CN111240094A - 一种面光源 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示设备技术领域,公开了一种面光源,该面光源包括:衬底基板以及依次形成在衬底基板上的线路层、芯片层、第一玻璃板和量子点层,还包括用于对芯片层发出的光线进行均匀化调节的光线调节组件,光线调节组件包括第一反射层和第一网点结构,第一反射层位于芯片层背离衬底基板一侧且第一反射层在透明衬底上的正投影与芯片在衬底上的正投影无交叠;第一网点结构位于第一反射层背离衬底基板的一侧且与第一反射层正对;还包括用于将芯片发出的至少一部分光线由与芯片正对的位置扩散至与芯片正对的位置两侧的散光装置。该面光源在实现高集成率和低功耗的同时,又能达到高显示品质需求。

Description

一种面光源
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,特别涉及一种面光源。
背景技术
随着OLED产业的兴起,模组薄型化和高色域要求对传统LCD产业造成了巨大的冲击,为了应对OLED的挑战,Mini LED应运而生,Mini LED既可应用于面板背光,也可做为显示屏幕,更被视为可能衔接新世代显示技术Micro LED的过渡技术,因此其发展状况备受关注。
Mini LED做为面板背光源时,可实现多区域背光独立控制,能够提升液晶屏幕的对比及亮度,即HDR效果,优化视觉体验。
目前Mini LED显示产品,包括手机、TPC、NB等,主要包括铁框、较厚聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜或扩散板、扩散片、量子点、棱镜片,如图1所示为一种现有技术中的MiniLED,包括依次层叠设置的胶铁框、胶带、芯片、透明胶、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜或扩散板、量子点膜、扩散板以及棱镜,其中胶铁框厚度0.1mm,胶带厚度0.03mm,芯片厚度0.12mm,透明胶厚度0.2mm,聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜或扩散板厚度0.2mm,量子点膜厚度0.2mm,扩散板厚度0.1mm,棱镜厚度0.098mm,即该常规堆叠面光源的厚度为1.048mm,这种堆叠结构为了保证背光源整体画面效果,需要较厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜,来减小吸光度,从而导致厚度很难满足现在产品超薄化的需求,另外涉及膜材多,组装工艺繁杂,不易管控;现有设计中通常通过增加芯片数量来达成减薄整体厚度的目的,但此种方案增加了功耗。因此,现有技术中的Mini LED面光源无法同时兼顾厚度和功耗这两个指标。
发明内容
本发明提供了一种面光源,上述面光源在实现高集成率和低功耗的同时,又能达到高显示品质需求。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种面光源,包括:
衬底基板;
形成于所述衬底基板上的线路层;
形成于线路层背离所述透明衬底一侧的芯片层,所述芯片层包括多个间隔排布的芯片,每个所述芯片均与所述线路层电性连接;
形成于所述芯片层背离所述线路层一侧的第一玻璃板;
形成于所述第一玻璃板背离所述芯片层的一侧的量子点层;
用于对芯片层发出的光线进行均匀化调节的光线调节组件,所述光线调节组件包括第一反射层和第一网点结构,所述第一反射层位于所述芯片层背离所述衬底基板一侧且所述第一反射层在所述透明衬底上的正投影与所述芯片在所述衬底上的正投影无交叠;所述第一网点结构位于所述第一反射层背离所述衬底基板的一侧且与所述第一反射层正对;
用于将芯片发出的至少一部分光线由与所述芯片正对的位置扩散至与所述芯片正对的位置两侧的散光装置。
本发明提供了一种面光源,该面光源包括衬底基板以及依次设置于衬底基板上的线路层、芯片层、第一玻璃板和量子点层,还包括光线调节组件和散光装置,其中,第一玻璃基板位于芯片层与量子点层之间,可以起到隔热的作用,防止芯片层产生的热量对量子点层造成影响;光线调节组件用于对芯片层发出的光线进行均匀化调节,光线调节组件包括第一反射层和第一网点结构,第一反射层设置于芯片层背离衬底基板的一侧、用于对光线进行反射,第一网点结构设置于第一反射层背离芯片层的一侧、用于对光线进行折射,芯片层发出的光线中的一部分经第一网点结构折射后直接由出光面射出,另一部分经第一网点结构折射后照射到第一反射层,后经第一反射层反射后由出光面射出,或者经第一反射层反射后再次照射到第一网点结构然后重复上述过程,芯片发出的光线经光线调节组件调节后均匀性更强;散光装置用于对芯片层准直出射的光线进行发散,发散后的光线一部分直接射出,另一部分经光线调节组件调节后射出,光调节组件和散光装置使得面光源的出光更为均匀;本发明提供的面光源提升了光线的全反射效率,从而提升了显示效果,且本发明提供的面光源保证出光效果的同时,与现有技术相比省去了层膜材以及胶铁框等部件且无需增加芯片数量,因此本发明提供的面光源的集成化程度提高,厚度降低且功耗低,即发明提供的面光源在实现高集成率和低功耗的同时,又能达到高显示品质需求。
优选地,上述面光源还包括形成于所述量子点层背离所述第一玻璃板一侧的第二玻璃板。
优选地,所述散光装置包括与所述第一反射层同层设置且与所述芯片正对的第二网点结构或者与所述第一网点结构同层设置且与所述芯片正对的第二反射层。
优选地,当所述散光装置包括第二网点结构时:
所述第一反射层设置于所述芯片层与所述第一玻璃基板之间,所述第一网点结构设置于所述第一玻璃基板与所述量子点层之间;或者,
所述第一反射层设置于所述芯片层与所述第一玻璃基板之间,所述第一网点结构设置于所述量子点层与所述第二玻璃基板之间;或者,
所述第一反射层设置于所述芯片层与所述第一玻璃基板之间,所述第一网点结构设置于所述第二玻璃基板背离所述衬底基板的一侧。
优选地,当所述散光装置包括第二反射层时:
所述第一网点结构设置于所述第二玻璃基板背离所述衬底基板的一侧,所述第一反射层设置于所述芯片层与所述第一玻璃基板之间;或者,
所述第一网点结构设置于所述第二玻璃基板背离所述衬底基板的一侧,所述第一反射层设置于所述第一玻璃基板与所述量子点层之间;或者,
所述第一网点结构设置于所述第二玻璃基板背离所述衬底基板的一侧,所述第一反射层设置于所述量子点层与所述第二玻璃基板之间。
优选地,所述量子点层通过镀膜工艺形成于所述第二玻璃板,且位于所述第二玻璃板朝向所述芯片层的一侧;或者,
所述量子点层通过镀膜工艺形成于所述第一玻璃板,且位于所述第一玻璃板背离所述芯片层的一侧。
优选地,所述量子点层在所述衬底基板上的正投影与所述芯片层在所述衬底基板上的正投影重合,或者,所述量子层包括与所述芯片层中的各个芯片一一对应的子量子点区域,各个所述子量子点区域在所述衬底基板上的正投影与各个芯片在所述衬底基板上的正投影重合。
优选地,当所述量子层包括与所述芯片层中的各个芯片一一对应的子量子点区域时,相邻的子量子点区域之间填充有透明光学胶。
优选地,所述芯片层相邻的芯片之间填充有透明光学胶。
优选地,所述线路层的材质为氧化铟锡。
优选地,所述衬底基板的材料为玻璃或者光学塑料。
附图说明
图1为现有技术中的一种堆叠式背光源的结构示意图;
图2为本发明提供的第一种量子点层方案面光源的结构示意图;
图3a至图3f为本发明提供的第一种量子点层方案面光源下的六种面光源的A部位结构示意图放大图;
图4为本发明提供的第二种量子点层方案面光源的结构示意图;
图5a至图5f为本发明提供的第二种量子点层方案面光源下的六种面光源的B部位结构示意图放大图。
图标:
01-胶铁框;02-胶带;03-芯片;04-透明胶;05-聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜;06-扩散板;07-量子点膜;08-棱镜;1-衬底基板;2-线路层;3-芯片层;31-芯片;4-第一玻璃板;5-量子点层;51-子量子点区域;6-第一反射层;7-第一网点结构;8-第二玻璃板;9-第二网点结构;10-第二反射层;11-透明光学胶。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参考图2、图4,本发明提供一种面光源,包括:
衬底基板1;
形成于衬底基板1上的线路层2;
形成于线路层2背离透明衬底一侧的芯片层,芯片层包括多个间隔排布的芯片31,每个芯片31均与线路层2电性连接;
形成于芯片层背离线路层2一侧的第一玻璃板4;
形成于第一玻璃板4背离芯片层的一侧的量子点层5;
用于对芯片层发出的光线进行均匀化调节的光线调节组件,光线调节组件包括第一反射层6和第一网点结构7,第一反射层6位于芯片层背离衬底基板1一侧且第一反射层6在透明衬底上的正投影与芯片31在衬底上的正投影无交叠;第一网点结构7位于第一反射层6背离衬底基板1的一侧且与第一反射层6正对;
用于将芯片31发出的至少一部分光线由与芯片31正对的位置扩散至与芯片31正对的位置两侧的散光装置。
本发明提供了一种面光源,该面光源包括衬底基板1以及依次设置于衬底基板1上的线路层2、芯片层、第一玻璃板4和量子点层5,还包括光线调节组件和散光装置,其中,第一玻璃板4位于芯片层与量子点层5之间,可以起到隔热的作用,防止芯片层产生的热量对量子点层5造成影响;光线调节组件用于对芯片层发出的光线进行均匀化调节,光线调节组件包括第一反射层6和第一网点结构7,第一反射层6设置于芯片层背离衬底基板1的一侧、用于对光线进行反射,第一网点结构7设置于第一反射层6背离芯片层的一侧、用于对光线进行折射,芯片层发出的光线中的一部分经第一网点结构7折射后直接由出光面射出,另一部分经第一网点结构7折射后照射到第一反射层6,后经第一反射层6反射后由出光面射出,或者经第一反射层6反射后再次照射到第一网点结构7然后重复上述过程,芯片31发出的光线经光线调节组件调节后均匀性更强;散光装置用于对芯片层准直出射的光线进行发散,发散后的光线一部分直接射出,另一部分经光线调节组件调节后射出,光调节组件和散光装置使得面光源的出光更为均匀;本发明提供的面光源提升了光线的全反射效率,从而提升了显示效果,且本发明提供的面光源保证出光效果的同时,与现有技术相比省去了层膜材以及胶铁框等部件且无需增加芯片31数量,因此本发明提供的面光源的集成化程度提高,厚度降低且功耗低,即发明提供的面光源在实现高集成率和低功耗的同时,又能达到高显示品质需求。
具体地,如图2和图4所示,本发明提供的面光源还包括形成于量子点层5背离第一玻璃板4一侧的第二玻璃板8。
第二玻璃板8可以起到保护量子点层5的作用,可以通过调节光线调节组件和散光装置的位置使得光线在第二玻璃板8内发生全反射,从而第二玻璃板8还可以起到提高光线均匀性的效果。
具体地,如图3a至图3f以及图5a至图5f所示,散光装置包括与第一反射层6同层设置且与芯片31正对的第二网点结构9或者与第一网点结构7同层设置且与芯片31正对的第二反射层10。
散光装置的位置与芯片层中芯片31的位置相对应,用于对芯片31发出的准直光线进行发散,避免芯片31发出的光线直接射出,通过散光装置对光线进行发散有助于提高出射光线的均匀性,散光装置包括第二网点结构9或者第二反射层10,当散光装置包括第二网点结构9时,第二网点结构9与第一反射层6同层设置,芯片31准直射出的光线经第二网点结构9折射后由与芯片31正对的位置像两侧发散;当散光装置包括第二反射层10时,第二反射层10与第一网点结构7同层设置,芯片31准直射出的光线经第二反射层10反射后由与芯片31正对的位置像两侧发散。
具体地,如图3a至图3c以及图5a至图5c所示,当散光装置包括第二网点结构9时:
第一反射层6设置于芯片层与第一玻璃板4之间,第一网点结构7设置于第一玻璃板4与量子点层5之间;或者,
第一反射层6设置于芯片层与第一玻璃板4之间,第一网点结构7设置于量子点层5与第二玻璃板8之间;或者,
第一反射层6设置于芯片层与第一玻璃板4之间,第一网点结构7设置于第二玻璃板8背离衬底基板1的一侧。
实施例一:
如图3a和图5a所示,面光源包括衬底基板1以及依次设置于衬底基板1上的线路层2、芯片层、第一玻璃板4和量子点层5,还包括光线调节组件和散光装置,其中,光线调节组件包括位于芯片层与第一玻璃板4之间的第一反射层6和位于第一玻璃板4与量子点层5之间的第一网点结构7,散光装置包括与第一反射层6同层设置且与芯片31正对的第二网点结构9。
在该实施例中,光线在第一玻璃板4中发生全反射,具体地,芯片层准直出射光线,与芯片31正对的第二网点结构9使光线通过并大角度出射,大角度光线经过第一网点结构7后部分折射出射,部分反射回来打到第一反射层6上继续反射,由于第一玻璃板4与其上层膜层的折射率差值,光线能够在第一玻璃板4里面全反射,全反射效率明显提升,从而提高了光线的利用率,第一网点结构7可以使光线均匀出射,出射的光经过量子点层5后发出均匀的白光,本发明中的面光源的出光均一性大于80%,可以满足均匀性要求。
实施例二:
如图3b和图5b所示,面光源包括衬底基板1以及依次设置于衬底基板1上的线路层2、芯片层、第一玻璃板4、量子点层5和第二玻璃板8,还包括光线调节组件和散光装置,其中,光线调节组件包括设置于芯片层与第一玻璃板4之间的第一反射层6和设置于量子点层5与第二玻璃板8之间的第一网点结构7,散光装置包括与第一反射层6同层设置且与芯片31正对的第二网点结构9。
在该实施例中,芯片层准直出射光线,与芯片31正对的第二网点结构9使光线通过并大角度出射,大角度光线部分经过第一玻璃板4、量子点层5和第二玻璃板8后直接射出,部分经过第一玻璃板4和量子点层5后射向第一网点结构7,射向第一网点结构7的光线发生折射,折射后的光线部分直接射出,部分射向第一反射层6并经第一反射层6反射后射出或再次射向第一网点结构7并重复上述步骤,光线经过量子点层5后发出白光,并经光线调节组件和第二网点结构9调节后更为均匀。
实施例三:
如图3c和图5c所示,面光源包括衬底基板1以及依次设置于衬底基板1上的线路层2、芯片层、第一玻璃板4、量子点层5和第二玻璃板8,还包括光线调节组件和散光装置,其中,光线调节组件包括设置于芯片层与第一玻璃板4之间的第一反射层6和设置于第二玻璃板8背离衬底基板1的一侧的第一网点结构7,散光装置包括与第一反射层6同层设置且与芯片31正对的第二网点结构9。
在该实施例中,芯片层准直出射光线,与芯片31正对的第二网点结构9使光线通过并大角度出射,大角度光线经过第一玻璃板4、量子点层5和第二玻璃板8后,部分光线直接射出,另一部分光线经过第一网点结构7后发生折射,折射后的光线部分直接射出、部分射向第一反射层6并经第一反射层6反射后射出或再次射向第一网点结构7并重复上述步骤,光线经过量子点层5后发出白光,并经光线调节组件和第二网点结构9调节后更为均匀。
具体地,如图3d至图3f和图5d至图5f所示,当散光装置包括第二反射层10时:
第一网点结构7设置于第二玻璃板8背离衬底基板1的一侧,第一反射层6设置于芯片层与第一玻璃板4之间;或者,
第一网点结构7设置于第二玻璃板8背离衬底基板1的一侧,第一反射层6设置于第一玻璃板4与量子点层5之间;或者,
第一网点结构7设置于第二玻璃板8背离衬底基板1的一侧,第一反射层6设置于量子点层5与第二玻璃板8之间。
实施例四:
如图3d和图5d所示,面光源包括衬底基板1以及依次设置于衬底基板1上的线路层2、芯片层、第一玻璃板4、量子点层5和第二玻璃板8,还包括光线调节组件和散光装置,其中,光线调节组件包括设置于芯片层与第一玻璃板4之间的第一反射层6和设置于第二玻璃板8背离芯片层一侧的第一网点结构7,散光装置包括与第一网点结构7同层设置且与芯片31正对的第二反射层10。
在该实施例中,芯片层准直射出的光线经第一玻璃板4基板后射入量子点层5,量子点层5兼顾白光转换和光线散射的功能,光线经量子点层5后发出大角度光线,大角度光线经过第二玻璃板8后射向第一网点结构7,经过第一网点结构7后部分折射后射出、部分反射后射向第一反射层6,经第一反射层6反射后射向第一网点结构7并重复上述步骤,从而提高了光线的全反射效率,提高了光线的均匀性,第二反射层10将过量蓝光反射回量子点层5,使量子点层5充分地转换光线,提高光的利用率。本发明中的面光源的出光均一性大于80%,可以满足均匀性要求。
实施例五:
如图3e和图5e所示,面光源包括衬底基板1以及依次设置于衬底基板1上的线路层2、芯片层、第一玻璃板4、量子点层5和第二玻璃板8,还包括光线调节组件和散光装置,其中,光线调节组件包括设置于第一玻璃板4与量子点层5之间的第一反射层6和设置于第二玻璃板8背离芯片层一侧的第一网点结构7,散光装置包括与第一网点结构7同层设置且与芯片31正对的第二反射层10。
在该实施例中,芯片层准直射出的光线经第一玻璃板4后射入量子点层5,量子点层5兼顾白光转换和光线散射的功能,光线经量子点层5后发出大角度光线,大角度光线经过第二玻璃板8后射向第一网点结构7,经过第一网点结构7后部分折射后射出、部分反射后射向第一反射层6,经第一反射层6反射后射向第一网点结构7并重复上述步骤,从而提高了光线的全反射效率,提高了光线的均匀性,第二反射层10将过量蓝光反射回量子点层5,使量子点层5充分地转换光线,提高光的利用率。本发明中的面光源的出光均一性大于80%,可以满足均匀性要求。
实施例六:
如图3f和图5f所示,面光源包括衬底基板1以及依次设置于衬底基板1上的线路层2、芯片层、第一玻璃板4、量子点层5和第二玻璃板8,还包括光线调节组件和散光装置,其中,光线调节组件包括设置于量子点层5与第二玻璃板8之间的第一反射层6和设置于第二玻璃板8背离芯片层一侧的第一网点结构7,散光装置包括与第一网点结构7同层设置且与芯片31正对的第二反射层10。
在该实施例中,光线在第二玻璃板8中发生全反射,具体地,芯片层准直射出的光线经第一玻璃板4后射入量子点层5,量子点层5兼顾白光转换和光线散射的功能,光线经量子点层5后发出大角度光线,大角度光线经过第二玻璃板8后射向第一网点结构7,经过第一网点结构7后部分折射后射出、部分反射后射向第一反射层6,经第一反射层6反射后射向第二玻璃板8并在第二玻璃板8中发生全反射,从而提高了光线的全反射效率,且提高了光线的均匀性,第二反射层10将过量蓝光反射回量子点层5,使量子点层5充分地转换光线,提高光的利用率。本发明中的面光源的出光均一性大于80%,可以满足均匀性要求。
本发明实施例一至实施例五提供的面光源中,由于蓝光发出光线均发生全反射,与现有技术中的直下式面光源结构相比,很好的解决了现有技术中吸光度较大的难题,从而减薄了整体厚度。从厚度上来说,本发明提供的实施例中,一种尺寸具体参数如下:衬底基板厚度为0.1mm,芯片层厚度为0.1mm,第一玻璃板厚度为0.1mm,量子点层厚度为0.085mm,第二玻璃板厚度为0.1mm,因此总体厚度为0.485mm,与图1所示的现有技术中常规堆叠面光源厚度为1.048mm相比,本发明提供的面光源总厚度减薄了0.563mm,与现有技术相比厚度降低了一倍以上,达到了背光超薄的需求。上述仅为一种参数的举例,具体的参数可以根据实际需求进行调节,对于中大尺寸产品,本发明提供的面光源与现有技术相比厚度减薄会更加明显。
具体地,量子点层5通过镀膜工艺形成于第二玻璃板8,且位于第二玻璃板8朝向芯片层的一侧;或者,
量子点层5通过镀膜工艺形成于第一玻璃板4,且位于第一玻璃板4背离芯片层的一侧。
本发明采用镀膜工艺在第一玻璃板4或者第二玻璃板8上形成量子点层5,不但可以有效的提高整个模组的色域,而且与单独的量子点膜材相比,采用镀膜的方式可以降低膜层的厚度,因此采用镀膜工艺制备的量子点层5不仅能实现更高色域,又能满足厚度薄型化要求。
在一种实施方式中,量子点层5形成于第二玻璃板8,在这种实时方式中,面光源的制备流程可以分为三个部分分别制作,三个部分的制备顺序不进行限制,下面就图3a所示的实施例举例说明,具体如下:
第一部分:在衬底基板1上形成线路层2,在线路层2上形成芯片层;
第二部分:在第一玻璃板4用于与芯片层相对的表面制备与芯片31一一对应的第二网点结构9,在第一玻璃板4用于与芯片层相对的表面中未与芯片31相对的位置形成反射层;
第三部分:在第二玻璃板8用于与芯片31相对的一侧形成量子点层5;
然后将第一部分、第二部分、第三部分依次粘接。
在上述制备过程中,芯片层的制备可以通过将芯片31通过回流焊的方式贴装于线路层2上。
在上述制备过程中,将第一部分、第二部分、第三部分依次粘接时使用的粘接剂可以为透明光学胶11。
其他实施例中的制备方式与本实施例的制备方式区别之处仅在于光线调节组件和散光装置制备位置的不同,本发明不做赘述。
在另一种实施方式中,量子点层5形成于第一玻璃板4,在这种实时方式中,面光源的制备流程可以分为三个部分分别制作,三个部分的制备顺序不进行限制,下面就图3d所示的实施例举例说明,具体如下:
第一部分:在衬底基板1上形成线路层2,在线路层2上形成芯片层;
第二部分:在第一玻璃板4用于与芯片层相对的表面中未与芯片31对应的部位形成第一反射层6,在第一玻璃板4背离第一反射层6的一侧表面上形成量子点层5;
第三部分:在第二玻璃板8背离用于与芯片31相对的一侧表面中与芯片31相对应的位置形成第二反射层10,其它位置形成第一网点结构7;
然后将第一部分、第二部分、第三部分依次粘接。
在上述制备过程中,芯片层的制备可以通过将芯片31通过回流焊的方式贴装于线路层2上。
在上述制备过程中,将第一部分、第二部分、第三部分依次粘接时使用的粘接剂可以为透明光学胶11。
其他实施例中的制备方式与本实施例的制备方式区别之处仅在于光线调节组件和散光装置制备位置的不同,本发明不做赘述。
具体地,如图3a至图3f所示,量子点层5在衬底基板1上的正投影与芯片层在衬底基板1上的正投影重合,或者,如图5a至图5f所示,量子层包括与芯片层中的各个芯片31一一对应的子量子点区域51,各个子量子点区域51在衬底基板1上的正投影与各个芯片31在衬底基板1上的正投影重合。
在一种实施方式中,量子点层5为完整的一层且覆盖整个芯片层,这种实施方式制备工艺简单,在另一种实施方式中,量子点层5包括与芯片31一一对应的子量子点区域51,这种实施方式可以节省量子点材料从而节省成本。
具体地,如图5a至图5f所示,当量子层包括与芯片层中的各个芯片31一一对应的子量子点区域51时,相邻的子量子点区域51之间填充有透明光学胶11。
量子点层5中的透明光学胶11起到粘接量子点层5上下两层的作用,采用透明的光学胶防止对光线的传播造成影响。
具体地,如图3a至图3f以及图5a至图5f所示,芯片层相邻的芯片31之间填充有透明光学胶11。
芯片层中的透明光学胶11一方面起到粘接相邻芯片31的作用另一方面起到粘接芯片层衬底基板1、线路层2与第一玻璃板4的作用,还可以起到填充的作用,有助于保持芯片31的位置。
具体地,线路层2的材质为氧化铟锡。
具体地,衬底基板1的材料为玻璃或者光学塑料。
衬底基板1选用透明材料,可以选用玻璃或者光学塑料或其它透明材料,本发明不做限定。
显然,本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种面光源,其特征在于,包括:
衬底基板;
形成于所述衬底基板上的线路层;
形成于线路层背离所述透明衬底一侧的芯片层,所述芯片层包括多个间隔排布的芯片,每个所述芯片均与所述线路层电性连接;
形成于所述芯片层背离所述线路层一侧的第一玻璃板;
形成于所述第一玻璃板背离所述芯片层的一侧的量子点层;
用于对芯片层发出的光线进行均匀化调节的光线调节组件,所述光线调节组件包括第一反射层和第一网点结构,所述第一反射层位于所述芯片层背离所述衬底基板一侧且所述第一反射层在所述透明衬底上的正投影与所述芯片在所述衬底上的正投影无交叠;所述第一网点结构位于所述第一反射层背离所述衬底基板的一侧且与所述第一反射层正对;
用于将芯片发出的至少一部分光线由与所述芯片正对的位置扩散至与所述芯片正对的位置两侧的散光装置。
2.根据权利要求1所述的面光源,其特征在于,还包括形成于所述量子点层背离所述第一玻璃板一侧的第二玻璃板。
3.根据权利要求2所述的面光源,其特征在于,所述散光装置包括与所述第一反射层同层设置且与所述芯片正对的第二网点结构或者与所述第一网点结构同层设置且与所述芯片正对的第二反射层。
4.根据权利要求3所述的面光源,其特征在于,当所述散光装置包括第二网点结构时:
所述第一反射层设置于所述芯片层与所述第一玻璃基板之间,所述第一网点结构设置于所述第一玻璃基板与所述量子点层之间;或者,
所述第一反射层设置于所述芯片层与所述第一玻璃基板之间,所述第一网点结构设置于所述量子点层与所述第二玻璃基板之间;或者,
所述第一反射层设置于所述芯片层与所述第一玻璃基板之间,所述第一网点结构设置于所述第二玻璃基板背离所述衬底基板的一侧。
5.根据权利要求3所述的面光源,其特征在于,当所述散光装置包括第二反射层时:
所述第一网点结构设置于所述第二玻璃基板背离所述衬底基板的一侧,所述第一反射层设置于所述芯片层与所述第一玻璃基板之间;或者,
所述第一网点结构设置于所述第二玻璃基板背离所述衬底基板的一侧,所述第一反射层设置于所述第一玻璃基板与所述量子点层之间;或者,
所述第一网点结构设置于所述第二玻璃基板背离所述衬底基板的一侧,所述第一反射层设置于所述量子点层与所述第二玻璃基板之间。
6.根据权利要求2所述的面光源,其特征在于,所述量子点层通过镀膜工艺形成于所述第二玻璃板,且位于所述第二玻璃板朝向所述芯片层的一侧;或者,
所述量子点层通过镀膜工艺形成于所述第一玻璃板,且位于所述第一玻璃板背离所述芯片层的一侧。
7.根据权利要求1所述的面光源,其特征在于,所述量子点层在所述衬底基板上的正投影与所述芯片层在所述衬底基板上的正投影重合,或者,所述量子层包括与所述芯片层中的各个芯片一一对应的子量子点区域,各个所述子量子点区域在所述衬底基板上的正投影与各个芯片在所述衬底基板上的正投影重合。
8.根据权利要求7所述的面光源,其特征在于,当所述量子层包括与所述芯片层中的各个芯片一一对应的子量子点区域时,相邻的子量子点区域之间填充有透明光学胶。
9.根据权利要求1所述的面光源,其特征在于,所述芯片层相邻的芯片之间填充有透明光学胶。
10.根据权利要求1所述的面光源,其特征在于,所述线路层的材质为氧化铟锡。
11.根据权利要求1所述的面光源,其特征在于,所述衬底基板的材料为玻璃或者光学塑料。
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