CN111290465A - 低压差稳压装置 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种低压差稳压装置。该装置包括：模式调整模块Mode Sel、误差放大器A1、增益放大器Gm2、第一开关k1、第一电容C1、第一电阻R1、第一MOS管MOS1、第二开关k2、第二MOS管MOS2、第二电阻R2、第三电阻R3，该装置的工作模式包括正常工作模式和休眠工作模式。本公开实施例所提供的低压差稳压装置，具有正常工作模式和休眠工作模式，可以满足安装有该装置的设备的不同工作状态的需求，其正常工作模式可以满足设备正常工作状态下的电压稳定需求，其休眠工作模式可以满足设备低功耗状态下的电压稳定需求。

Description

低压差稳压装置

技术领域

本公开涉及电子技术领域，尤其涉及一种低压差稳压装置。

背景技术

低压差稳压器(Low-dropout regulator，简称LDO)，又称低压差线性稳压器、低压降稳压器，是线性直流稳压器的一种，用于提供稳定的直流电压电源。相比于一般线性直流稳压器，低压差稳压器能于更小输出输入电压差的情况下工作。相关技术中，所提供的低压差稳压器的工作模式单一，不能满足设备在不同状态下对低压差稳压器的稳压需求。

发明内容

有鉴于此，本公开提出了一种低压差稳压装置，以满足设备在不同状态下对低压差稳压器的稳压需求。

根据本公开的一方面，提供了一种低压差稳压装置，所述装置包括：模式调整模块Mode Sel、误差放大器A1、增益放大器Gm2、第一开关k1、第一电容C1、第一电阻R1、第一MOS管MOS1、第二开关k2、第二MOS管MOS2、第二电阻R2、第三电阻R3，

所述模式调整模块Mode Sel的一个输入端用于接收基准电压VREF，所述模式调整模块Mode Sel的另一个输入端连接到所述第二电阻R2和所述第三电阻R3之间，获取反馈电压VFB，所述模式调整模块Mode Sel的两个输出端分别连接到所述误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN；

所述误差放大器A1的输出端与所述增益放大器Gm2的输入端连接，所述增益放大器Gm2的输出端连接到所述第一MOS管MOS1的栅极；

所述第一开关k1与所述增益放大器Gm2并联，所述第一电容C1和第一电阻R1串联后，连接到所述增益放大器Gm2的输入端，所述第一电阻R1接地或连接所述装置的电源负极；

所述第一MOS管MOS1的漏极与所述第二MOS管MOS2的漏极连接，所述第一MOS管MOS1的源极与所述第二MOS管MOS2的源极连接，所述第一MOS管MOS1的栅极通过所述第二开关K2连接到所述第二MOS管MOS2的栅极，所述第一MOS管MOS1的漏极连接到电源电压VDD；

所述第二电阻R2、所述第三电阻R3串联后连接到所述第一MOS管MOS1的源极，所述第三电阻R3接地或连接所述装置的电源负极；

所述第一MOS管MOS1的源极的输出电压为所述装置的输出电压VOUT，其中，所述装置的工作模式包括正常工作模式和休眠工作模式，在所述正常工作模式下，所述模式调整模块Mode Sel根据接收到正常工作信号将基准电压VREF和反馈电压VFB通过两个输出端分别输入到所述误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN，所述第一开关k1断开，所述增益放大器Gm2内部上电导通，所述第二开关K2导通，所述第一MOS管MOS1、所述第二MOS管MOS2导通，

在所述休眠工作模式下，所述模式调整模块Mode Sel根据接收到的休眠工作信号将基准电压VREF和反馈电压VFB通过两个输出端分别输入到所述误差放大器A1的反向输入端VN和正向输入端VP，所述第一开关k1导通，所述增益放大器Gm2被短路、所述增益放大器Gm2内部下电断开，所述第二开关K2断开，所述第一MOS管MOS1导通。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述模式调整模块Mode Sel包括第三开关k3、第四开关k4、第五开关k5和第六开关k6，

所述第三开关k3的一端和所述第四开关k4的一端用于接收基准电压VREF，所述第三开关k3的另一端和所述第四开关k4的另一端分别连接到所述误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN；

所述第五开关k5的一端和所述第六开关k6的一端用于获取反馈电压VFB，所述第五开关k5的另一端和所述第六开关k6的另一端分别连接到所述误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN，

其中，在所述模式调整模块Mode Sel接收到正常工作信号时，所述第三开关k3导通、所述第四开关k4断开，所述第五开关k5断开、所述第六开关k6导通，

在所述模式调整模块Mode Sel接收到休眠工作信号时，所述第三开关k3断开、所述第四开关k4导通，所述第五开关k5导通、所述第六开关k6断开。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述增益放大器Gm2包括：第七开关k7、第三MOS管MOS3、第八开关k8、第九开关k9、第十开关k10、第十一开关k11、第四电阻R4和第五MOS管MOS5，

所述第七开关k7的一端作为所述增益放大器Gm2的输入端IN_Gm、与所述误差放大器A1的输出端连接，所述第九开关k9的一端作为所述增益放大器Gm2的输出端OUT_Gm、与所述第一MOS管MOS1的栅极连接，所述第七开关k7的另一端与所述第三MOS管MOS3的栅极连接；

所述第三MOS管MOS3的漏极、所述第五MOS管MOS5的源极、所述第八开关k8的一端、所述第九开关k9的另一端连接在一起，所述第三MOS管MOS3的源极和所述第八开关k8的另一端连接之后，接地或连接所述装置的电源负极；

所述第十一开关k11连接到所述第三MOS管MOS3的漏极和源极之间；

所述第十开关k10和所述第四电阻R4并联后，连接到所述第五MOS管MOS5的源极和漏极之间，所述第五MOS管MOS5的源极连接到所述电源电压VDD，所述第五MOS管MOS5的栅极与漏极连接在一起，

其中，在所述正常工作模式下，所述第七开关k7导通、所述第三MOS管MOS3导通、所述第八开关k8断开，所述第九开关k9导通、所述第十开关k10断开、所述第五MOS管MOS5导通、所述第十一开关k11断开，

在所述休眠工作模式下，所述第七开关k7断开、所述第三MOS管MOS3断开、所述第八开关k8导通，所述第九开关k9断开、所述第十开关k10导通、所述第五MOS管MOS5断开、所述第十一开关k11导通。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述误差放大器A1包括：第六MOS管MOS6、第七MOS管MOS7、第八MOS管MOS8、第九MOS管MOS9、第十MOS管MOS10和可控电流源I，

所述第六MOS管MOS6的栅极为所述误差放大器A1的正向输入端VP、所述第七MOS管MOS7的栅极为所述误差放大器A1的反向输入端VN，所述第七MOS管MOS7的漏极为所述误差放大器A1的输出端VOUT_A、与所述增益放大器Gm2的输入端连接；

所述第六MOS管MOS6的源极、所述第七MOS管MOS7的源极和所述第十MOS管MOS10的漏极连接，所述第六MOS管MOS6的漏极、所述第七MOS管MOS7的漏极分别与所述第八MOS管MOS8的漏极、所述第九MOS管MOS9的漏极连接；

所述第八MOS管MOS8的源极与所述第九MOS管MOS9的源极连接之后，接地或连接所述装置的电源负极，所述第八MOS管MOS8的栅极与所述第九MOS管MOS9的栅极连接，所述第八MOS管MOS8的栅极和漏极之间连接；

所述第十MOS管MOS10的栅极用于接收偏置电流Ib、源极与所述电源电压VDD连接，所述可控电流源I的两端分别与所述第十MOS管MOS10的源极和所述第七MOS管MOS7的源极连接，

其中，所述可控电流源I的电流受控于输入电压Vc，在所述正常工作模式或所述休眠工作模式下，所述第六MOS管MOS6、所述第七MOS管MOS7、所述第八MOS管MOS8、所述第九MOS管MOS9、所述第十MOS管MOS10均导通。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，控制所述可控电流源I的电流的输入电压Vc为所述第一MOS管MOS1的栅极的电压，所述可控电流源I的电流随第一MOS管MOS1的栅极的电压的减小而增大。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述第一开关k1、所述第二开关k2、所述第三开关k3、所述第四开关k4、所述第五开关k5、所述第六开关k6包括传输门。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述第九开关k9包括传输门。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述第二MOS管MOS2的宽长比大于所述第一MOS管MOS1的宽长比。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述第一电阻R1包括可变电阻，所述第一电阻R1的滑动端连接到所述第一MOS管MOS1的栅极，

其中，所述第一电阻R1的阻值受控于所述第一MOS管MOS1的栅极的电流，所述第一电阻R1的阻值随所述第一MOS管MOS1的栅极的电流的增大而减小。

本公开实施例所提供的低压差稳压装置，具有正常工作模式和休眠工作模式，可以满足安装有该装置的设备的不同工作状态的需求，其正常工作模式可以满足设备正常工作状态下的电压稳定需求，其休眠工作模式可以满足设备低功耗状态下的电压稳定需求。

根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本公开的其它特征及方面将变得清楚。

附图说明

包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本公开的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本公开的原理。

图1示出根据本公开一实施例的低压差稳压装置的电路结构图。

图2示出根据本公开一实施例的低压差稳压装置中模式调整模块的电路结构图。

图3示出根据本公开一实施例的低压差稳压装置中增益放大器的电路结构图。

图4示出根据本公开一实施例的低压差稳压装置中误差放大器的电路结构图。

具体实施方式

以下将参考附图详细说明本公开的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。

在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。

另外，为了更好的说明本公开，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本公开同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本公开的主旨。

图1示出根据本公开一实施例的低压差稳压装置的电路结构图。如图1所示，该装置包括：模式调整模块Mode Sel、误差放大器A1、增益放大器Gm2、第一开关k1、第一电容C1、第一电阻R1、第一MOS管MOS1、第二开关k2、第二MOS管MOS2、第二电阻R2、第三电阻R3。

模式调整模块Mode Sel的一个输入端用于接收基准电压VREF，模式调整模块ModeSel的另一个输入端连接到第二电阻R2和第三电阻R3之间，获取反馈电压VFB，模式调整模块Mode Sel的两个输出端分别连接到误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN。其中，可以根据装置或安装该装置的设备的需要，对基准电压VREF的值进行设置，本公开对此不作限制。

误差放大器A1的输出端与增益放大器Gm2的输入端连接，增益放大器Gm2的输出端连接到第一MOS管MOS1的栅极。

第一开关k1与增益放大器Gm2并联，第一电容C1和第一电阻R1串联后，连接到增益放大器Gm2的输入端，第一电阻R1接地或连接装置的电源负极。第一MOS管MOS1的漏极与第二MOS管MOS2的漏极连接，第一MOS管MOS1的源极与第二MOS管MOS2的源极连接，第一MOS管MOS1的栅极通过第二开关K2连接到第二MOS管MOS2的栅极，第一MOS管MOS1的漏极连接到电源电压VDD。第一MOS管MOS1的源极的输出电压为装置的输出电压VOUT。

第二电阻R2、第三电阻R3串联后连接到第一MOS管MOS1的源极，第三电阻R3接地或连接装置的电源负极。由于第二电阻R2、第三电阻R3的分压作用，可以决定反馈电压VFB的电压值，可以根据对反馈电压VFB的电压值的需求设置第二电阻R2、第三电阻R3的阻值，本公开对此不作限制。

其中，装置的工作模式可以包括正常工作模式和休眠工作模式，在正常工作模式下，模式调整模块Mode Sel根据接收到正常工作信号将基准电压VREF和反馈电压VFB通过两个输出端分别输入到误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN，第一开关k1断开，增益放大器Gm2内部上电导通，第二开关K2导通，第一MOS管MOS1、第二MOS管MOS2导通。

在休眠工作模式下，模式调整模块Mode Sel根据接收到的休眠工作信号将基准电压VREF和反馈电压VFB通过两个输出端分别输入到误差放大器A1的反向输入端VN和正向输入端VP，第一开关k1导通，增益放大器Gm2被短路、增益放大器Gm2内部下电断开，第二开关K2断开，第一MOS管MOS1导通。

在本实施例中，第一开关k1可以用于控制增益放大器Gm2是否被上电。第一开关k1断开，则增益放大器Gm2上电；第一开关k1导通，则增益放大器Gm2被下电。通过第一开关k1来控制增益放大器Gm2是否被上电，仅是本公开实施例提供的一个示例，还可以通过其他方式实现上述控制过程，本公开对此不作限制。

在本实施例中，休眠工作模式与正常工作模式的区别在于，在休眠工作模式下，增益放大器Gm2被下电(由于第一开关k1断开)、第二MOS管MOS2关断(由于第二开关k2断开)，降低了装置的输出能力，满足装置所在设备的低功耗工作状态的需求。

在本实施例中，增益放大器Gm2的输入端为正、输出端为负，或者，益放大器Gm2的输入端为正、输出端也可以为正。在增益放大器Gm2的输入端为正、输出端为负，装置在进行工作模式切换时，模式调整模块Mode Sel需要根据工作模式的不同，将基准电压VREF和反馈电压VFB分别输入到误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN(正常工作模式)，或者，将基准电压VREF和反馈电压VFB分别输入到误差放大器A1的反向输入端VN和正向输入端VP(休眠工作模式)。在益放大器Gm2的输入端为正、输出端也为正时，装置在进行工作模式切换时，模式调整模块Mode Sel无需要根据工作模式的不同，对基准电压VREF和反馈电压VFB输入进行切换，也即在正常工作模式和休眠工作模式下，基准电压VREF和反馈电压VFB均分别输入到误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN。

在一种可能的实现方式中，第二MOS管MOS2的宽长比大于第一MOS管MOS1的宽长比。第二MOS管MOS2的宽长比可以远大于第一MOS管MOS1的宽长比。在第二MOS管MOS2的宽长比大于第一MOS管MOS1的宽长比的5倍以上时，可以认为第二MOS管MOS2的宽长比可以远大于第一MOS管MOS1的宽长比。MOS管的宽长比可以是MOS管的导电沟道的宽度和长度的比值，宽长比越大，MOS管的最大漏源电流Id(也即MOS管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流)越大。这样，可以使装置在正常工作模式下输出电流的能力远大于休眠工作模式下的输出电流能力。

在一种可能的实现方式中，第一电阻R1可以包括可变电阻，第一电阻R1的滑动端连接到所述第一MOS管MOS1的栅极。其中，第一电阻R1的阻值受控于第一MOS管MOS1的栅极的电流，第一电阻R1的阻值随第一MOS管MOS1的栅极的电流的增大而减小。这样，可以使得第一电阻R1的阻值能够适应于装置不同的工作模式。

本公开实施例所提供的低压差稳压装置，具有正常工作模式和休眠工作模式，可以满足安装有该装置的设备的不同工作状态的需求，其正常工作模式可以满足设备正常工作状态下的电压稳定需求，其休眠工作模式可以满足设备低功耗状态下的电压稳定需求。

图2示出根据本公开一实施例的低压差稳压装置中模式调整模块的电路结构图。在一种可能的实现方式中，如图2所示，模式调整模块Mode Sel可以包括第三开关k3、第四开关k4、第五开关k5和第六开关k6。

第三开关k3的一端和第四开关k4的一端用于接收基准电压VREF，第三开关k3的另一端和第四开关k4的另一端分别连接到误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN。

第五开关k5的一端和第六开关k6的一端用于获取反馈电压VFB，第五开关k5的另一端和第六开关k6的另一端分别连接到误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN。

其中，在模式调整模块Mode Sel接收到正常工作信号时，第三开关k3导通、第四开关k4断开，第五开关k5断开、第六开关k6导通。在模式调整模块Mode Sel接收到休眠工作信号时，第三开关k3断开、第四开关k4导通，第五开关k5导通、第六开关k6断开。

在该实现方式中，模式调整模块Mode Sel所接收到的正常工作信号和休眠工作信号是安装有该低压差稳压装置的设备所发出的。设备可以根据自身的工作状态确定功耗，在自身处于正常工作状态(功耗正常)时，发出正常工作信号；在自身处于低功耗工作状态(功耗低于正常工作状态的功耗)时，发出休眠工作信号。或者，设备可以根据用户发出的指令生成正常工作信号和休眠工作信号，并将其发送至模式调整模块Mode Sel。本领域技术人员可以根据实际需要对正常工作信号和休眠工作信号的来源进行设置，本公开对此不作限制。

需要说明的是，模式调整模块Mode Sel的功能作用是：在装置处于正常工作模式时，使得基准电压VREF和反馈电压VFB可以分别接入误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN，以及在装置处于休眠工作模式时，使得基准电压VREF和反馈电压VFB可以分别接入误差放大器A1的反向输入端VN和正向输入端VP。上述模式调整模块Mode Sel仅是本公开实施例提供的一个示例，还可以通过其他方式实现上述模式调整模块Mode Sel，只要能够满足模式调整模块Mode Sel的功能作用即可，本公开对此不作限制。

图3示出根据本公开一实施例的低压差稳压装置中增益放大器的电路结构图。在一种可能的实现方式中，如图3所示，增益放大器Gm2可以包括：第七开关k7、第三MOS管MOS3、第八开关k8、第九开关k9、第十开关k10、第十一开关k11、第四电阻R4和第五MOS管MOS5。

第七开关k7的一端作为增益放大器Gm2的输入端IN_Gm、与误差放大器A1的输出端连接，第九开关k9的一端作为增益放大器Gm2的输出端OUT_Gm、与第一MOS管MOS1的栅极连接，第七开关k7的另一端与第三MOS管MOS3的栅极连接。

第三MOS管MOS3的漏极、第五MOS管MOS5的源极、第八开关k8的一端、第九开关k9的另一端连接在一起，第三MOS管MOS3的源极和第八开关k8的另一端连接之后，接地或连接装置的电源负极。

第十一开关k11连接到第三MOS管MOS3的漏极和源极之间。

第十开关k10和第四电阻R4并联后，连接到第五MOS管MOS5的源极和漏极之间，第五MOS管MOS5的源极连接到电源电压VDD，第五MOS管MOS5的栅极与漏极连接在一起。

其中，在正常工作模式下，第七开关k7导通、第三MOS管MOS3导通、第八开关k8断开，第九开关k9导通、第十开关k10断开、第五MOS管MOS5导通、第十一开关k11断开。在休眠工作模式下，第七开关k7断开、第三MOS管MOS3断开、第八开关k8导通，第九开关k9断开、第十开关k10导通、第五MOS管MOS5断开、第十一开关k11导通。

需要说明的是，增益放大器Gm2的功能作用是：在装置处于正常工作模式时，可以导通，保证装置可以为其所在的设备提供证正常工作状态下所需的电压，以及在装置处于休眠工作模式时，可以关断，保证装置可以为其所在的设备提供低功耗状态下所需的电压。上述增益放大器Gm2仅是本公开实施例提供的一个示例，还可以通过其他方式实现上述增益放大器Gm2，只要能够满足增益放大器Gm2的功能作用即可，本公开对此不作限制。

图4示出根据本公开一实施例的低压差稳压装置中误差放大器的电路结构图。在一种可能的实现方式中，如图4所示，误差放大器A1可以包括：第六MOS管MOS6、第七MOS管MOS7、第八MOS管MOS8、第九MOS管MOS9、第十MOS管MOS10和可控电流源I。

第六MOS管MOS6的栅极为误差放大器A1的正向输入端VP、第七MOS管MOS7的栅极为误差放大器A1的反向输入端VN，第七MOS管MOS7的漏极为误差放大器A1的输出端VOUT_A、与增益放大器Gm2的输入端连接。

第六MOS管MOS6的源极、第七MOS管MOS7的源极和第十MOS管MOS10的漏极连接，第六MOS管MOS6的漏极、第七MOS管MOS7的漏极分别与第八MOS管MOS8的漏极、第九MOS管MOS9的漏极连接。

第八MOS管MOS8的源极与第九MOS管MOS9的源极连接之后，接地或连接装置的电源负极，第八MOS管MOS8的栅极与第九MOS管MOS9的栅极连接，第八MOS管MOS8的栅极和漏极之间连接。

第十MOS管MOS10的栅极用于接收偏置电流Ib、源极与电源电压VDD连接，可控电流源I的两端分别与第十MOS管MOS10的源极和第七MOS管MOS7的源极连接。

其中，可控电流源I的电流受控于输入电压Vc，在正常工作模式或休眠工作模式下，第六MOS管MOS6、第七MOS管MOS7、第八MOS管MOS8、第九MOS管MOS9、第十MOS管MOS10均导通。

在该实现方式中，控制可控电流源I输入电压Vc、偏置电流Ib可以是其他装置或设备根据低压差稳压装置在不同工作模式下的需求所提供的，可以是低压差稳压装置自身反馈提供的，本公开对此不作限制。

需要说明的是，上述误差放大器A1仅是本公开实施例提供的一个示例，还可以通过其他方式实现上述误差放大器A1，本公开对此不作限制。

在一种可能的实现方式中，控制可控电流源I的电流的输入电压Vc可以为第一MOS管MOS1的栅极的电压，可控电流源I的电流随第一MOS管MOS1的栅极的电压的减小而增大。这样，可以减小误差放大器A1的输出阻抗，保证稳定性。

在一种可能的实现方式中，第一开关k1、第二开关k2、第三开关k3、第四开关k4、第五开关k5、第六开关k6可以包括传输门。

在一种可能的实现方式中，第九开关k9可以包括传输门。

在该实现方式中，传输门可以是CMOS传输门(Transmission Gate)。CMOS传输门是一种既可以传送数字信号又可以传输模拟信号的可控开关电路。CMOS传输门由一个PMOS和一个NMOS管并联构成，其具有很低的导通电阻(几百欧)和很高的截止电阻(大于10^9欧)。

在一种可能的实现方式中，本公开所示的其他开关也可以是传输门。

需要说明的是，第一开关k1、第二开关k2、第三开关k3、第四开关k4、第五开关k5、第六开关k6和第九开关k9可以是其他可控开关器件，传输门仅是本公开实施例提供的第一开关k1、第二开关k2、第三开关k3、第四开关k4、第五开关k5、第六开关k6和第九开关k9的一种示例，本领域技术人员可以根据实际需要对第一开关k1、第二开关k2、第三开关k3、第四开关k4、第五开关k5、第六开关k6和第九开关k9进行设置，本公开对此不作限制。

需要说明的是，尽管以上述实施例作为示例介绍了低压差稳压装置如上，但本领域技术人员能够理解，本公开应不限于此。事实上，用户完全可根据个人喜好和/或实际应用场景灵活设定各部分，只要符合本公开的技术方案即可。

以上已经描述了本公开的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的技术改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

Claims (9)

1.一种低压差稳压装置，其特征在于，所述装置包括：模式调整模块Mode Sel、误差放大器A1、增益放大器Gm2、第一开关k1、第一电容C1、第一电阻R1、第一MOS管MOS1、第二开关k2、第二MOS管MOS2、第二电阻R2、第三电阻R3，

所述模式调整模块Mode Sel的一个输入端用于接收基准电压VREF，所述模式调整模块Mode Sel的另一个输入端连接到所述第二电阻R2和所述第三电阻R3之间，获取反馈电压VFB，所述模式调整模块Mode Sel的两个输出端分别连接到所述误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN；

所述误差放大器A1的输出端与所述增益放大器Gm2的输入端连接，所述增益放大器Gm2的输出端连接到所述第一MOS管MOS1的栅极；

所述第一开关k1与所述增益放大器Gm2并联，所述第一电容C1和第一电阻R1串联后，连接到所述增益放大器Gm2的输入端，所述第一电阻R1接地或连接所述装置的电源负极；

所述第一MOS管MOS1的漏极与所述第二MOS管MOS2的漏极连接，所述第一MOS管MOS1的源极与所述第二MOS管MOS2的源极连接，所述第一MOS管MOS1的栅极通过所述第二开关K2连接到所述第二MOS管MOS2的栅极，所述第一MOS管MOS1的漏极连接到电源电压VDD；

所述第二电阻R2、所述第三电阻R3串联后连接到所述第一MOS管MOS1的源极，所述第三电阻R3接地或连接所述装置的电源负极；

所述第一MOS管MOS1的源极的输出电压为所述装置的输出电压VOUT，

其中，所述装置的工作模式包括正常工作模式和休眠工作模式，在所述正常工作模式下，所述模式调整模块Mode Sel根据接收到正常工作信号将基准电压VREF和反馈电压VFB通过两个输出端分别输入到所述误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN，所述第一开关k1断开，所述增益放大器Gm2内部上电导通，所述第二开关K2导通，所述第一MOS管MOS1、所述第二MOS管MOS2导通，

在所述休眠工作模式下，所述模式调整模块Mode Sel根据接收到的休眠工作信号将基准电压VREF和反馈电压VFB通过两个输出端分别输入到所述误差放大器A1的反向输入端VN和正向输入端VP，所述第一开关k1导通，所述增益放大器Gm2被短路、所述增益放大器Gm2内部下电断开，所述第二开关K2断开，所述第一MOS管MOS1导通。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述模式调整模块Mode Sel包括第三开关k3、第四开关k4、第五开关k5和第六开关k6，

所述第三开关k3的一端和所述第四开关k4的一端用于接收基准电压VREF，所述第三开关k3的另一端和所述第四开关k4的另一端分别连接到所述误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN；

所述第五开关k5的一端和所述第六开关k6的一端用于获取反馈电压VFB，所述第五开关k5的另一端和所述第六开关k6的另一端分别连接到所述误差放大器A1的正向输入端VP和反向输入端VN，

其中，在所述模式调整模块Mode Sel接收到正常工作信号时，所述第三开关k3导通、所述第四开关k4断开，所述第五开关k5断开、所述第六开关k6导通，

在所述模式调整模块Mode Sel接收到休眠工作信号时，所述第三开关k3断开、所述第四开关k4导通，所述第五开关k5导通、所述第六开关k6断开。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述增益放大器Gm2包括：第七开关k7、第三MOS管MOS3、第八开关k8、第九开关k9、第十开关k10、第十一开关k11、第四电阻R4和第五MOS管MOS5，

所述第七开关k7的一端作为所述增益放大器Gm2的输入端IN_Gm、与所述误差放大器A1的输出端连接，所述第九开关k9的一端作为所述增益放大器Gm2的输出端OUT_Gm、与所述第一MOS管MOS1的栅极连接，所述第七开关k7的另一端与所述第三MOS管MOS3的栅极连接；

所述第三MOS管MOS3的漏极、所述第五MOS管MOS5的源极、所述第八开关k8的一端、所述第九开关k9的另一端连接在一起，所述第三MOS管MOS3的源极和所述第八开关k8的另一端连接之后，接地或连接所述装置的电源负极；

所述第十一开关k11连接到所述第三MOS管MOS3的漏极和源极之间；

所述第十开关k10和所述第四电阻R4并联后，连接到所述第五MOS管MOS5的源极和漏极之间，所述第五MOS管MOS5的源极连接到所述电源电压VDD，所述第五MOS管MOS5的栅极与漏极连接在一起，

其中，在所述正常工作模式下，所述第七开关k7导通、所述第三MOS管MOS3导通、所述第八开关k8断开，所述第九开关k9导通、所述第十开关k10断开、所述第五MOS管MOS5导通、所述第十一开关k11断开，

在所述休眠工作模式下，所述第七开关k7断开、所述第三MOS管MOS3断开、所述第八开关k8导通，所述第九开关k9断开、所述第十开关k10导通、所述第五MOS管MOS5断开、所述第十一开关k11导通。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述误差放大器A1包括：第六MOS管MOS6、第七MOS管MOS7、第八MOS管MOS8、第九MOS管MOS9、第十MOS管MOS10和可控电流源I，

所述第六MOS管MOS6的栅极为所述误差放大器A1的正向输入端VP、所述第七MOS管MOS7的栅极为所述误差放大器A1的反向输入端VN，所述第七MOS管MOS7的漏极为所述误差放大器A1的输出端VOUT_A、与所述增益放大器Gm2的输入端连接；

所述第六MOS管MOS6的源极、所述第七MOS管MOS7的源极和所述第十MOS管MOS10的漏极连接，所述第六MOS管MOS6的漏极、所述第七MOS管MOS7的漏极分别与所述第八MOS管MOS8的漏极、所述第九MOS管MOS9的漏极连接；

所述第八MOS管MOS8的源极与所述第九MOS管MOS9的源极连接之后，接地或连接所述装置的电源负极，所述第八MOS管MOS8的栅极与所述第九MOS管MOS9的栅极连接，所述第八MOS管MOS8的栅极和漏极之间连接；

所述第十MOS管MOS10的栅极用于接收偏置电流Ib、源极与所述电源电压VDD连接，所述可控电流源I的两端分别与所述第十MOS管MOS10的源极和所述第七MOS管MOS7的源极连接，

其中，所述可控电流源I的电流受控于输入电压Vc，在所述正常工作模式或所述休眠工作模式下，所述第六MOS管MOS6、所述第七MOS管MOS7、所述第八MOS管MOS8、所述第九MOS管MOS9、所述第十MOS管MOS10均导通。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，控制所述可控电流源I的电流的输入电压Vc为所述第一MOS管MOS1的栅极的电压，所述可控电流源I的电流随第一MOS管MOS1的栅极的电压的减小而增大。

6.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一开关k1、所述第二开关k2、所述第三开关k3、所述第四开关k4、所述第五开关k5、所述第六开关k6包括传输门。

7.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第九开关k9包括传输门。

8.根据权利要求1-7任一项所述的装置，其特征在于，所述第二MOS管MOS2的宽长比大于所述第一MOS管MOS1的宽长比。

9.根据权利要求1-7任一项所述的装置，其特征在于，所述第一电阻R1包括可变电阻，所述第一电阻R1的滑动端连接到所述第一MOS管MOS1的栅极，

其中，所述第一电阻R1的阻值受控于所述第一MOS管MOS1的栅极的电流，所述第一电阻R1的阻值随所述第一MOS管MOS1的栅极的电流的增大而减小。

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