如此，当发光单元410为micro LED时，该钝化保护层720将围绕该Micro LED进而避免公共电极层600与micro LED的其他膜层(例如各个量子阱层)短路，并避免公共电极层600与反射电极层300短路。
钝化保护层720的材料可以为有机绝缘材料，或者无机绝缘材料。举例而言，在本公开的一种实施方式中，钝化保护层720的材料可以为PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)或则PI(聚酰亚胺)。
可选地，可以在完成Micro LED的巨量转移之后，形成围绕各个Micro LED的各个钝化保护层720，使得各个Micro LED仅仅暴露其远离衬底基板100的膜层的表面，而不暴露其他膜层，避免在形成公共电极层600时其他膜层与公共电极短路。可以理解的是，第二反射电极302未被Micro LED覆盖的部分，可以被钝化保护层720覆盖，以避免公共电极层600与第二反射电极302短路。
在本公开的一种实施方式中，本公开的阵列基板还可以包括封装层，封装层覆盖公共电极层600远离衬底基板100的一侧，以保护公共电极层600。
在本公开的一种实施方式中，本公开的阵列基板还可以包括触控层，触控层设于公共电极层600远离衬底基板100的一侧，以实现对阵列基板的触摸控制。优选地，驱动电路层200还设置有第三驱动电路，第三驱动电路与触控层电连接并用于驱动触控层。
在本公开的一种实施方式中，本公开的阵列基板还可以包括指纹识别层，指纹识别层设于公共电极层600远离衬底基板100的一侧，以实现指纹识别。优选地，驱动电路层200还设置有第四驱动电路，第四驱动电路与指纹识别层电连接并用于驱动指纹识别层。
本公开还提供一种阵列基板的制备方法，如图12所示，该阵列基板的制备方法包括：
步骤S110，提供衬底基板100；
步骤S120，在衬底基板100的一侧形成驱动电路层200，驱动电路层200设置有第一驱动电路201和第二驱动电路202；
步骤S130，在驱动电路层200远离衬底基板100的一侧形成反射电极层300；反射电极层300设置有第一反射电极301和第二反射电极302，第一反射电极301与第一驱动电路201的输出端电连接，且与第二反射电极302相互绝缘；第二反射电极302与第二驱动电路202的输出端电连接；
步骤S140，形成发光层，发光层包括发光单元410，发光单元410设置于第二反射电极302远离衬底基板100的表面；
步骤S150，形成电致变色层500，电致变色层500设于第一反射电极301远离衬底基板100的表面；
步骤S160，形成公共电极层600，公共电极层600覆盖电致变色层500远离衬底基板100的表面和发光单元410远离衬底基板100的表面。
本公开提供的阵列基板的制备方法，可以制备上述阵列基板实施方式所提供的任意一种阵列基板，该制备方法的原理、效果和细节，在上述阵列基板实施方式中进行了详细描述，或者可以根据上述阵列基板中的描述而合理地推导出来，本公开在此不再赘述。
需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等，均应视为本公开的一部分。
本公开实施方式还提供一种显示面板，该显示面板包括上述阵列基板实施方式所描述的任意一种阵列基板。该显示面板可以为OLED显示面板、PLED显示面板、Micro LED显示面板或者其他类型的显示面板。由于该显示面板具有上述阵列基板实施方式所描述的任意一种阵列基板，因此具有相同的有益效果，本公开在此不再赘述。
本公开还提供一种显示面板的驱动方法，用于驱动上述显示面板实施方式所描述的任意一种显示面板，显示面板的驱动方法包括：
在第一种情形下，向第一驱动电路201加载第一控制信号，使得第一驱动电路201根据第一控制信号向第一反射电极301加载第一控制电压；向公共电极层600加载第一公共电压，使得第一反射电极301与公共电极层600之间的电势差在第一预设范围内，进而使得电致变色层500呈透明态。如此，在第一种情形下，由于电致变色层500呈透明态，因此环境光线可以照射至第一反射电极301并被第一反射电极301反射，进而使得阵列基板具有镜面显示功能。
在第二种情形下，向第一驱动电路201加载第二控制信号，使得第一驱动电路201根据第二控制信号向第一反射电极301加载第二控制电压；向公共电极层600加载第二公共电压，使得第一反射电极301与公共电极层600之间的电势差在第二预设范围内，进而使得电致变色层500呈不透明态。如此，在该第二种情形下，由于电致变色层500呈不透明态，因此环境光线不可以照射至第一反射电极301，不能够被第一反射电极301反射，如此可以抑制或者消除阵列基板的镜面反射功能，避免阵列基板反射的环境光线对显示画面的影响，提高阵列基板所显示的画面的对比度。
该驱动方法的原理、细节和效果，在上述阵列基板实施方式中进行了详细的描述和介绍，本公开在此不再一一赘述。
应可理解的是，本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本公开。

Claims (6)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
驱动电路层，设于所述衬底基板的一侧；所述驱动电路层设置有第一驱动电路和第二驱动电路；
像素定义层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述像素定义层形成有镂空的第二像素窗口；反射电极层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述反射电极层设置有第一反射电极和第二反射电极，所述第一反射电极与所述第一驱动电路的输出端电连接，且与所述第二反射电极相互绝缘；所述第二反射电极与所述第二驱动电路的输出端电连接；所述第二反射电极设于所述第二像素窗口内；所述第一反射电极覆盖所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧；
发光层，包括发光单元，所述发光单元设置于所述第二反射电极远离所述衬底基板的表面；所述发光单元为发光二极管；
电致变色层，设于所述第一反射电极远离所述衬底基板的表面；
钝化保护层，形成有镂空的第三像素窗口，所述发光单元嵌入所述第三像素窗口内；
公共电极层，覆盖所述电致变色层远离所述衬底基板的表面和所述发光单元远离所述衬底基板的表面；所述钝化保护层设于所述反射电极层与所述公共电极层之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二反射电极的数量为多个，所述第一反射电极形成有与各个所述第二反射电极一一对应的多个镂空的第一像素窗口，任意一个所述第二反射电极设于对应的所述第一像素窗口内。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一反射电极为一体式结构。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电致变色层的材料为氧化钨、氧化钼、氧化钛、氧化钒、氧化铌中的一种或者多种的组合，或者所述电致变色层的材料为氧化镍、氧化铱、氧化钴、氧化铑中的一种或者多种的组合。
5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成驱动电路层，所述驱动电路层设置有第一驱动电路和第二驱动电路；
在所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，所述像素定义层形成有镂空的第二像素窗口；
在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成反射电极层；所述反射电极层设置有第一反射电极和第二反射电极，所述第一反射电极与所述第一驱动电路的输出端电连接，且与所述第二反射电极相互绝缘；所述第二反射电极与所述第二驱动电路的输出端电连接；所述第二反射电极设于所述第二像素窗口内；所述第一反射电极覆盖所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧；
形成发光层，所述发光层包括发光单元，所述发光单元设置于所述第二反射电极远离所述衬底基板的表面；所述发光单元为发光二极管；
形成电致变色层，所述电致变色层覆盖所述第一反射电极远离所述衬底基板的表面；
形成钝化保护层，所述钝化保护层形成有镂空的第三像素窗口，所述发光单元嵌入所述第三像素窗口内；
形成公共电极层，所述公共电极层覆盖所述电致变色层远离所述衬底基板的表面和所述发光单元远离所述衬底基板的表面；其中，所述钝化保护层设于所述反射电极层与所述公共电极层之间。
6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～4任一项所述的阵列基板。
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