CN111258922A

CN111258922A - 阈值参数的读取方法和装置

Info

Publication number: CN111258922A
Application number: CN202010039325.6A
Authority: CN
Inventors: 赵子成; 龚堤; 邵磊; 林挺宇; 胡龙文
Original assignee: Shenzhen Tianbangda Technology Co ltd
Current assignee: Shenzhen Tianbangda Technology Co ltd
Priority date: 2020-01-14
Filing date: 2020-01-14
Publication date: 2020-06-09
Anticipated expiration: 2040-01-14
Also published as: CN111258922B

Abstract

本发明提供了一种阈值参数的读取方法和装置，涉及动力电池技术领域，包括从快速读写存储器中读取存储标志；若读取成功，判断存储标志是否为已完成；若是已完成，则将非易失性存储器FLASH的第一扇区中本次存储的阈值参数读取到随机存取存储器RAM中，通过将阈值参数从非易失性存储器FLASH中读取到控制芯片的随机存取存储器中，加快读取速度，节约成本的同时，解决读取延时问题。

Description

阈值参数的读取方法和装置

技术领域

本发明涉及动力电池技术领域，尤其是涉及一种阈值参数的读取方法和装置。

背景技术

当前，电动汽车的动力电池管理系统以及燃油汽车的自动启停系统的电池管理系统，在读取故障阈值参数时，直接从非易失性存储器FLASH读取，有一定延时。为解决上述延时问题，一般采用读写速度较为迅速的存储器来读取参数，但此类存储器的价格较为昂贵，不利于广泛应用。

发明内容

本发明的目的在于提供阈值参数的读取方法和装置，通过将阈值参数从非易失性存储器FLASH中读取到控制芯片的随机存取存储器中，加快读取速度，节约成本的同时，解决读取延时问题。

第一方面，实施例提供一种阈值参数的读取方法，包括：

从快速读写存储器中读取存储标志；

若读取成功，判断所述存储标志是否为已完成；

若是已完成，则将非易失性存储器FLASH的第一扇区中本次存储的阈值参数读取到随机存取存储器RAM中。

在可选的实施方式中，所述方法还包括：

若非已完成，则判断所述存储标志是否为第一写入标志；

若所述存储标志为第一写入标志，则将所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中本次存储的阈值参数读取到所述随机存取存储器RAM中，并将所述本次存储的阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的第一扇区；

若所述存储标志非第一写入标志，则读取所述随机存取存储器RAM中存储的默认阈值参数，并将所述默认阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的第一扇区中。

在可选的实施方式中，所述方法还包括：

若从快速读写存储器中读取存储标志失败，则读取所述随机存取存储器RAM中存储的默认阈值参数。

在可选的实施方式中，所述方法还包括：

对所述非易失性存储器FLASH中备份扇区存储的阈值参数进行擦除；

通过所述随机存取存储器RAM将所述本次存储的阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中。

在可选的实施方式中，通过所述随机存取存储器RAM将所述本次存储的阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中的步骤，之后，还包括：

通过所述随机存取存储器RAM在所述快速读写存储器中写入第一写入标志；

擦除所述非易失性存储器FLASH的第一扇区中存储的阈值参数；

把所述备份扇区中本次存储的阈值参数写入所述第一扇区。

在可选的实施方式中，把所述备份扇区中本次存储的阈值参数写入所述第一扇区的步骤之后，还包括：

通过所述随机存取存储器RAM在所述快速读写存储器中写入已完成存储标志；

对所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中本次存储的阈值参数进行擦除。

在可选的实施方式中，所述阈值参数为用于电池管理系统对电池故障情况进行判别的预设阈值参数。

第二方面，实施例提供一种阈值参数的读取装置，包括：

第一读取模块，用于从快速读写存储器中读取存储标志；

若读取成功，判断模块，用于判断所述存储标志是否为已完成；

若是已完成，第二读取模块，用于则将非易失性存储器FLASH的第一扇区中本次存储的阈值参数读取到随机存取存储器RAM中。

第三方面，实施例提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并且能够在所述处理器上运行的程序，所述处理器执行所述程序时实现如前述实施方式中任一项所述的阈值参数的读取方法。

第四方面，实施例提供一种计算机可读存储介质，所述可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时实现前述实施方式中任意一项所述的阈值参数的读取方法。

本发明实施例提供了一种阈值参数的读取方法和装置，基于已完成的存储标志，将非易失性存储器FLASH的第一扇区中本次存储的阈值参数读取到随机存取存储器RAM中，以实现加快读取速度、节约成本的同时，解决读取延时问题。

本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种阈值参数的读取方法流程图；

图2为本发明实施例提供的另一种阈值参数的读取方法流程图；

图3为本发明实施例提供的一种阈值参数的存储方法流程图；

图4为本发明实施例提供的一种阈值参数的读取装置的功能模块示意图；

图5为本发明实施例提供的电子设备的硬件架构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

电动汽车中高压电池一般为几百伏特，如2-300v，而燃油汽车一般采用如48v的启停电池为启停系统进行供电。

目前，采用非易失性存储器FLASH读取，有一定延时，而采用读写速度较为迅速的存储器来读取参数价格较为昂贵。

基于此，本发明实施例提供的一种阈值参数的读取方法和装置，可以通过将阈值参数从非易失性存储器FLASH中读取到控制芯片的随机存取存储器中，加快读取速度，节约成本的同时，解决读取延时问题。

为便于对本实施例进行理解，首先对本发明实施例所公开的一种阈值参数的读取方法进行详细介绍。

图1为本发明实施例提供的一种阈值参数的读取方法流程图。

参照图1，一种阈值参数的读取方法，包括以下步骤：

步骤S102，从快速读写存储器中读取存储标志；

步骤S104，若读取成功，判断存储标志是否为已完成；

步骤S106，若是已完成，则将非易失性存储器FLASH的第一扇区中本次存储的阈值参数读取到随机存取存储器RAM中。

在实际应用的优选实施例中，基于已完成的存储标志，将非易失性存储器FLASH的第一扇区中本次存储的阈值参数读取到随机存取存储器RAM中，以实现加快读取速度、节约成本的同时，解决读取延时问题。

其中，存储标志保证阈值参数读取的完整性。

需要说明的是，快速读写存储器包括带电可擦可编程存储器EEPROM和铁电存储器。

在可选的实施方式中，所述阈值参数为用于电池管理系统对电池故障情况进行判别的预设阈值参数。该阈值参数包括故障参数、报警阈值、延时时间、功率因数、电池类型、容量、模拟量校准、继电器配置、传感器类型。

这里，作为一种可选的实施例，步骤S102中的快速读写存储器用于存储的为存储标志，存储标志体积较小，因此，此处选用的是容量较小的快速读写存储器，与现有技术中用于存储阈值参数的快速读写存储器相比，价钱较为低廉。

作为另一种可选的实施例，本发明实施例应用的快速读写存储器可通过非易失性存储器FLASH模拟得到，具体地，非易失性存储器FLASH可调用主控芯片提供商提供的接口函数，进而模拟生成快速读写存储器。

这里，读取存储标志，可以从专有芯片EEPROM读取，或从FLASH模拟的EEPROM读取，或从其他可按字节读取的存储器中读取。

在可选的实施方式中，所述方法还包括：

步骤2.1)，若非已完成，则判断所述存储标志是否为第一写入标志；

步骤2.2)，若所述存储标志为第一写入标志，则将所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中本次存储的阈值参数读取到所述随机存取存储器RAM中，并将所述本次存储的阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的第一扇区；

步骤2.3)，若所述存储标志非第一写入标志，则读取所述随机存取存储器RAM中存储的默认阈值参数，并将所述默认阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的第一扇区中。

这里，本发明实施例读取到的已完成的存储标志，可以是任何表示“已完成”的标记值。本发明实施例读取到的未完成的存储标志，可以是任何表示“未完成”的标记值。

在可选的实施方式中，所述方法还包括以下步骤：

步骤3.1)，若从快速读写存储器中读取存储标志失败，则读取所述随机存取存储器RAM中存储的默认阈值参数。

在可选的实施方式中，所述方法还包括以下步骤：

步骤4.1)，对所述非易失性存储器FLASH中备份扇区存储的上次存储(历史残留)的阈值参数进行擦除；

步骤4.2)，通过所述随机存取存储器RAM将所述本次存储的阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中。

在可选的实施方式中，步骤4.2)的步骤，之后，还包括：

步骤4.21)，通过所述随机存取存储器RAM在所述快速读写存储器中写入第一写入标志；

步骤4.22)，擦除所述非易失性存储器FLASH的第一扇区中存储的阈值参数；

步骤4.23)，把所述备份扇区中本次存储的阈值参数写入所述第一扇区。

在可选的实施方式中，步骤4.23)的步骤之后，还包括：

步骤5.1)，通过所述随机存取存储器RAM在所述快速读写存储器中写入已完成存储标志；

步骤5.2)，对所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中本次存储的阈值参数进行擦除。

在读取参数时，本发明实施例提供的读取方法，从FLASH中把阈值参数读到芯片的随机存取存储器(以下称为RAM)中，因为读取RAM的延时可以忽略，大大加快了读取速度。存储参数时，通过本发明实施例提供的存储方法，可利用价格较为便宜的数据闪存(以下称为FLASH)保存参数，降低了设计成本。

作为一种可选的实施例，阈值参数的读取方法，如图2所示；

步骤5.1)，从所述快速读写存储器中读取标志，这里，以EEPROM为例；

步骤5.2)，若读取成功，判断所述标志是否为done(已完成)；

步骤5.3)，若是done，则从所述FLASH的第一扇区中读取本次存储的阈值参数；

步骤5.4)，若不是done，则判断所述标志是否为writing(第一写入标志)；

步骤5.5)，若是writing，则从所述FLASH的备份扇区中读取本次存储的阈值参数，并将所述本次存储的阈值参数写入所述第一扇区；

步骤5.6)，若非writing，则读取RAM中默认参数，将RAM中默认参数写入所述FLASH的第一扇区中。

作为一种可选的实施例，阈值参数的存储方法，如图3所示；

步骤6.1)，对所述非易失性存储器FLASH中备份扇区存储的上次存储(历史残留)的阈值参数进行擦除；

步骤6.2)，将RAM中的本次阈值参数写入非易失性存储器FLASH的备份扇区中，所述本次存储的阈值参数包括有改动的阈值参数、无改动的阈值参数和默认值；

步骤6.3)，通过RAM在所述快速读写存储器中写入writing标志；

步骤6.4)，擦除非易失性存储器FLASH中第一扇区中的历史阈值参数；

步骤6.5)，把所述备份扇区中的所述本次阈值参数写入所述第一扇区；

步骤6.6)，通过RAM在所述快速读写存储器中写入done(已完成存储标志)；

步骤6.7)，对所述非易失性存储器FLASH中备份扇区存储的所述本次存储的阈值参数进行擦除。

如图4所示，本发明实施例提供一种阈值参数的读取装置，包括：

第一读取模块，用于从快速读写存储器中读取存储标志；

在可选的实施方式中，若非已完成，第二读取模块还具体用于，则判断所述存储标志是否为第一写入标志；若所述存储标志为第一写入标志，则将所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中本次存储的阈值参数读取到所述随机存取存储器RAM中，并将所述本次存储的阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的第一扇区；若所述存储标志非第一写入标志，则读取所述随机存取存储器RAM中存储的默认阈值参数，并将所述默认阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的第一扇区中。

在可选的实施方式中，第一读取模块还具体用于，若从快速读写存储器中读取存储标志失败，则读取所述随机存取存储器RAM中存储的默认阈值参数。

在可选的实施方式中，还包括存储模块，用于对所述非易失性存储器FLASH中备份扇区存储的上次存储(历史残留)的阈值参数进行擦除；通过所述随机存取存储器RAM将所述本次存储的阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中。

在可选的实施方式中，存储模块，还具体用于通过所述随机存取存储器RAM在所述快速读写存储器中写入第一写入标志；擦除所述非易失性存储器FLASH的第一扇区中存储的阈值参数；把所述备份扇区中本次存储的阈值参数写入所述第一扇区。

在可选的实施方式中，存储模块，还具体用于通过所述随机存取存储器RAM在所述快速读写存储器中写入已完成存储标志；对所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中本次存储的阈值参数进行擦除。

参见图5，本发明实施例还提供了一种电子设备500，包括通信接口501、处理器502、存储器503以及总线504，处理器502、通信接口501和存储器503通过总线504连接；上述存储器503用于存储支持处理器502执行上述阈值参数的读取方法的计算机程序，上述处理器502被配置为用于执行该存储器503中存储的程序。

本文中提到的机器可读存储介质可以是任何电子、磁性、光学或其它物理存储装置，可以包含或存储信息，如可执行指令、数据，等等。例如，机器可读存储介质可以是：RAM(Radom Access Memory，随机存取存储器)、易失存储器、非易失性存储器、闪存、存储驱动器(如硬盘驱动器)、任何类型的存储盘(如光盘、dvd等)，或者类似的存储介质，或者它们的组合。

非易失性介质可以是非易失性存储器、闪存、存储驱动器(如硬盘驱动器)、任何类型的存储盘(如光盘、dvd等)，或者类似的非易失性存储介质，或者它们的组合。

可以理解的是，本实施例中的各功能模块的具体操作方法可参照上述方法实施例中相应步骤的详细描述，在此不再重复赘述。

本发明实施例所提供计算机可读存储介质，所述可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序代码被执行时可实现上述任一实施例所述的阈值参数的读取方法，具体实现可参见方法实施例，在此不再赘述。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统和装置的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

另外，在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种阈值参数的读取方法，其特征在于，包括：

从快速读写存储器中读取存储标志；

若读取成功，判断所述存储标志是否为已完成；

2.根据权利要求1所述的阈值参数的读取方法，其特征在于，所述方法还包括：

若非已完成，则判断所述存储标志是否为第一写入标志；

3.根据权利要求1所述的阈值参数的读取方法，其特征在于，所述方法还包括：

4.根据权利要求1所述的阈值参数的读取方法，其特征在于，所述方法还包括：

5.根据权利要求4所述的阈值参数的读取方法，其特征在于，通过所述随机存取存储器RAM将所述本次存储的阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中的步骤，之后，还包括：

把所述备份扇区中本次存储的阈值参数写入所述第一扇区。

6.根据权利要求5所述的阈值参数的读取方法，其特征在于，把所述备份扇区中本次存储的阈值参数写入所述第一扇区的步骤之后，还包括：

7.根据权利要求6所述的阈值参数的读取方法，其特征在于，所述阈值参数为用于电池管理系统对电池故障情况进行判别的预设阈值参数。

8.一种阈值参数的读取装置，其特征在于，包括：

第一读取模块，用于从快速读写存储器中读取存储标志；

9.一种电子设备，其特征在于，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并且能够在所述处理器上运行的程序，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至7中任一项所述的阈值参数的读取方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时实现权利要求1-7中任意一项所述的阈值参数的读取方法。