CN111293201B - 用于激光剥离的半导体结构以及半导体结构的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用于激光剥离的半导体结构以及用于激光剥离的半导体结构的制备方法，通过在外延层靠近衬底侧设置反射层，在利用激光使衬底剥离过程中依靠该反射层对激光进行反射和能量的消耗，达到保护外延层的作用，可以有效的解决利用激光使衬底剥离的过程中产生的冲击导致外延层不同程度损坏的问题。其中用于激光剥离的半导体结构包括：外延层；反射层，与外延层相连接，用于在利用激光使衬底剥离时对接收到的激光进行反射。

Description

用于激光剥离的半导体结构以及半导体结构的制备方法

技术领域

本发明涉及LED芯片制造领域，具体涉及一种用于激光剥离的半导体结构以及用于激光剥离的半导体结构的制备方法。

背景技术

随着显示设备的日渐普及，LED的需求日益增长。LED芯片的一种制备方法是使用激光剥离技术将衬底与外延层剥离，在现有的剥离过程中，激光照在外延层时由于外延层消耗激光能量会产生高温，导致氮化镓气化从而产生冲击，因此导致外延层破裂，器件失效或漏电情况，最终导致器件的成品率和可靠性大幅降低。

因此，亟待提供一种有效解决激光剥离过程中产生的冲击导致外延层不同程度损坏的问题的技术。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种用于激光剥离的半导体结构以及用于激光剥离的半导体结构的制备方法，可以有效的解决激光剥离过程中产生的冲击导致外延层不同程度损坏的问题。

根据本发明的一个方面，提供一种用于激光剥离的半导体结构，包括：外延层；反射层，与外延层相连接，用于在利用激光使衬底剥离时对接收到的激光进行反射。

可选地，半导体结构还包括：衬底、缓冲层和连接层，其中缓冲层位于衬底和反射层之间，连接层位于反射层和外延层之间，用于连接反射层和外延层。

在一实施例中，缓冲层设置有凹槽，其中凹槽和外延层在连接层上的投影面积相同，凹槽用于容纳反射层，连接层覆盖缓冲层和反射层。

在一实施例中，反射层为光导纤维层，优选地，光导纤维层包括纳米氧化硅纤维、水溶性聚苯乙烯纳米微球、丙二醇甲醚醋酸酯、聚硅氧烷聚合物以及芳基烷氧基硅烷中的至少一种。

在一实施例中，反射层为热致相变层，优选地，热致相变层包括醋酸盐或含矾的醇盐。

根据本发明的另一个方面，提供一种用于激光剥离的半导体结构的制备方法，包括：在衬底上形成反射层，其中反射层用于在利用激光将衬底剥离时对接收到的激光进行反射；在反射层上形成外延层。

在一实施例中，制备方法还包括：在衬底与反射层之间形成缓冲层；以及在反射层与外延层之间形成连接层，用于连接反射层和外延层。

在一实施例中，在衬底上形成反射层，包括：在缓冲层上刻蚀形成凹槽，其中凹槽和外延层在连接层上的投影面积相同；以及在凹槽中形成反射层。

在一实施例中，反射层为光导纤维层，在衬底上形成反射层，包括：对纳米氧化硅纤维、水溶性聚苯乙烯纳米微球、丙二醇甲醚醋酸酯、聚硅氧烷聚合物以及芳基烷氧基硅烷中的至少一种进行混合，并将混合后的溶液作为光导纤维的溶胶，以形成反射层，或将包含矾的醇盐或醋酸盐进行水解，并将水解后的溶液作为热致相变的溶胶，以形成反射层。

在一实施例中，丙二醇甲醚醋酸酯的质量分数为50％、聚硅氧烷聚合物的质量分数为15％-25％以及芳基烷氧基硅烷的质量分数为5％，纳米氧化硅纤维的尺寸为50nm-200nm、水溶性聚苯乙烯纳米微球的直径为1μm-2μm。

本发明的实施例提供的用于激光剥离的半导体结构以及用于激光剥离的半导体结构的制备方法，通过在外延层靠近衬底侧设置有反射层，在激光剥离过程中依靠该反射层对激光的反射和能量的消耗，达到保护外延层的作用，可以有效的解决激光剥离过程中产生的冲击导致外延层不同程度损坏的问题。

附图说明

图1所示为本发明一实施例提供的用于激光剥离的半导体结构的结构示意图。

图2所示为本发明另一实施例提供的用于激光剥离的半导体结构的结构示意图。

图2a所示为本发明另一实施例提供的用于激光剥离的半导体结构的结构示意图。

图3所示为本发明一实施例提供的用于激光剥离的半导体结构的制备方法的流程示意图。

图4所示为本发明一示例性实施例提供的用于激光剥离的半导体结构的制备方法以及激光剥离方法的流程示意图。

图5所示为本发明另一示例性实施例提供的用于激光剥离的半导体结构的制备方法以及激光剥离方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1是本发明一实施例提供的用于激光剥离的半导体结构的结构示意图，包括：外延层120和反射层110。在本实施例中，用于激光剥离的半导体结构的结构可以是利用激光使衬底剥离的结构，在剥离过程前，该结构还可以包括衬底、缓冲层等，在剥离过程后，衬底被剥离，只留下外延层120和反射层110。

外延层120是LED显示器件中不可或缺的部分，可以包含多层量子阱等。需要了解的是，外延层120可以是在衬底上生长出来的，衬底可以是例如蓝宝石材料，蓝宝石是现在用于制备氮化镓(GaN)常见的衬底材料，其优点是在高温下具有很好的稳定性、制备的工艺也相对成熟并且具有很好的经济性。在本实施例中，由于设置了反射层110，因此外延层120与反射层110之间还可以设置连接层，连接层可由氮化镓构成，也可以是其他可用作两层之间连接作用的材料。

反射层110可以直接与外延层120相连接，也可以通过氮化镓层实现与外延层120的连接，在反射层110与衬底之间，还可以设置有缓冲层，缓冲层可以由氮化镓构成。由于在剥离过程中，激光作用在氮化镓和蓝宝石界面上使氮化镓分解，从而将氮化镓和蓝宝石分离，因此反射层用于在激光剥离过程中，可以对激光进行反射，从而达到保护外延层不受由激光所产生的冲力的损坏。

在本发明的实施例中，由于设置有反射层，可以对激光进行反射，还可以适当消耗激光所产生的能量，从而减少在激光剥离的过程中，位于反射层与衬底之间的氮化镓缓冲层消耗激光的能量而气化所产生的冲击，达到避免外延层破裂器件失效或漏电等情况导致器件的成品率和可靠性大幅降低的目的。

如图2所示为本发明另一实施例提供的用于激光剥离的半导体结构的结构示意图，在该实施例中，用于激光剥离的半导体结构还包括：衬底210、缓冲层220和连接层240，其中缓冲层220位于衬底210和反射层230之间，连接层240位于反射层230和外延层250之间，用于连接反射层230和外延层250。

具体来说，衬底210可以使用例如蓝宝石，在蓝宝石衬底上生长出氮化镓缓冲层，生长的方式可以使用例如金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD，Metal-organic ChemicalVapor Deposition)技术进行制备。在缓冲层220上，可以设置反射层230，用于在激光剥离的过程中，对激光进行反射，并且消耗激光部分能量，达到保护外延层的作用。由于本实施例中存在反射层230，为了避免反射层230与外延层250的连接出现问题，可以在反射层上制备氮化镓连接层，氮化镓可以使用例如磁控溅射加自组装反应式的方式制备，最后在氮化镓连接层上，使用常规方式制备外延层即可。

本实施例中的方案在反射层和外延层之间设置了连接层，使得反射层和外延层可以更好的连接在一起，增加了半导体结构的稳定性。

在一实施例中，缓冲层设置有凹槽，其中凹槽和外延层在连接层上的投影面积相同，凹槽用于容纳反射层，连接层覆盖缓冲层和反射层。

简单来说，如图2a所示，本实施例是在图2中的缓冲层220(例如氮化镓缓冲层)上设置了一个凹槽，该凹槽的面积与外延层250在连接层240上的投影面积相同，该外延层250的结构及面积可以依据本领域的技术人员进行调整，只要是外延层250的面积不大于衬底210(例如蓝宝石)的方案都应属于本发明的保护范围。之后将反射层230通过例如磁控溅射加自组装反应式制备在氮化镓缓冲层220的凹槽中，此时嵌入在缓冲层220中的反射层230与氮化镓缓冲层220在远离蓝宝石衬底210的一侧的面应该处于同一水平面上，以保证反射层230与缓冲层220可以同时与氮化镓连接层240相接触，之后再在氮化镓连接层240上制备外延层250即可。

本发明的实施例可以有效的节省反射层230和外延层250的制备材料，并且可以实现定制化结构或形状的激光剥离。

在一实施例中，反射层为光导纤维层，优选地，光导纤维层包括纳米氧化硅纤维、水溶性聚苯乙烯纳米微球、丙二醇甲醚醋酸酯、聚硅氧烷聚合物以及芳基烷氧基硅烷中的至少一种。

具体来说，反射层可以用于反射激光和消耗激光能量，因此反射层想要实现这两个效果，可以通过制备光导纤维层来达成。制备光导纤维层中，可以加入纳米氧化硅纤维和聚苯乙烯微球，其中纳米氧化硅纤维可以用于反射激光，而水溶性聚苯乙烯微球可以用于消耗激光能量。而光导纤维的溶液凝胶可以使用丙二醇甲醚醋酸酯、聚硅氧烷聚合物以及芳基烷氧基硅烷中的混合溶液进行制备。

应用上述方法制成的光导纤维层(反射层)，可以在反射激光的同时，对激光的能量进行消耗，使得反射层可以最大程度的避免外延层在激光剥离过程中的损坏。

在一实施例中，反射层为热致相变层，包括醋酸盐或醇盐，其中醇盐包含矾。

具体地，反射层可以吸收激光的能量并反射激光，因此反射层想要实现这个效果，可以通过制备热致相变层来实现。在制备热致相变层时，可以将含矾的醇盐或者醋酸盐水解，水解后沉淀形成溶液凝胶，然后将溶液凝胶涂布在氮化镓缓冲层上，之后将溶液凝胶烘干，最后固化成膜，形成热致相变层。

由于热致相变层在常温下为单斜晶体结构，禁带宽度为0.7电子伏特，相对应的截止波长约等于1.8μm，对激光具有较高的透射能力。在该热致相变层受到激光照射时，温度会不断升高，当达温度为68摄氏度时，在纳秒级的时间内会发生突变，该突变会使得热致相变层在电阻率、透光率、磁化率等发生变化，由单斜晶体结构变为四方晶体结构，从而起到阻挡光热辐射的作用，使得反射层可以最大程度的避免外延层在激光剥离过程中的损坏。

在一实施例中，外延层包括LED发光结构、电池结构或存储结构。

具体地，外延层可以包括LED发光结构、电池结构、存储结构或其他的半导体结构，凡是在可用于激光剥离的衬底之上，经由金属有机化合物化学气相沉积技术形成的例如发光结构、电池结构或存储结构等半导体结构都应属于本发明的保护范围内。

图3所示为本发明一实施例提供的用于激光剥离的半导体结构的制备方法的流程示意图，提供一种用于激光剥离的半导体结构的制备方法，包括：

310：在衬底上形成反射层，其中反射层用于在利用激光将衬底剥离时对接收到的激光进行反射。

具体地，衬底可以是例如蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上可以先形成氮化镓缓冲层，然后在氮化镓缓冲层上形成反射层，反射层用于在激光剥离过程中，对激光进行反射。

320：在反射层上形成外延层。

在反射层上可以制备外延层，也可以为了使得反射层和外延层更好的连接在一起，先在反射层上制备连接层，然后在制备外延层。

激光剥离的原理是利用外延层材料与蓝宝石材料对激光具有不同的吸收效率。蓝宝石具有较高的带隙能量，因此蓝宝石对于激光是透明的，而氮化镓则会强烈吸收激光的能量。激光可以穿过蓝宝石达到氮化镓缓冲层，在氮化镓与蓝宝石的接触面进行激光剥离，这将产生一个局部的爆炸冲击波，使得在该处的氮化镓与蓝宝石分离。反射层的作用是在进行该激光剥离的过程中，反射层可以反射激光以及消耗激光的能量，从而减少和避免冲击波对外延层的影响，以达到保护外延层的目的。

在一实施例中，制备方法还包括：在衬底与反射层之间形成缓冲层；以及在反射层与外延层之间形成连接层，用于连接反射层和外延层。

如图3中的描述，在蓝宝石衬底和反射层之间可以设置氮化镓缓冲层，用于在激光剥离的过程中，使得氮化镓吸收激光的能量，气化产生冲击波，将蓝宝石衬底与反射层以及反射层上的其他层剥离。氮化镓缓冲层可以利用例如金属有机化合物化学气相沉积技术进行制备。金属有机化合物化学气相沉积技术制备氮化镓过程中，三甲基镓作为金属有机源，氨气作为氮源并以氢气和氮气或者这两种气体的混合气体作为载气，将反应物载入反应腔并在一定温度下发生反应，生成相应薄膜材料的分子团，在衬底表面上吸附、成核、生长，最后形成所需的氮化镓缓冲层。

而剥离后的半导体结构应该至少包括反射层、连接层以及外延层，在反射层和外延层之间设置连接层的目的是可以将反射层与外延层更好的连接在一起。连接层可以是氮化镓连接层，氮化镓连接层可以使用例如磁控溅射加自组装反应式的方式制备，磁控溅射加自组装反应式是利用溅射法将氧化嫁沉积到位于硅基底上的碳化硅中间层上，然后令其与氨气反应形成质量较好的氮化镓晶体膜。

在本实施例中的有益效果是：氮化镓缓冲层可以起到使得激光剥离过程中更加顺利的将蓝宝石衬底与反射层及以上的结构剥离的效果，氮化镓连接层可以起到将反射层与外延层更好的连接在一起的效果。

在一实施例中，在衬底上形成反射层，包括：在缓冲层上刻蚀形成凹槽，其中凹槽和外延层在连接层上的投影面积相同；以及在凹槽中形成反射层。

具体地，在利用例如金属有机化合物化学气相沉积技术制备了氮化镓缓冲层后，在该氮化镓缓冲层上进行刻蚀，以形成一个与外延层结构相当的凹槽，该凹槽的面积可以与外延层在氮化镓连接层上的投影面积相同。之后在该凹槽内，形成反射层，该反射层可以是光导纤维层。具体地，在将光导纤维层的溶液凝胶涂布在该凹槽中，之后对溶液凝胶进行烘干，最后固化成光导纤维膜。

在本实施例中，反射层被制作在氮化镓缓冲层的凹槽内，可以有效的节省制作反射层的材料，并且在制备之后的外延层时，也可以节省一部分的材料，凹槽的形状和大小也可以根据本领域的普通技术人员的需求进行调整，达到了定制化和节省成本的目的。

在一实施例中，反射层为光导纤维层，在衬底上形成反射层，包括：对纳米氧化硅纤维、水溶性聚苯乙烯纳米微球、丙二醇甲醚醋酸酯、聚硅氧烷聚合物以及芳基烷氧基硅烷中的至少一种进行混合，并将混合后的溶液作为光导纤维的溶胶，以形成反射层。

如上述所述，反射层可以是光导纤维层，光导纤维层的制备可以是通过对纳米氧化硅纤维、水溶性聚苯乙烯纳米微球、丙二醇甲醚醋酸酯、聚硅氧烷聚合物以及芳基烷氧基硅烷进行混合，形成光导纤维的溶液凝胶，然后涂布在所需的位置，进行烘干并固化成光导纤维膜。

在光导纤维膜的溶液凝胶中，加入了纳米氧化硅纤维和水溶性聚苯乙烯纳米微球，其中纳米氧化硅纤维可以用于反射激光，而水溶性聚苯乙烯微球可以用于消耗激光能量，使得该反射层可以在反射激光的同时，对激光的能量进行消耗，可以最大程度的避免外延层在激光剥离过程中的损坏。

在一实施例中，丙二醇甲醚醋酸酯的质量分数为50％、聚硅氧烷聚合物的质量分数为15％-25％以及芳基烷氧基硅烷的质量分数为5％，纳米氧化硅纤维的尺寸为50nm-200nm、水溶性聚苯乙烯纳米微球的直径为1μm-2μm。

使用该比例混合而成的光导纤维层溶液凝胶，可以最大程度的达到反射激光和消耗激光能量的目的。

在一实施例中，反射层为热致相变层，在衬底上形成反射层，包括：将包含矾的醇盐或醋酸盐进行水解，并将水解后的溶液作为热致相变的溶胶，以形成反射层。

具体地，反射层可以吸收激光的能量并反射激光，因此反射层想要实现这个效果，可以通过制备热致相变层来实现。在制备热致相变层时，可以将含矾的醇盐或者醋酸盐水解，水解后沉淀形成溶液凝胶，然后将溶液凝胶涂布在氮化镓缓冲层上，之后将溶液凝胶烘干，最后固化成膜，形成热致相变层。

由于热致相变层在常温下为单斜晶体结构，禁带宽度为0.7电子伏特，相对应的截止波长约等于1.8μm，对激光具有较高的透射能力。在该热致相变层受到激光照射时，温度会不断升高，当达温度为68摄氏度时，在纳秒级的时间内会发生突变，该突变会使得热致相变层在电阻率、透光率、磁化率等发生变化，由单斜晶体结构变为四方晶体结构，从而起到阻挡光热辐射的作用，使得反射层可以最大程度的避免外延层在激光剥离过程中的损坏。

在一实施例中，在反射层上形成外延层之后，还包括：调整激光的角度，使得激光在反射层上产生全反射，以使衬底剥离。

在激光剥离的过程中，激光作用在氮化镓和蓝宝石界面上使氮化镓分解，从而将氮化镓和蓝宝石分离，达到剥离的目的。在使用激光剥离的过程中，由于在氮化镓缓冲层和氮化镓连接层之间设置了反射层，反射层用于反射激光和消耗激光的能量，因此我们需要充分利用反射层的特征进行激光剥离。

具体的操作是适当调整激光的角度，直到激光射到光导纤维层时，只有反射光而没有折射光，此时激光达到在光导纤维层上产生全反射的临界角，激光无法透过光导纤维层，全部反射给氮化镓缓冲层，此时进行激光剥离可以有效保证激光能量作用在氮化镓缓冲层上，顺利的进行蓝宝石衬底的剥离，并且可以保护外延层不受到激光的损伤。可以有效的解决激光剥离过程中产生的冲击导致外延层不同程度损坏的问题。

在一实施例中，外延层包括LED发光结构、电池结构或存储结构。

具体地，外延层可以包括LED发光结构、电池结构、存储结构或其他的半导体结构，凡是在可用于激光剥离的衬底之上，经由金属有机化合物化学气相沉积技术形成的例如发光结构、电池结构或存储结构等半导体结构都应属于本发明的保护范围内。

图4所示为本发明一示例性实施例提供的用于激光剥离的半导体结构的制备方法以及激光剥离方法的流程示意图，包括：

410：在蓝宝石衬底上，利用金属有机化合物化学气相沉积技术制备氮化镓缓冲层。

氮化镓缓冲层可以利用例如金属有机化合物化学气相沉积技术进行制备。金属有机化合物化学气相沉积技术制备氮化镓的过程使用如前述的方法，再次不再赘述。

420：在氮化镓缓冲层上，将纳米氧化硅纤维、水溶性聚苯乙烯纳米微球、丙二醇甲醚醋酸酯、聚硅氧烷聚合物以及芳基烷氧基硅烷混合制成光导纤维层的溶液凝胶，并将该溶液凝胶涂布在氮化镓缓冲层上，之后烘干，最后固化成膜，形成该光导纤维层(反射层)。

使用比例为丙二醇甲醚醋酸酯的质量分数为50％、聚硅氧烷聚合物的质量分数为15％-25％以及芳基烷氧基硅烷的质量分数为5％，纳米氧化硅纤维的尺寸为50nm-200nm、水溶性聚苯乙烯纳米微球的直径为1μm-2μm来制备光导纤维层的溶液凝胶，使用该比例混合而成的光导纤维层溶液凝胶，可以最大程度的达到反射激光和消耗激光能量的目的。

430：在光导纤维层上，利用磁控溅射加自组装反应式的方式制备氮化镓连接层。

磁控溅射加自组装反应式是利用溅射法将氧化嫁沉积到位于硅基底上的碳化硅中间层上，然后令其与氨气反应形成质量较好的氮化镓晶体膜。

440：在氮化镓连接层上，制备外延层及其他结构。

外延层的生长可以使用例如气相外延、液相外延或分子束外延等方法，在此不再赘述。

450：在激光剥离过程中，调整激光射到与光导纤维层的角度，以在激光达到全反射的情况下进行剥离。

在激光剥离的过程中，适当调整激光的角度，直到激光射到光导纤维层时，只有反射光而没有折射光，此时激光达到在光导纤维层上产生全反射的临界角，激光无法透过光导纤维层，全部反射给氮化镓缓冲层，此时进行激光剥离可以有效保证激光能量作用在氮化镓缓冲层上，顺利的进行蓝宝石衬底的剥离，并且可以保护外延层不受到激光的损伤。

本实施例中，在氮化镓缓冲层上制备了光导纤维层，以达到反射激光以及消耗激光能量的目的。又因为存在光导纤维层，因此为了使得光导纤维层与外延层的连接更加稳定，在光导纤维层和外延层之间还加入了氮化镓连接层。整个用于激光剥离的半导体结构的制备方法以及激光剥离方法对激光剥离时产生的冲击力进行了最大程度的抑制，从而可以保护外延层，避免冲击力导致的外延层破裂，器件失效或漏电导致的器件的成品率和可靠性大幅降低的问题。

图5所示为本发明另一示例性实施例提供的用于激光剥离的半导体结构的制备方法以及激光剥离方法的流程示意图，包括：

510：在蓝宝石衬底上，利用金属有机化合物化学气相沉积技术制备氮化镓缓冲层。

氮化镓缓冲层可以利用例如金属有机化合物化学气相沉积技术进行制备。

520：在氮化镓缓冲层上，将含矾的醇盐或者醋酸盐水解，水解后沉淀形成溶液凝胶，然后将溶液凝胶涂布在氮化镓缓冲层上，之后将溶液凝胶烘干，最后固化成膜，形成热致相变层(反射层)。

制备热致相变层的目的是在后面的激光剥离过程中，吸收并反射激光所产生的能量，保护外延层不受到激光的损害。

530：在热致相变层上，利用磁控溅射加自组装反应式的方式制备氮化镓连接层。

磁控溅射加自组装反应式是利用溅射法将氧化嫁沉积到位于硅基底上的碳化硅中间层上，然后令其与氨气反应形成质量较好的氮化镓晶体膜。

540：在氮化镓连接层上，制备外延层及其他结构。

外延层的生长可以使用例如气相外延、液相外延或分子束外延等方法，在此不再赘述。

550：使用激光进行剥离。

在激光剥离的过程中，由于热致相变层在常温下为单斜晶体结构，禁带宽度为0.7电子伏特，相对应的截止波长约等于1.8μm，对激光具有较高的透射能力。在该热致相变层受到激光照射时，温度会不断升高，当达温度为68摄氏度时，在纳秒级的时间内会发生突变，该突变会使得热致相变层在电阻率、透光率、磁化率等发生变化，由单斜晶体结构变为四方晶体结构，从而起到阻挡光热辐射的作用，使得反射层可以最大程度的避免外延层在激光剥离过程中的损坏。

本实施例中，在氮化镓缓冲层上制备了热致相变层，以达到反射激光以及消耗激光能量的目的。又因为存在热致相变层，因此为了使得热致相变层与外延层的连接更加稳定，在热致相变层和外延层之间还加入了氮化镓连接层。整个用于激光剥离的半导体结构的制备方法以及激光剥离方法对激光剥离时产生的冲击力进行了最大程度的抑制，从而可以保护外延层，避免冲击力导致的外延层破裂，器件失效或漏电导致的器件的成品率和可靠性大幅降低的问题。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (6)

1.一种用于激光剥离的半导体结构，其特征在于，包括：

外延层；

反射层，与所述外延层相连接，用于在利用激光使衬底剥离时对接收到的激光进行反射；

所述反射层为光导纤维层，所述光导纤维层由纳米氧化硅纤维、水溶性聚苯乙烯纳米微球、丙二醇甲醚醋酸酯、聚硅氧烷聚合物以及芳基烷氧基硅烷组成；其中，所述聚硅氧烷聚合物的质量分数为15-25％，所述丙二醇甲醚醋酸酯的质量分数为50％，芳基烷氧基硅烷的质量分数为5％，所述纳米氧化硅纤维的尺寸为50nm-200nm，所述水溶性聚苯乙烯纳米微球的直径为1μm-2μm。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：衬底、缓冲层和连接层，其中所述缓冲层位于所述衬底和所述反射层之间，所述连接层位于所述反射层和所述外延层之间，用于连接所述反射层和所述外延层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层设置有凹槽，其中所述凹槽和所述外延层在所述连接层上的投影面积相同，所述凹槽用于容纳所述反射层，所述连接层覆盖所述缓冲层和所述反射层。

4.一种用于激光剥离的半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成反射层，其中所述反射层用于在利用激光将所述衬底剥离时对接收到的激光进行反射；

在所述反射层上形成外延层；

所述反射层为光导纤维层，所述在衬底上形成反射层，包括：

对纳米氧化硅纤维、水溶性聚苯乙烯纳米微球、丙二醇甲醚醋酸酯、聚硅氧烷聚合物以及芳基烷氧基硅烷进行混合，其中所述聚硅氧烷聚合物的质量分数为15-25％，所述丙二醇甲醚醋酸酯的质量分数为50％，芳基烷氧基硅烷的质量分数为5％，所述纳米氧化硅纤维的尺寸为50nm-200nm，所述水溶性聚苯乙烯纳米微球的直径为1μm-2μm；并将混合后的溶液作为所述光导纤维的溶胶，以形成所述反射层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述衬底与所述反射层之间形成缓冲层；以及

在所述反射层与外延层之间形成连接层，用于连接所述反射层和所述外延层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成反射层，包括：

在所述缓冲层上刻蚀形成凹槽，其中所述凹槽和所述外延层在所述连接层上的投影面积相同；以及

在所述凹槽中形成所述反射层。

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