CN113345505B - 闪存及闪存的工作方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种闪存及闪存的工作方法，属于闪存技术领域，闪存包括存储单元阵列，存储单元阵列包括多个存储块，各个存储块包括至少一个存储单元列，至少一个存储单元列共用同一位线；响应于擦除请求，执行存储块的擦除过程；基于擦除过程的执行状态，生成存储块的擦除过程执行数据，擦除过程执行数据包括擦除执行正常数据和擦除执行异常数据。通过擦除执行正常数据来对应标记存储块的执行状态，即使在擦除过程中掉电，也可以在上电后准确地识别出：哪些存储块已完成擦除过程，哪些存储块未完成擦除过程。

Description

闪存及闪存的工作方法

技术领域

本申请涉及闪存技术领域，具体涉及一种闪存及闪存的工作方法。

背景技术

闪存通常包括单元阵列的一个或者多个存储块。同一位线至少连接单元阵列中至少一个存储单元列。

擦除一个存储块时，首先对该存储块中的所有存储单元进行预编程，然后用擦除验证擦除该存储块，最后对擦除过的存储单元进行过擦除验证(OEC，Over EraseCorrection)，以消除位线的漏电流。

但是，在擦除某一存储块期间，当闪存的工作电源供给突然消失，且正在擦除的存储块并未完成擦除过程时，某些存储单元列可能存在泄漏电流。在下一次通电后，当闪存读出其它模块中已编程存储单元的数据时，由于泄漏电流的存在，该数据可能会被误读取为已擦除存储单元的数据。因此，当上电后，闪存需要知道哪些存储块已完成擦除过程，哪些存储块未完成擦除操作。

发明内容

本申请提供一种闪存及闪存的工作方法，缓解了闪存在擦除过程中掉电，上电后不能够准确识别存储块是否完成擦除过程的技术问题。

第一方面，本申请提供一种闪存的工作方法，闪存包括存储单元阵列，存储单元阵列包括多个存储块，各个存储块包括至少一个存储单元列，至少一个存储单元列共用同一位线，其特征在于，工作方法包括：对应每个存储块，配置各别的擦除状态存储位；响应于擦除请求，执行存储块的擦除过程；基于擦除过程的执行状态，生成存储块的擦除过程执行数据于擦除状态存储位，擦除过程执行数据包括代表擦除过程执行完成的擦除执行正常数据和代表擦除过程执行中断的擦除执行异常数据。

可选地，擦除执行正常数据为二进制表征的1；擦除执行异常数据为二进制表征的0。

可选地，工作方法还包括：获取闪存的通电状态，通电状态包括初始上电状态；响应于初始上电状态，获取擦除过程执行数据；若擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行存储块的再次擦除过程。

可选地，工作方法还包括：响应于再次擦除过程的操作完成，更新擦除过程执行数据为擦除执行正常数据。

可选地，工作方法还包括：配置存储单元阵列为多个顺序编号的存储块；获取闪存的通电状态，通电状态包括初始上电状态；响应于初始上电状态，获取初始编号的存储块对应的擦除过程执行数据；若擦除过程执行数据为擦除执行正常数据，获取下一个编号的存储块的擦除过程执行数据，直至最后编号的存储块。

可选地，工作方法还包括：若擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行当前编号的存储块的再次擦除过程，更新当前编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行正常数据，并结束擦除过程执行数据的获取过程。

可选地，工作方法还包括：若擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行当前编号的存储块的再次擦除过程，更新当前编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行正常数据，并获取下一个编号的存储块的擦除过程执行数据，直至最后编号的存储块。

可选地，响应于擦除请求，执行存储块的擦除过程的步骤，包括：响应于擦除请求，执行存储块的预编程操作；基于预编程操作的完成信息，执行存储块的擦除操作。

可选地，响应于擦除请求，执行存储块的擦除过程的步骤，还包括：根据擦除操作的完成信息，执行存储块的过擦除校正操作。

可选地，若擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行存储块的再次擦除过程的步骤，包括：若擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行存储块的过擦除校正操作。

可选地，擦除过程包括过擦除校正操作。

第二方面，本申请提供一种闪存，其包括：存储单元阵列，存储单元阵列包括多个存储块，各个存储块包括位于不同存储块中的至少一个存储单元列，至少一个存储单元列共用同一位线，且每个存储块配置有各别对应的擦除状态存储位；执行模块，与存储单元阵列连接，用于响应于擦除请求，执行存储块的擦除过程，并基于擦除过程的执行状态，生成存储块的擦除过程执行数据于擦除状态存储位，擦除过程执行数据包括代表擦除过程执行完成的擦除执行正常数据和代表擦除过程执行中断的擦除执行异常数据。

可选地，闪存还包括：检测模块，与闪存的供电回路连接，用于检测闪存的通电状态，通电状态包括初始上电状态；读取模块，与存储单元阵列连接，用于读取擦除过程执行数据；控制模块，与执行模块、读取模块以及检测模块连接，用于根据初始上电状态依次获取顺序编号的存储块的擦除过程执行数据，以控制执行模块工作。

可选地，检测模块检测到闪存为初始上电状态时，控制模块依次获取顺序编号的存储块的擦除过程执行数据，若初始编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行正常数据，获取下一个编号的存储块的擦除过程执行数据，直至最后编号的存储块；若当前编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行模块执行当前编号的存储块的再次擦除过程，更新当前编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行正常数据，且控制模块结束擦除过程执行数据的获取过程。

可选地，检测模块检测到闪存为初始上电状态时，控制模块依次获取顺序编号的存储块的擦除过程执行数据，若初始编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行正常数据，获取下一个编号的存储块的擦除过程执行数据，直至最后编号的存储块；若当前编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行模块执行当前编号的存储块的再次擦除过程，更新当前编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行正常数据，且控制模块获取下一个编号的存储块的擦除过程执行数据，直至最后编号的存储块。

本申请提供的闪存及闪存的工作方法，基于对应存储块的擦除过程的执行状态，生成对应的擦除过程执行数据，通过擦除执行正常数据来对应标记存储块的执行状态，即使在擦除过程中掉电，也可以在上电后准确地识别出：哪些存储块已完成擦除过程，哪些存储块未完成擦除过程。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请实施例提供的闪存的第一种结构示意图。

图2为图1中存储块的一种结构示意图。

图3为本申请实施例提供的闪存的工作方法的第一种流程示意图。

图4为本申请实施例提供的闪存的第二种结构示意图。

图5为本申请实施例提供的闪存的工作方法的第二种流程示意图。

图6为本申请实施例提供的闪存的工作方法的第三种流程示意图。

图7为本申请实施例提供的闪存的第三种结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

请参阅图1至图7，如图1所示，本实施例提供了一种闪存100，闪存100包括至少一个存储单元阵列40。存储单元阵列40包括多个存储块20，各个存储块20包括至少一个存储单元列10。存储单元列10可以包括多个位于同一列的存储单元30。存储块20可以包括多个位于多行的存储单元30。至少一个存储单元列10共用同一位线，例如，位线BLN可以为存储单元列10单独使用；位线BLN也可以与位线BL1、位线BL2以及位线BLX中的至少一条电性连接，以实现多个存储单元列10共用同一位线。

其中，N为正整数，X为大于2且小于N的正整数。

如图2所示，在其中一个实施例中，存储块20可以包括多个位于同一行的存储单元，这些存储单元可以分为第一类存储单元21和第二类存储单元22。其中，第一类存储单元21、第二类存储单元22均可以执行擦除、写入以及读出等操作，不同的是，第二类存储单元22还可以用于存储该存储块20是否执行完毕擦除过程的擦除过程执行数据，擦除过程执行数据至少为一个比特位，例如，二进制的0或者1。可以理解的是，第二类存储单元22可以包括至少一个存储单元，该存储单元可以存储至少一个比特位的数据，也可以存储两个比特位的数据，还可以存储三个比特位的数据。

其中，第二类存储单元22作为一个擦除状态存储位，该擦除状态存储位用于存储擦除过程执行数据。

例如，上述擦除过程执行数据为0时，说明该存储块的擦除过程在执行中被异常中断，例如，闪存突然间掉电。上述擦除过程执行数据为1时，说明该存储块的擦除过程已经正常执行完成。因此，一个或者多个存储块在正常执行完成擦除过程之后，可以在第二类存储单元22中存储对应的擦除过程执行数据，以便再次上电时闪存可以根据该擦除过程执行数据识别出对应的存储块是否正常执行完成擦除过程。

可以理解的是，本实施例提供的闪存，基于对应存储块的擦除过程的执行状态，生成对应的擦除过程执行数据，通过擦除执行正常数据和擦除执行异常数据来对应标记存储块的执行状态，即使在擦除过程中掉电，也可以在上电后准确地识别出：哪些存储块已完成擦除过程，哪些存储块未完成擦除过程。

如图3所示，本实施例提供了一种闪存的工作方法，其包括以下步骤：

步骤S10：对应每个存储块，配置各别的擦除状态存储位。

步骤S20：响应于擦除请求，执行存储块的擦除过程。

步骤S30：基于擦除过程的执行状态，生成存储块的擦除过程执行数据于擦除状态存储位，擦除过程执行数据包括代表擦除过程执行完成的擦除执行正常数据和代表擦除过程执行中断的擦除执行异常数据。

可以理解的是，本实施例提供的闪存的工作方法，基于对应存储块的擦除过程的执行状态，生成对应的擦除过程执行数据，通过擦除执行正常数据来对应标记存储块的执行状态，即使在擦除过程中掉电，也可以在上电后准确地识别出：哪些存储块已完成擦除过程，哪些存储块未完成擦除过程。

需要进行说明的是，闪存的结构还可以包括逻辑电路，该逻辑电路可以根据闪存的工作需要配置对应的擦除请求，然后，在该逻辑电路的控制下，执行存储块的擦除过程。其中，擦除过程的执行状态包括完成状态和未完成状态，擦除过程的完成状态可以表征擦除过程正常执行完毕，擦除过程的未完成状态可以表征擦除过程出现异常中断，例如，闪存掉电等导致擦除过程未执行完毕。

可以理解的是，上述存储块的擦除过程执行数据的生成是在擦除过程的进行中和/或结束后，或者在再次擦除过程的结束后进行的。

其中，擦除过程可以但不限于是：响应于擦除请求，执行存储块的预编程操作；基于预编程操作的完成信息，执行存储块的擦除操作。

可选地，擦除过程还可以是：响应于擦除请求，执行存储块的擦除过程的步骤，包括：响应于擦除请求，执行存储块的预编程操作；基于预编程操作的完成信息，执行存储块的擦除操作；根据擦除操作的完成信息，执行存储块的过擦除校正操作；以及过擦除校正操作的验证操作。

其中，预编程操作可以是将存储块中的二进制值“1”全部变成“0”。擦除操作可以是对存储块施加较大的擦除脉冲，从而使得存储块的阈值电压低于一特定的电平值。过擦除校正操作可以是通过修复操作对过擦除的存储块进行修复，以避免其阈值电压过低。

如图4所示，本实施例提供了一种闪存100的结构示意图：其包括依次顺序排列的存储块BLOCK<0>、存储块BLOCK<1>、存储块BLOCK<N-1>以及存储块BLOCK<N>等共计N个存储块，其中，0～N为个存储块的编号，N为正整数。该N个存储块在执行擦除操作时，存储块BLOCK<0>执行擦除过程完成后，进行存储块BLOCK<1>的擦除过程，然后进行存储块BLOCK<N-1>的擦除过程，最后进行存储块BLOCK<N>的擦除过程。

如图5所示，本实施例提供了一种基于图4中所示的闪存100上电之后的工作方法，具体如下：

第一步骤：在逻辑电路中初始化存储块的编号为第一编号的存储块，例如，存储块BLOCK<0>。闪存的逻辑电路可以包括一个用于选择不同编号存储块的逻辑单元。其中，不同编号的存储块对应不同地址的存储单元。

第二步骤：获取当前存储块的擦除过程执行数据。具体地，该擦除过程执行数据的获取过程可以与闪存的正常读取过程一样，通过感应放大器从对应的存储单元中读取该擦除过程执行数据。

第三步骤：判断获取到的擦除过程执行数据是否为二进制的0。上述擦除过程执行数据为0时，说明该存储块的擦除过程在执行中被异常中断，例如，闪存突然间掉电。上述擦除过程执行数据不为0时，即为1，说明该存储块的擦除过程已经正常执行完成。

需要进行说明的是，闪存在执行擦除过程时，擦除状态存储位也同样执行擦除过程，这时擦除过程执行数据为0。

第四步骤：上述擦除过程执行数据为0时，则对当前存储块执行再次擦除操作。其中，再次擦除操作可以但不限于为过擦除校正操作；还可以为先后依次执行的擦除操作和过擦除校正操作，当然也可以仅执行过擦除校正操作。

第五步骤：对执行过再次擦除操作的存储块，更新其擦除过程执行数据为擦除执行正常数据。

第六步骤：判断当前编号的存储块是否为该闪存中的最后一个存储块。需要进行说明的是，在第三步骤执行之后，若擦除过程执行数据为1时，也将跳转至第六步骤。

第七步骤：如果当前编号的存储块不是该闪存中的最后一个存储块，则调取下一个编号的存储块，执行第二步骤。如果当前编号的存储块是该闪存中的最后一个存储块，则本次上电后闪存关于泄露电流的恢复工作已经完成，可以进行正常工作。

在其中一个实施例中，基于擦除过程的执行状态，生成存储块的擦除过程执行数据的步骤可以包括：若擦除过程的执行状态为完成状态，生成存储块的擦除执行正常数据；若擦除过程的执行状态为未完成状态，生成存储块的擦除执行异常数据。

在其中一个实施例中，基于擦除过程的执行状态，生成存储块的擦除过程执行数据的步骤之后，还可以包括：获取闪存的通电状态，通电状态包括初始上电状态；响应于初始上电状态，获取擦除过程执行数据；若擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行存储块的再次擦除过程。

需要进行说明的是，获取闪存的通电状态可以通过对应检测电路实时检测闪存的供电回路，初始上电状态即为该供电回路从没有电流或者电压变为有电流或者电压之时，也可以为在此之后经过一段时间的延迟，这样闪存可以在更稳定的供电环境中工作。

在其中一个实施例中，若擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行当前编号的存储块的再次擦除过程，更新当前编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行正常数据，并获取下一个编号的存储块的擦除过程执行数据，直至最后编号的存储块。

可以理解的是，本实施例可以提升本申请的上电检测所需的时间，有利于提高闪存的工作效率。

在其中一个实施例中，若擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行存储块的再次擦除过程的步骤之后，还可以包括：响应于再次擦除过程的操作完成，更新擦除过程执行数据为擦除执行正常数据。

如图6所示，在其中一个实施例中，若擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行当前编号的存储块的再次擦除过程，更新当前编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行正常数据，并结束擦除过程执行数据的获取过程。

可以理解的是，本实施例对闪存中所有存储块进行了一次擦除过程执行数据的检测，有利于提高闪存的工作可靠性。

在其中一个实施例中，基于擦除过程的执行状态，生成存储块的擦除过程执行数据的步骤之后，还可以包括：配置存储单元阵列为多个顺序编号的存储块；获取闪存的通电状态，通电状态包括初始上电状态；响应于初始上电状态，获取当前编号存储块对应的擦除过程执行数据；若擦除过程执行数据为擦除执行正常数据，获取下一个编号存储块的擦除过程执行数据。

在其中一个实施例中，若擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行存储块的再次擦除过程的步骤，可以包括：若擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行存储块的过擦除校正操作。

在其中一个实施例中，若擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行存储块的再次擦除过程的步骤，包括：若擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行存储块的擦除操作；根据擦除操作的完成信息，执行存储块的过擦除校正操作。

如图7所示，在其中一个实施例中，本申请提供一种闪存，其包括存储单元阵列40和执行模块50；存储单元阵列40包括多个存储块，各个存储块包括至少一个存储单元列，至少一个存储单元列共用同一位线，每个存储块配置有各别对应的擦除状态存储位；执行模块50与存储单元阵列40连接，用于响应于擦除请求，执行存储块的擦除过程，并基于擦除过程的执行状态，生成存储块的擦除过程执行数据于擦除状态存储位，擦除过程执行数据包括代表擦除过程执行完成的擦除执行正常数据。

可以理解的是，本申请提供的闪存，基于对应存储块的擦除过程的执行状态，生成对应的擦除过程执行数据，通过擦除执行正常数据来对应标记存储块的执行状态，即使在擦除过程中掉电，也可以在上电后准确地识别出：哪些存储块已完成擦除过程，哪些存储块未完成擦除过程。

如图7所示，在其中一个实施例中，闪存还包括读取模块80、检测模块70以及控制模块60；读取模块80与存储单元阵列40连接，用于读取擦除过程执行数据；检测模块70与闪存的供电回路连接，用于检测闪存的通电状态，通电状态包括初始上电状态，该初始上电状态可以为每次断电之后的送电时刻或者送电时段；控制模块60与执行模块50、读取模块80以及检测模块70连接，用于根据通电状态获取不同编号的存储块的擦除过程执行数据，以控制执行模块50工作。

在其中一个实施例中，检测模块70检测到闪存为初始上电状态时，控制模块60依次获取顺序编号的存储块的擦除过程执行数据，若初始编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行正常数据，获取下一个编号的存储块的擦除过程执行数据，直至最后编号的存储块；若当前编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行模块50执行当前编号的存储块的再次擦除过程，更新当前编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行正常数据，且控制模块60结束擦除过程执行数据的获取过程。

在其中一个实施例中，检测模块70检测到闪存为初始上电状态时，控制模块60依次获取顺序编号的存储块的擦除过程执行数据，若初始编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行正常数据，获取下一个编号的存储块的擦除过程执行数据，直至最后编号的存储块；若当前编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行异常数据，执行模块50执行当前编号的存储块的再次擦除过程，更新当前编号的存储块的擦除过程执行数据为擦除执行正常数据，且控制模块60获取下一个编号的存储块的擦除过程执行数据，直至最后编号的存储块。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的闪存及闪存的工作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (15)

1.一种闪存的工作方法，所述闪存包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块，各个所述存储块包括至少一个存储单元列，所述至少一个存储单元列共用同一位线，其特征在于，所述工作方法包括：

对应每个存储块，配置一擦除状态存储位；

响应于擦除请求，执行所述存储块的擦除过程；

基于所述擦除过程的执行状态，生成所述存储块的擦除过程执行数据于所述擦除状态存储位，所述擦除过程执行数据包括代表所述擦除过程执行完成的擦除执行正常数据和代表所述擦除过程执行中断的擦除执行异常数据；

若在所述擦除过程的执行中未发生掉电，则生成所述擦除执行正常数据于所述擦除状态存储位；

若在所述擦除过程的执行中发生掉电，则生成所述擦除执行异常数据于所述擦除状态存储位，并对生成所述擦除执行异常数据的存储块执行再次擦除操作。

2.根据权利要求1所述的工作方法，其特征在于，所述擦除执行正常数据为二进制表征的1；所述擦除执行异常数据为二进制表征的0。

3.根据权利要求2所述的工作方法，其特征在于，所述工作方法还包括：

获取所述闪存的通电状态，所述通电状态包括初始上电状态；

响应于所述初始上电状态，获取所述擦除过程执行数据；

若所述擦除过程执行数据为所述擦除执行异常数据，执行所述存储块的再次擦除过程。

4.根据权利要求3所述的工作方法，其特征在于，所述工作方法还包括：

响应于所述再次擦除过程的操作完成，更新所述擦除过程执行数据为所述擦除执行正常数据。

5.根据权利要求4所述的工作方法，其特征在于，所述工作方法还包括：

配置所述存储单元阵列为多个顺序编号的存储块；

获取所述闪存的通电状态，所述通电状态包括初始上电状态；

响应于所述初始上电状态，获取初始编号的存储块对应的所述擦除过程执行数据；

若所述擦除过程执行数据为所述擦除执行正常数据，获取下一个编号的存储块的所述擦除过程执行数据，直至最后编号的存储块。

6.根据权利要求5所述的工作方法，其特征在于，所述工作方法还包括：

若所述擦除过程执行数据为所述擦除执行异常数据，执行当前编号的存储块的再次擦除过程，更新所述当前编号的存储块的擦除过程执行数据为所述擦除执行正常数据，并结束所述擦除过程执行数据的获取过程。

7.根据权利要求5所述的工作方法，其特征在于，所述工作方法还包括：

若所述擦除过程执行数据为所述擦除执行异常数据，执行当前编号的存储块的再次擦除过程，更新所述当前编号的存储块的擦除过程执行数据为所述擦除执行正常数据，并获取下一个编号的存储块的所述擦除过程执行数据，直至最后编号的存储块。

8.根据权利要求1所述的工作方法，其特征在于，所述响应于所述擦除请求，执行所述存储块的擦除过程的步骤，包括：

响应于所述擦除请求，执行所述存储块的预编程操作；

基于所述预编程操作的完成信息，执行所述存储块的擦除操作。

9.根据权利要求8所述的工作方法，其特征在于，所述响应于所述擦除请求，执行所述存储块的擦除过程的步骤，还包括：

根据所述擦除操作的完成信息，执行所述存储块的过擦除校正操作。

10.根据权利要求3所述的工作方法，其特征在于，所述若所述擦除过程执行数据为所述擦除执行异常数据，执行所述存储块的再次擦除过程的步骤，包括：

若所述擦除过程执行数据为所述擦除执行异常数据，执行所述存储块的过擦除校正操作。

11.根据权利要求1至10任一项所述的工作方法，其特征在于，所述擦除过程包括过擦除校正操作。

12.一种闪存，其特征在于，包括：

存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块，各个所述存储块包括位于不同存储块中的至少一个存储单元列，所述至少一个存储单元列共用同一位线，且每个存储块配置一对应的擦除状态存储位；

执行模块，与所述存储单元阵列连接，用于响应于擦除请求，执行所述存储块的擦除过程，并基于所述擦除过程的执行状态，生成所述存储块的擦除过程执行数据于所述擦除状态存储位，所述擦除过程执行数据包括代表所述擦除过程执行完成的擦除执行正常数据和代表所述擦除过程执行中断的擦除执行异常数据；

其中，若在所述擦除过程的执行中未发生掉电，则生成所述擦除执行正常数据于所述擦除状态存储位；若在所述擦除过程的执行中发生掉电，则生成所述擦除执行异常数据于所述擦除状态存储位，并对生成所述擦除执行异常数据的存储块执行再次擦除操作。

13.根据权利要求12所述的闪存，其特征在于，所述闪存还包括：

检测模块，与所述闪存的供电回路连接，用于检测所述闪存的通电状态，所述通电状态包括初始上电状态；

读取模块，与所述存储单元阵列连接，用于读取所述擦除过程执行数据；

控制模块，与所述执行模块、所述读取模块以及所述检测模块连接，用于根据所述初始上电状态依次获取顺序编号的存储块的擦除过程执行数据，以控制所述执行模块工作。

14.根据权利要求13所述的闪存，其特征在于，所述检测模块检测到所述闪存为所述初始上电状态时，所述控制模块依次获取顺序编号的存储块的擦除过程执行数据，若初始编号的存储块的擦除过程执行数据为所述擦除执行正常数据，获取下一个编号的存储块的所述擦除过程执行数据，直至最后编号的存储块；

若当前编号的存储块的擦除过程执行数据为所述擦除执行异常数据，所述执行模块执行所述当前编号的存储块的再次擦除过程，更新所述当前编号的存储块的擦除过程执行数据为所述擦除执行正常数据，且所述控制模块结束所述擦除过程执行数据的获取过程。

15.根据权利要求13所述的闪存，其特征在于，所述检测模块检测到所述闪存为所述初始上电状态时，所述控制模块依次获取顺序编号的存储块的擦除过程执行数据，若初始编号的存储块的擦除过程执行数据为所述擦除执行正常数据，获取下一个编号的存储块的所述擦除过程执行数据，直至最后编号的存储块；

若当前编号的存储块的擦除过程执行数据为所述擦除执行异常数据，所述执行模块执行所述当前编号的存储块的再次擦除过程，更新所述当前编号的存储块的擦除过程执行数据为所述擦除执行正常数据，且所述控制模块获取下一个编号的存储块的所述擦除过程执行数据，直至最后编号的存储块。

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