CN111290186B - 一种形成电致变色器件膜层微结构的方法及电致变色器件 - Google Patents

一种形成电致变色器件膜层微结构的方法及电致变色器件 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种形成电致变色器件膜层微结构的方法和电致变色器件，涉及电致变色领域，包括：将靶材与外界空气隔离，所述靶材包括第一靶材和第二靶材；将所述第一靶材以惰性气体掺杂氧气与附加气体进行反应溅射，在第一导电层上形成第一电致变色层；在所述第一电致变色层上形成离子传导层；将所述第二靶材以所述惰性气体掺杂氧气与附加气体进行反应溅射，在所述离子传导层上形成第二电致变色层；在所述第二电致变色层上形成第二导电层；所述附加气体包括含氦气体。本发明技术效果在于令电致变色器件之间的膜层取得了一种结晶、非晶相隔的取向性通道结构，其具有稳定性高、离子传输率高的特点。

Description

一种形成电致变色器件膜层微结构的方法及电致变色器件
技术领域
本发明涉及电致变色领域，尤其涉及一种形成电致变色器件膜层微结构的方法。
背景技术
电致变色是指光学属性(反射率、透过率、吸收率等)在外加电场的作用下发生稳定、可逆颜色变化的现象。电致变色技术发展已有四十余年，电致变色器件(Electrochromic Device，ECD)由于其具有对透射光强度的连续可调性、能量损耗低、具有开路记忆功能等特点，在智能窗、显示器、航天器温控调制、汽车无眩后视镜、武器装备隐身等领域具有广阔的应用前景。基于ECD的玻璃作为一类全新的智能窗，能按舒适需求来调节入射太阳光的强度，有效降低耗能，展示出了显著的节能效果。随着人类对消费产品要求的不断提高，ECD在汽车、家电家具、航天航空、轨道交通、绿色建筑等领域展现出巨大的市场前景和应用价值，电致变色产品已经引起国内外越来越广泛的关注和重视，是继吸热玻璃、热反射镀膜玻璃、低辐射玻璃之后的新一代高效建筑节能产品。
然而，现有电致变色器件中，电致变色层通常选用的钨氧化物或者其他金属氧化物，这是出于对钨氧化物或其他金属氧化物的结晶度和电致变色层稳定性考虑，稳定性越高则意味着电致变色器件的寿命越长，一般要求电致变色器件的寿命为20年，大约5万次着褪色循环。然而对于金属氧化物，其结晶度、稳定性等和离子传输速度趋势相反，因此若想维持电致变色器件在一定条件下的稳定性，离子传输速度必然会降低，导致电致变色器件变色缓慢的问题。
发明内容
有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是提供一种稳定性高，离子传输速度快的电致变色器件。
为实现上述目的，本发明提供了一种形成电致变色器件膜层微结构的方法，包括：
将靶材与外界空气隔离，所述靶材包括第一靶材和第二靶材；
将所述第一靶材以惰性气体掺杂氧气与附加气体进行反应溅射，在第一导电层上形成第一电致变色层；
在所述第一电致变色层上形成离子传导层；
将所述第二靶材以所述惰性气体掺杂氧气与附加气体进行反应溅射，在所述离子传导层上形成第二电致变色层；
在所述第二电致变色层上形成第二导电层；
所述附加气体包括含氦气体。
进一步地，在沉积所述第一电致变色层和所述第二电致变色层时，沉积设备的溅射功率为0.3至50瓦/cm2；反应压力为0.5帕至20帕；所述附加气体与氧气的比例为(0.1～5)∶1。
进一步地，所述附加气体还包括：氢气。
进一步地，所述附加气体还包括：含氮气体，所述含氮气体包括由以下气体所组成的群组：氮气、氨气、一氧化氮、二氧化氮、氧化二氮、氟化氮。
进一步地，所述第一靶材包括以下材料或它们的氧化物组成的群组：钨、钼、铌、钛、钽。
进一步地，所述第二靶材包括以下材料或它们的氧化物组成的群组：镍、铱、钴、锰、钨。
本发明还提供了一种电致变色器件，包括基底、第一导电层、第一电致变色层、离子传导层、第二电致变色层和第二导电层；
所述第一导电层被堆叠在所述基底上，所述第一电致变色层被堆叠在所述第一导电层上，所述离子传导层被堆叠在所述第一电致变色层上，所述第二电致变色层被堆叠在所述离子传导层上，所述第二导电层被堆叠在所述第二电致变色层上；
其中，所述第一电致变色层和所述第二电致变色层为包括多晶结构通道壁和非晶结构通道芯的金属氧化物沉积镀膜，所述通道壁沿所述第一电致变色层往所述第二电致变色层的方向延伸。
进一步地，所述第一电致变色层和所述第二电致变色层中还包含氢。
进一步地，所述第一电致变色层和所述第二电致变色层中氢含量不超过4％。
进一步地，所述第一电致变色层和所述第二电致变色层中还包括氮。
进一步地，所述第一电致变色层的氮含量为0.05％至20％，所述第二电致变色层的氮含量为0.05％至15％。
进一步地，所述第一电致变色层中包括阴极着色材料，所述第二电致变色层中包括阳极着色材料。
进一步地，所述阴极着色材料选自由以下所组成的群组的材料：氮氧化钨、氮氧化钼、氮氧化铌、氮氧化钛、氮氧化钽；所述阳极着色材料选自由以下所组成的群组的材料：氮氧化镍、氮氧化铱、氮氧化锰、氮氧化钴、氮氧化钨镍、氮氧化钨铱、氮氧化钨锰、氮氧化钨钴。
通过本发明所公开的形成电致变色器件膜层微结构的方法，令电致变色器件之间的膜层取得了一种结晶、非晶相隔的取向性通道结构，其具有稳定性高、离子传输率高，可满足大约5万次着褪色循环要求，并且寿命可达20年左右的优点。具体的离子传输速度相比原先金属氧化物的传输速度可提升2至4倍左右。
以下将结合附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本发明的目的、特征和效果。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明一实施例的结构示意图；
图2为本发明一实施例的微观结构示意图；
图3本发明一实施例在电镜下的微观结构图。
附图标记说明：100-基底；105-第一导电层；110-第一电致变色层；115-离子传导层；120-第二电致变色层；125-第二导电层；200-通道壁；201-通道芯。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的多个优选实施例，使其技术内容更加清楚和便于理解。本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。为了使图示更清晰，附图中有些地方适当夸大了部件的厚度。
出于简略描述的目的，在此定义本发明所称“氮含量、氢含量”为氮原子摩尔数、氢原子摩尔数占电致变色器件单个功能层的整体原子摩尔数的百分比值。
本发明公开了一种形成电致变色器件膜层微结构的方法，包括以下步骤：
步骤S201，将靶材与外界空气隔离。
为了防止在进行反应溅射时由靶材溅射出的离子被外界的氧气二次氧化，导致无法获得需要的金属离子价态，需要令溅射区外保持无氧惰性气体气氛，确保离子的氧化反应只在溅射区内发生。本实施例中使用抽气通道将靶材周围逸出溅射区的含氧气体抽走。
步骤S202，将第一靶材以惰性气体掺杂氧气和附加气体进行反应溅射，在具有第一导电层105的基底上形成第一电致变色层110。
第一导电层105可利用真空镀膜、蒸发镀膜、溶胶凝胶等工艺直接沉积在基底100上，也可直接在具有第一导电层105的基底100上沉积第一电致变色层110。
第一电致变色层110通过等离子真空镀膜法将第一靶材反应溅射在第一导电层105上。具体地以惰性气体，优选为氩气，并掺杂氧气和附加气体进行反应溅射。第一靶材可以为钨、钼、铌、钛、钽中的一种或多种。溅射过程中，靶材上的金属被离子化并被固定在靶材周围的N磁铁和S磁铁形成的磁场作用下沉积在基底上。为了有效的控制氧化价态，可使用抽气通道将靶面附近的混合气抽走，此时沉积在基底上的金属氧化物便不会保持在含氧的气氛中，不会造成二次氧化。同时，抽气通道的功率也应随之调整，令等离子态的氧气与金属离子在基底周围上驻留足够的时间，使金属离子沉积在基底上。
其中，附加气体为含氦气体。在反应溅射进行过程中，氦气中的氦原子被部分地吸附在反应界面上，随着金属氧化物沉积的进行，氦原子周围逐渐沉积多晶型的金属氧化物，而且由于氦本身不会与金属进行反应，则氦原子会在膜层沉积的途中再次从反应界面上脱附，从沉积的第一电致变色层薄膜中扩散逸出，第一电致变色层薄膜上便留下了多晶结构的通道壁200。之后在金属氧化物继续沉积的过程中，非晶型金属氧化物随之进入通道壁200，形成通道芯201，由此得到了多晶、非晶相隔的取向性通道结构。相比常规电致变色器件，其电致变色层中的多晶结构与非晶结构为无序的状态，不包含通道结构。
图3示出了由上述方法沉积的第一电致变色层110的微观结构图，可清晰地观察到通道壁200与通道芯201，其中通道壁200为多晶结构，通道芯201为非晶结构，离子在通道芯201中进行传输的速度更快。
进一步地，为了令氦原子的逸出方向一致，需要调控含氦气体与氧气的比例、反应压力、溅射功率，以形成通道方向一致的结构。一般地，溅射功率为0.3至50瓦/cm2；反应压力为0.5帕至20帕；含氦气体与氧气的比例为(0.1～5)∶1。
进一步地，附加气体还包括氢气。
由于第一电致变色层110膜层上的金属氧化物晶体界面的氧存在悬空键，可通过引入氢气，在氢气被分解为氢原子后，其可填充界面氧的悬空键，以终止界面氧原子的悬空键，增加膜层的稳定性。此外，氢气与氧气的比例为(0.1～5)∶1，超出则会会令膜层吸水性增加，影响膜层性能。
此外氢气还包括部分蚀刻作用，可蚀刻膜层中的非晶部分。而且蚀刻过程中包含的吸附/脱附过程也对取得结晶、非晶相隔的取向性通道结构起积极作用。
进一步地，前述附加气体中还可额外添加含氮气体，包括：氮气(N2)、氨气(NH3)、一氧化氮(NO)、二氧化氮(NO2)、氧化二氮(N2O)、氟化氮(NF3)的一种和多种，以及包括前述所述气体的其他混合气，而且该混合气中氮元素的摩尔数占比须实现本发明所欲达到的本发明目的。具体的说，在进行第一电致变色层110的沉积，或下述的离子传导层115、第二电致变色层120的沉积时，所有气体无论通过何种方式进入反应体系，其均应包含作为载气的惰性气体，以及作为反应气的氧气，含氢气体、含氦气体或含氮气体。以第一电致变色层110为例，反应气中含氮气体的混合比例也必须达到足以令沉积后的第一电子变色层110中的氮元素占其整体原子摩尔数的0.05％～20％的程度。以氮气作为优选实施例，则附加气体中氮气与氧气的混合比例为(0.1～10)∶1。
此外，在使用其他含氮气体，例如氨气、氟化氮等时，其中的杂质元素因无法与金属形成稳定化合物，会在溅射沉积过程中被抽气通道抽出，不会对溅射后的膜层组分造成影响。
步骤S203，在第一电致变色层上形成离子传导层。
利用真空镀膜、磁控溅射等方法对第三靶材进行反应溅射，以在第一电致变色层110上形成离子传导层115。第三靶材可选用现有技术中的常规靶材，例如锂、硅、钴、硼、磷或它们的混合物等。
进一步地，可在常规磁控溅射设备上额外添加含氮气体气路，单独地通入反应室中进行反应溅射。根据需求，可添加多个含氮元素气体气路，以此调整在反应溅射过程中局部含氮气体的浓度，以此控制离子传导层上不同区域的氮含量，籍此调控电致变色器件的离子传输速度，并进一步减少器件瑕疵，令电致变色器件不同区域的离子传输速度保持一致。在本发明另一个实施例中，也可调控电致变色器件上不同区域的离子传输速度，使其变色速度不均，在极端状况下电致变色器件上的某些区域的离子传输速度可为0，以达到在电致变色器件上形成花纹或图案的目的。
步骤S204，在离子传导层上形成第二电致变色层。
第二电致变色层120可选用金属镍、铱、钨、钴、锰等作为第二靶材掺杂氧气和附加气体，附加气体为含氦气体，以惰性气体为载气进行反应溅射，溅射过程与反应气组分与第一电致变色层110的溅射过程类似，在此不再赘述。此外，由于纯金属镍、金属钴本身具有磁性，在磁控溅射过程中会对粒子的排布过程造成干扰，因此也可使用含钨的带有上述金属的合金，以达到将靶材消磁的目的。
步骤S205，在第二电致变色层上形成第二导电层。
第二导电层125的形成方式与第一导电层105相同，在此不再赘述。
本发明还公开了一种电致变色器件。如图1所示，在基底100上，分别依次沉积了第一导电层105、第一电致变色层110、离子传导层115、第二电致变色层120、第二导电层125。第一导电层105和第二导电层125皆为常规导电层，材料包括氧化铟锡(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺硼氧化锌(BZO)、掺氟氧化锡(FTO)中的一种或多种。第一电致变色层110、离子传导层115、第二电致变色层120依次覆盖在第一导电层105与第二导电层125之间。
第一电致变色层110为包括多晶结构通道壁200和非晶结构通道芯201的金属氧化物沉积镀膜，由图2所示，通道壁200为多晶结构的金属氧化物并沿第一电致变色层110往第二电致变色层120的方向延伸，通道芯201为非晶结构的金属氧化物并被填充于通道壁200中。由此，离子即可通过通道芯201内的非晶型金属氧化物沿通道壁200快速移动，即加快了第一电致变色层110的离子传输速率，这是由于非晶型的金属氧化物更易传导离子的缘故。
第一电致变色层110的膜厚通常为150至650纳米，其材料具体包括钨、钼、铌、钛、钽中的一种或多种的金属氧化物。
进一步地，第一电致变色层110中还包括氢原子。由于氢原子的加入，其终止了膜层界面上氧原子的悬空键，增加了膜层的稳定性。一般地，膜层中的氢含量不超过4％，超出则会增加膜层吸水性。
进一步地，第一电致变色层110中还包括上述金属的氮氧化物。
氮氧化物可以为：氮氧化钨(WOxNy)、氮氧化钼(MoOxNy)、氮氧化铌(NbOxNy)、氮氧化钛(TiOxNy)、氮氧化钽(TaOxNy)中的一种或多种，根据氮含量不同，x和y的参数也相应变化。第一电致变色层110的氮原子摩尔数一般占整体原子摩尔数的0.05％～20％，也可为0.5％～5％，还可以为0.5％～10％。一般氮含量超过20％，沉积镀膜的颜色会加深，这是由于金属氮氧化物本身的颜色所导致，而镀膜颜色的加深则会影响电致变色玻璃在褪色状态下的光透过率，令成品器件的变色范围降低。
将常规电致变色层所使用的金属氧化物替换为金属氮氧化物后，根据氮含量的不同，氮离子会替换原先金属氧化物中的氧离子，以钨为例，原先的“W-O”离子键被部分替换为“W-N”离子键，造成晶体晶格的不对称，破坏了原有离子之间的作用力平衡，使临近原子偏离平衡位置，造成晶体畸变。晶体发生畸变后，离子传输通道周围的相互作用减轻，由此提高了电致变色层的离子传输速度。而氮元素本身作为一种相对稳定的元素，其引入也并未使金属化合物的稳定性受到影响，仍然保持了良好的稳定性，可满足大约5万次着褪色循环要求，并且寿命可达20年左右。离子传输速度相比原先金属氧化物的传输速度可提升2至4倍左右。
离子传导层115沉积于第一电致变色层110之上，用于在第一导电层105与第二导电层125通电时，将锂离子从第一电致变色层110或第二电致变色层120传输至另一相对的电致变色层。同样的，在电流反向时，锂离子也即反向流动，令电致变色器件在着色和褪色之间循环。在本实施例中，离子传导层115可使用氮氧化硅锂(LiSizOxNy)、氮氧化钽锂(LiTazOxNy)、氮氧化铌锂(LiNbzOxNy)、氮氧化钴锂(LiCozOxNy)、氮氧化铝锂(LiAlzOxNy)、氮氧化磷锂(LiPzOxNy)、氮氧化硼锂(LiBzOxNy)中的一种或多种。根据氮含量不同，x，y，z的参数也相应改变。离子传导层115的膜层中，氮原子摩尔数一般占整体原子摩尔数的0.05％～30％，也可为0.5％～5％，还可以为10％～20％。由于氮氧化物同时具有离子导通性和电子绝缘性两种特性，因此可完美地满足电致变色器件在第一电致变色层110与第二电致变色层120之间传输离子的同时，阻挡第一导电层105和第二导电层125通电时的电子移动，防止短路。由此，相对于现有电致变色器件中的离子传导层，本发明的离子传导层115的厚度可制备得更薄，最薄可达3纳米，同时离子传导层115仍具有电子绝缘及离子传输的特性，此外也可为10纳米至50纳米，还可以为100纳米至300纳米，优选为5纳米至200纳米，从而令电致变色器件整体的厚度降低，由此在将电致变色器件应用于实际产品时，例如电致变色玻璃、电致变色显示屏，这些实际产品也将更加轻薄。而现有技术中，通常是通过加厚离子传导层至600纳米或以上，以达到电子绝缘的效果。
此外，本发明中采用的离子传导层115相对于现有技术中的硅锂氧化物、铝锂氧化物、钴锂氧化物等，硅锂氮氧化物、铝锂氮氧化物、钴锂氮氧化物等材料的离子导通性比原先可增加约一个数量级。通过调控离子传导层115的氮含量，即可调控器件的离子传输速度，并进一步籍此调整电致变色器件的变色速度，满足不同用户对变色速度的要求，尤其可以实现在不同变色速度下的匀速的变色效果。例如，在膜层氮含量较高的情况下，电致变色器件的变色速度便会成比例的降低，而在氮含量较低的情况下，电致变色器件的变色速度便会加快。另外，在常规电致变色器件的沉积过程中，由于常规沉积过程中产生的瑕疵，电致变色器件的局部区域变色速度并不是相同的，由此影响了电致变色器件的变色均匀性，而通过调控膜层局部区域的氮含量，即可分别调控电致变色器件的局部区域变色速度，使其趋于一致，由此得到的褪色效果更均匀的电致变色器件。在本发明另一个实施例中，也可调控电致变色器件上不同区域的离子传输速度，使其变色速度不均，在极端状况下电致变色器件上的某些区域的离子传输速度可为0，以达到在电致变色器件上形成花纹或图案的目的。
第二电致变色层120被沉积于离子传输层115上，膜厚为150至650nm，与第一电致变色层110类似，为包括多晶通道壁200和非晶通道芯201结构的金属含氢氧化物沉积镀膜，膜厚通常为150至650纳米，其材料选择自镍、铱、锰、钴中一种或多种的含氢氧化物。器件的褪色速度可比常规金属氧化物的第二电致变色层120加快2倍左右。
进一步地，第二电致变色层120还包括上述金属的氮氧化物，具体可为：氮氧化镍(NiOxNy)、氮氧化铱(IrOxNy)、氮氧化锰(MnOxNy)、氮氧化钴(CoOxNy)、氮氧化钨镍(WNizOxNy)、氮氧化钨铱(WIrzOxNy)、氮氧化钨锰(WMnzOxNy)、氮氧化钨钴(WCozOxNy)中的一种或多种，其膜层中的氮原子摩尔数占整体原子摩尔数的0.05％～15％左右。在常规第二电致变色层120中进一步引入氮元素，从常规的氧化镍，氧化铱材料转变为氮氧化镍、氮氧化铱或氮氧化钴材料，由此可以提高器件在着褪色过程中的稳定性，这是由于氮化物相对于氧化物有着更高的结合能。
可选地，第一电致变色层110和第二电致变色层120中的电致变色材料分别为阴极着色材料和阳极着色材料。例如，第一电致变色层110可以采用阴极着色材料，例如氮氧化钨；第二电致变色层120可以采用阳极着色材料，例如氮氧化镍。即，锂离子从第二电致变色层120离开后，第二电致变色层也会进入着色状态。由此，第一电致变色层110和第二电致变色层层120相组合，并共同减少了透射通过整体电致变色器件的透光率。
进一步地，若在前述第二电致变色层120中引入钨，则可进一步增强电致变色器件的离子传输性能，而且对器件本身的着褪色性能仅产生微小的影响。
从整体上而言，本发明中引入氮元素的电致变色器件，其变色范围达到了1％～69％。而现有的电致变色器件，例如唯景公司(View，Inc.)的电致变色器件，在相同的透明基底下，其变色范围仅有1％至58％左右。这主要是由于电致变色氮化物颜色相对于电致变色氧化物颜色更浅，整体增加了沉积在透明基底上的膜层，例如第一电致变色层110、第二电致变色层120的透光率。
器件在操作时，可以可逆地在漂白状态和着色状态之间循环。在漂白状态下，通过在第一导电层105和第二导电层125处施加电压，令锂离子穿过离子传导层115并进入含有阴极电致变色材料的第一电致变色层110，使其着色，而含有阳极电致变色材料的第二电致变色层120，也由于锂离子的离开与第一电致变色层110一同进入着色状态。当在在第一导电层105和第二导电层125处施加的电压电位反向时，锂离子离开第一电致变色层层110，通过离子传导层115回到第二电致变色层120内。由此，器件转换至漂白状态。根据电压控制的不同，电致变色装置不但可以在漂白状态和着色状态之间来回转换，而且可以转换成在漂白状态和着色状态之间的一个或多个中间色彩状态。
最后，在常规电致变色器件的制备过程中，由于环境气密性无法达到绝对真空的效果，常规电致变色器件中或多或少会包含一部分氮元素。发明人需要在此明确在常规电致变色器件中的氮仅为环境误差，以常规电致变色器件中的单层为例，其氮原子摩尔数占整体原子摩尔数的含量大致仅为0.004％左右，无法得到上述含氮电致变色器件的效果。
以上详细描述了本发明的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术无需创造性劳动就可以根据本发明的构思作出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。

Claims (13)

1.一种形成电致变色器件膜层微结构的方法，其特征在于，包括：
将靶材与外界空气隔离，所述靶材包括第一靶材和第二靶材；
将所述第一靶材以惰性气体掺杂氧气与附加气体进行反应溅射，在第一导电层上形成第一电致变色层；
在所述第一电致变色层上形成离子传导层；
将所述第二靶材以所述惰性气体掺杂氧气与附加气体进行反应溅射，在所述离子传导层上形成第二电致变色层；
在所述第二电致变色层上形成第二导电层；
所述附加气体包括含氦气体。
2.根据权利要求1所述的形成电致变色器件膜层微结构的方法，其特征在于，在沉积所述第一电致变色层和所述第二电致变色层时，沉积设备的溅射功率为0.3至50瓦/cm2；反应压力为0.5帕至20帕；所述附加气体与氧气的摩尔比例为(0.1～5):1。
3.根据权利要求1或2任一项所述的形成电致变色器件膜层微结构的方法，其特征在于，所述附加气体还包括：氢气。
4.根据权利要求3所述的形成电致变色器件膜层微结构的方法，其特征在于，所述附加气体还包括：含氮气体，所述含氮气体包括由以下一种或多种气体所组成的群组：氨气、一氧化氮、二氧化氮、氧化二氮、氟化氮。
5.根据权利要求1或2任一项所述的形成电致变色器件膜层微结构的方法，其特征在于，所述第一靶材包括以下一种或多种材料或它们的氧化物组成的群组：钨、钼、铌、钛、钽。
6.根据权利要求1或2所述的形成电致变色器件膜层微结构的方法，其特征在于，所述第二靶材包括以下一种或多种材料或它们的氧化物组成的群组：镍、铱、钴、锰、钨。
7.一种电致变色器件，其特征在于，包括基底、第一导电层、第一电致变色层、离子传导层、第二电致变色层和第二导电层；
所述第一导电层被堆叠在所述基底上，所述第一电致变色层被堆叠在所述第一导电层上，所述离子传导层被堆叠在所述第一电致变色层上，所述第二电致变色层被堆叠在所述离子传导层上，所述第二导电层被堆叠在所述第二电致变色层上；
其中，所述第一电致变色层和所述第二电致变色层为包括多晶结构通道壁和非晶结构通道芯的金属氧化物沉积镀膜，所述通道壁沿所述第一电致变色层往所述第二电致变色层的方向延伸。
8.根据权利要求7所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一电致变色层和所述第二电致变色层中还包含氢。
9.根据权利要求8所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一电致变色层和所述第二电致变色层中氢摩尔含量不超过4％。
10.根据权利要求7或8任一项所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一电致变色层和所述第二电致变色层中还包括氮。
11.根据权利要求10所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一电致变色层的氮摩尔含量为0.05％至20％，所述第二电致变色层的氮摩尔含量为0.05％至15％。
12.根据权利要求7或8任一项所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一电致变色层中包括阴极着色材料，所述第二电致变色层中包括阳极着色材料。
13.根据权利要求12所述的电致变色器件，其特征在于，所述阴极着色材料选自由以下所组成的群组的一种或多种材料：氮氧化钨、氮氧化钼、氮氧化铌、氮氧化钛、氮氧化钽；所述阳极着色材料选自由以下所组成的群组的一种或多种材料：氮氧化镍、氮氧化铱、氮氧化锰、氮氧化钴、氮氧化钨镍、氮氧化钨铱、氮氧化钨锰、氮氧化钨钴。
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