CN111225944A - 表面改性装置 - Google Patents
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- 230000004048 modification Effects 0.000 title claims description 45
- 238000012986 modification Methods 0.000 title claims description 45
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 28
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 18
- 230000006854 communication Effects 0.000 claims description 10
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 9
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 152
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 7
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/47—Generating plasma using corona discharges
- H05H1/477—Segmented electrodes
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C71/00—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor
- B29C71/04—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. for curing or vulcanising preformed articles
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
- C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32073—Corona discharge
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
- H05H1/3478—Geometrical details
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/47—Generating plasma using corona discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/47—Generating plasma using corona discharges
- H05H1/473—Cylindrical electrodes, e.g. rotary drums
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2259/00—Type of treatment
- B01D2259/80—Employing electric, magnetic, electromagnetic or wave energy, or particle radiation
- B01D2259/818—Employing electrical discharges or the generation of a plasma
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0873—Materials to be treated
- B01J2219/0875—Gas
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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- H—ELECTRICITY
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- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
- H01T19/00—Devices providing for corona discharge
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
从放电电极中直接排出气体,减少置换气体排放量的同时,还能够使气压分布均匀,以稳定地生成等离子体。放电室C内的放电电极E由多个电极构件8、9构成。并且,这些多个电极构件8、9夹持支撑构件4而相向配置,同时在这些多个电极构件8、9的相向部分形成有空隙,该空隙作为气体通道15向放电电极的前端开口。并且,从歧管3供给的置换气体经由节流孔供给到上述气体通道15中。
Description
技术领域
本发明涉及一种通过电晕放电对处理基材表面进行表面处理的表面改性装置。
背景技术
关于此种表面改性装置,对以树脂膜为处理基材的现有例进行说明。
在电极室内,设置放电电极,与该放电电极相向设置作为相向电极的处理滚轴。
并且,在电极室内,供给与表面改性的目对应的置换气体,将电极室内保持在置换气体环境下,同时对放电电极施加高频电压,以在放电电极与上述处理滚轴之间产生电场。
通过向由此产生的电场供给置换气体,沿处理滚轴运送的树脂膜表面发生改性。
并且,表面改性的精度因电极室内置换气体的浓度而异,因此,如果置换气体浓度不均,则在浓度较浓的位置与较稀薄的位置,其改性精度不同。
而且,电极室的大小必须与通过处理滚轴运送的树脂膜尺寸相对应。因此,当树脂膜宽度达到10m的情况下,电极室也必须对应该树脂膜的宽度,则电极室的容积相当大。
由此,在大容积电极室内,为将其中气体浓度固定在一定水平,必须加大置换气体供给量,相应地会降低生产率。
于是,在专利文献1中公开一种方法,在放电电极与作为相向电极的处理滚轴之间的放电部分,向该局部位置直接供给置换气体。
例如,专利文献1中所公开的一种装置,由放电电极直接供给置换气体。如此处理,可以向放电电极与处理滚轴之间的放电部分这一局部位置直接供给置换气体,因此,便于将该局部位置的置换气体保持在一定浓度。而且,不必使置换气体充满整个电极室即可解决问题,因此相应地可以抑制置换气体的使用量。
并且,专利文献1装置中的放电电极由长度基本对应树脂膜宽度的块构成,同时,在作为放电电极的块体长度方向上形成切口,使该切口连接在供给置换气体的供给源上。
由此,由气体供给源所供给的置换气体从切口直接供给作为放电部分的局部位置。
如上所述,如果向放电部分直接供给置换气体,与向整个电极室供给置换气体的情况相比,可以大大减少置换气体供给量。
而且,可以向放电部分这一局部位置供给置换气体,所以,即便置换气体供给量减少,也几乎不会对等离子体的生成造成影响。
由此,通过向放电部分这一局部位置直接供给置换气体,可以期望达到减少置换气体供给量,而不会降低等离子体的生成能力的效果。
专利文献1:特公平06-002830号公报
发明内容
所要解决的技术问题
如上所述,如果将切口直接连接在气体供给源上,则气体供给管附近处的气压增高,距离气体供给管较远处的气压降低,由此难以保证在切口的长度方向上的气压均衡。
由此造成切口内气压分布不均,则导致各处气体量不同,进而表面改性精度产生偏差。
尤其在减少置换气体供给量这一课题之下,上述气压分布不均成为大问题。因为,如减少置换气体供给量,则气压较低部分的置换气体量极端减少,以使该部分的表面改性的精度恶化。由此,如果气体浓度稳定性受损,处理基材的表面改性也不稳定,减少气体供给量这一优势完全被抵消。
而且,放电电极长度越长,切口内置换气体的压力分布越不稳定,因此,例如在宽度10m左右的树脂膜的表面改性中,存在无法使用上述先例中放电电极的问题。
本发明的目的在于提供一种表面改性装置,既可以减少置换气体的供给量,又能进行稳定的表面改性处理。
解决技术问题的方法
第1发明具备:保持单元,其保持用于进行表面改性处理的处理基材;放电电极,其长度在上述处理基材宽度方向上被保持;相向电极,其与上述放电电极相向,同时用于在其与上述放电电极之间产生电场;气体通道,其沿上述放电电极向上述处理基材方向引导置换气体,并且,向上述电场的产生空间喷出上述置换气体;歧管,其连接在气体供给源上,同时其长度在上述放电电极的长度方向上被保持;节流孔,其设置在上述歧管与上述气体通道的连通进程中,用于保持歧管内的在长度方向上的气压基本均匀。
上述歧管以及放电电极的长度在上述处理基材的宽度方向上被保持,但可使用单根构件实现规定的长度,或者是连接多根放电电极来实现规定的长度。
另外,也可将歧管以及放电电极分割成多根,将这些多根歧管以及放电电极例如在树脂膜的运送方向上相互交替排列,同时,使全部歧管以及放电电极的长度相当于树脂膜表面改性宽度的长度。
进一步地,有时会根据处理基材仅对其宽度方向的一部分进行表面改性,此时的放电电极可以仅保持对应上述表面改性所必须部分宽度的长度。但是,即使在此种情况下,自然也可将放电电极分割成数根来使用。
在第2发明中,在放电电极的长度方向上设置一根歧管。
另外,在第3发明中,多根歧管在放电电极的长度方向上直线连接。
进一步地,在第4发明中,在放电电极的宽度方向上,并列设置多个上述歧管。
此外,上述多根歧管可以相对于一个气体供给源并列连接,也可以连接在各自的气体供给源上。但是,在将各个歧管连接在各自的气体供给源时,在连接气体供给源与各个歧管的通道进程中,如果设置流量控制阀,则可以自由调整供给各个歧管的气体量。
另外,在如上所述那样设置多个歧管时,可以控制每个歧管以使其容积减小。如此如果可以减小容积,相应地歧管内气压分布更易于平均化。
在第5发明中,歧管也可作作为放电电极的支撑结构发挥作用。并且,放电电极可直接固定在歧管上,也可通过支撑构件等间接进行固定。
通过如上所述那样通过将歧管作为放电电极的支撑结构发挥作用,可以兼用构件,相应地简化整体结构。
在第6发明中,构成节流孔的多个小孔在歧管的长度方向上连续设置。
并且,在第7发明中,构成上述节流孔的小孔直接形成于歧管。
在第8发明中,构成节流孔的一个或多个切口直接形成于歧管。
上述切口可以利用歧管周向上的连接口,也可有别于该连接口而形成。另外,也可在无缝管上形成切口。
另外,也可在歧管长度方向上设置多个长度较短的上述切口。
无论何种情况,如在歧管上直接形成节流孔,通过将歧管设置在规定的位置上,则可自动决定节流孔的配置。
在第9发明中,歧管内编入多孔质体,以将该多孔质所持有的多个连续小孔设为节流孔。
上述多孔质体包括烧结金属、合成树脂、金属网状物、陶瓷、无纺布等,但在本发明中,对流通气体发挥节流效应即可,不对其材质做特殊限定。
在第10发明中,设置在上述歧管与上述气体通道之间的连通进程上的节流孔,形成于上述歧管与气体通道之间所设置的节流构件上。
该节流构件设置在歧管与气体通道之间即可,不对其安装位置做特殊限定。
在第11发明中,上述节流构件由多孔质体构成,上述节流孔由此多孔质体所持有的连续小孔构成。
上述多孔质体包括烧结金属、合成树脂、金属网状物、陶瓷、无纺布等,但在多孔质体中,对流通气体发挥节流效应即可,不对其材质做特殊限定。
在第12发明中,上述放电电极由多个电极构件形成,这些多个电极构件相互相向,同时,将这些相向间隔设为气体通道。
将多个电极构件的相向间隔设为气体通道,因此,不需要进行用于形成气体通道的孔加工等。而且,可自由设定这些相向间隔的尺寸,因此,选择气体通道尺寸的自由度增大。
而且,可以从放电电极的前端喷出气体,所以,即便是少量气体,也可以稳定生成必要的等离子体。
在第13发明中,歧管与支撑构件结合,而构成放电电极的支撑结构,因此,不需要另用构件来支撑放电电极。
并且,在第14发明中,将形成于支撑构件上的气体引导孔作为节流孔。
在第15发明中,上述支撑构件由多孔质体构成,该多孔质体所持有的多个连续小孔构成上述节流孔。
此外,构成上述支撑构件的多孔质体至少必须具备形态固定功能,用于作为支撑构件发挥作用。只要具备形态固定功能,能对流通气体发挥节流效应即可,烧结金属、合成树脂、金属网状物、陶瓷、无纺布等均可,不对其材质做特殊限定。
在第16发明中,构成放电电极的电极构件由一对板状体构成。因此,如果采用薄板物,则可以实现放电电极小型化。
在第17发明中,构成放电电极的电极构件由单个块形成,在该块上形成切口的同时,将该切口设为上述气体通道。
在第18发明中,上述气体通道由放电电极与沿此放电电极外侧面设置的覆盖构件之间形成的间隙形成。
在第19发明中,上述保持单元由运送由长条物构成的上述处理基材的处理滚轴形成。
上述由长条物构成的处理基材,例如树脂膜为典型示例。除树脂膜以外,也可以为较长的、连续的钢板、板状合成树脂等。
另外,上述处理基材不必卷附在处理滚轴上,只要可以通过该处理滚轴的转动来运送处理构件,任意样式的处理滚轴均可。
在第20发明中,上述保持单元由载置上述处理基材的传送带、台子或者机械手臂的抓手等形成。
在第21发明中,上述保持单元兼用作相向电极。
在第22发明中,上述放电电极或相向电极中的至少任一方由电介质包围。
此外,由电介质包围放电电极或相向电极中的至少任一方,在上述处理基材由导电体组成的情况下有效。在处理基材为导电体时,在放电电极与相向电极之间,形成由小电阻导体连接的短路回路。
但是,如果如上所述那样由电介质包围放电电极或相向电极中的至少任一方,则不会形成上述短路回路。
发明效果
根据本发明的表面改性装置,可以使在具有规定长度的歧管内气压保持均匀。如果能保持歧管内的气压均匀,即便导入歧管的置换气体量很少,也可以均匀地提供给电场。因此,既可最大限度发挥保持最少置换气体的作用,还可以切实实现使处理基材的表面改性的处理稳定化的目的。
进一步地,在气体供给源一侧,即便产生些许压力变化,歧管作为缓冲物发挥作用,因此,气体供给源一侧产生的些许压力变动,几乎不会对表面改性的处理造成影响。
附图说明
图1是表示实施方式1的电极室内的放大图。
图2是实施方式1的放电电极的长度方向图,截取其一部分的图。
图3是说明实施方式2的图。
图4是实施方式3的局部放大剖面图。
图5是实施方式4的局部放大剖面图。
图6是实施方式5的局部放大剖面图。
图7是实施方式6的局部放大剖面图。
图8是实施方式7的局部放大剖面图。
具体实施方式
图1、2所示的实施方式1涉及一种对作为本发明的处理基材的长条状树脂膜F的表面连续地进行改性处理的表面改性装置。
在本实施方式1中,使电极室C的开口与将树脂膜F在箭头a1方向上运送的处理滚轴R相向。
此外,上述处理滚轴R电接地,因此,该处理滚轴R兼用于本发明的保持单元以及相向电极。
上述电极室C中,在与其开口相反一侧的面上,固定有绝缘体1,该绝缘体1上固定有连接构件2,进一步地,该连接构件2上固定有由导电体构成的歧管3。如上所述的歧管3上,连接有未图示的气体供给源。
此外,上述歧管3保持与通过处理滚轴R所运送的树脂膜F的宽度相当的长度。
另外,在该歧管3的与上述连接构件2相反的侧面,通过未图示的螺丝等,固定由导电体形成的长度与歧管3大致相同的支撑构件4。
如上所述的支撑构件4上,形成有在其长度方向上保持规定间隔而连续的多个气体引导孔5,将这些气体引导孔5与歧管3上形成的小孔6连通。
因此,被导入至歧管3的置换气体自上述小孔6导入到气体引导孔5中。
此外,上述多个气体引导孔5的各个开口直径全部相同,同时,该气体引导孔5作为节流孔发挥功能,该节流孔对从其中通过的气流发挥节流效应。因此,上述支撑构件4兼用于本发明的节流构件。
另外,在上述支撑构件4的与歧管3相反一侧的前端部分,形成向外侧伸出的挂钩突部7,在此挂钩突部上,挂住以下将说明的放电电极E。
上述放电电极E由多个板状电极构件8、9构成,该电极构件8、9的长度相当于作为处理基材的树脂膜F的宽度。
这些多个电极构件8、9相互相向,在这些各个相向面上,相互相向地形成有在该电极构件8、9的长度方向上连续的挂钩凹部10、11。如上所述的挂钩凹部10、11保持与上述支撑构件4上形成的挂钩突部7嵌合的尺寸。
进一步地,在上述电极构件8、9前端部分,形成两个连续圆弧,同时,在这些圆弧间形成涡流生成槽12、13。该涡流生成槽12、13具备相当于上述电极构件8、9的长度。
如上所述的电极构件8、9通过将其挂钩凹部10、11与支撑构件4的挂钩突部7嵌合,来夹住支撑构件4而相向,同时,通过保持件14夹持相向的多个电极构件8、9。
如此通过保持件14夹持,电极构件8、9的挂钩凹部10、11不会脱离挂钩突部7,能够由支撑构件4稳定支撑电极构件8、9。
另外,在由支撑构件4所支撑的多个电极构件8、9的相向部分,连续形成在电极构件8、9的长度方向上连续的空隙,该空隙成为气体通道15。并且,全部上述多个气体引导孔5与该气体通道15连通。而且,上述气体通道15在向放电电极E与上述处理滚轴R的相向部分开口。
此外,对气流发挥节流效应的气体引导孔5,构成本发明的节流孔,同时,可知该节流孔设置在歧管3与气体通道15的连通进程上。
此外,上述歧管3、支撑构件4以及各个电极构件8、9由导电体构成,同时,自高压电源16向歧管3施加高电压,则在放电电极E与作为相向电极的上述处理滚轴R之间,产生电场。
在上述结构的基础上,如果向歧管3供给置换气体,则该置换气体通过小孔6以及气体引导孔5,从气体通道15向箭头a2方向排出。也就是说,该置换气体从多个电极构件8、9之间排出,因此,置换气体直接排出至产生电场的局部位置。
而且,多个气体引导孔5作为如上所述那样的开口直径不变的节流孔发挥作用,由此对通过气体引导孔5的气流施加节流阻力。因此,保持作为气体引导孔5上游侧的歧管3内的压力均匀,进而从多个气体引导孔5排出的气压也变得均匀。
另外,即便在气体供给源一侧发生微小的压力变化,歧管3作为缓冲器发挥作用。因此,气体供给源一侧的微小的压力变动对表面改性几乎不产生影响。
进一步地,气体引导孔5的气体喷出方向上的长度可以增加到一定程度,因此,与歧管3内的压力保持功能结合,可以赋予从气体引导孔5排出的气流方向性。以这种方式赋予气流方向性,因此,能够防止置换气体扩散,从而对保持其浓度恒定发挥作用。此外,对于通过伴随树脂膜F的夹带流带入电极室C内的空气,气流的方向性可作为气幕发挥作用。
进一步地,通过未图示的控制器可控制作为产生电场的高电压源16的输出及上述处理滚轴R的转动速度,以使其相互关联。并且,通过上述控制器相对地控制树脂膜F的运送速度与放电电流,则即使是很少量的置换气体,也可发挥更加稳定的处理效果。
另外,使多个电极构件8、9的各个前端设为圆弧状以去除角部,因此,放电不会集中在电极构件8、9前端的一部分。
根据如上所述的实施方式1,使多个电极构件8、9的挂钩凹部10、11与支撑构件4的挂钩突部7嵌合,则必然形成气体通道15,同时,气体引导孔5与该气体通道连通。并且,通过孔加工可充分地形成气体引导孔5,只要选择特定尺寸的切削工具,总是可以精确地进行加工。也就是说,不存在形成长切口的困难等。
此外,在上述实施例1中,固定在连接构件2上的歧管3与固定在此歧管3上的支撑构件4结合,而构成本发明的放电电极E的支撑结构。
另外,上述支撑构件4构成本发明的节流构件,同时,上述气体引导孔5构成本发明的节流孔。
因此,在实施方式1中,支撑构件4成为上述支撑结构的构成要素,兼用于节流构件。
此外,上述支撑构件4本身由多孔质体构成,且该多孔质体所保有的多个连续小孔也可作为本发明的节流孔。在这种情况下,不需要上述气体引导孔5。
如上所述的多孔质体需要具备支撑放电电极E的功能,因此,在多孔质体上必须具备形态固定功能。
此外,由多孔质体构成支撑构件4时,为了防止气体从周围泄漏,必须用气密性材料覆盖周围或进行镀层处理。
如上所述,多孔质体保有多个连续小孔,并且,如果具备形态固定功能,则不对其材质做特殊限制。作为多孔质体的材质,例如可以使用烧结金属、金属网状物、合成树脂、陶瓷、无纺布等。
并且,在作为多孔质体的支撑构件4是如合成树脂、陶瓷或者无纺布那样的绝缘体时,构成如图1所示的放电电极E的电极构件8、9必须直接与歧管3接触,或者,使导电体存在于放电电极E与歧管3之间。
另外,在上述实施方式1中,歧管3在放电电极E的长度方向上设置有一根,但是,也可以将歧管3分割成多个,并将这些多个歧管3在放电电极E的长度方向上直线配置。
此外,如上所述,在将多个歧管3在放电电极E的长度方向上直线配置时,可以在各歧管之间保持间隔,也可以不保持间隔。
在将多个歧管3在放电电极E的长度方向4直线配置时,可以使这些各歧管的节流孔的开口直径不同。
如上所述,在使节流孔的开口直径不同时,在每歧管区间,向电场所供给的置换气体浓度不同。
但是,在处理宽度较宽的基材,如树脂膜等进行表面改性处理时,在其宽度方向上分隔的各个区域,有时需要进行使置换气体的浓度不同的处理。在这种情况下,使多个歧管在放电电极的长度方向上直线配置,而使这些节流孔的开口直径不同,由此更佳有益。
另外,也可以向上述多个歧管供给各自的置换气体。在供给各自的置换气体时,在上述较宽的树脂膜等宽度方向上分隔的各个区域,可以进行不同性质的处理。
此外,在向上述多个歧管供给各自的置换气体时,在直线配置的歧管之间设置规定间隔的情况,更加有不会使不同置换气体混淆的优势。
在如图3所示的实施方式2中,将歧管3以及放电电极E分割成多个,将这些多根歧管3以及放电电压E在树脂膜F的运送方向上相互交替地排列,同时所有的歧管3以及放电电极E的长度相当于树脂膜F的宽度。
另外,也可以使歧管3以及放电电极E比作为处理基材的树脂膜F的宽度短,仅对由该歧管3以及放电电极E所分隔的区域进行处理。
在如图4所示的实施方式3中,将三块电极构件8a、8b、8c在放电电极E的宽度方向上连接起来而成。
即,使歧管3的宽度比实施方式1更宽,同时,在该变宽的歧管3上,保持间隔而固定两个支撑构件4a、4b。
并且,上述支撑构件4a、4b与电极构件8a、8b、8c的连接结构与实施方式1相同,因此,省略其详细说明。
在如上所述的实施方式3中,连接三块电极构件8a、8b、8c且增大放电电极E的宽度,因此,相应地具备电场生成范围变大的优势。
另外,在上述实施方式3中,从两条气体通道喷出置换气体,但是,该置换气体触碰到树脂膜而向图4的箭头方向分流。
此时,部分置换气体如箭头a3、a4所示逃出至外部,但是,此时电极构件8a与树脂膜F之间、以及电极构件8c与树脂膜F的空隙发挥节流功能,而产生压力损失,从而使电极构件8a~8c的内侧压力增高。
因此,从气体通道喷出的置换气体被如上述方式增高的压力的挤压,而集中在放电电极E的中央。
此外,在实施方式3中,中央的电极构件8b由单张板构成,但是也可以从中央进行分割,而采用与实施方式1相同的将放电电极设置为两组的结构。
并且,在本实施方式3中,也与实施方式1相同地,可以由多孔质体构成支撑构件4。
另外,本实施方式3的歧管3与支撑构件4a、4b结合,而构成放电电极E的支撑结构。
在上述实施方式3中,使用了一根歧管3,但是,也可在放电电极E的宽度方向上并列排列多个歧管3。在这种情况下,在各歧管3···n设置支撑构件4a···4n。另外,在这种情况下,放电电极E的电极构件8a···8n也对应于上述支撑构件4a···4n的数目增加。
此外,上述多个电极构件8a···8n设置成与作为相向电极的处理滚轴R的相向间隔相等。因此,在如处理滚轴R那样表面为圆弧时,在放电电极E的宽度方向上,优选沿处理滚轴R的表面圆弧直线排列各电极构件8a···8n。
在图5所示的实施方式4中,将两根歧管3a、3b在放电电极E的宽度方向上并列排列,具体结构如下。
如图5所示,在支撑构件4上形成凸缘部4a,同时,使衬垫17设在该凸缘部4a与上述歧管3a、3b之间,并在凸缘部4a与歧管3a、3b之间确保共通通道18。
并且,使在歧管3a、3b上形成的小孔6a、6b与上述共通通道18连通。
以上述方式设置两根歧管3a、3b的目的在于减小每一根的容积,从而使歧管的在较长方向上的气压分布稳定。
此外,上述各个歧管3a、3b相对于未图示的气体供给源并列连接,设置了在气体供给源与歧管3之间设置的节流孔19,通过这些节流孔19,控制来自气体供给源的置换气体的流量。
另外,上述两根歧管3a、3b自然也可连接在各自的气体供给源上。
进一步地,在上述实施方式1、3中,将连接在小孔6、6a、6b上的气体引导孔5作为本发明的节流孔,但是,也可以使小孔6、6a、6b与气体引导孔5中的任一方的开口直径相对较小,且使这些相对较小的开口直径的小孔6、6a、6b或者气体引导孔5中的任一方作为节流孔。
简要而言,上述节流孔位于歧管3与气体通道15的流通进程中,只要能够对通过其中的气流施加节流阻力,可以是任何结构。
另外,本实施方式4的歧管3a、3b与支撑构件4结合,而构成放电电极E的支撑结构。
此外,在上述各实施方式中,由多个电极构件构成放电电极,但是,也可是将其一体化的一个块构成放电电极。如上所述,在由一个块构成放电电极时,在该块上形成切口,该切口成为气体通道。
在图6所示的实施方式5中,具备由绝缘体构成的一对支撑板26、27;设置在该支撑板26、27前端的电介质28、29;以及设置在电介质28、29内的电极构件30、31,并将这些电极构件30、31之间设为气体通道32。
并且,上述电极构件30、31通过未图示的回路,连接到高压电源上,同时,多个电极构件30、31构成本发明的放电电极。
此外,支撑板26、27与支撑构件4的安装结构与实施方式1的用于将电极构件8、9安装在支撑构件4上的结构相同。
另外,将上述固定板26、27以及电极构件30、31的相向间隔设为气体通道32。在该气体通道32中,经由作为歧管3的小孔6以及节流孔的气体引导孔5导入置换气体。
以上述方式,通过电介质28、29包围电极构件30、31,因此,即使例如实施表面改性的处理基材为导电体时,也可以防止来自电极构件30、31的电流发生短路。换言之,在处理基材是导电体时,放电电极E与相向电极之间形成由小电阻导体连接的短路回路,但是,如果如上所述那样放电电极E或者相向电极中的至少任一方由电介质28、29包围,就不会构成上述短路回路。
此外,放电电极E与相向电极也均可由电介质覆盖。
如上所述,将放电电极E或者相向电极中的至少任一方由电介质覆盖的原因,是因为有时会要求在较弱电场下进行处理基材的表面改性处理。
因此,根据所要求电场的强度,由电介质仅覆盖放电电极E与相向电极中的任一方,或者由电介质覆盖放电电极E与相向电极这两方。
此外,在本实施方式5中,歧管3与支撑构件4结合,而构成放电电极E的支撑结构。
上述实施方式1~5的各电极构件分别采用了几乎对称形状的电极构件,但例如图7所示的实施方式6那样,电极构件8、9也可非对称。
也就是说,在本实施方式6中,将一方电极构件8的前端向处理滚轴R的周向扩大。如上所述,将一方电极构件8的前端宽度向处理滚轴R的周向扩大,因此,可相应地扩大电场生成范围。
此外,在本实施方式6中,也是歧管3与支撑构件4结合,而构成本发明的放电电极E的支撑结构,同时,形成于上述支撑构件4的引导孔5构成本发明的节流孔。
另外,实施方式6的歧管3以及支撑构件4结合,而构成放电电极E的支撑结构。
在图8所示的实施方式7中,在歧管3上直接固定一个板状的放电电极E,同时,由覆盖构件20、21覆盖该放电电极E的两侧。并且,分别将在一方覆盖构件20与放电电极E之间,以及另一方覆盖构件21与放电电极E之间,设为气体通道22、23。换言之,实施方式7的气体通道22、23不会像实施方式1~6那样设置在放电电极E上,而是在沿放电电极E侧面的状态下形成。
并且,在歧管3上,直接形成与上述气体通道22、23连通的小孔24、25,即节流孔。
因此,供给到歧管3的置换气体经由上述小孔24、25,导入各气体通道22、23,同时,供给到在放电电极E与相向电极即处理滚轴R之间产生的电场中。
因此,通过节流孔24、25的节流阻力,使歧管3内的气压分布均匀。由于歧管3内的气压分布均匀,因此从歧管3供给到电场中的气体浓度也均匀,从而表面改性处理稳定。
此外,在上述实施方式7中,将放电电极E直接固定在歧管3上,将歧管3作为放电电极的支撑结构的主要构成要素。
此外,在本发明中,节流孔可直接形成在歧管3上,也可如形成在如上述支撑构件4那样的其他构件上。
无论何种情况,节流孔设置在歧管3与气体通道15、22、23、32的连通进程中即可。
另外,上述节流孔可以是由直接形成于气孔3的一个或多个切口构成。并且,通过调整该切口的宽度,可以保证歧管3内的气压均匀。
如上所述的切口,自然必须与上述气体通道15、32连通。
在上述各实施方式中,将形成于歧管3的小孔24、25或者形成于支撑构件4的气体引导孔5中的任一方作为节流孔,但是本发明的节流孔并非限定为孔。简要言之,只要对通过歧管3与气体通道15、22、23的气流施加节流阻力,使歧管内压力保持均匀,则不究其形态。
例如,也可将烧结金属、金属网状物、陶瓷、合成树脂或无纺布中的任一种编入歧管3内。在采用这类多孔质体时,这些多孔质体的多个连续小孔构成本发明的多个节流孔。
如上所述,将多孔质体编入歧管3时,在歧管3上沿其长度方向形成切口,并编入上述多孔质体以堵塞该切口即可。
在上述各实施方式中,处理基材为树脂膜F,同时,以运送该树脂膜的处理滚轴R为保持单元,但是,本发明的保持单元不限于处理滚轴R。
例如,保持单元可以是载置并运送处理基材的传送带,也可以是载置处理基材的台子或者移动处理基材的机械手臂的抓手等。
另外,上述实施方式的所有保持单元均可兼用为相向电极。如果保持单元不兼用为相向电极时,则另设相向电极。
并且,保持单元为传送带时,在夹着传送带与放电电极的相反一侧设置相向电极即可。
无论任何一种情况,本发明的保持单元的必要条件为,在放电电极与相向电极之间产生的电场中,保持住处理基材。
产业上的可利用性
最适合树脂膜等表面改性。
附图标记说明
C:电极室;3:歧管;4:节流构件即支撑构件;5:节流孔即气体引导孔;E:放电电极;15、22、23:气体通道;F:处理基材即树脂膜;R:构成保持单元及相向电极的处理滚轴;28、29:电介质。
Claims (22)
1.一种表面改性装置,其特征在于,具备:
保持单元,其保持用于进行表面改性处理的处理基材;
放电电极,其长度在所述处理基材的宽度方向上被保持;
相向电极,其与所述放电电极相向,同时用于在其与所述放电电极之间产生电场;
气体通道,其沿所述放电电极向所述处理基材方向引导置换气体,并且,向所述电场的生成区域喷出所述置换气体;
歧管,其连接在气体供给源上,同时,其长度在所述放电电极的长度方向上被保持;
节流孔,其设置在所述歧管与所述气体通道的连通进程中,同时,在所述歧管的长度方向上连续设置。
2.根据权利要求1所述的表面改性装置,其特征在于,在所述放电电极的长度方向上设置一根所述歧管。
3.根据权利要求1所述的表面改性装置,其特征在于,具备多个所述歧管,该多个歧管在所述放电电极的长度方向上直线配置。
4.根据权利要求1所述的表面改性装置,其特征在于,所述歧管在所述放电电极的宽度方向上并列设置有多个。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的表面改性装置,其特征在于,所述放电电极安装在所述歧管上,歧管构成放电电极的支撑结构。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的表面改性装置,其特征在于,在所述歧管与所述气体通道连通进程中设置的所述节流孔,由在所述歧管长度方向上连续设置的多个小孔构成。
7.根据权利要求6所述的表面改性装置,其特征在于,在所述歧管与所述气体通道的连通进程中设置的所述节流孔,由在所述歧管上直接形成的多个小孔构成。
8.根据权利要求6所述的表面改性装置,其特征在于,在所述歧管与所述气体通道的连通进程中设置的所述节流孔,由在所述歧管上直接形成的1个或多个切口构成。
9.根据权利要求6所述的表面改性装置,其特征在于,在所述歧管与所述气体通道的连通进程中设置的所述节流孔,由歧管内设置的多孔质体的多个连续小孔构成。
10.根据权利要求6所述的表面改性装置,其特征在于,在所述歧管与所述气体通道的连通进程中设置的所述节流孔,形成于所述歧管与气体通道之间所设置的节流构件上。
11.根据权利要求10所述的表面改性装置,其特征在于,所述节流构件由多孔质体构成,所述节流孔由所述多孔质体的多个连续小孔构成。
12.根据权利要求1或4所述的表面改性装置,其特征在于,所述放电电极由多个电极构件构成,该多个电极构件相互相向,同时,将其相向间隔设为所述气体通道。
13.根据权利要求12所述的表面改性装置,其特征在于,在所述歧管上,固定有在该歧管长度方向上延伸的支撑构件;
所述多个电极构件夹持所述支撑构件而相向;
在所述电极构件的所述相向间隔上形成的空隙构成所述气体通道;
在所述支撑构件上,在所述气孔的长度方向上形成多个与所述歧管以及所述气体通道连通的气体引导孔;
所述歧管以及所述支撑构件结合合,构成所述支撑结构。
14.根据权利要求13所述的表面改性装置,其特征在于,所述支撑构件构成所述节流构件,同时,形成于所述节流构件的气体引导孔构成所述节流孔。
15.根据权利要求11所述的表面改性装置,其特征在于,所述支撑构件由多孔质体构成,该多孔质体的多个连续小孔构成所述节流孔。
16.根据权利要求1、5、12、13中任一项所述的表面改性装置,其特征在于,构成所述放电电极的所述电极构件由一对板状体构成。
17.根据权利要求1或5所述的表面改性装置,其特征在于,在所述放电电极中,
其电极构件由一个块构成;
该块上形成切口;
将该切口设为所述气体通道。
18.根据权利要求1所述的表面改性装置,其特征在于,所述气体通道
由在所述放电电极与沿该放电电极外侧面设置的覆盖构件之间所形成的空隙构成。
19.根据权利要求1所述的表面改性装置,其特征在于,所述保持单元由运送由长条物构成的所述处理基材的处理滚轴构成。
20.根据权利要求1所述的表面改性装置,其特征在于,所述保持单元由载置所述处理基材的传送带、台子或机械手臂的抓手中的任一种构成。
21.根据权利要求1或19所述的表面改性装置,其特征在于,所述保持单元兼用为相向电极。
22.根据权利要求1、5、12、16、17中任一项所述的表面改性装置,其特征在于,所述放电电极或相向电极中的至少任一方由电介质包围。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/028617 WO2019030804A1 (ja) | 2017-08-07 | 2017-08-07 | 表面改質装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111225944A true CN111225944A (zh) | 2020-06-02 |
CN111225944B CN111225944B (zh) | 2023-03-28 |
Family
ID=63518870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780093685.0A Active CN111225944B (zh) | 2017-08-07 | 2017-08-07 | 表面改性装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11673108B2 (zh) |
EP (1) | EP3666819A4 (zh) |
JP (1) | JP6388146B1 (zh) |
KR (1) | KR102332691B1 (zh) |
CN (1) | CN111225944B (zh) |
TW (1) | TWI655232B (zh) |
WO (1) | WO2019030804A1 (zh) |
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CN113665145B (zh) * | 2021-07-23 | 2023-08-25 | 山东双健新材料有限公司 | 一种薄膜制备电晕处理装置 |
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-
2017
- 2017-08-07 KR KR1020207004670A patent/KR102332691B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-07 JP JP2017562097A patent/JP6388146B1/ja active Active
- 2017-08-07 EP EP17921061.2A patent/EP3666819A4/en active Pending
- 2017-08-07 WO PCT/JP2017/028617 patent/WO2019030804A1/ja unknown
- 2017-08-07 CN CN201780093685.0A patent/CN111225944B/zh active Active
- 2017-08-07 US US16/637,241 patent/US11673108B2/en active Active
-
2018
- 2018-07-27 TW TW107125963A patent/TWI655232B/zh active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3666819A1 (en) | 2020-06-17 |
WO2019030804A1 (ja) | 2019-02-14 |
US11673108B2 (en) | 2023-06-13 |
CN111225944B (zh) | 2023-03-28 |
KR102332691B1 (ko) | 2021-12-01 |
KR20200039693A (ko) | 2020-04-16 |
JP6388146B1 (ja) | 2018-09-12 |
TW201910401A (zh) | 2019-03-16 |
TWI655232B (zh) | 2019-04-01 |
JPWO2019030804A1 (ja) | 2019-11-07 |
EP3666819A4 (en) | 2021-05-26 |
US20200236771A1 (en) | 2020-07-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |