CN111290183A - 双导电层走线及其制造方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种双导电层走线及其制造方法、显示面板。所述双导电层走线包括：第一导电层；覆盖第一导电层的第一钝化层；设于第一钝化层上的第二导电层，第二导电层和第一导电层的正投影部分重叠，所述第二导电层的至少一侧边的正投影落入第一导电层的正投影内且两者同一侧边的正投影间隔设置；设于第一钝化层上且完全覆盖第二导电层的第二钝化层。本发明设计第二导电层相对于第一导电层进行一定程度的偏移，偏移后的两个导电层不完全重叠，能够给第二钝化层提供较为平缓的爬坡层，有利于避免第二钝化层在斜坡处形成断层，避免第二导电层裸漏在空气中造成腐蚀。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种双导电层走线及其制造方法、显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示器因具有高画质、省电及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
当前，大尺寸平面显示器已逐渐成为市场上的一种主流，大尺寸面板意味着大负载(panel loading)，即面板尺寸越大，信号走线所需要承担的负载越大。为了适应大负载，WOA(Wire On Array，用于面板周围的走线连接)区及扇出(fanout)区等区域的走线需要双金属层(double metal)设计，具体地，第一钝化(Passivation,PV)层覆盖第一金属层，第二金属层设置于第一钝化层上，然后通过第二钝化层覆盖第二金属层。这种双金属层走线设计增加了膜层总厚度(total thickness)，PV制程的锥角(taper)角度较大，第二钝化层的高度落差较大，在形成第二钝化层的过程中容易造成PV层爬坡不合格，即第二钝化层容易在斜坡处形成断层，导致第二金属层裸漏在空气中造成腐蚀。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种双导电层走线及其制造方法、显示面板，以解决现有的双金属层走线容易导致钝化层在斜坡处形成断层以导致金属层裸漏在空气中造成腐蚀的问题。
本发明提供的一种双导电层走线，包括：
第一导电层；
第一钝化层，覆盖所述第一导电层，所述第一钝化层包括位于所述第一导电层上方的第一部分以及除所述第一部分之外的第二部分，所述第一部分的顶面高于所述第二部分的顶面；
第二导电层，设于所述第一钝化层上，所述第二导电层和所述第一导电层的正投影部分重叠，且所述第二导电层的至少一侧边的正投影落入第一导电层的正投影内且两者同一侧边的正投影间隔设置；
第二钝化层，设于所述第一钝化层上且完全覆盖所述第二导电层。
其中，所述第二导电层的第一侧边的正投影落入第一导电层的正投影内且两者的第一侧边的正投影间隔设置，所述第一侧边与第二侧边相对设置，所述第一导电层的第二侧边的正投影落于所述第二导电层的正投影内，且两者的第二侧边的正投影间隔设置。
其中，第二导电层和第一导电层的第一侧边的正投影之间的距离，等于第二导电层和第一导电层的第二侧边的正投影之间的距离。
其中，第二导电层和第一导电层的第二侧边的正投影之间的距离，小于相邻两个所述第一导电层之间的距离。
本发明提供的一种双导电层走线的制造方法，包括：
形成第一导电层；
形成覆盖所述第一导电层的第一钝化层，所述第一钝化层包括位于所述第一导电层上方的第一部分以及除所述第一部分之外的第二部分，所述第一部分的顶面高于所述第二部分的顶面；
在所述第一钝化层上形成第二导电层，所述第二导电层和所述第一导电层的正投影部分重叠，且所述第二导电层的至少一侧边的正投影落入第一导电层的正投影内且两者同一侧边的正投影间隔设置；
在所述第二导电层上形成覆盖所述第一钝化层的第二钝化层。
其中，所述第二导电层的第一侧边的正投影落入第一导电层的正投影内且两者的第一侧边的正投影间隔设置，所述第一侧边与第二侧边相对设置，所述第一导电层的第二侧边的正投影落于所述第二导电层的正投影内，且两者的第二侧边的正投影间隔设置。
其中，第二导电层和第一导电层的第一侧边的正投影之间的距离，等于第二导电层和第一导电层的第二侧边的正投影之间的距离。
其中，第二导电层和第一导电层的第二侧边的正投影之间的距离，小于相邻两个所述第一导电层之间的距离。
其中，采用光罩刻蚀制程在第一钝化层上形成第二导电层。
本发明提供的一种显示面板，包括位于显示区外围的扇出区和走线连接区，扇出区和走线连接区的至少一者设置有上述双导电层走线。
本发明上述提供的双导电层走线及其制造方法、显示面板，通过设计第二导电层和第一导电层的正投影部分重叠，所述第二导电层的至少一侧边的正投影落入第一导电层的正投影内且两者同一侧边的正投影间隔设置，即第二导电层相对于第一导电层在某一方向上发生了一定程度的偏移(shift)，偏移后的两个导电层不完全重叠，能够给第二钝化层提供较为平缓的爬坡层，从而有利于避免第二钝化层在斜坡处形成断层，以此避免第二导电层裸漏在空气中造成腐蚀。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例的双导电层走线的截面结构示意图；
图2是本发明一实施例的显示面板的俯视结构示意图；
图3是本发明一实施例的双导电层走线的制造方法的流程示意图；
图4是本发明一实施例的第二导电层的制造场景示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
图1是本发明一实施例的双导电层走线的结构截面示意图。请参阅图1所示，所述双导电层走线10包括依次层叠设置的第一导电层11、第一钝化层12、第二导电层13和第二钝化层14。
第一导电层11可以位于显示面板的衬底基板上，当然，根据双导电层走线10所适用的具体应用场景，承载第一导电层11的基材21并非限于显示面板的衬底基板，还可以是其他非导电层。
第一钝化层12为覆盖第一导电层11的非导电层，该第一钝化层12同时也覆盖基材21，由此第一钝化层12实现为高低不同的结构层。具体地，请结合图1所示，第一钝化层12可以划分为两个部分，第一部分位于第一导电层11的上方，该第一部分不仅包括第一钝化层12的水平部分，还包括第一钝化层12的与第一导电层11的侧边端部相对应的斜坡部分，所述斜坡部分可参见图1中示出的第一钝化层12被虚线所圈定的区域，第二部分为第一钝化层12的除第一部分之外的区域，其中所述第一部分的顶面高于第二部分的顶面。
第二导电层13设置于第一钝化层12上，且第二导电层13的一部分位于第一钝化层12的上方，即第二导电层13和第一导电层11两者的正投影并未完全重叠而是部分重叠。另外，第二导电层13的至少一侧边的正投影落入第一导电层11的正投影内，这两个导电层的同一侧边的正投影间隔设置，以所述同一侧边为左侧边为例，如图1所示，第二导电层13的左侧边和第一导电层11的左侧边在水平方向上间隔设置，这两个导电层的左侧边之间的距离为d1。
第二钝化层14设于第一钝化层12上且完全覆盖第二导电层13。
在本实施例中，第二导电层13的至少一侧边的正投影落入第一导电层11的正投影内，且两者的同一侧边的正投影间隔设置，实质上可视为第二导电层13相对于第一导电层11发生偏移，以图1所示为例，第二导电层13的左侧相对于第一导电层11的左侧向右发生偏移，使得第一导电层11和第二导电层13上下不完全重叠，偏移的尺寸相当于增加了左侧斜坡处的横向尺寸，能够给第二钝化层14在左侧提供较为平缓的爬坡层，从而有利于避免第二钝化层14在左侧斜坡处形成断层，以此避免第二导电层13的左端裸漏在空气中造成腐蚀。
另外，相比较于现有技术中第一导电层11和第二导电层13上下基本完全重叠，第一导电层11和第二导电层13上下不完全重叠，两者上下重叠的面积变小，由此这两者及其中间的第一钝化层12所形成的电容较小，从而能够有利于避免影响信号正常传输。
请继续参阅图1，所述第一导电层11的右侧边的正投影落于第二导电层13的正投影内，且这两个导电层的右侧边的正投影间隔设置，也就是说，所述第二导电层13的右侧边相对于第一导电层11的右侧边向右进行了偏移，偏移的尺寸为d2。于此，向右偏移的尺寸相当于增加了右侧斜坡处的横向尺寸，能够给第二钝化层14在右侧提供较为平缓的爬坡层，从而有利于避免第二钝化层14在右侧斜坡处形成断层，以此避免第二导电层13的右端裸漏在空气中造成腐蚀。
在一实施例中，第二导电层13和第一导电层11在左侧的偏移尺寸d1可以等于在右侧的偏移距离d2，即d1＝d2。基于此，如果现有技术中的第二导电层13和第一导电层11上下完全重叠，则本实施例可视为将第二导电层13相对于第一导电层11整体向右偏移了一段距离d1，第二导电层13的正投影面积并未发生改变，同时第一导电层11的正投影面积也未改变，因此双导电层走线10的电阻值并未增加。
应理解，上述“左侧”、“右侧”是根据图1所示方位进行的描述，在方位发生变化的其他实施例中，本申请可将相对设置的两侧定义为第一侧和第二侧，由此位于相对两侧的边可称之为第一侧边和第二侧边。例如，前述第二导电层13的左侧边的正投影落入第一导电层11的正投影内，且第二导电层13和第一导电层11两者的左侧边的正投影间隔设置，这一结构设计可描述为：第二导电层13的第一侧边的正投影落入第一导电层11的正投影内，且第二导电层13的第一侧边的正投影和第一导电层11的第一侧边的正投影间隔设置。
在实际应用场景中，显示面板等显示器的走线排布较为密集，相邻走线的间距较小，为了避免上下导电层之间重叠产生电容而影响信号正常传输，在一实施例中，第二导电层13和第一导电层11这两者的第二侧边的正投影之间的距离d2，应当小于相邻第一导电层11之间的距离。
以图1所示为例，第二导电层13和第一导电层11这两者的右侧边之间的水平距离d2小于相邻第一导电层11之间的距离。由此，偏移后的第二导电层13与相邻的第一导电层11并不会有任何重叠，两者之间不会形成电容，从而能够避免影响信号的正常传输。
本申请上述任一实施例的双导电层走线10，在实际应用场景中可以为显示面板(例如LCD)的信号走线。请参阅图2，图2是本发明一实施例的显示面板的俯视结构示意图。显示面板20包括显示区(Active Area,AA)201，及设置于所述显示区201外围的WOA区22和扇出区23，所述双导电层走线10可以设置于WOA区22和扇出区23中的至少一者，作为这两个区域中至少一者的信号走线。所述显示面板20具有与双导电层走线10相同的有益效果，此处不再予以赘述。
下面介绍本申请实施例的双导电层走线10的制造方法。图3是本发明一实施例的双导电层走线的制造方法的流程示意图。请参阅图3所示，所述双导电层走线的制造方法包括如下步骤。
S31：形成第一导电层。
本申请实施例可以在基材上通过一道光罩刻蚀制程(包括成膜、曝光、显影及刻蚀工艺)制作第一导电层，具体而言：
首先，在基材上形成一整面导电层和覆盖该一整面导电层的光阻层。所述一整面导电层的材料可以采用具有较好导电性及耐腐蚀性能的材料，例如金属材料，包括但不限于为钼、镍、钯、钴、钨、铑、钛、铬、金、银、铂等。当然，为了进一步提高其导电性，一整面导电层可采用多层金属叠加结构，例如钼、铝、钼的三层金属结构，或者镍、铜、镍的三层金属结构，钼、铜、钼的三层金属结构，或者镍、铝、镍的三层金属结构。通过设置三层的金属导电结构，不仅能够提高最终制得的第一导电层的导电性能，而且也能提高耐腐蚀性。
接着，利用光罩曝光所述光阻层以得到具有预定图案的光阻层，其中具有预定图案的光阻层暴露一整面导电层的待刻蚀部分。具体地，所述光罩具有透光区，在曝光过程中，光罩设置于光阻层的上方，该透光区的图案与最终所要刻蚀的图案相一致，光透过所述透光区并照射至光阻层以进行曝光，光阻层的被曝光部分被显影液去除，而光阻层的未被曝光部分无法被显影液去除并最终得以保留，由此，在俯视状态下，光阻层转变为具有预定图案的光阻层，这其中，光阻层的被显影液去除的部分暴露出一整面导电层的待刻蚀部分。
然后，刻蚀去除所述一整面导电层的未被具有预定图案的光阻层遮盖的部分。本实施例可以采用干法刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺去除所述一整面导电层的未被光阻层遮盖的部分。以湿法刻蚀工艺来说，一整面导电层的被光阻层遮盖的部分与刻蚀液充分接触并发生溶解反应从而被完全去除，而未被光阻层遮盖的部分无法与刻蚀液接触并最终得以保留，最终灰化去除剩余光阻层，得到第一导电层。
S32：形成覆盖第一导电层的第一钝化层，所述第一钝化层包括位于第一导电层上方的第一部分以及除第一部分之外的第二部分，所述第一部分的顶面高于第二部分的顶面。
本实施例可以采用成膜工艺，例如化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)方法，形成第一钝化层。该第一钝化层的材质可以为硅氧化物(SiOx)，或者第一钝化层包括依次覆盖第一导电层的硅氧化合物层和硅氮化合物层，例如SiO2(二氧化硅)层和Si3N4(三氮化硅)层，进一步提高第一钝化层的耐磨损能力和绝缘性能。
S33：在第一钝化层上形成第二导电层，所述第二导电层和第一导电层的正投影部分重叠，且第二导电层的至少一侧边的正投影落入第一导电层的正投影内且两者同一侧边的正投影间隔设置。
本申请实施例可以通过一道光罩刻蚀制程(包括成膜、曝光、显影及刻蚀工艺)形成第二导电层。结合图4所示，具体而言：
首先，在第一钝化层12上形成一整面导电层131和覆盖导电层131的光阻层41。所述导电层131的材料可以与第一导电层11的材料相同，具体地，可以采用具有较好导电性及耐腐蚀性能的材料，例如金属材料，包括但不限于为钼、镍、钯、钴、钨、铑、钛、铬、金、银、铂等。当然，为了进一步提高其导电性，导电层131可采用多层金属叠加结构，例如钼、铝、钼的三层金属结构，或者镍、铜、镍的三层金属结构，钼、铜、钼的三层金属结构，或者镍、铝、镍的三层金属结构。通过设置三层的金属导电结构，不仅能够提高导电层131及由其形成的第二导电层13的导电性能，而且也能提高耐腐蚀性。
接着，利用光罩40曝光所述光阻层41以得到具有预定图案的光阻层411，其中具有预定图案的光阻层411暴露导电层131的待刻蚀部分。具体地，所述光罩40具有透光区401，在曝光过程中，光罩40设置于光阻层41的上方，该透光区401的图案与最终所要刻蚀的图案相一致，光透过所述透光区401并照射至光阻层41以进行曝光，光阻层41的被曝光部分被显影液去除，而光阻层41的未被曝光部分无法被显影液去除并最终得以保留，由此，在俯视状态下，光阻层41转变为具有预定图案的光阻层411，这其中，光阻层41的被显影液去除的部分暴露出导电层131的待刻蚀部分。
然后，刻蚀去除所述导电层131的未被光阻层411遮盖的部分。本实施例可以采用干法刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺去除所述导电层131的未被光阻层411遮盖的部分。以湿法刻蚀工艺来说，所述导电层131的被光阻层411遮盖的部分与刻蚀液充分接触并发生溶解反应从而被完全去除，而未被光阻层411遮盖的部分无法与刻蚀液接触并最终得以保留，最终导电层131刻蚀转变为第二导电层13。
最后，灰化去除所述光阻层411，即可得到第二导电层13。
S34：在第二导电层上形成覆盖第一钝化层的第二钝化层。
形成所述第二钝化层的材料和工艺可以与第一钝化层的相同，第二钝化层的制造工艺可参阅前述，此处不再予以赘述。
通过上述制造方法得到的双导电层走线可以具有与前述双导电层走线10相同的结构，因此具有前述相同的有益效果。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本申请，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本申请包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。
即，以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
另外，在本申请实施例的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。另外，对于特性相同或相似的结构元件，本申请可采用相同或者不相同的标号进行标识。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，“示例性”一词是用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何一个实施例不一定被解释为比其它实施例更加优选或更加具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本申请，本申请给出了以上描述。在以上描述中，为了解释的目的而列出了各个细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本申请。在其它实施例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本申请的描述变得晦涩。因此，本申请并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
Claims (10)
1.一种双导电层走线，其特征在于，所述双导电层走线包括：
第一导电层；
第一钝化层，覆盖所述第一导电层，所述第一钝化层包括位于所述第一导电层上方的第一部分以及除所述第一部分之外的第二部分，所述第一部分的顶面高于所述第二部分的顶面；
第二导电层，设于所述第一钝化层上，所述第二导电层和所述第一导电层的正投影部分重叠，且所述第二导电层的至少一侧边的正投影落入第一导电层的正投影内且两者同一侧边的正投影间隔设置；
第二钝化层，设于所述第一钝化层上且完全覆盖所述第二导电层。
2.根据权利要求1所述的双导电层走线，其特征在于，所述第二导电层的第一侧边的正投影落入第一导电层的正投影内且两者的第一侧边的正投影间隔设置，所述第一侧边与第二侧边相对设置，所述第一导电层的第二侧边的正投影落于所述第二导电层的正投影内，且两者的第二侧边的正投影间隔设置。
3.根据权利要求2所述的双导电层走线，其特征在于，所述第二导电层和第一导电层的第一侧边的正投影之间的距离，等于所述第二导电层和第一导电层的第二侧边的正投影之间的距离。
4.根据权利要求2所述的双导电层走线，其特征在于，所述第二导电层和第一导电层的第二侧边的正投影之间的距离，小于相邻两个所述第一导电层之间的距离。
5.一种双导电层走线的制造方法，其特征在于，包括：
形成第一导电层；
形成覆盖所述第一导电层的第一钝化层，所述第一钝化层包括位于所述第一导电层上方的第一部分以及除所述第一部分之外的第二部分，所述第一部分的顶面高于所述第二部分的顶面；
在所述第一钝化层上形成第二导电层，所述第二导电层和所述第一导电层的正投影部分重叠，且所述第二导电层的至少一侧边的正投影落入第一导电层的正投影内且两者同一侧边的正投影间隔设置；
在所述第二导电层上形成覆盖所述第一钝化层的第二钝化层。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二导电层的第一侧边的正投影落入第一导电层的正投影内且两者的第一侧边的正投影间隔设置，所述第一侧边与第二侧边相对设置，所述第一导电层的第二侧边的正投影落于所述第二导电层的正投影内，且两者的第二侧边的正投影间隔设置。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第二导电层和第一导电层的第一侧边的正投影之间的距离，等于所述第二导电层和第一导电层的第二侧边的正投影之间的距离。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第二导电层和第一导电层的第二侧边的正投影之间的距离，小于相邻两个所述第一导电层之间的距离。
9.根据权利要求5～8任一项所述的制造方法，其特征在于，采用光罩刻蚀制程在所述第一钝化层上形成第二导电层。
10.一种显示面板，包括位于显示区外围的扇出区和走线连接区，其特征在于，所述扇出区和所述走线连接区的至少一者设置有如上述权利要求1～4任一项所述的双导电层走线。
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