CN111262546B - 中心频率可调绝对带宽固定的ltcc滤波器及仿真方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开中心频率可调绝对带宽固定的LTCC滤波器及仿真方法。本发明包括五个外部端口和内部滤波结构,五个外部端口分别为两个对称分布的输入、输出端口,一个频率调谐端口以及两个接地端口。内部滤波结构从下至上依次包括九层金属层。本发明采用两层输入耦合结构,在顶层接入屏蔽层的情况下,相比单层结构有更高输入耦合强度。
Description
技术领域
本发明涉及微波滤波器技术领域,特别涉及一种中心频率可调绝对带宽固定的LTCC滤波器。
背景技术
滤波器是无线通信系统中最常用的无源器件,特别是带通滤波器,只允许通带以内的信号通过,而滤除带外无用的干扰信号,这对于确保通信设备的良好接收具有重要的意义。可调滤波器等价于多个不同频率滤波器的组合。例如在软件自定义的数字射频系统中,可调滤波器被用来取代大型的滤波器组,从而大大地节省安装成本和空间;另外,为了提高重构信号的准确性和效率,对可调窄带滤波器的选择性、损耗以及恒定带宽都提出了更高的研发要求。因此开展关于低损耗、高选择性且绝对带宽恒定的可调带通滤波器的深入研究,具有重要的理论意义和应用价值。
一直以来可调滤波器的设计主要集中在平面基板和腔体结构,具有较大尺寸,不适合电路集成,而体积缩小技术中,通过采用低温共烧陶瓷工艺(LTCC),将线路置于陶瓷体内部,其内部电路为叠层式排布能够极大减小电路尺寸,但目前通过LTCC技术设计的滤波器大多为固定式,可调滤波器结构很少。
因此,有必要提供一种中心频率可调绝对带宽固定的LTCC滤波器。
发明内容
本发明的目的是为了解决以上问题,提供一种中心频率可调绝对带宽固定的LTCC滤波器,相比目前绝对带宽固定的可调滤波器具有较小的体积,在实际滤波器频率调谐过程中操作简单,可集成性强。
本发明采用的技术方案是:
一种中心频率可调绝对带宽固定的LTCC滤波器,包括五个外部端口和内部滤波结构,五个外部端口分别为两个对称分布的输入、输出端口,一个频率调谐端口以及两个接地端口。
内部滤波结构从下至上依次包括九层金属层;
第一层包括第一焊盘(1-1)、第二焊盘(1-2)、第三焊盘(1-3)、第四焊盘(1-4)、第五焊盘(1-5)、第六焊盘(1-6)、第七焊盘(1-7)、第八焊盘(1-8),以及焊接的各种集总元件;各种集总元件包括两个电阻R1、R2,两个电容C11、C6,两个可调电容Tuning_C1、Tuning_C2;第三焊盘(1-3)、第七焊盘(1-7)通过金属柱与第三层的微带线连接;第一焊盘(1-1)、第五焊盘(1-5)为短路状态,通过金属柱与第三层的微带线连接;第四焊盘(1-4)、第八焊盘(1-8)通过金属柱与第二层地面连接;第二焊盘(1-2)、第三焊盘(1-3)之间焊接电容C11;第六焊盘(1-6)、第七焊盘(1-7)之间焊接电容C6;第一焊盘(1-1)、第二焊盘(1-2)之间焊接电阻R1;第五焊盘(1-5)、第六焊盘(1-6)之间焊接电阻R2;第二焊盘(1-2)、第四焊盘(1-4)之间焊接一个可调电容Tuning_C1;第六焊盘(1-6)、第八焊盘(1-8)之间焊接一个可调电容Tuning_C2;
第二层为地面,包括第一金属贴片(2-1),第一金属贴片(2-1)为对应两边边缘开有轴对称第一L型槽(2-2)的方形金属块,且在两第一L型槽(2-2)间开有两个轴对称的第一通孔(2-3);
第三层为高阻抗微带线,包括第一微带线(3-1)、第二微带线(3-2)、第三微带线(3-3);第一微带线(3-1)与第二微带线(3-2)轴对称,第三微带线(3-3)与第一微带线(3-1)、第二微带线(3-2)均垂直设置,且留有空隙;第一微带线(3-1)为两臂高度不一致的凵结构,第一微带线(3-1)、第二微带线(3-2)的开口朝向相反;第一微带线(3-1)的较低臂端与第一层第三焊盘(1-3)的一端通过金属柱穿过第一通孔(2-3)连接;第二微带线(3-2)的较低臂端与第一层第七焊盘(1-7)的一端通过金属柱穿过第一通孔(2-3)连接;第三微带线(3-3)的两端分别与第一层第一焊盘(1-1)、第五焊盘(1-5)通过金属柱穿过第一L型槽(2-2)连接;
第四层为地面,包括第二金属贴片(4-1),第二金属贴片(4-1)为两对应边其中一边中心开有第二矩形槽(4-3),另一边开有第二L型槽(4-2)的方形金属块;方形金属块的第三边开有两个第二通孔(4-4);
第五层为低阻抗微带线,包括两条轴对称的第四微带线(5-1)、第五微带线(5-2);第四微带线(5-1)为两臂高度不一致的凵结构,第四微带线(5-1)、第五微带线(5-2)的开口朝向一致;第四微带线(5-1)的一端与第三层第一微带线(3-1)的较高臂端通过金属柱穿过第二通孔(4-4)连接;第五微带线(5-2)的一端与第三层第二微带线(3-2)的较高臂端通过金属柱穿过第二通孔(4-4)连接;
第三层与第四层的距离大于第五层与第四层的距离。
第六层包括两条轴对称的第六微带线(6-1)、第七微带线(6-2);第六微带线(6-1)为两臂高度不一致的凵结构,其开口与第五层第四微带线(5-1)开口朝向相同;其中第六微带线(6-1)与第五层第四微带线(5-1)通过金属柱连接,相互耦合形成输入端耦合电容;第七微带线(6-2)与第五微带线(5-2)通过金属柱连接,相互耦合形成输出端耦合电容;
第七层包括两条轴对称的第八L型微带线(7-1)、第九L型微带线(7-2);第八L型微带线(7-1)的一端通过金属柱与第六层第六微带线(6-1)连接,另一端变宽设置;第九L型微带线(7-2)的一端通过金属柱与第六层第七微带线(6-2)连接,另一端变宽设置;
第八层为地面,包括第三金属贴片(8-1),第三金属贴片(8-1)为两对应边其中一边中心开有第三矩形槽(8-3),另一边开有第三L型槽(8-2)的方形金属块;第三矩形槽、第三L型槽与第四层第二矩形槽、第二L型槽结构相同。
作为优选,上述槽与通孔的位置均根据内部电路连接关系确定。
第九层包括第九焊盘(9-1)、第十焊盘(9-2)、第十一焊盘(9-3)、第十二焊盘(9-4)、第十三焊盘(9-5);第十焊盘(9-2)通过其侧边与第七层第八L型微带线(7-1)变宽端连接封口作为输入端口;第十三焊盘(9-5)通过其侧边与第七层第九L型微带线(7-2)变宽端连接封口作为输出端口;第十一焊盘(9-3)通过其侧边与第一层接地焊盘(1-9)连接封口作为接地端口;第十二焊盘(9-4)与第三层第三微带线(3-3)通过金属柱连接,并通过其侧边与第一层第五焊盘(1-5)连接封口作为频率控制端口;第九焊盘(9-1)通过其侧边、金属柱与第二层、第四层、第八层中的一个地面连接作为接地端口;
由第一微带线(3-1)、第二微带线(3-2)、第四微带线(5-1)、第五微带线(5-2)、电容C11、电容C6、可调电容Tuning_C1、可调电容Tuning_C2以及连接它们的金属柱分别构成两个谐振器;
调节第三层第一微带线(3-1)、第二微带线(3-2)的间距控制磁耦合强弱,调节第五层第四微带线(5-1)、第五微带线(5-2)的间距控制电耦合强弱;
通过改变第六层第六微带线(6-1)、第七微带线(6-2)的间距控制源负载耦合大小。
作为优选,第三层第一微带线(3-1)靠近第三微带线(3-3)的一臂高度低于远离第三微带线(3-3)的另一臂高度;第五层第四微带线(5-1)靠近第五微带线(5-2)的一臂高度低于远离第五微带线(5-2)的另一臂高度;第六层第六微带线(6-1)较低臂的高度大于第四微带线(5-1)较低臂的高度,较高臂的高度与第四微带线(5-1)较高臂的高度一致。
作为优选,第三矩形槽(8-3)与第四层第二矩形槽(4-3)结构相同;第三L型槽(8-2)与第四层第二L型槽(4-2)结构相同。
本发明的另一个目的是提供上述滤波器的仿真方法。
为了实现绝对带宽固定的可调滤波器,需要对耦合系数K和外部Q值Qe进行仿真。全极点切比雪夫滤波器在设计带宽和回波损耗不变的情况下,改变设计中心频率,耦合矩阵不变,即mij,mS1,mnL,(i,j=1,2,3…n,i≠j),均为常数。
耦合系数K的仿真:
K=mij*fbw,由得|fe-fo|≈mij*bw。其中mij为耦合矩阵中的元素值;fe和fo为偶模频率和奇模频率;f1为设计中心频率;bw为设计带宽。由公式可知|fe-fo|参数只与mij和bw有关,与中心频率f1无关。
仿真过程:
1、将变容二极管的可调范围分为n等份,分别为Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn。其中n为自然数且n≥2,n越大精度越高。改变电容值可改变中心频率。
2、计算理论|fe-fo|值,并做出|fe-fo|参数相比不同电容值Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn的理想|fe-fo|参数曲线,该曲线为直线。
3、依次设置变容二极管Tuning_C1和Tuning_C2的电容值为Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn,两个变容二极管容值相等,仿真得到|fe-fo|值设为bw1,bw2,bw3,…bwn。
4、画出仿真的|fe-fo|参数相比不同电容值Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn的仿真|fe-fo|参数曲线,与理想|fe-fo|参数曲线做对比。
5、若仿真|fe-fo|参数曲线明显偏离理想|fe-fo|参数曲线,则改变第三层中第一微带线3-1与第二微带线3-2,两臂的高度,微带线长度,两微带线间距,改变第五层中第四、五微带线5-1、5-2,两臂的高度,微带线长度和两微带线间距,然后重新执行步骤(3)、(4)、(5)。
6、若仿真|fe-fo|参数曲线在理想|fe-fo|参数曲线上下波动,则取仿真|fe-fo|参数曲线中最大值和最小值为bwmax和bwmin,计算|bwmax-bwmin|是否在要求范围内(例如本发明要求|bwmax-bwmin|≤10MHZ),如果|bwmax-bwmin|>10MHZ,则改变第三层中第一微带线3-1与第二微带线3-2,两臂的高度,微带线长度,两微带线间距,改变第五层中第四、五微带线5-1、5-2,两臂的高度,微带线长度和两微带线间距,然后重新执行步骤(3)、(4)、(5)、6。如果|bwmax-bwmin|≤10MHZ则仿真结束。
外部Q值的Qe的仿真:
仿真过程:
1、将变容二极管的可调范围分为n等份,分别为Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn。其中n为自然数且n≥2,n越大精度越高。改变电容值可改变中心频率。
2、计算理论t值,并做出t参数相比不同电容值Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn的理想t参数曲线。该曲线为直线。
3、依次设置变容二极管Tuning_C1和Tuning_C2的电容值为Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn,两个变容二极管容值相等,仿真得到t参数值设为t1,t2,t3,…tn。
4、画出仿真的t参数相比不同电容值Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn的仿真t参数曲线,与理想t参数曲线做对比。
5、若仿真t参数曲线明显偏离理想t参数曲线,则改变第六层中第六、七微带线6-1、6-2,两臂的高度,微带线长度,两微带线间距,改变第七层第八、九L型微带线7-1、7-2与第六层第六、七微带线的连接位置,然后重新执行步骤(3)、(4)、(5)。
6、若仿真t参数曲线在理想t参数曲线上下波动,则取仿真t参数曲线中最大值和最小值为tmax和tmin,计算|tmax-tmin|是否在要求范围内(例如本发明要求|tmax-tmin|≤2*10-9),如果|tmax-tmin|>2*10-9,则改变第六层中第六、七微带线6-1、6-2,两臂的高度,微带线长度,两微带线间距,改变第七层第八、九L型微带线7-1、7-2与第六层第六、七微带线的连接位置,然后重新执行步骤(3)、(4)、(5)、(6)。如果|tmax-tmin|≤2*10-9则仿真结束。
本发明的有益效果如下:
1)本发明采用两层输入耦合结构,在顶层接入屏蔽层的情况下,相比单层结构有更高输入耦合强度。
2)本发明突破以往仿真达到耦合系数K参数随中心频率变化的曲线仿真不准确的缺陷,采用仿真达到|fe-fo|参数随中心频率变化的曲线,该参数的值为常数,该曲线是一条直线,仿真方法更准确。
3)本发明突破以往仿真达到外部Q值Qe参数随中心频率变化的曲线仿真不准确的缺陷,采用仿真达到群时延参数随中心频率变化的曲线,该参数的值为常数,该曲线是一条直线,仿真方法更准确。
附图说明
图1为本发明整体结构示意图;
图中标记:接地端口1,输入端口2,接地端口3,输出端口4,频率控制端口5;
图2为本发明各层结构示意图;(1)-(9)分别为第一层至第九层;
图中标记:焊盘1-1至1-9,第一金属贴片2-1,第一L型槽2-2,第一通孔2-3,第一微带线3-1,第二微带线3-2,第三微带线3-3,第二金属贴片4-1,第二L型槽4-2,第二矩形槽4-3,第二通孔4-4,第四微带线5-1,第五微带线5-2,第六微带线6-1,第七微带线6-2,第八微带线7-1,第九微带线7-2,第三金属贴片8-1,第三L型槽8-2,第三矩形槽8-3,焊盘9-1至9-5;
图3为本发明等效电路图;
图4为本发明的S21参数仿真结果,图中Tuning_C=Tuning_C1=Tuning_C2;
图5为本发明的S11参数仿真结果,图中Tuning_C=Tuning_C1=Tuning_C2。
具体实施方式
下面将结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。
图1为整体结构图,端口5为频率控制端口,对该端口施加电压可改变变容二极管的容值,影响谐振频率;端口2为输入端口,端口4为输出端口,端口阻抗均为50欧姆;端口1、3为接地端口;滤波器整体共有9层,尺寸为:4.3mm*4.3mm*1.9mm,LTCC介质基板型号是Dupont951,介电常数为7.5,损耗角正切为0.006。所有的金属层选用银材料,第一层至第九层相邻层层间的厚度依次为20μm,50μm,40μm,20μm,10μm,10μm,10μm,10μm。
图2(1)为第一层,具体包括八块金属焊盘,以焊接的各种集总元件;各种集总元件包括两个0402电阻R1-R2,两个0402电容C11-C6和两个变容二极管Tuning_C1-Tuning_C2。焊盘1-3、1-7通过金属柱与第三层的微带线连接;焊盘1-1、1-5为短路状态,通过金属柱与第三层的微带线连接;焊盘1-4、1-8通过金属柱与第二层地面连接;焊盘1-2、1-3之间与焊盘1-6、1-7之间分别焊接0402电容C11、C6;焊盘1-1、1-2之间与焊盘1-5、1-6之间分别焊接0402电阻R1、R2;焊盘1-2、1-4之间与焊盘1-6、1-8之间分别焊接一个可调电容Tuning_C1、Tuning_C2。
图2(2)、图2(4)、图2(8)分别为第二层、第四层和第八层,其中第四层为地面,第二层和第八层通过金属通孔与地面连接,具有屏蔽功能。
第二层为地面,包括第一金属贴片2-1,第一金属贴片2-1为方形金属块的对应两边边缘开有轴对称的第一L型槽2-2,且在两第一L型槽间开有两个轴对称的第一通孔2-3;
第四层为地面,包括第二金属贴片4-1,第二金属贴片4-1为方形金属块的两对应边其中一边中心开有第二矩形槽4-3,另一边开有第二L型槽4-2;方形金属块的第三边开有两个第二通孔4-4;
第三层与第四层的距离大于第五层与第四层的距离。
第八层为地面,包括第三金属贴片8-1,第三金属贴片8-1为方形金属块的两对应边其中一边中心开有第三矩形槽8-3,另一边开有第三L型槽8-2;第三矩形槽、第三L型槽与第四层第二矩形槽、第二L型槽结构相同。
作为优选,上述槽与通孔的位置均根据内部电路连接关系确定。
图2(3)为第三层,包括三条微带线;第一微带线3-1与第二微带线3-2轴对称的高阻抗微带线,通过金属柱与第五层的微带线连接,组成阶梯阻抗谐振器;第三微带线3-3与第一微带线、第二微带线均垂直设置,且留有空隙。第一微带线为凵结构,对称弯曲分布以减小尺寸,且两臂高度不一致,其中靠近第三微带线的一臂高度低于远离第三微带线的另一臂高度。第二微带线与第一微带线结构尺寸一致。第一、二微带线的开口朝向相反。第一微带线的较低臂端与第一层焊盘1-3(即电容的一端)的一端通过金属柱连接。第二微带线的较低臂端与第一层焊盘1-7(即电容的一端)的一端通过金属柱连接。第三微带线的两端分别与第一层焊盘1-1、1-5通过金属柱连接。
图2(5)为第五层,低阻抗微带线包括两条轴对称的第四、五微带线5-1、5-2。第四微带线5-1为两臂高度不一致的凵结构,其中靠近第五微带线的一臂高度低于远离第五微带线的另一臂高度。第五微带线5-2与第四微带线结构尺寸一致。第四、五微带线的开口朝向一致。第四微带线的一端与第三层第一微带线的较高臂端通过金属柱连接。第五微带线的一端与第三层第二微带线的较高臂端通过金属柱连接。
第五层第四、五微带线、第三层第一、二微带线、第一层的电容C11、C6、可调电容Tuning_C1、Tuning_C2以及连接它们的金属柱分别构成两个谐振器。
调节第三层第一、二微带线的间距可以控制磁耦合强弱,调节第五层第四、五微带线的间距可以控制电耦合强弱。
图2(6)为第六层,包括两条轴对称的第六、七微带线6-1、6-2;第六微带线为两臂高度不一致的凵结构,其开口与第四微带线开口朝向相同,但其较低臂的高度大于第四微带线较低臂的高度,较高臂的高度与第四微带线较高臂的高度一致。第七微带线与第六微带线结构尺寸一致。
其中第六微带线与第四微带线通过金属柱连接,相互耦合形成输入端耦合电容;第七微带线与第五微带线通过金属柱连接,相互耦合形成输出端耦合电容;通过改变第六、七微带线的间距可以控制源负载耦合大小。
图2(7)为第七层,包括两条轴对称的第八、九L型微带线7-1、7-2,微带线的其中一端。第八、九L型微带线的一端通过金属柱分别与第六层第六、七微带线连接;另一端变宽设置分别接输入端口或输出端口。通过改变第八、九L型微带线7-1、7-2与第六层第六、七微带线的连接位置,可以控制外部Q值大小。
图2(8)为第九层,包括五个焊盘9-1至9-5,与第一层相应部分组成五个外接端口。焊盘9-2通过其侧边与第七层第八L型微带线变宽端连接封口作为输入端口;焊盘9-5通过其侧边与第七层第九L型微带线变宽端连接封口作为输出端口;焊盘9-3通过其侧边与第一层接地焊盘1-9连接封口作为接地端口;焊盘9-4与第三层第三微带线3-3通过金属柱连接,并通过其侧边与第一层焊盘1-5连接封口作为频率控制端口;焊盘9-1通过其侧边与通过金属柱与内部地面(第二或四或八层)连接作为接地端口。
图3为本发明的等效电路图。其中C3和C8分别代表输入和输出耦合电容。C4、L1、C1和L3组成了与输入端耦合的高低阻抗线谐振器的等效电路。C5、L2、C10和L4组成了与输出端耦合的高低阻抗线谐振器的等效电路。C9代表两谐振器间电耦合,Lm代表两谐振器间磁耦合,通过调整第五层微带线间距可以改变C9的大小,通过调整第三层微带线间距可以改变Lm的大小。R1、R2、C11、C6、Tuning_C1和Tuning_C2,均为第一层的集总元件,其中C11和C6为隔直电容,R1和R2为电阻,Tuning_C1和Tuning_C2是型号为SMV1405的可调电容。P3为频率控制端口,通过输入不同大小的直流电压可以改变Tuning_C1和Tuning_C2的值,达到调谐频率的目的。P1为信号输入端口,P2为信号输出端口,端口阻抗均为50欧姆。
通过采用上述技术方案,本发明设计了一个中心频率调节范围为2.865GHZ至3.315GH,绝对带宽固定为450MHz,具有三个传输零点的LTCC带通滤波器,其设计的尺寸仅为4.3mm*4.3mm*1.9mm;从图4和图5中可以看出,滤波器通带内的插入损耗小于2.1dB,回波损耗大于15dB;上边带20dB处带外抑制为0.922*f0,可以满足一些市场产品的技术指标。
Claims (4)
1.中心频率可调绝对带宽固定的LTCC滤波器,其特征在于包括五个外部端口和内部滤波结构;
内部滤波结构从下至上依次包括九层金属层:
第一层包括第一焊盘(1-1)、第二焊盘(1-2)、第三焊盘(1-3)、第四焊盘(1-4)、第五焊盘(1-5)、第六焊盘(1-6)、第七焊盘(1-7)、第八焊盘(1-8),以及焊接的各种集总元件;各种集总元件包括两个电阻R1、R2,两个电容C11、C6,两个可调电容Tuning_C1、Tuning_C2;第三焊盘(1-3)、第七焊盘(1-7)通过金属柱与第三层的微带线连接;第一焊盘(1-1)、第五焊盘(1-5)为短路状态,通过金属柱与第三层的微带线连接;第四焊盘(1-4)、第八焊盘(1-8)通过金属柱与第二层地面连接;第二焊盘(1-2)、第三焊盘(1-3)之间焊接电容C11;第六焊盘(1-6)、第七焊盘(1-7)之间焊接电容C6;第一焊盘(1-1)、第二焊盘(1-2)之间焊接电阻R1;第五焊盘(1-5)、第六焊盘(1-6)之间焊接电阻R2;第二焊盘(1-2)、第四焊盘(1-4)之间焊接一个可调电容Tuning_C1;第六焊盘(1-6)、第八焊盘(1-8)之间焊接一个可调电容Tuning_C2;
第二层为地面,包括第一金属贴片(2-1),第一金属贴片(2-1)为对应两边边缘开有轴对称第一L型槽(2-2)的方形金属块,且在两第一L型槽(2-2)间开有两个轴对称的第一通孔(2-3);
第三层为高阻抗微带线,包括第一微带线(3-1)、第二微带线(3-2)、第三微带线(3-3);第一微带线(3-1)与第二微带线(3-2)轴对称,第三微带线(3-3)与第一微带线(3-1)、第二微带线(3-2)均垂直设置,且留有空隙;第一微带线(3-1)为两臂高度不一致的凵结构,第一微带线(3-1)、第二微带线(3-2)的开口朝向相反;第一微带线(3-1)的较低臂端与第一层第三焊盘(1-3)的一端通过金属柱穿过第一通孔(2-3)连接;第二微带线(3-2)的较低臂端与第一层第七焊盘(1-7)的一端通过金属柱穿过第一通孔(2-3)连接;第三微带线(3-3)的两端分别与第一层第一焊盘(1-1)、第五焊盘(1-5)通过金属柱穿过第一L型槽(2-2)连接;
第四层为地面,包括第二金属贴片(4-1),第二金属贴片(4-1)为两对应边其中一边中心开有第二矩形槽(4-3),另一边开有第二L型槽(4-2)的方形金属块;方形金属块的第三边开有两个第二通孔(4-4);
第五层为低阻抗微带线,包括两条轴对称的第四微带线(5-1)、第五微带线(5-2);第四微带线(5-1)为两臂高度不一致的凵结构,第四微带线(5-1)、第五微带线(5-2)的开口朝向一致;第四微带线(5-1)的一端与第三层第一微带线(3-1)的较高臂端通过金属柱穿过第二通孔(4-4)连接;第五微带线(5-2)的一端与第三层第二微带线(3-2)的较高臂端通过金属柱穿过第二通孔(4-4)连接;
第六层包括两条轴对称的第六微带线(6-1)、第七微带线(6-2);第六微带线(6-1)为两臂高度不一致的凵结构,其开口与第五层第四微带线(5-1)开口朝向相同;其中第六微带线(6-1)与第五层第四微带线(5-1)通过金属柱连接,相互耦合形成输入端耦合电容;第七微带线(6-2)与第五微带线(5-2)通过金属柱连接,相互耦合形成输出端耦合电容;
第七层包括两条轴对称的第八L型微带线(7-1)、第九L型微带线(7-2);第八L型微带线(7-1)的一端通过金属柱与第六层第六微带线(6-1)连接,另一端变宽设置;第九L型微带线(7-2)的一端通过金属柱与第六层第七微带线(6-2)连接,另一端变宽设置;
第八层为地面,包括第三金属贴片(8-1),第三金属贴片(8-1)为两对应边其中一边中心开有第三矩形槽(8-3),另一边开有第三L型槽(8-2)的方形金属块;
第九层包括第九焊盘(9-1)、第十焊盘(9-2)、第十一焊盘(9-3)、第十二焊盘(9-4)、第十三焊盘(9-5);第十焊盘(9-2)通过其侧边与第七层第八L型微带线(7-1)变宽端连接封口作为输入端口;第十三焊盘(9-5)通过其侧边与第七层第九L型微带线(7-2)变宽端连接封口作为输出端口;第十一焊盘(9-3)通过其侧边与第一层接地焊盘(1-9)连接封口作为接地端口;第十二焊盘(9-4)与第三层第三微带线(3-3)通过金属柱连接,并通过其侧边与第一层第五焊盘(1-5)连接封口作为频率控制端口;第九焊盘(9-1)通过其侧边、金属柱与第二层、第四层、第八层中的一个地面连接作为接地端口;
由第一微带线(3-1)、第二微带线(3-2)、第四微带线(5-1)、第五微带线(5-2)、电容C11、电容C6、可调电容Tuning_C1、可调电容Tuning_C2以及连接它们的金属柱分别构成两个谐振器;
调节第三层第一微带线(3-1)、第二微带线(3-2)的间距控制磁耦合强弱,调节第五层第四微带线(5-1)、第五微带线(5-2)的间距控制电耦合强弱;
通过改变第六层第六微带线(6-1)、第七微带线(6-2)的间距控制源负载耦合大小。
2.如权利要求1所述的中心频率可调绝对带宽固定的LTCC滤波器,其特征在于第三层第一微带线(3-1)靠近第三微带线(3-3)的一臂高度低于远离第三微带线(3-3)的另一臂高度;第五层第四微带线(5-1)靠近第五微带线(5-2)的一臂高度低于远离第五微带线(5-2)的另一臂高度;第六层第六微带线(6-1)较低臂的高度大于第四微带线(5-1)较低臂的高度,较高臂的高度与第四微带线(5-1)较高臂的高度一致。
3.如权利要求1或2所述的中心频率可调绝对带宽固定的LTCC滤波器,其特征在于第三矩形槽(8-3)与第四层第二矩形槽(4-3)结构相同;第三L型槽(8-2)与第四层第二L型槽(4-2)结构相同。
4.基于权利要求1-3任一所述的中心频率可调绝对带宽固定的LTCC滤波器的仿真方法,其特征在于所述方法包括耦合系数K的仿真过程和外部Q值Qe的仿真过程;
所述耦合系数K的仿真过程具体是:
K=mij*fbw,由得|fe-fo|≈mij*bw;其中mij为耦合矩阵中的元素值,i,j=1,2,3…n,i≠j;fe和fo为偶模频率和奇模频率;f1为中心频率;bw为设计带宽;由公式可知|fe-fo|参数只与mij和bw有关,与中心频率f1无关;具体是:
步骤(1)、将可调电容的可调范围分为n等份,分别为Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn,其中n为自然数且n≥2;改变电容值改变中心频率f1;
步骤(2)、计算理论|fe-fo|值,并做出|fe-fo|参数相比不同电容值Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn的理想|fe-fo|参数曲线,该曲线为直线;
步骤(3)、依次设置可调电容Tuning_C1和可调电容Tuning_C2的电容值为Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn,两个可调电容容值相等,仿真得到|fe-fo|值设为bw1,bw2,bw3,…bwn;
步骤(4)、画出仿真的|fe-fo|参数相比不同电容值Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn的仿真|fe-fo|参数曲线,与理想|fe-fo|参数曲线做对比;
步骤(5)、若仿真|fe-fo|参数曲线明显偏离理想|fe-fo|参数曲线,则改变第三层中第一微带线(3-1)与第二微带线(3-2)两臂的高度、微带线长度、两微带线间距,改变第五层中第四微带线(5-1)、第五微带线(5-2)两臂的高度、微带线长度和两微带线间距,然后重新执行步骤(3)、(4)、(5);
步骤(6)、若仿真|fe-fo|参数曲线在理想|fe-fo|参数曲线上下波动,则取仿真|fe-fo|参数曲线中最大值和最小值为bwmax和bwmin;如果|bwmax-bwmin|>10MHZ,则改变第三层中第一微带线(3-1)与第二微带线(3-2)两臂的高度、微带线长度、两微带线间距,改变第五层中第四微带线(5-1)、第五微带线(5-2)两臂的高度、微带线长度和两微带线间距,然后重新执行步骤(3)、(4)、(5)、(6);如果|bwmax-bwmin|≤10MHZ则仿真结束;
所述外部Q值Qe的仿真过程具体是:
步骤(1)、将可调电容的可调范围分为n等份,分别为Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn;其中n为自然数且n≥2,n越大精度越高;改变电容改变中心频率f1;
步骤(2)、计算理论t值,并做出t参数相比不同电容值Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn的理想t参数曲线;该曲线为直线;
步骤(3)、依次设置可调电容Tuning_C1和可调电容Tuning_C2的电容值为Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn,两个可调电容容值相等,仿真得到t参数值,设为t1,t2,t3,…tn;
步骤(4)、画出仿真的t参数相比不同电容值Cx1,Cx2,Cx3,…Cxn的仿真t参数曲线,与理想t参数曲线做对比;
步骤(5)、若仿真t参数曲线明显偏离理想t参数曲线,则改变第六层中第六微带线(6-1)、第七微带线(6-2)两臂的高度,微带线长度,两微带线间距,改变第七层第八L型微带线(7-1)、第九L型微带线(7-2)与第六层第六微带线(6-1)、第七微带线(6-2)的连接位置,然后重新执行步骤(3)、(4)、(5);
步骤(6)、若仿真t参数曲线在理想t参数曲线上下波动,则取仿真t参数曲线中最大值和最小值为tmax和tmin;如果|tmax-tmin|>2*10-9,则改变第六层中第六微带线(6-1)、第七微带线(6-2)两臂的高度、微带线长度、两微带线间距,改变第七层第八L型微带线(7-1)、第九L型微带线(7-2)与第六层第六微带线(6-1)、第七微带线(6-2)的连接位置,然后重新执行步骤(3)、(4)、(5)、(6);如果|tmax-tmin|≤2*10-9则仿真结束。
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