CN111270222B - 一种TOPCon电池双面镀膜设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种TOPCon电池双面镀膜设备，包括用于镀膜操作的真空炉腔，所述真空炉腔上设有炉口，炉口能够通过炉门封闭，其特征是，包括能够用于装载硅片的硅片载具、电极组结构、用于对硅片载具进行升降操作的载板升降组件和载板升降模组，以及用于对所述电极组结构进行移动的电极组平移机构，所述硅片载具能够装载到炉门上，所述炉门能够在所述载板升降模组的驱动下移动从而封闭或者打开炉口；所述电极组结构能够在所述电极组平移机构的驱动下在所述真空炉腔内移动从而与所述硅片载具结合或者分离，所述硅片载具能够在所述载板升降组件的驱动下在所述真空炉腔内上下移动，从而改变硅片载具上所装载的硅片与所述电极组结构之间的相对位置，以实现正反面双面镀膜。

Description

一种TOPCon电池双面镀膜设备
技术领域
本发明涉及用于太阳能电池表面的钝化膜镀膜设备。
背景技术
TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化钝化接触)作为一种新型钝化技术已经成为研究热点，该技术是在电池表面生成一层超薄的可隧穿的氧化层和一层高掺杂的多晶硅层，氧化层的钝化作用和高掺杂多晶硅层的场钝化作用可以极大地降低少子复合速率，同时高掺杂的多晶硅层对于多子来说具有良好的传导性，因而TOPCon电池具有高的开路电压和填充因子。
现有技术中的一种双面TOPCon电池表面钝化方法，通常按照以下步骤来执行：首先，对硅片进行清洗制绒、硼扩散、刻蚀、湿氧化(或下一步进行热氧化)等工艺处理；然后，利用LPCVD设备对硅片进行热氧化(或上一步进行湿氧化)、利用LPCVD设备进行本征硅生长，再通过热扩散掺杂工艺或者离子注入掺杂工艺或直接利用LPCVD设备进行原位掺杂工艺；然后利用湿法工艺去除绕扩绕镀层；然后，有两种方式，方式1利用ALD设备对非掺杂面进行氧化铝薄膜生长后再利用PECVD设备分别对硅片两面进行氮化硅薄膜生长，方式2直接利用管式二合一PECVD设备对硅片的非掺杂面进行氧化铝薄膜生长后，切换氮化硅薄膜生长，再利用PECVD设备对硅片另一面进行氮化硅薄膜生长。最后再对硅片两面进行金属化工艺。
在上述方法中，利用ALD设备和PECVD设备进行薄膜生长，硅片需要取放转移较多次，多次取放硅片，吸盘会对纳米级薄膜产生损伤。利用二合一PECVD和PECVD设备进行薄膜生长可以减少一次硅片取放转移，但同样存在由于硅片在石墨舟中竖直放置，由三个卡点固定，近卡点位置产生卡点印，另外硅片也没有完全贴合石墨片，导致硅片表面薄膜生长不均匀，无法快速高效的实现光伏电池的自动化生产。因此亟需一种一次工艺实现正反两面的镀膜，而且过程无绕镀的TOPCon电池双面镀膜设备。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种TOPCon电池双面镀膜设备，能够克服背景技术中的问题，填补双面镀膜技术的空白。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是：
一种TOPCon电池双面镀膜设备，包括用于镀膜操作的真空炉腔，所述真空炉腔上设有炉口，炉口能够通过炉门封闭，包括能够用于装载硅片的硅片载具、电极组结构、用于对硅片载具进行升降操作的载板升降组件和载板升降模组，以及用于对所述电极组结构进行移动的电极组平移机构，所述硅片载具能够装载到炉门上，所述炉门能够在所述载板升降模组的驱动下移动从而封闭或者打开炉口；所述电极组结构能够在所述电极组平移机构的驱动下在所述真空炉腔内移动从而与所述硅片载具结合或者分离，所述硅片载具能够在所述载板升降组件的驱动下在所述真空炉腔内上下移动，从而改变硅片载具上所装载的硅片与所述电极组结构之间的相对位置，以实现正反面双面镀膜。
进一步地，所述硅片载具包括框架，所述框架内为一个镂空区域，也可设有隔离支架，所述隔离支架将框架内的镂空部位隔离成至少两个镂空区域，所述镂空区域设有卡点，所述卡点位于所述镂空部位的内侧壁上，且设置在内侧壁上靠近下表面的位置。
进一步地，所述框架的一侧设有安装部位，所述安装部位用于将框架安装固定；所述安装部位上设有至少一个安装孔，所述安装孔最好沿所述框架的中心线对称；所述硅片载具还包括安装杆，所述安装杆与所述安装孔一一对应，所述框架通过安装孔套装在安装杆上。
进一步地，所述炉门连接在载板升降组件上；所述载板升降组件包括第一载板升降驱动件，所述第一载板升降驱动件通过驱动件支架固定连接在炉门上表面；所述载板升降组件包括载板升降驱动杆，所述炉门上设有能够允许载板升降驱动杆穿过的开孔，所述载板升降驱动杆能够穿过所述炉门连接所述硅片载具。
进一步地，所述开孔的外侧设有腔体焊接法兰，所述载板升降驱动件的输出端通过一浮动接头连接一动密封法兰，所述腔体焊接法兰和所述动密封法兰之间通过焊接波纹管密封连接；所述驱动件支架内设有直线导轨，所述动密封法兰的一侧与所述直线导轨配合并能够沿所述直线导轨移动。
进一步地，所述载板升降模组包括升降滑动杆，所述升降滑动杆上设有升降滑轨，所述升降滑轨上设有升降滑块，所述升降滑块能够连接至所述载板升降组件；所述升降滑块成对设置在所述升降滑动杆的两侧，所述升降滑块能够分别通过连接块连接至所述载板升降组件的驱动件支架上。
进一步地，所述载板升降模组还包括第二载板升降驱动件，所述第二载板升降驱动件设置在升降滑动杆上，并能够驱动升降滑块沿所述升降滑动杆上下移动；所述驱动件支架包括两根立柱和一块侧板，侧板设置在靠近载板升降模组的这一侧，所述直线导轨设置在侧板上，所述动密封法兰整体上成L形，并包括两块三角形的侧挡，能够部分挡住所述焊接波纹管。
进一步地，所述电极组结构包括电极组正极块和电极组负极块，电极组正极块和电极组负极块上分别设有石墨电极片的放置部位，所述电极组正极块和电极组负极块上的放置部位交错设置。
进一步地，所述放置部位包括多个用于夹持石墨电极片的卡槽，每个卡槽能够装载一片石墨电极片，所述卡槽的外端设有能够与石墨电极片表面接触的凸点。
进一步地，所述真空炉腔底部设有电极组平移导轨，所述电极组结构底部设有横向滑块，所述横向滑块能够在所述横向滑轨上移动，从而带动所述电极组结构在真空炉腔内移动；所述真空炉腔的一侧设有电极组推送机构和电极组推送开孔，所述电极组推送机构包括电极组推送气缸、电极组推送气缸的输出端通过气缸连接轴连接电极组推送杆，所述电极组结构的底部的一侧设有助推板，所述电极推送杆能够伸入真空炉腔内，顶抵所述助推板，从而推送所述电极结构；所述电极组推送气缸安装在气缸安装法兰上，所述电极组推送开孔的外侧通过腔体焊接法兰密封，所述气缸安装法兰和所述腔体焊接法兰密封之间设有动密封法兰；所述动密封法兰内设有动密封法兰端盖，所述动密封法兰端盖内设有至少两道密封圈，密封圈之间通过密封圈压环压紧；所述真空炉腔的上部设有电极座结构，所述电极座结构包括电极支架和电极驱动气缸，电极支架上设有正负两极的电极柱和电极柱的滑动密封结构，所述电极柱能够穿过所述真空炉腔的上表面伸入真空炉腔内，当所述炉内电极组结构移动到镀膜工位时，所述正负两极的电极柱能够在电极驱动气缸的驱动下沿滑动结构下移，并在真空炉腔内分别触碰所述电极组的正极块和负极块。
本发明的有益效果是：
(1)本发明采用水平镀膜的方式，包括特殊设计的电极组结构和中间镂空的载板，通过切换载板的位置分别产生等离子体，实现了衬底的顶部和底部沉积，可以实现在无需破坏真空和无需翻转基体的情况下实现双面镀膜，例如，先镀一面的氧化铝和氮化硅，然后切换载板位置，镀另一面的氮化硅。
(2)本发明可镀多层膜，可不同种类的多层膜，可根据反应气体镀不同种类的膜层，无需破坏真空，无需对硅片进行转移，减少污染和损伤。
(2)本发明设置载板升降组件和载板升降模组组成的二级升降机构，一级为整体升降，二级为部件升降，一方面通过整体升降实现炉门升降，打开或封闭炉门，同时带动硅片载具的进炉和出炉，另一方面通过部件升降实现硅片载具在炉体内的上下微调，调整镀膜的位置，实现双面镀膜；同时，两级的载板升降机构均包含动密封机构，通过焊接波纹管的伸缩实现，载板升降杆可以为活动连接，可以将活动载板取出，上料机构可以实现自动化，以提高生产效率。
(3)本发明的硅片载具的单元设置多个硅片放置位(例如实施例中所示的4个，当然也可以根据需要设置更多)，硅片放置位中间镂空，一方面可以配合双面镀膜，另一方面可以提升产能。
(4)本发明的电极组结构包括一个单独的由石墨电极片组成的石墨电极结构，这个石墨电极结构本身不承载硅片，而且这个石墨电极结构始终位于用于硅片反应的真空炉体内，当硅片随着硅片载具进入到真空炉腔内，石墨电极可以在炉体内移动，与硅片的承载结构对接，形成整个反应体，反应完毕后，石墨电极结构可以退出硅片载具，硅片载具单独离开炉体，在本发明的这种设计下，石墨电极不用随着硅片的上料和下料而移动，就石墨电极本身来说，只是在真空炉腔内进行小范围的缓慢移动，其结构固定，性质稳定，不易受到其他结构的影响，而且石墨结构和硅片分列，使得硅片的装载也更加方便，采用了本发明的电极结构，能够使镀膜设备的结构和工艺都更加合理。
附图说明
图1是本发明的整体结构图。
图2是本发明的硅片载具被装入到真空炉腔内的示意图。
图3是图2的侧视图。
图4是镂空载板的示意图。
图5是本发明的载板升降机构的示意图。
图6是本发明的电极推送机构的示意图。
图7是本发明的其中一面镀膜的示意图。
图8是本发明的另一面镀膜的示意图。
图中标号：真空炉腔100，镂空载板104，镂空部位105，安装部位106，方形框架107，十字形支架108，镂空区域109，卡点110，安装孔111，抽真空接口112，横向推送开孔113，电极平移导轨114，硅片200，电极组结构300，石墨电极片301，电极组正极块302，电极组负极块303，底板304，卡槽305，第一凸台3051，第二凸台3052，凸点3053，坡面3054，电极片的装载工位306，助推板307，横向滑块308，载板升降组件400，第一升降驱动电机401，升降驱动支架402，第一腔体焊接法兰403，载板升降驱动杆404，第一动密封法兰405，安装杆406，浮动接头407，焊接波纹管408，升降直线导轨409，密封圈410，第一升降驱动电机的输出端411，台板500，炉口501，载板升降模组600，模组升降杆601，第二升降驱动电机602，升降滑轨603，炉门700，电极组推送机构800，第二腔体焊接法兰801，第二动密封法兰802，气缸安装法兰803，电极推送气缸804，电极组推送气缸的输出端805，气缸连接轴806，电极组推送杆807，动密封法兰端盖808，动态密封圈809，动态密封圈压环810，气缸固定座900，电极支架901，电极驱动气缸902，电极柱903，电极平移导轨904。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方案作进一步详细说明，应当指出的是，具体实施方案只是对本发明的详细阐述，其目的是为了使本领域技术人员更好地了解和实施本发明，不应视为对本发明的限定。
如图1-3所示，本发明提供TOPCon电池双面镀膜设备，包括用于镀膜操作的真空炉腔100，真空炉腔100的上部设有台板500，台板500上设有炉口501，炉口501可以通过炉门700被封闭或打开，该双面镀膜设备还包括一个电极组结构300，一个硅片载具，一个载板升降组件400，以及一个载板升降模组600，电极组结构300设置在真空炉腔100内，硅片载具可以通过炉口501进出所述真空炉腔100，硅片载具装载在炉门700上，载板升降模组600用于驱动炉门700的上下移动，在炉门700上下移动的时候，可以带动硅片载具上下移动从而使硅片载具进出真空炉腔100，载板升降组件400用于调节硅片载具在真空炉腔100内的小范围上下移动，从而分别使得硅片载具上的硅片位于图7和图8所示的位置，进行双面镀膜。
如图1所示，在所述真空炉腔100外，硅片200被通过现有技术中的硅片平移机构(例如吸盘)装入镂空载板104中，镂空载板104包括多个，多个镂空载板104在硅片的装载工位103上下排列且等间距均布，形成硅片载具，单个镂空载板104上至少设有一个镂空部位105和一个安装部位106，所述镂空部位105位于镂空载板104的中部，所述安装部位106位于所述镂空载板104的一侧，所述多个镂空载板104的安装部位位于镂空载板的同一侧。
如图4所示，所述镂空载板104包括方形框架107和设置在方形框架107中的十字形支架108，所述十字形支架108将所述方形框架107围成的空间隔成四个等间距方形镂空区域，方形框架107和十字形支架108均采用石英材料制成，方形框架107和十字形支架108的宽度不超过单个镂空区域109(分隔后的)宽度的1/10，以保证为硅片的烧制留出足够的表面区域，所述方形框架和十字形支架的厚度不小于硅片厚度。
每个镂空区域109内均设有卡点110，卡点110设置在每个镂空区域109的边缘中部，且在镂空载板104的厚度方向上靠近下底面布置，卡点110包括半圆形片材，卡点110也采用石英材料支撑，卡点110的宽度不超过硅片厚度的2倍，当镂空载板104上装载硅片时，硅片可以被放入每一个镂空区域109，且被卡点110挡住，装载了硅片厚的镂空载板104如图1所示。
安装部位106设置在方形框架107其中一侧边的外侧中部，安装部位106上设有两个安装孔111，两个安装孔111大小和形状一致，且沿方形框架107的中心位置对称布置。
所述安装部位106固定在载板升降组件400上，所述载板升降组件400安装在所述真空炉腔100的一侧，如图5所示，所述载板升降组件400包括第一升降驱动电机401，所述第一升降驱动电机401安装在升降驱动支架402上，所述升降驱动支架402可以架设在真空炉腔100的上部，所述升降驱动支架402的底端固定连接在炉门700的上表面，在所述升降驱动支架402与所述真空炉腔100的安装部位设有第一腔体焊接法兰403，所述第一升降驱动电机403连接并驱动载板升降驱动杆404，所述载板升降驱动杆404的最上端连接在第一动密封法兰405上，所述载板升降驱动杆404穿过第一腔体焊接法兰403伸入到真空炉腔100内，所述载板升降驱动杆404的下端固定连接在最上层的镂空载板104的安装部位上，同时，所述载板升降驱动杆404的下端固定连接有两根能够穿过所有镂空载板104的安装部位上的安装孔111的安装杆406，两根安装杆406的底端固定连接在最下层的镂空载板104的安装部位上，第一腔体焊接法兰403下端可以焊接固定在炉门700上。
所述第一升降驱动电机401的输出端411连接一个浮动接头407，所述浮动接头407的下端固定连接一个第一动密封法兰405，第一动密封法兰405的下端固定连接载板升降驱动杆404，在所述载板升降驱动杆404的外侧的第一动密封法兰405和第一腔体密封法兰403之间设有焊接波纹管408，用于对载板升降驱动杆404进行保护以及引导浮动接头的移动轨迹，焊接波纹管408和第一腔体密封法兰403的接触面，以及焊接波纹管408和第一动密封法兰405的接触面上均设有密封圈410，确保与真空炉体100内连通的气密性；所述升降驱动支架402的内侧设有升降直线导轨409，所述第一动密封法兰405能够沿所述升降直线导轨409移动，从而进一步稳定升降的直线方向。
本发明的镀膜机还包括载板升降模组600，所述载板升降模组600包括模组升降杆601，模组升降杆601的上端设有第二升降驱动电机602，所述模组升降杆601上沿其高度方向上设有升降滑轨603，所述升降滑轨603上安装有升降模组夹具604，所述升降模组夹具604分别位于升降滑轨603的两侧，所述升降模组夹具604能够分别通过连接块(未示出，可根据实际大小和连接需要采用普通方形钢制件)连接至升降驱动支架402，并能够带动升降驱动支架402上下移动从而使得所述载板升降组件400上下移动，所述载板升降组件400的上下移动可以带动炉门700向上或向下移动，当炉门700向上移动时，炉口501被打开，当炉门700向下移动时，炉门700可以封住炉口501，此时硅片载具进入到真空炉腔100内，需要说明的是，炉门700实际上是实心的，为了不挡住下部的结构示意，图1中的炉门仅示出了炉门700的外形框。
所述真空炉腔100的底部设有电极组推送机构，电极组推送机构上装载有竖向布置的电极组结构300，所述电极组结构300包括电极组正极块302和电极组负极块303，所述电极组正极块302和所述电极组负极块303均安装固定在底板304上，它们之间留有一定的距离，所述电极组正极块302和所述电极组负极块303朝向真空炉体内的一侧分别等间距地设置多道用于夹持石墨电极片的卡槽305，相邻台阶305之间形成能够横向安装电极片301的卡槽，每道卡槽305都包括第一凸台3051和第二凸台3052，其中，第二凸台3052比第一凸台3051突出，第二凸台3052的下表面设有凸点3053，用于顶抵住石墨电极片301，与之对应的，石墨电极片301可以在相应的位置上设有小凹坑，与凸点1053相匹配，从而卡住石墨电极片301，第一凸台3051的台阶转角处设置坡面3054用于引导石墨电极片的安装同时防止划伤电极片，电极组正极块302和所述电极组负极块303上的卡槽305错开布置，形成如图3所示的多个电极片的装载工位306，这样相邻石墨电极片301能够分别被同时被电极组正极块302和所述电极组负极块303上的卡槽305夹住，形成通正极的石墨电极片301和通负极的石墨电极片301交错布置的电极组。
如图3所示，所述真空炉腔100的底部的下方设有抽真空接口112，可以用于将密封后的炉体内抽真空，所述真空炉腔100的底部的另一侧设有横向推送开孔113，电极组推送机构800能够通过横向推送开孔113向内推送电极组结构300。
如图6所示，横向推送开孔113的外侧通过第二腔体焊接法兰801密封，第二腔体焊接法兰801的外端对接第二动密封法兰802，第二动密封法兰802的外端对接气缸安装法兰803，所述电极组推送机构800还包括电极组推送气缸804，电极组推送气缸804安装在气缸安装法兰803上，电极组推送气缸804的输出端805穿过气缸安装法兰803，连接到气缸连接轴806，气缸连接轴806穿过第二动密封法兰802伸入第二腔体焊接法兰801内部，并在第二腔体焊接法兰801内部连接电极组推送杆807，气缸连接轴806和电极组推送气缸804的输出端805连接的位置上通过动密封法兰端盖808动态密封固定，在动密封法兰端盖808密封气缸连接轴806的接触面上至少设有两道动态密封圈809，由于该处也是和炉体内腔连通的，因此需要确保该处的气密性，动态密封圈809的耐磨性能优越，能够在移动状态下进行密封，同时又不影响移动的顺畅，例如动态密封圈809可以配合过润滑剂实现固液联合密封，动态密封圈809之间可以设置动态密封圈压环810，形成固液联合密封件。
如图1-3所示，所述电极组结构300的下端的一侧设有助推板307，所述电极组结构300的底板304的下表面固定设有横向滑块308，所述真空炉腔的底部设有电极平移导轨114，所述横向滑块308和所述电极组平移导轨114匹配，所述电极组推送杆807能够顶抵所述助推板307并推动电极组结构300沿所述电极组平移导轨114向内移动。
如图1-3所示，本发明的镀膜设备还包括电极座结构，电极座结构安装在真空炉腔的台板500上，电极座结构900包括电极支架901和电极驱动气缸902，电极驱动气缸902安装在气缸固定座900上，电极支架901上设有电极柱903和电极平移导轨904，所述电极柱903能够在电极驱动气缸902的驱动下穿过所述台板500伸入真空炉腔100内，所述电极柱903能够在电极驱动气缸902的驱动下沿电极平移导轨904上下滑动，并能够如图3所示地在真空炉腔100内触碰电极结构300，从而导通实现气体的等离子化，进行镀膜工艺。
本发明的镀膜设备在使用时，首先如图1所示的状态下，采用现有技术中的吸盘或者其他方式进行硅片的装载，当硅片装满后，将硅片载具装载到炉门700上，通过载板驱动模组600将炉门和装载了硅片的硅片载具一起向下移动进入真空炉腔100内，直至炉门700密封炉口501，然后通过抽真空接口112对真空炉腔100内进行抽真空，启动电极组推送机构，将电极组结构推送到和硅片载具结合的位置，通过载板升降组件400调节硅片载具的位置，使硅片载具位于如图7所示的镀膜位置，将电极座结构上的电极柱904下压至与电极组上的电极接触(正极电极柱接触电极组正极块302，负极电极柱接触电极组负极块303)，根据需要通入反应气体和保护气体，在图7所示的镀膜位置上，硅片和硅片载板靠近上方的正极石墨板，在硅片和硅片载板下方与负极石墨板之间形成等离子区，开启镀膜工艺，可以镀一种或多种膜，例如在图7所示的状态下镀氧化铝，再镀氮化硅，第一次镀膜完成后，通过载板升降组件400调节硅片载具的位置(上下移动)，使硅片载具位于如图8所示的镀膜位置，在图8所示的镀膜位置上，硅片和硅片载板靠近下方的负极石墨板，在硅片和硅片载板上方与正极石墨板之间形成等离子区，开启镀膜工艺，例如在图7所示的状态下完成后，在图8所示的位置上镀氮化硅。根据放片的方向，图7和图8中镀膜工艺也可以互换，即，在图7的状态下镀氮化硅，在图8所示的位置上镀氧化铝，再镀氮化硅。
镀膜完成后，将硅片载具略微与电极组分开，防止发生摩擦，然后再将电极座结构上的电极柱上移离开电极组结构，电极组推送结构拉出电极组，炉门上升，取出硅片载具。

Claims (6)

1.一种TOPCon电池双面镀膜设备，包括用于镀膜操作的真空炉腔，所述真空炉腔上设有炉口，炉口能够通过炉门封闭，其特征是，包括能够用于装载硅片的硅片载具、电极组结构、载板升降组件、载板升降模组，以及用于对所述电极组结构进行移动的电极组平移机构，所述硅片载具能够装载到炉门上，所述炉门能够在所述载板升降模组的驱动下移动从而封闭或者打开炉口；所述电极组结构能够在所述电极组平移机构的驱动下在所述真空炉腔内移动从而与所述硅片载具结合或者分离，所述硅片载具能够在所述载板升降组件的驱动下在所述真空炉腔内上下移动，从而改变硅片载具上所装载的硅片与所述电极组结构之间的相对位置，以实现正反面双面镀膜；
所述硅片载具包括框架，所述框架内设有隔离支架，所述隔离支架将框架内的镂空部位隔离成至少两个镂空区域，所述镂空区域设有卡点，所述卡点位于所述镂空部位的内侧壁上，且设置在内侧壁上靠近下表面的位置；
所述电极组结构包括电极组正极块和电极组负极块，电极组正极块和电极组负极块上分别设有石墨电极片的放置部位，所述电极组正极块和电极组负极块上的放置部位交错设置。
2.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池双面镀膜设备，其特征是，所述框架的一侧设有安装部位，所述安装部位用于将框架安装固定；所述安装部位上设有至少一个安装孔，所述安装孔沿所述框架的中心线对称；所述硅片载具还包括安装杆，所述安装杆与所述安装孔一一对应，所述框架通过安装孔套装在安装杆上。
3.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池双面镀膜设备，其特征是，所述炉门连接在载板升降组件上；所述载板升降组件包括第一载板升降驱动件，所述第一载板升降驱动件通过驱动件支架固定连接在炉门上表面；所述载板升降组件包括载板升降驱动杆，所述炉门上设有能够允许载板升降驱动杆穿过的开孔，所述载板升降驱动杆能够穿过所述炉门连接所述硅片载具。
4.根据权利要求3所述的一种TOPCon电池双面镀膜设备，其特征是，所述开孔的外侧设有腔体焊接法兰，所述载板升降驱动件的输出端通过一浮动接头连接一动密封法兰，所述腔体焊接法兰和所述动密封法兰之间通过焊接波纹管密封连接；所述驱动件支架内设有直线导轨，所述动密封法兰的一侧与所述直线导轨配合并能够沿所述直线导轨移动。
5.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池双面镀膜设备，其特征是，所述载板升降模组包括升降滑动杆，所述升降滑动杆上设有升降滑轨，所述升降滑轨上设有升降滑块，所述升降滑块能够连接至所述载板升降组件；所述升降滑块成对设置在所述升降滑动杆的两侧，所述升降滑块能够分别通过连接块连接至所述载板升降组件的驱动件支架上。
6.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池双面镀膜设备，其特征是，所述放置部位包括多个用于夹持石墨电极片的卡槽，每个卡槽能够装载一片石墨电极片，所述卡槽的外端设有能够与石墨电极片表面接触的凸点。
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