CN111293400A - 谐振结构和滤波器件 - Google Patents

Abstract

本申请提供的谐振结构和滤波器件，涉及电子器件技术领域。其中，谐振结构包括：屏蔽组件，该屏蔽组件包括第一屏蔽层和第二屏蔽层，该第一屏蔽层和该第二屏蔽层相对且间隔设置；谐振组件，该谐振组件包括谐振柱和与该谐振柱连接的谐振盘，该谐振柱位于第一屏蔽层和第二屏蔽层之间，且与该第一屏蔽层连接，该谐振盘与该第二屏蔽层形成第一电容；调谐组件，该调谐组件位于谐振盘与第一屏蔽层之间，且与谐振柱连接，用于与第二屏蔽层形成第二电容。基于上述设置，可以改善现有技术中谐振结构的谐振频率难以有效降低的问题。

Description

谐振结构和滤波器件

技术领域

本申请涉及电子器件技术领域，具体而言，涉及一种谐振结构和滤波器件。

背景技术

在电子器件技术领域中，器件(特别是一些精密器件，如毫米波滤波器)的小型化尤为重要。其中，滤波器件一般由谐振结构构成，使得谐振结构的体积决定了滤波器件的体积。因而，现有技术中一般是通过减小谐振结构的体积，使得滤波器件可以进行小型化处理。

经发明人研究发现，现有技术中，为了使得谐振结构的体积可以较小，会导致谐振结构的谐振频率难以有效降低。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种谐振结构和滤波器件，以改善现有技术中谐振结构的谐振频率难以有效降低的问题。

为实现上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：

一种谐振结构，包括：

屏蔽组件，该屏蔽组件包括第一屏蔽层和第二屏蔽层，该第一屏蔽层和该第二屏蔽层相对且间隔设置；

谐振组件，该谐振组件包括谐振柱和与该谐振柱连接的谐振盘，该谐振柱位于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间，且与该第一屏蔽层连接，该谐振盘与该第二屏蔽层形成第一电容；

调谐组件，该调谐组件位于所述谐振盘与所述第一屏蔽层之间，且与所述谐振柱连接，用于与所述第二屏蔽层形成第二电容。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，所述调谐组件与所述谐振盘平行设置，且该谐振盘与所述第二屏蔽层平行设置。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，所述调谐组件在垂直于该调谐组件的方向上的投影与所述谐振盘在该方向上的投影重合，且被所述第二屏蔽层在该方向上的投影覆盖。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，所述调谐组件为多个，多个所述调谐组件平行设置，且间隔分布于所述谐振盘与所述第一屏蔽层之间。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，所述调谐组件与所述谐振盘之间的距离为第一距离，该谐振盘与所述第二屏蔽层之间的距离为第二距离，该第一距离等于该第二距离。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，所述谐振柱沿垂直于所述谐振盘的方向延伸设置，且垂直于所述第一屏蔽层。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，所述谐振柱的一端与所述第一屏蔽层连接、另一端沿靠近所述第二屏蔽层的方向延伸，且穿过所述调谐组件后延伸至所述谐振盘，并与该谐振盘远离所述第二屏蔽层的一侧连接。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，所述第一屏蔽层、所述第二屏蔽层、所述谐振柱、所述谐振盘和所述调谐组件，为金属结构。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，述屏蔽组件还包括多个屏蔽柱，所述多个屏蔽柱间隔设置于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间，以围合形成容纳空间，用于对位于该容纳空间的所述谐振组件和所述调谐组件进行电磁屏蔽；

所述调谐组件包括第一调谐结构和第二调谐结构，该第一调谐结构与所述谐振柱连接，该第二调谐结构与所述屏蔽柱连接。

在上述基础上，本申请实施例还提供了一种滤波器件，包括：

连接端口，该连接端口包括第一端口和第二端口；

上述的谐振结构，该谐振结构为多个，且分别连接于所述第一端口与所述第二端口之间，用于对通过所述第一端口输入的待处理信号进行滤波处理之后通过所述第二端口输出，或对通过所述第二端口输入的待处理信号进行滤波处理之后通过所述第一端口输出。

本申请提供的谐振结构和滤波器件，通过在屏蔽组件和谐振组件的基础上增加调谐组件，使得在基于谐振盘与第二屏蔽层形成第一电容的基础上，还可以基于调谐组件与第二屏蔽层形成第二电容，以提高该谐振结构的电容值，从而降低该谐振结构的谐振频率。如此，可以在有效降低谐振结构的谐振频率的基础上，不用增加谐振结构的体积，从而改善现有技术中为了保证谐振结构有较小的体积而导致谐振结构的谐振频率难以有效降低的问题，因而，较高的实用价值，特别是在小型器件的应用环境中具有较好的应用效果。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为本申请实施例提供的滤波器件的结构框图。

图2为本申请实施例提供的谐振结构的结构示意图。

图3为本申请实施例提供的屏蔽组件的结构示意图。

图4为本申请实施例提供的谐振组件的结构示意图。

图5为本申请实施例提供的谐振组件的另一结构示意图。

图6为本申请实施例提供的多个谐振组件的分布示意图。

图7为本申请实施例提供的多个调谐组件的分布示意图。

图8为本申请实施例提供的调谐组件与谐振住的连接结构示意图。

图9为本申请实施例提供的第一调谐结构和第二调谐结构的分布示意图。

图10为本申请实施例提供的具有调谐组件的谐振结构的示意图。

图11为本申请实施例提供的不具有调谐组件的谐振结构的示意图。

图12为本申请实施例提供的具有调谐组件的谐振结构与不具有调谐组件的谐振结构之间的谐振频率偏移效果示意图。

图标：10-滤波器件；100-谐振结构；110-屏蔽组件；111-第一屏蔽层；113-第二屏蔽层；115-屏蔽柱；120-谐振组件；121-谐振柱；123-谐振盘；130-调谐组件；131-第一调谐结构；133-第二调谐结构；210-第一端口；230-第二端口。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

如图1所示，本申请实施例提供了一种滤波器件10。其中，该滤波器件10可以包括连接端口和谐振结构100。

详细地，所述连接端口可以包括第一端口210和第二端口230，所述谐振结构100可以为多个。如此，多个所述谐振结构100,可以分别连接于所述第一端口210与所述第二端口230之间，用于对通过所述第一端口210输入的待处理信号进行滤波处理之后通过所述第二端口230输出，或对通过所述第二端口230输入的待处理信号进行滤波处理之后通过所述第一端口210输出。

其中，所述连接端口的数量不受限制，如在包括所述第一端口210和所述第二端口230基础上，还可以包括第三端口、第四端口等，根据实际应用需求进行设置即可。

并且，多个所述谐振结构100之间的连接关系也不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，多个所述谐振结构100可以串联连接。又例如，在另一种可以替代的示例中，多个所述谐振结构100也可以并联连接。再例如，在另一种可以替代的示例中，多个所述谐振结构100还可以混合连接(即包括串联连接和并联连接)。

需要说明的是，所述滤波器件10的具体类型不受限制，可以根据实际应用需求进行选择，例如，可以是毫米波滤波器。

结合图2，本申请实施例还提供一种可应用于上述滤波器件10的谐振结构100。其中，所述谐振结构100可以包括屏蔽组件110、谐振组件120和调谐组件130。

详细地，所述屏蔽组件110可以包括第一屏蔽层111和第二屏蔽层113，且该第一屏蔽层111和该第二屏蔽层113相对且间隔设置。所述谐振组件120可以包括谐振柱121和谐振盘123，该谐振盘123与该谐振柱121连接，该谐振柱121位于所述第一屏蔽层111和所述第二屏蔽层113之间，且与该第一屏蔽层111连接。所述调谐组件130可以位于所述谐振盘123与所述第一屏蔽层111之间，且与所述谐振柱121连接。

其中，所述谐振盘123与所述第二屏蔽层113形成第一电容，所述调谐组件130与所述第二屏蔽层113形成第二电容。

基于上述设置，由于在所述谐振盘123与所述第一屏蔽层111之间增加了调谐组件130，使得所述谐振结构100的电容值，由谐振盘123与第二屏蔽层113之间的电容值，增加至调谐组件130和第二屏蔽层113的电容值与谐振盘123和第二屏蔽层113之间的电容值之和。

如此，基于电容值和谐振频率的关系可以知道，由于电容值增加，使得谐振频率可以降低，从而改善了现有技术中因通过改变波长来改变谐振频率而波长受限于谐振结构100的体积，从而使得为了保证谐振结构100的体积较小难以有效地降低谐振结构100的谐振频率，进而导致谐振结构100的应用环境受限的问题，特别是在应用于毫米滤波器时具有显著的应用效果。

对于所述屏蔽组件110需要说明的是，所述屏蔽组件110的具体结构不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，所述屏蔽组件110包括的第一屏蔽层111和第二屏蔽层113可以相对平行设置。又例如，在另一种可以替代的示例中，所述屏蔽组件110包括的第一屏蔽层111和第二屏蔽层113也可以非平行设置，如具有一个较小的倾斜度。

其中，所述第一屏蔽层111和所述第二屏蔽层113的具体结构也不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，所述第一屏蔽层111和所述第二屏蔽层113，可以是一种金属屏蔽结构。又例如，在另一种可以替代的示例中，所述第一屏蔽层111和所述第二屏蔽层113，也可以是具有电磁屏蔽作用的非金属屏蔽结构。

其中，所述第一屏蔽层111和所述第二屏蔽层113既可以是指层状导电结构，也可以是指在其它非导电结构上形成的图形化导电结构。

并且，所述屏蔽组件110在包括所述第一屏蔽层111和所述第二屏蔽层113的基础上，还可以包括其它屏蔽结构，以构成腔体状屏蔽结构。

可选地，上述的其它屏蔽结构的具体构成也不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，为了使得所述屏蔽组件110可以形成封闭的腔体，该屏蔽组件110还可以包括其它屏蔽层。

其中，在一种具体的应用示例中，所述第一屏蔽层111和所述第二屏蔽层113相对的表面为四边形，所述其它屏蔽层可以为4个，从而使得所述第一屏蔽层111、所述第二屏蔽层113和所述其它屏蔽层，能够围合形成封闭的腔体结构，以使该腔体结构内部的容纳空间可以设置所述谐振组件120和所述调谐组件130。

又例如，在另一种可以替代的示例中，结合图3，为了使得所述屏蔽组件110可以形成非封闭的腔体，该屏蔽组件110还可以包括多个屏蔽柱115。

其中，所述多个屏蔽柱115可以间隔设置于所述第一屏蔽层111和所述第二屏蔽层113之间，以围合形成容纳空间，用于对位于该容纳空间的所述谐振组件120和所述调谐组件130进行电磁屏蔽。

并且，上述的其它屏蔽层或屏蔽柱115的具体构成也不受限制，可以根据实际应用需求进行选择，例如，也可以是金属屏蔽层或金属屏蔽柱。

对于所述谐振组件120需要说明的是，所述谐振组件120的具体结构不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，所述谐振组件120包括的谐振柱121和谐振盘123，可以通过端面连接(如图2所示)。又例如，在另一种可以替代的示例中，所述谐振组件120包括的谐振柱121和谐振盘123，也可以通过侧面连接(如图4所示)，只要能够保证所述谐振盘123和所述谐振柱121有效连接即可。

其中，在所述谐振柱121和所述谐振盘123通过端面连接时，基于不同的需求，该谐振柱121既可以是未穿过该谐振盘123，即该谐振柱121延伸至该谐振盘123远离所述第二屏蔽层113的一面。该谐振柱121也可以穿过该谐振盘123，即该谐振柱121可以延伸至该谐振盘123靠近该第二屏蔽层113的一面(或穿过该面)。

可选地，所述谐振柱121和所述谐振盘123之间的相对位置关系也不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，所述谐振柱121和所述谐振盘123之间，可以垂直设置(如图2所示)。又例如，在另一种可以替代的示例中，所述谐振柱121和所述谐振盘123之间，也可以非垂直设置，如端面之间具有一个较小的夹角(如图5所示)。

可选地，所述谐振柱121和所述谐振盘123的具体数量也不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，所述谐振柱121和所述谐振盘123的数量，可以都为一个(如图2所示)。又例如，在另一种可以替代的示例中，所述谐振柱121和所述谐振盘123的数量，也可以为多个，如图6所示，可以为2两个。

可选地，所述谐振柱121和所述谐振盘123的具体构成也不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。例如，在一种可以替代的示例中，所述谐振柱121和所述谐振盘123，可以分别是金属柱和金属盘。

其中，所述金属柱的具体形状也不受限制，也可以根据实际应用需求进行选择。例如，可以包括，但不限于，金属圆柱或金属方柱等规则或不规则的柱状结构。

并且，所述金属盘的具体形状不受限制，例如，可以包括，但不限于，金属圆盘、金属方盘等规则或不规则的盘状结构。

可选地，所述谐振柱121与所述第一屏蔽层111之间的相对位置关系也不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，所述谐振柱121与所述第一屏蔽层111可以垂直设置，即该谐振柱121的一端设置于该第一屏蔽层111、另一端沿垂直于该第一屏蔽层111的方向延伸(其中，在该谐振柱121垂直于所述谐振盘123时，也是沿垂直于该谐振盘123的方向延伸，使得该第一屏蔽层111和该谐振盘123平行设置)。

对于所述调谐组件130需要说明的是，该调谐组件130与所述谐振盘123和所述第二屏蔽层113之间的具体位置关系不受限制。

首先，所述调谐组件130与所述谐振盘123之间的距离位置关系不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，所述谐振盘123可以设置于所述调谐组件130与所述第二屏蔽层113的中间位置。

也就是说，所述调谐组件130与所述谐振盘123之间的距离为第一距离，所述谐振盘123与所述第二屏蔽层113之间的距离为第二距离，该第一距离等于该第二距离。

又例如，在另一种可以替代的示例中，所述谐振盘123也可以设置于所述调谐组件130与所述第二屏蔽层113的非中间位置。也就是说，基于上述的示例，第一距离不等于第二距离。

其次，所述调谐组件130与所述谐振盘123和所述第二屏蔽层113之间的相对位置关系也不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，为了保证所述调谐组件130能够有效地提高所述谐振结构100的电容值，所述调谐组件130与所述谐振盘123可以平行设置，且该谐振盘123也可以与所述第二屏蔽层113平行设置。

也就是说，在所述第二屏蔽层113也平行于所述第一屏蔽层111时，该第一屏蔽层111、该第二屏蔽层113、所述谐振盘123和所述调谐组件130，可以平行设置。

又例如，在另一种可以替代的示例中，所述调谐组件130与所述谐振盘123可以非平行设置(如具有一个较小的倾斜度)，同样地，该谐振盘123也可以与所述第二屏蔽层113非平行设置(如具有一个较小的倾斜度)。

进一步地，在上述第二屏蔽层113、谐振盘123和调谐组件130平行设置的基础上，所述调谐组件130在垂直于该调谐组件130的方向上的投影与所述谐振盘123在该方向上的投影重合，且被所述第二屏蔽层113在该方向上的投影覆盖。

也就是说，所述调谐组件130与所述谐振盘123可以等大小(尺寸)，且正对设置。

可以理解的是，在一些示例中，所述调谐组件130与所述谐振盘123之间，也可以非等大小设置。其中，若该调谐组件130的尺寸大于该谐振盘123的尺寸，在垂直于该调谐组件130的方向上，该调谐组件130的投影可以覆盖该谐振盘123的投影；若该调谐组件130的尺寸小于该谐振盘123的尺寸，在垂直于该调谐组件130的方向上，该谐振盘123的投影可以覆盖该调谐组件130的投影。

基于同样地理由，为了使得所述调谐组件130对所述谐振结构100的电容值提升具有更大的作用，以充分降低该谐振结构100的谐振频率，在上述第二屏蔽层113、谐振盘123和调谐组件130平行设置的基础上，结合图7，所述调谐组件130可以为多个。

其中，多个所述调谐组件130可以平行设置，且间隔分布于所述谐振盘123与所述第一屏蔽层111之间。例如，若所述调谐组件130为4个，分别为第一调谐组件、第二调谐组件、第三调谐组件和第四调谐组件。如此，在从所述谐振盘123至所述第一屏蔽层111的方向上，可以依次间隔设置第一调谐组件、第二调谐组件、第三调谐组件和第四调谐组件。

并且，在所述调谐组件130为多个时，多个调谐组件130、所述谐振盘123和所述第二屏蔽层113也可以等间距设置。

详细地，在一种具体的应用示例中，基于前述调谐组件130为4个的示例，所述第二屏蔽层113与所述谐振盘123之间的距离、所述谐振盘123与所述第一调谐组件之间的距离、所述第一调谐组件与所述第二调谐组件之间的距离、所述第二调谐组件与所述第三调谐组件之间的距离、所述第三调谐组件与所述第四调谐组件之间的距离，都相等。

可选地，所述调谐组件130与所述谐振柱121之间的具体连接关系不受限制，也可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，所述调谐组件130与所述谐振柱121之间，可以通过侧面连接(如图8所示)。又例如，在另一种可以替代的示例中，所述调谐组件130与所述谐振柱121之间，也可以通过端面连接(如图2所示)。

其中，在所述调谐组件130与所述谐振柱121通过端面连接时，所述谐振柱121的一端与所述第一屏蔽层111连接、另一端沿靠近所述第二屏蔽层113的方向延伸，且穿过该调谐组件130后延伸至所述谐振盘123，并与该谐振盘123连接。

对于所述调谐组件130还需要说明的是，基于所述调谐组件130的连接对象的不同，还可以对该调谐组件130进行分类。

详细地，在上述屏蔽组件110包括屏蔽柱115的示例的基础上，为了进一步便于对所述谐振结构100的谐振频率进行调节，所述调谐组件130还可以与该屏蔽柱115连接(如此，可以缩小所述屏蔽组件构成的谐振腔体的体积，从而提升谐振频率)。基于此，所述调谐组件130可以分为第一调谐结构131和第二调谐结构133。

其中，所述第一调谐结构131可以为一个或多个，所述第二调谐结构133也可以为一个或多个。所述第一调谐结构131可以与所述谐振柱121连接(如上述示例中的第一调谐组件、第二调谐组件、第三调谐组件和第四调谐组件)，所述第二调谐结构133可以与所述屏蔽柱115连接(如图9所示，该第二调谐结构133可以套设于该屏蔽柱115)。

可选地，所述调谐组件130的具体构成也不受限制，也可以根据实际应用需求进行选择，例如，该调谐组件130也可以是金属盘，如金属圆盘或金属方盘等盘状结构。

需要说明的是，在所述第一屏蔽层111和所述第二屏蔽层113之间(如上述示例中，腔体结构形成的容纳空间)，还可以填充介质材料。

其中，上述的介质材料的具体类型不受限制，可以根据实际应用需求进行选择，例如，可以包括，但不限于介电常数为3.0、3.5或4.0等的介质。

可以理解的是，在上述示例中，针对每一个所述谐振柱121，基于一定的制作工艺，该谐振柱121的不同部分，在该谐振柱121的延伸方向上的投影既可以全部重合，也可以部分重合，只要能够保证相邻部分连接即可。

同理，针对每一个所述屏蔽柱115，基于一定的制作工艺，该屏蔽柱115的不同部分，在该屏蔽柱115的延伸方向上的投影既可以全部重合，也可以部分重合，只要能够保证相邻部分连接即可。

并且，在上述的示例中，“多个”是指，两个及以上。

基于上述的示例，为了说明所述调谐组件130的存在可以对所述谐振结构100的谐振频率起到调节(如降低)作用，本实施例还提供一种具体的应用示例，具体内容如下所述。

结合图10，所述屏蔽组件110包括第一金属屏蔽层、第二金属屏蔽层和多个金属屏蔽柱，所述谐振结构100包括一个金属谐振柱和一个金属谐振盘，所述调谐组件130为一个金属调谐盘。

其中，金属谐振盘和金属调谐盘等大小、投影重合设置，直径都为200um、厚度都为10um。金属调谐盘与金属谐振盘之间的距离为50um，该金属谐振盘与第二金属屏蔽层之间的距离也为50um。

将上述谐振结构100与不具备所述调谐组件130的谐振结构(如图11所示)进行仿真分析，可以得到如图12所示的谐振频率偏移效果。

综上所述，本申请提供的谐振结构100和滤波器件10，通过在屏蔽组件110和谐振组件120的基础上增加调谐组件130，使得在基于谐振盘123与第二屏蔽层113形成第一电容的基础上，还可以基于调谐组件130与第二屏蔽层113形成第二电容，以提高该谐振结构100的电容值，从而降低该谐振结构100的谐振频率。如此，可以在有效降低谐振结构100的谐振频率的基础上，不用增加谐振结构100的体积，从而改善现有技术中为了保证谐振结构100有较小的体积而导致谐振结构100的谐振频率难以有效降低的问题，因而，较高的实用价值，特别是在小型器件的应用环境中具有较好的应用效果。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种谐振结构，其特征在于，包括：

屏蔽组件，该屏蔽组件包括第一屏蔽层和第二屏蔽层，该第一屏蔽层和该第二屏蔽层相对且间隔设置；

谐振组件，该谐振组件包括谐振柱和与该谐振柱连接的谐振盘，该谐振柱位于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间，且与该第一屏蔽层连接，该谐振盘与该第二屏蔽层形成第一电容；

调谐组件，该调谐组件位于所述谐振盘与所述第一屏蔽层之间，且与所述谐振柱连接，用于与所述第二屏蔽层形成第二电容。

2.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述调谐组件与所述谐振盘平行设置，且该谐振盘与所述第二屏蔽层平行设置。

3.根据权利要求2所述的谐振结构，其特征在于，所述调谐组件在垂直于该调谐组件的方向上的投影与所述谐振盘在该方向上的投影重合，且被所述第二屏蔽层在该方向上的投影覆盖。

4.根据权利要求3所述的谐振结构，其特征在于，所述调谐组件为多个，多个所述调谐组件平行设置，且间隔分布于所述谐振盘与所述第一屏蔽层之间。

5.根据权利要求2所述的谐振结构，其特征在于，所述调谐组件与所述谐振盘之间的距离为第一距离，该谐振盘与所述第二屏蔽层之间的距离为第二距离，该第一距离等于该第二距离。

6.根据权利要求2所述的谐振结构，其特征在于，所述谐振柱沿垂直于所述谐振盘的方向延伸设置，且垂直于所述第一屏蔽层。

7.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述谐振柱的一端与所述第一屏蔽层连接、另一端沿靠近所述第二屏蔽层的方向延伸，且穿过所述调谐组件后延伸至所述谐振盘，并与该谐振盘远离所述第二屏蔽层的一侧连接。

8.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述第一屏蔽层、所述第二屏蔽层、所述谐振柱、所述谐振盘和所述调谐组件，为金属结构。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的谐振结构，其特征在于，所述屏蔽组件还包括多个屏蔽柱，所述多个屏蔽柱间隔设置于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间，以围合形成容纳空间，用于对位于该容纳空间的所述谐振组件和所述调谐组件进行电磁屏蔽；

所述调谐组件包括第一调谐结构和第二调谐结构，该第一调谐结构与所述谐振柱连接，该第二调谐结构与所述屏蔽柱连接。

10.一种滤波器件，其特征在于，包括：

连接端口，该连接端口包括第一端口和第二端口；

权利要求1-9任意一项所述的谐振结构，该谐振结构为多个，且分别连接于所述第一端口与所述第二端口之间，用于对通过所述第一端口输入的待处理信号进行滤波处理之后通过所述第二端口输出，或对通过所述第二端口输入的待处理信号进行滤波处理之后通过所述第一端口输出。

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