KR20200039693A - 표면개질장치 - Google Patents

Abstract

방전 전극으로부터 가스를 직접 방출시켜서, 치환가스의 공급량을 적게 하는 동시에, 가스압 분포를 균등하게 해서, 플라즈마생성을 안정시킨다.
전극 챔버(C) 내의 방전 전극(E)은, 복수의 전극부재(8, 9)로 이루어진다. 그리고 이들 복수의 전극부재(8, 9)는 지지부재(4)를 협지해서 대향 배치되는 동시에, 이들 복수의 전극부재(8, 9)의 대향부분에 극간이 형성되고, 이 극간을 가스통로(15)로서 방전 전극의 선단에 개방하고 있다. 그리고 상기 가스통로(15)에는 매니폴드 파이프(3)에서 공급된 치환가스를, 오리피스를 개재해서 공급한다.

Description

표면개질장치

본 발명은, 처리기재(處理基材)의 표면을 코로나 방전으로 표면 처리하는 표면개질장치(表面改質裝置)에 관한 것이다.

이러한 종류의 표면개질장치에 대하여, 수지제 필름을 처리기재로 한 종래 예를 설명한다.

전극 챔버 내에, 방전 전극을 마련하는 동시에, 이 방전 전극에 대향하여 대향 전극인 처리롤러를 마련하고 있다.

그리고 전극 챔버 내에, 표면개질의 목적에 따른 치환가스를 공급해서, 전극 챔버 내를 치환가스의 분위기로 유지하는 동시에, 방전 전극에 고주파전압을 인가하여, 방전 전극과 상기 처리롤러와의 사이에서 전계(電界)를 생성시킨다.

이와 같이 하여 생성된 전계에 치환가스를 공급함으로써 처리롤러를 따라 반송되는 수지제 필름의 표면이 개질된다.

그리고 전극 챔버 내의 치환가스의 농도에 따라서 표면개질의 정밀도가 다르기 때문에, 만약, 치환가스의 농도가 불균일해지면, 농도가 짙은 점과 옅은 점에서는 개질 정밀도가 서로 달라져 버린다.

또 전극 챔버의 크기는, 처리롤러로 반송되는 수지제 필름의 크기에 대응하는 크기로 하지 않으면 안 된다. 따라서, 수지제 필름의 폭이 10 m에 달하는 경우에는, 전극 챔버도 이 수지제 필름의 폭에 대응시키지 않으면 안 되며, 전극 챔버의 용적도 상당히 커진다.

이와 같이 큰 용적의 전극 챔버에서, 그 안의 가스농도를 일정하게 유지하기 위해서는, 치환가스의 공급량을 늘릴 수밖에 없으며, 그만큼 생산효율이 나빠져 버린다.

그래서, 방전 전극과 대향 전극인 처리롤러와의 사이의 방전부분이라고 하는 국소에, 치환가스를 직접 공급하는 방법이, 특허문헌 1에 개시되어 있다.

예를 들면, 특허문헌 1에 개시된 장치는, 방전 전극으로부터 치환가스를 직접 공급하도록 하고 있다. 이와 같이 하면, 방전 전극과 처리롤러와의 사이의 방전부분이라고 하는 국소에, 치환가스를 직접 공급할 수 있기 때문에, 그 국소에 있어서의 치환가스의 농도를 일정하게 유지하기 쉬워진다. 게다가, 전극 챔버 전체에 치환가스를 충만시키지 않아도 족하므로, 그만큼 치환가스의 사용량도 억제할 수 있다.

그리고 특허문헌 1의 장치의 방전 전극은, 수지제 필름의 폭에 거의 대응하는 길이를 갖는 블록으로 이루어지는 동시에, 방전 전극인 블록의 길이 방향으로 슬릿을 형성하고, 이 슬릿을, 치환가스를 공급하는 가스 공급원에 연결하고 있다.

따라서, 가스 공급원으로부터 공급된 치환가스는, 슬릿으로부터 방전부분인 국소에 직접 공급되게 된다.

상기와 같이 방전부분에 치환가스를 직접 공급하면, 전극 챔버 전체에 치환가스를 공급하는 경우에 비하여, 치환가스의 공급량을 극단(極端)으로 적게 할 수 있다.

또 방전부분이라고 하는 국소에 치환가스를 공급할 수 있기 때문에, 치환가스의 공급량을 적게 한다고 하여도, 플라즈마의 생성에는 거의 영향을 주지 않는다.

이와 같이 방전부분이라고 하는 국소에 치환가스를 직접 공급함으로써, 플라즈마 생성능력을 떨어트리지 않고, 치환가스의 공급량을 줄일 수 있다고 하는 효과를 기대할 수 있다.

일본국 특허 공개 평 06-002830호 공보

상기와 같이 슬릿에 가스 공급원을 직접 연결한 경우에는, 가스공급 파이프에 가까운 곳의 가스압이 높아져, 가스공급 파이프로부터 먼 개소의 가스압이 낮아져 버린다고 하는 것과 같이, 슬릿의 길이방향에 있어서의 가스압을 균질하게 유지하는 것이 어려워진다.

이와 같이 슬릿 내의 가스압의 분포가 불균일해지면, 결국은, 장소에 따라서 가스의 양이 서로 달라지게 되어, 표면개질의 정밀도도 불균형해져 버린다.

특히, 치환가스의 공급량을 적게 한다고 하는 테마 하에서는, 상기와 같은 가스압 분포의 불균형은 큰 문제가 된다. 왜냐하면, 치환가스의 공급량을 적게 하면, 가스압이 낮은 부분의 치환가스의 양이 극단으로 적어져, 그 부분의 표면 개질의 정밀도가 나빠지기 때문이다. 이와 같이 가스농도의 안정성이 손상되면, 처리기재의 표면개질도 불안정하게 되어, 가스공급량을 적게 할 수 있다고 하는 메리트가 모두 상쇄되어 버린다.

또 방전 전극의 길이가 길어지면 길어질수록, 슬릿 내의 치환가스의 압력분포가 불안정해지기 때문에, 예를 들면 폭 10 m 전후의 수지제 필름의 표면개질에는, 상기 종래의 방전 전극은 사용할 수 없다고 하는 문제가 있었다.

본 발명의 목적은, 치환가스의 공급량을 적게 하면서, 안정된 표면개질처리를 할 수 있는 표면개질장치를 제공하는 것에 있다.

제1의 발명은, 표면개질처리를 하기 위한 처리기재를 유지하는 유지수단과, 상기 처리기재의 폭 방향으로 길이가 유지된 방전 전극과, 상기 방전 전극에 대향하는 동시에, 상기 방전 전극과의 사이에서 전계를 생성시키기 위한 대향 전극과, 상기 방전 전극을 따라 상기 처리기재 방향으로 치환가스를 유도하며, 또한, 상기 전계의 생성영역을 향해 상기 치환가스를 분출하는 가스통로와, 가스 공급원에 접속되는 동시에, 상기 방전 전극의 길이방향으로 길이가 유지된 매니폴드 파이프와, 상기 매니폴드 파이프와 상기 가스통로와의 연통과정에 마련되고, 매니폴드 파이프 내의 길이방향의 가스압을 거의 동등하게 유지하기 위한 오리피스가 구비되어 있다.

상기 매니폴드 파이프 및 방전 전극은, 상기 처리기재의 폭 방향으로 길이가 유지되고 있으나, 1 개로 소정의 길이를 실현하여도 좋으며, 복수 개의 방전 전극을 연결해서 소정의 길이를 실현하여도 좋다.

또 매니폴드 파이프 및 방전 전극을 복수 개로 분할하고, 이들 복수 개의 매니폴드 파이프 및 방전 전극을 예를 들면 수지제 필름의 반송방향으로 번갈아 정렬하면서, 모든 매니폴드 파이프 및 방전 전극으로, 수지제 필름의 표면개질폭에 상당하는 길이가 되도록 하여도 좋다.

더욱이, 처리기재에 따라서는 그 폭 방향의 일부만을 표면개질하는 경우가 있으나, 이때의 방전 전극은, 상기 표면개질을 필요로 하는 부분의 폭만큼의 길이를 유지하고 있으면 된다. 단, 이 경우에도 방전 전극을 복수 개로 분할해서 사용하여도 좋은 것은 당연하다.

제2의 발명은, 매니폴드 파이프가 방전 전극의 길이방향으로 1 개 마련되어 있다.

또 제3의 발명은, 복수의 매니폴드 파이프가, 방전 전극의 길이방향으로 직렬로 접속되어 있다.

더욱이, 제4의 발명은, 상기 매니폴드 파이프가 방전 전극의 폭 방향으로 병렬로 복수 마련되어 있다.

또한, 상기 복수의 매니폴드 파이프는, 1 개의 가스 공급원에 대하여 병렬로 접속하여도 좋으며, 별도의 가스 공급원에 접속하여도 좋다. 단, 각 매니폴드 파이프를 별도의 가스 공급원에 접속할 때에는, 가스 공급원과 각 매니폴드 파이프를 접속하는 통로과정에, 유량제어밸브를 마련해 두면, 각 매니폴드 파이프에 공급하는 가스량을 자유롭게 조정할 수 있다.

또 매니폴드 파이프를 상기와 같이 복수 마련한 경우에는, 하나하나의 매니폴드 파이프의 용적을 작게 억제할 수 있다. 이와 같이 용적을 작게 할 수 있으면, 그만큼 매니폴드 파이프 내의 가스압 분포를 평균화하기 쉬워진다.

제5의 발명은, 매니폴드 파이프를 방전 전극의 지지기구로서도 기능하도록 하고 있다. 그리고 방전 전극은, 매니폴드 파이프에 직접 고정되어도 좋으며, 지지부재 등을 개재해 직간접적으로 고정되어도 좋다.

이와 같이 매니폴드 파이프를 방전 전극의 지지기구로서 기능하게 함으로써, 부재를 겸용할 수 있어 그만큼 전체의 구성을 간소화할 수 있다.

제6의 발명은, 오리피스를 구성하는 복수의 작은 구멍이, 매니폴드 파이프의 길이방향으로 연속적으로 마련되어 있다.

그리고 제7의 발명은, 상기 오리피스를 구성하는 작은 구멍이, 매니폴드 파이프에 직접 형성되어 있다.

제8의 발명은, 오리피스를 구성하는 1 또는 복수의 슬릿이, 매니폴드 파이프에 직접 형성되어 있다.

상기 슬릿은, 매니폴드 파이프의 원주방향의 이음매를 이용하여도 좋으며, 이 이음매와는 별도로 형성하여도 좋다. 또 심리스(seamless) 파이프에 슬릿을 형성하여도 좋다.

또 상기 슬릿은, 길이가 짧은 것을 매니폴드 파이프의 길이방향으로 복수 마련하여도 좋다.

어쨌든, 오리피스를 매니폴드 파이프에 직접 형성하면, 매니폴드 파이프를 소정의 개소에 설치함으로써 오리피스의 배치가 자동적으로 결정되게 된다.

제9의 발명은, 매니폴드 파이프 내에 다공질체를 끼워 넣고, 이 다공질체가 보유하는 다수의 연속된 작은 구멍을 오리피스로 하고 있다.

상기 다공질체에는, 소결금속, 합성수지, 금속 메쉬, 세라믹, 부직포 등이 포함되지만, 본 발명에 있어서는, 유통하는 가스에 대하여 스로틀효과를 발휘하는 것이라면, 그 재질은 특별히 한정되지 않는다.

제10의 발명은, 상기 매니폴드 파이프와 상기 가스통로와의 연통과정에 마련된 오리피스가, 상기 매니폴드 파이프와 가스통로와의 사이에 마련된 스로틀부재에 형성되어 있다.

이 스로틀부재는, 매니폴드 파이프와 가스통로와의 사이에 마련되면, 그 부착위치는 특별히 한정되지 않는다.

제11의 발명은, 상기 스로틀부재가 다공질체로 이루어지고, 상기 오리피스는 이 다공질체가 보유하는 연속된 작은구멍으로 구성된다.

상기 다공질체에는, 소결금속, 합성수지, 금속 메쉬, 세라믹, 부직포 등이 포함되지만, 다공질체로서는, 유통하는 가스에 대해 스로틀효과를 발휘하는 것이라면, 그 재질은 특별히 한정되지 않는다.

제12의 발명은, 상기 방전 전극이 복수의 전극부재로 이루어지고, 이들 복수의 전극부재를 서로 대향하게 하는 동시에, 그것들의 대향 간격을 가스통로로 하고 있다.

복수의 전극부재의 대향 간격을 가스통로로 하고 있기 때문에, 가스통로를 형성하기 위한 구멍 가공 등이 불필요해진다. 게다가, 그것들의 대향 간격의 크기는 자유롭게 설정할 수 있기 때문에, 가스통로의 크기 선택의 자유도도 커진다.

게다가, 방전 전극의 선단으로부터 가스를 분출시킬 수 있기 때문에, 소량의 가스라도, 필요한 플라즈마를 안정적으로 생성할 수 있다.

제13의 발명은, 매니폴드 파이프와 지지부재가 함께, 방전 전극의 지지기구를 구성하므로, 방전 전극을 지지하기 위한 특별한 부재를 필요로 하지 않는다.

그리고 제14의 발명에서는, 지지부재에 형성된 가스 유도공을 오리피스로 하고 있다.

제15의 발명은, 상기 지지부재가 다공질체로 구성되고, 이 다공질체가 보유하는 다수의 연속된 작은 구멍이 상기 오리피스를 구성한다.

또한, 상기 지지부재를 구성하는 다공질체는, 적어도 지지부재로서 기능하기 위한 형태유지기능을 구비하고 있지 않으면 안 된다. 형태유지기능만 구비하면, 소결금속, 합성수지, 금속 메쉬, 세라믹, 부직포 등, 유통하는 가스에 대해 스로틀효과를 발휘할 수 있는 것이라면, 그 재질은 특별히 한정되지 않는다.

제16의 발명은, 방전 전극을 구성하는 전극부재는 한 쌍의 판상체(板狀體)로 이루어진다. 따라서, 얇은 판상체를 사용하면, 방전 전극을 소형화 할 수 있다.

제17의 발명은, 방전 전극을 구성하는 전극부재가 하나의 블록으로 이루어지고, 이 블록에 슬릿을 형성하는 동시에, 이 슬릿을 상기 가스통로로 하고 있다.

제18의 발명은, 상기 가스통로가, 방전 전극과, 이 방전 전극의 외측면을 따라 마련한 커버부재와의 사이에 형성된 극간으로 이루어진다.

제19의 발명은, 상기 유지수단이, 장척물(長尺物)로 이루어지는 상기 처리기재를 반송하는 처리롤러로 이루어진다.

상기 장척물로 이루어지는 처리기재라 함은, 예를 들면 수지제 필름이 전형적인 예이다. 수지제 필름 이외에서는, 길게 연속되는 강판(鋼板)이나 판상(板狀)의 합성수지 등이 생각된다.

또 상기 처리기재가 처리롤러에 감길 필요는 없으며, 그 처리롤러의 회전으로 처리기재가 반송되는 것이라면, 어떠한 처리롤러라도 좋다.

제20의 발명은, 상기 유지수단이, 상기 처리기재를 싣는 컨베이어, 테이블 혹은 로봇 암의 핸드 등으로 이루어진다.

제21의 발명은, 상기 유지수단이 대향 전극을 겸하고 있다.

제22의 발명은, 상기 방전 전극 또는 대향 전극의 적어도 어느 한쪽을 유전체(誘電體)로 감싸고 있다.

또 방전 전극 또는 대향 전극의 적어도 어느 한쪽을 유전체로 감싸는 것은, 상기 처리기재가 도전체(導電體)로 이루어지는 경우에 유효하다. 처리기재가 도전체인 경우에는, 방전 전극과 대향 전극과의 사이에, 저항이 작은 도체(導體)로 접속되는 단락회로(短絡回路)가 구성되어 버린다.

그러나 상기와 같이 방전 전극 또는 대향 전극의 적어도 어느 한쪽을 유전체로 감싸면, 상기와 같은 단락회로가 구성되지 않게 된다.

본 발명의 표면개질장치에 의하면, 일정한 길이를 갖는 매니폴드 파이프 내의 가스압을 균등하게 유지할 수 있다. 매니폴드 파이프 내의 가스압을 균등하게 유지할 수 있으면, 매니폴드 파이프로 유도되는 치환가스가 설령 소량이라도, 전계 중에 고르게 공급할 수 있다. 따라서, 치환가스를 최소로 유지한다고 하는 메리트를 최대한 살리면서, 처리기재의 표면개질의 처리를 안정화시킨다고 하는 목적을 확실하게 실현할 수 있다.

더욱이, 가스 공급원측에 있어서 다소의 압력변화가 있었다고 하여도, 매니폴드 파이프가 버퍼로서 기능하기 때문에, 가스 공급원측의 다소의 압력 변동은, 표면개질의 처리에 거의 영향을 주지 않는다.

도 1은 제1실시형태의 전극 챔버 내를 보여주는 확대도다.
도 2는 제1실시형태의 방전 전극의 길이방향의 도면으로, 그 일부를 커트한 것이다.
도 3은 제2실시형태의 설명도다.
도 4는 제3실시형태의 부분적 확대단면도다.
도 5는 제4실시형태의 부분적 확대단면도다.
도 6은 제5실시형태의 부분적 확대단면도다.
도 7은 제6실시형태의 부분적 확대단면도다.
도 8은 제7실시형태의 부분적 확대단면도다.

도 1, 2에 나타낸 제1실시형태는, 본 발명의 처리기재인 장척(長尺)의 수지제 필름(F)의 표면을 연속적으로 개질하는 표면개질장치에 관한 것이다.

이 제1실시형태에 있어서, 수지제 필름(F)을 화살표 a1 방향으로 반송하는 처리롤러(R)에 전극 챔버(C)의 개구를 대향시키고 있다.

또한, 상기 처리롤러(R)는 전기적으로 접지되어 있기 때문에, 그 처리롤러(R)는, 본 발명의 유지수단 및 대향 전극을 겸하게 된다.

상기 전극 챔버(C)에는 그 개구와는 반대측이 되는 면에 애자(碍子, 1)가 고정되고, 이 애자(1)에 연결부재(2)가 고정되며, 더욱이, 이 연결부재(2)에 도전체로 이루어지는 매니폴드 파이프(3)가 고정되어 있다. 이와 같이 한 매니폴드 파이프(3)에는, 도시하지 않은 가스 공급원이 접속되어 있다.

또한, 상기 매니폴드 파이프(3)는, 처리롤러(R)로 반송되는 수지제 필름(F)의 폭에 상당하는 길이를 유지하고 있다.

또 이 매니폴드 파이프(3)로서, 상기 연결부재(2)와는 반대측면에, 매니폴드 파이프(3)와 거의 같은 길이를 갖는, 도전체로 이루어지는 지지부재(4)를 도시하지 않은 비스 등으로 고정하고 있다.

이와 같이 한 지지부재(4)에는, 그 길이방향으로 일정한 간격을 유지하여 연속된 복수의 가스 유도공(5)이 형성되고, 이들 가스 유도공(5)을, 매니폴드 파이프(3)에 형성한 작은 구멍(6)에 연통시키고 있다.

따라서, 매니폴드 파이프(3)에 도입된 치환가스는, 상기 작은 구멍(6)으로부터 가스 유도공(5)으로 유도된다.

또한, 상기 복수의 가스 유도공(3)의 각각의 개구 지름은 모두 같게 하는 동시에, 이 가스 유도공(5)은, 그곳을 통과하는 가스류에 대해 스로틀효과를 발휘하는 오리피스로서 기능한다. 따라서, 상기 지지부재(4)는, 본 발명의 스로틀부재를 겸하는 것이다.

또 상기 지지부재(4)로서 매니폴드 파이프(3)와는 반대측인 선단 부분에는, 외측으로 튀어나온 궤지 돌부(掛止突部)(7)를 형성하고, 이 궤지 돌부(7)에, 다음에 설명하는 방전 전극(E)을 궤지하도록 하고 있다.

상기 방전 전극(E)은, 처리기재인 수지제 필름(F)의 폭에 상당하는 길이를 갖는 판상의 복수의 전극부재(8, 9)로 구성된다.

이들 복수의 전극부재(8, 9)는 서로 대향하고, 이들 대향면의 각각에는, 그 전극부재(8, 9)의 길이방향으로 연속하는 궤지 요부(掛止凹部)(10, 11)가 서로 대향해서 형성되어 있다. 이와 같이 한 궤지 요부(10, 11)는, 상기 지지부재(4)에 형성한 궤지 돌부(7)에 꼭 맞는 크기를 유지하고 있다.

더욱이, 상기 전극부재(8, 9)의 선단 부분에는, 2 개의 원호를 연속시키는 동시에, 그들 원호 사이에 와류(渦流) 생성홈(12, 13)이 형성되어 있다. 이 와류 생성홈(12, 13)은 상기 전극부재(8, 9)에 상당하는 길이를 구비하고 있다.

상기와 같이 한 전극부재(8, 9)는, 그 궤지 요부(10, 11)를, 지지부재(4)의 궤지 돌부(7)에 끼워 맞춤으로써, 지지부재(4)를 사이에 두고 대향하는 동시에, 대향된 복수의 전극부재(8, 9)를 홀더(14)로 협지하고 있다.

이와 같이 홀더(14)로 협지함으로써, 전극부재(8, 9)의 궤지 요부(10, 11)가 궤지 돌부(7)로부터 어긋나지 않게 되어 전극부재(8, 9)는 지지부재(4)에 단단히 지지된다.

또 지지부재(4)에 지지된 복수의 전극부재(8, 9)의 대향부분에는, 전극부재(8, 9)의 길이방향으로 연속하는 극간이 연속되는데, 이 극간이 가스통로(15)가 된다. 그리고 상기 복수의 가스 유도공(5)의 모든 것이, 이 가스통로(15)에 연통한다. 게다가, 상기 가스통로(15)는, 방전 전극(E)과 상기 처리롤러(R)와의 대향부분에 개방된다.

또한, 가스류에 대해 스로틀효과를 발휘하는 가스 유도공(5)은, 본 발명의 오리피스를 구성하는 동시에, 이 오리피스가, 매니폴드 파이프(3)와 가스통로(15)와의 연통과정에 마련되어 있는 것이 명백하다.

또한, 상기 매니폴드 파이프(3), 지지부재(4) 및 전극부재(8, 9)의 각각은, 도전체로 구성되는 동시에, 매니폴드 파이프(3)에 고압전원(16)으로부터의 고전압을 인가하면, 방전 전극(E)과 대향 전극인 상기 처리롤러(R)와의 사이에서 전계가 생성된다.

상기와 같은 구성하에서, 매니폴드 파이프(3)에 치환가스를 공급하면 그 치환가스는, 작은 구멍(6) 및 가스 유도공(6)을 통과해 가스통로(15)로부터 화살표 a2 방향으로 방출된다. 즉, 이 치환가스는, 복수의 전극부재(8, 9)의 사이에서 방출되기 때문에, 전계가 생성되는 국소에 치환가스가 직접 방출되게 된다.

게다가, 복수의 가스 유도공(5)은, 상기한 바와 같이 개구 지름을 같게 한 오리피스로서 기능하기 때문에, 가스 유도공(5)을 통과하는 가스류에 대해 스로틀저항을 부여하게 된다. 그 때문에, 가스 유도공(5)의 상류측인 매니폴드 파이프(3) 내의 압력도 균일하게 유지되고, 복수의 가스 유도공(5)으로부터 방출되는 가스압도 균등해진다.

또 가스 공급원측에 있어서 다소의 압력변화가 있었다고 하여도, 매니폴드 파이프(3)가 버퍼로서 기능한다. 따라서, 가스 공급원측의 다소의 압력변동은, 표면개질에 거의 영향을 주지 않는다.

더욱이, 가스 유도공(5)의 가스분출방향의 길이를 어느 정도 길게 하기 때문에, 매니폴드 파이프(3) 내의 압력유지기능과 함께, 가스 유도공(5)으로부터 방출되는 가스류에 지향성을 갖게 할 수 있다. 이와 같이 가스류에 지향성을 갖게 되므로, 치환가스의 확산을 방지하고, 그 농도를 일정하게 유지하는데 도움이 된다. 또 가스류의 지향성은, 수지제 필름(F)에 동반하는 동반류(同伴流)에 의해 전극 챔버(C) 내로 운반되는 에어에 대해 가스커튼으로서의 기능도 발휘한다.

더욱이, 도시하지 않은 컨트롤러에 의해, 전계 생성의 에너지원인 고전압원(16)의 출력 및 상기 처리롤러(R)의 회전속도에 상관성을 갖게 하면서 제어할 수 있도록 하고 있다. 그리고 상기 컨트롤러에 의해 수지제 필름(F)의 반송속도와 방전 전류를 상대적으로 제어하면, 소량의 치환가스로도 더욱 안정된 처리효과를 발휘시킬 수 있다.

또 복수의 전극부재(8, 9) 각각의 선단을 원호모양으로 해서 각부(角部)를 제거하였으므로, 전극부재(8, 9)의 선단의 일부에 방전이 집중되거나 하지 않는다.

상기와 같이 한 제1실시형태에 의하면, 복수의 전극부재(8, 9)의 궤지 요부(10, 11)를, 지지부재(4)의 궤지 돌부(7)에 끼워 맞추면, 가스통로(15)가 필연적으로 형성되는 동시에, 이 가스통로에는 가스 유도공(5)이 연통한다. 그리고 가스 유도공(5)은, 가스유통방향의 구멍가공으로 족하지만, 그 구멍가공은, 치수가 특정된 절삭공구를 선택하면 언제라도 정확하게 가공할 수 있다. 즉, 긴 슬릿을 형성하는 어려움 등이 없다.

또한, 상기 제1실시예에서는, 연결부재(2)에 고정된 매니폴드 파이프(3)와, 이 매니폴드 파이프(3)에 고정된 지지부재(4)가 함께, 본 발명의 방전 전극(E)의 지지기구를 구성한다.

또 상기 지지부재(4)가 본 발명의 스로틀부재를 구성하는 동시에, 상기 가스 유도공(5)이 본 발명의 오리피스를 구성한다.

따라서, 제1실시형태에서는, 지지부재(4)가, 상기 지지기구의 구성요소가 되는 동시에, 스로틀부재를 겸하게 된다.

또한, 상기 지지부재(4) 자체를 다공질체로 구성하고, 이 다공질체가 보유하는 다수의 연속된 작은 구멍을 본 발명의 오리피스로 해도 좋다. 이 경우에는, 상기 가스 유도공(5)이 불필요해진다.

상기와 같이 한 다공질체는, 방전 전극(E)을 지지하는 기능을 가질 필요가 있기 때문에, 다공질체에는 형태유지기능이 구비되어 있지 않으면 안 된다.

또 지지부재(4)를 다공질체로 구성하였을 때, 그 주위에서 가스가 새어나오지 않도록 하기 위해, 주위를 기밀성 재료로 덮거나 혹은 코팅하거나 하지 않으면 안 된다.

상기와 같이 다공질체는, 다수의 연속된 작은 구멍을 보유하며, 또한, 형태유지기능이 구비되어 있으면, 그 재질은 특별히 한정되지 않는다. 다공질체의 재질로서, 예를 들면, 소결금속, 금속 메쉬, 합성수지, 세라믹, 부직포 등을 생각할 수 있다.

그리고 다공질체인 지지부재(4)를, 합성수지, 세라믹 혹은 부직포와 같은 절연체로 하였을 때에는, 도 1에 나타내는 방전 전극(E)을 구성하는 전극부재(8, 9)를 매니폴드 파이프(3)에 직접 접촉시키거나, 혹은 방전 전극(E)과 매니폴드 파이프(3)와의 사이에 도전체를 개재시키지 않으면 안 된다.

또 상기 제1실시형태에서는, 매니폴드 파이프(3)는, 방전 전극(E)의 길이방향으로 1 개 마련하고 있지만, 매니폴드 파이프(3)를 복수로 분할하고, 그들 복수의 매니폴드 파이프(3)를 방전 전극(E)의 길이방향으로 직렬로 배치하도록 하여도 좋다.

또한, 상기와 같이 복수의 매니폴드 파이프(3)를 방전 전극(E)의 길이방향으로 직렬로 배치하는 경우에, 각 매니폴드 파이프 사이에 간격을 유지하여도 좋으며, 간격을 유지하지 않아도 좋다.

복수의 매니폴드 파이프(3)를 방전 전극(E)의 길이방향으로 직렬로 배치하도록 한 경우에, 매니폴드 파이프마다 그것들의 오리피스의 개구 지름을 서로 다르게 하여도 좋다.

이와 같이 오리피스의 개구 지름을 서로 다르게 한 때에는, 각 매니폴드 파이프의 구분마다, 전계에 공급되는 치환가스의 농도가 서로 다르다.

그러나 폭이 넓은 처리기재, 예를 들면 수지제 필름 등의 표면개질처리를 할 때 등, 그 폭 방향에서 구획된 영역마다, 치환가스의 농도를 서로 다르게 한 처리가 요구될 때가 있다. 이와 같은 경우에는, 복수의 매니폴드 파이프를, 방전 전극의 길이방향으로 직렬로 배치해서, 그들의 오리피스의 개구 지름을 서로 다르게 한쪽이 유리해진다.

또 상기 복수의 매니폴드 파이프에, 별도의 치환가스를 공급하도록 하여도 좋다. 별도의 치환가스를 공급하는 경우에는, 상기한 큰 폭의 수지제 필름 등의 폭 방향에서 구획된 영역마다, 질적으로 서로 다른 처리가 가능하게 된다.

또한, 상기 복수의 매니폴드 파이프에 별도의 치환가스를 공급하는 경우에, 직렬로 배치한 매니폴드 파이프의 사이에 일정한 간격을 마련하는 쪽이, 다른 치환가스가 서로 섞이지 않는다고 하는 메리트가 있다.

도 3에 나타낸 제2실시형태는, 매니폴드 파이프(3) 및 방전 전극(E)을 복수 개로 분할하고, 이들 복수 개의 매니폴드 파이프(3) 및 방전 전극(E)을 수지제 필름(F)의 반송방향으로 번갈아 정렬하면서, 모든 매니폴드 파이프(3) 및 방전 전극(E)으로 수지제 필름(F)의 폭 상당 부분의 길이로 한 것이다.

또 매니폴드 파이프(3) 및 방전 전극(E)은, 처리기재인 수지제 필름(F)의 폭보다도 짧게 하고, 그 매니폴드 파이프(3) 및 방전 전극(E)으로 구획된 영역만을 처리하도록 하여도 좋다.

도 4에 나타낸 제3실시형태는, 3 장의 전극부재(8a, 8b, 8c)를, 방전 전극(E)의 폭 방향으로 접근한 것이다.

즉, 제1실시형태보다도 매니폴드 파이프(3)의 폭을 넓게 하는 동시에, 이 넓게 한 매니폴드 파이프(3)에는, 간격을 유지해서 2 개의 지지부재(4a, 4b)를 고정하고 있다.

그리고 상기 지지부재(4a, 4b)와 전극부재(8a, 8b, 8c)와의 연결구조는, 제1실시형태와 같으므로, 그 상세한 설명은 생략한다.

이와 같이 한 제3실시형태에서는, 3 장의 전극부재(8a, 8b, 8c)를 연접(連接)해서 방전 전극(E)의 폭을 넓게 하였기 때문에, 그만큼 전계의 생성범위가 넓어진다고 하는 메리트가 있다.

또 상기 제3실시형태에서는, 2 개의 가스통로로부터 치환가스가 분출되지만, 그 치환가스는, 수지제 필름에 부딪쳐서 도 4의 화살표 방향으로 분류(分流)된다.

이때 일부의 치환가스는, 화살표 a3, a4에 나타내는 바와 같이 외부로 빠져나가지만, 이때에는 전극부재(8a)와 수지제 필름(F), 및 전극부재(8c)와 수지제 필름(F)과의 극간이 스로틀기능을 발휘해서 압력손실이 발생하고, 전극부재(8a~8c)의 내측의 압력이 높아진다.

따라서, 가스통로로부터 분출된 치환가스는, 상기와 같이 하여 높아진 압력에 밀려서 방전 전극(E)의 중앙에 집중하게 된다.

또한, 제3실시형태에서는, 중앙의 전극부재(8b)를 1 장의 판으로 구성하였으나, 그것을 중앙으로부터 분할해서 제1실시형태의 방전 전극을 2 조 마련한 것과 같은 구성으로 하여도 좋다.

그리고 이 제3실시형태에 있어서도, 지지부재(4)를 다공질체로 구성하여도 좋은 점은, 제1실시형태와 같다.

또 이 제3실시형태에 있어서의 매니폴드 파이프(3)와 지지부재(4a, 4b)가 함께 방전 전극(E)의 지지기구를 구성한다.

상기 제3실시형태에 있어서, 1 개의 매니폴드 파이프(3)를 사용하였으나, 복수의 매니폴드 파이프(3)를 방전 전극(E)의 폭 방향으로 병렬로 정렬하도록 해도 좋다. 이 경우에는, 각 매니폴드 파이프(3…3n)마다, 지지부재(4a…4n)를 마련한다. 또 이 경우에는, 방전 전극(E)의 전극부재(8a…8n)도, 상기 지지부재(4a…4n)의 수에 대응해서 증가해가게 된다.

또 상기 다련(多連)으로 한 각 전극부재(8a…8n)는, 대향 전극인 처리롤러(R)와의 대향 간격이 같아지도록 하고 있다. 따라서, 처리롤러(R)와 같이 표면이 원호인 경우에는, 방전 전극(E)의 폭 방향에 있어서, 처리롤러(R)의 표면의 원호를 따라 각 전극부재(8a…8n)가 정렬되는 것이 바람직하다.

도 5에 나타낸 제4실시형태는, 2 개의 매니폴드 파이프(3a, 3b)를 방전 전극(E)의 폭 방향으로 병렬로 정렬한 것으로, 구체적인 구성은 다음과 같다.

도 5에 나타내는 바와 같이, 지지부재(4)에는 플랜지부(4a)를 형성하는 동시에, 이 플랜지부(4a)와 상기 매니폴드 파이프(3a, 3b) 사이에 스페이서(17)를 개재시켜, 플랜지부(4a)와 매니폴드 파이프(3a, 3b)와의 사이에 공통 통로(13)를 확보하고 있다.

그리고 매니폴드 파이프(3a, 3b)에 형성한 작은 구멍(6a, 6b)을, 상기 공통통로(18)에 연통시키고 있다.

상기와 같이 2 개의 매니폴드 파이프(3a, 3b)를 마련한 것은, 그것들 하나하나의 용적을 작게 해서, 매니폴드 파이프의 길이방향의 가스압 분포를 안정시키기 때문이다.

또한, 상기 매니폴드 파이프(3a, 3b)의 각각은, 도시하지 않은 가스 공급원에 대해 병렬로 접속하고, 가스 공급원과 매니폴드 파이프(3)와의 사이에 마련한 오리피스(19)를 마련하고, 이들 오리피스(19)에 의해 가스 공급원으로부터의 치환가스의 유량을 제어하는 것이다.

또 상기 2 개의 매니폴드 파이프(3a, 3b)를 별도의 가스 공급원에 접속해도 좋은 것은 당연하다.

더욱이, 상기 제1, 3실시형태에서는, 작은 구멍(6, 6a, 6b)에 연속하는 가스 유도공(5)을 본 발명의 오리피스로 하였으나, 작은 구멍(6, 6a, 6b)과 가스 유도공(5)과의 어느 한쪽의 개구 지름을 상대적으로 작게 하고, 그것들이 상대적으로 작은 개구 지름의 작은 구멍(6, 6a, 6b) 혹은 가스 유도공(5)의 어느 한쪽을 오리피스로 하여도 좋다.

요컨대, 상기 오리피스는, 매니폴드 파이프(3)와 가스통로(15)와의 유통과정에 있어서, 그곳을 유통하는 가스류의 스로틀저항을 부여할 수 있다면 어떠한 구성이라도 좋다.

또 이 제4실시형태에 있어서의 매니폴드 파이프(3a, 3b)와 지지부재(4)가 함께, 방전 전극(E)의 지지기구를 구성한다.

또한, 상기 각 실시형태에서는, 방전 전극을 복수의 전극부재로 구성하였으나, 그것들을 일체화한 1 개의 블록으로 방전 전극을 구성하여도 좋다. 이와 같이 1 개의 블록으로 방전 전극을 구성한 경우에는, 그 블록에 슬릿을 형성하고, 그 슬릿을 가스통로로 하게 된다.

도 6에 나타낸 제5실시형태는, 절연체로 이루어지는 한 쌍의 지지플레이트(26, 27)와, 이 지지플레이트(26, 27)의 선단에 마련한 유전체(28, 29)와, 유전체(28, 29) 내에 마련한 전극부재(30, 31)를 구비하고, 그것들 전극부재(30, 31) 사이를 가스통로(32)로 하고 있다.

그리고 상기 전극부재(30, 31)는, 도시하지 않은 회로를 개재해서 고압전원에 접속되는 동시에, 복수의 전극부재(30, 31)가 본 발명의 방전 전극을 구성한다.

또한, 지지플레이트(26, 27)와 지지부재(4)와의 부착구조는, 제1실시형태의 전극부재(8, 9)를 지지부재(4)에 부착하기 위한 구조와 같다.

또 상기 지지플레이트(26, 27) 및 전극부재(30, 31)의 대향 간격을 가스통로(32)로 하고 있다. 이 가스통로(32)에는, 매니폴드 파이프(3)의 작은 구멍(6) 및 오리피스인 가스 유도공(5)을 경유한 치환가스가 유도된다.

상기와 같이 하여 유전체(28, 29)로 전극부재(30, 31)를 감쌌기 때문에, 예를 들면 표면개질을 시행한 처리기재가 도전체인 경우에도, 전극부재(30, 31)로부터의 전류가 단락되는 것을 방지할 수 있다. 바꿔 말하면, 처리기재가 도전체인 경우에는, 방전 전극(E)과 대향 전극과의 사이가, 저항이 작은 도체로 접속되는 단락 회로가 구성되어 버리지만, 상기와 같이 방전 전극(E) 또는 대향 전극의 적어도 어느 한쪽을 유전체(28, 29)로 감싸면, 상기와 같은 단락회로가 구성되지 않게 된다.

또한, 방전 전극(E)과 대향 전극의 양쪽을 유전체로 덮어도 좋다,

이와 같이 방전 전극(E) 혹은 대향 전극의 적어도 어느 한쪽을, 유전체로 감싸는 것은, 약한 전계하에서 처리기재의 표면의 개질처리가 요구되는 경우가 있기 때문이다.

따라서, 요구되는 전계의 강도에 따라서, 방전 전극(E)과 대향 전극의 어느 한쪽만을 유전체로 덮거나, 혹은 방전 전극(E)과 대향 전극의 양쪽을 유전체로 덮거나 하는 것이다.

또한, 이 제5실시형태에 있어서의 매니폴드 파이프(3)와 지지부재(4)가 함께, 방전 전극(E)의 지지기구를 구성한다.

상기한 제1~5실시형태의 각 전극부재는, 각각이 거의 대칭 형상인 것을 사용하였으나, 예를 들면, 도 7에 나타낸 제6실시형태와 같이, 전극부재(8, 9)를 비대칭 형상으로 하여도 좋다.

즉, 이 제6실시형태는, 한쪽의 전극부재(8)의 선단을, 처리롤러(R)의 원주방향으로 확대한 것이다. 이와 같이 한쪽의 전극부재(8)의 선단의 폭을, 처리롤러(R)의 원주방향으로 확대한 것으로, 그만큼 전계생성범위를 확대할 수 있다.

또한, 이 제6실시형태에 있어서도, 매니폴드 파이프(3)와 지지부재(4)가 함께, 본 발명의 방전 전극(E)의 지지기구를 구성하는 동시에, 상기 지지부재(4)에 형성한 가스 유도공(5)이, 본 발명의 오리피스를 구성하는 것이다.

또 이 제6실시형태에 있어서의 매니폴드 파이프(3) 및 지지부재(4)가 함께, 방전 전극(E)의 지지기구를 구성한다.

도 8에 나타낸 제7실시형태는, 매니폴드 파이프(3)에, 하나의 판상 방전 전극(E)을 직접 고정하는 동시에, 이 방전 전극(E)의 양측을 커버부재(20, 21)로 덮고 있다. 그리고 한쪽의 커버부재(20)와 방전 전극(E)과의 사이, 및 다른 쪽 커버부재(21)와 방전 전극(E)과의 사이의 각각을 가스통로(22, 23)로 하고 있다. 바꿔 말하면, 제7실시형태의 가스통로(22, 23)는, 제1~6실시형태와 같이 방전 전극(E)에 마련하는 것이 아니라, 방전 전극(E)의 측면을 따른 상태로 형성되어 있다.

그리고 매니폴드 파이프(3)에는, 상기 가스통로(22, 23)에 연통하는 작은 구멍(24, 25) 즉 오리피스가 직접 형성되어 있다.

따라서, 매니폴드 파이프(3)에 공급된 치환가스는, 상기 작은 구멍(24, 25)을 경유하여, 각 가스통로(22, 23)에 유도되는 동시에, 방전 전극(E)과 대향 전극인 처리롤러(R)와의 사이에 생성된 전계중에 공급된다.

따라서, 오리피스(24, 25)의 스로틀저항에 의해, 매니폴드 파이프(3) 내의 가스압의 분포가 균등해진다. 매니폴드 파이프(3) 내의 가스압의 분포가 균등해지게 때문에, 매니폴드 파이프(3)로부터 전계중에 공급되는 가스농도도 균등해져, 표면개질의 처리가 안정된다.

또한, 상기 제7실시형태는, 방전 전극(E)을 매니폴드 파이프(3)에 직접 고정하고, 매니폴드 파이프(3)를 방전 전극의 지지기구의 주된 구성요소로 하고 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 오리피스는, 매니폴드 파이프(3)에 직접 형성하여도 좋으며, 상기 지지부재(4)와 같이 다른 부재에 형성하여도 좋다.

어쨌든 오리피스는 매니폴드 파이프(3)와 가스통로(15, 22, 23, 32)의 연통과정에 마련되면 좋다.

또 상기 오리피스는, 매니폴드 파이프(3)에 직접 형성된 1 또는 복수의 슬릿으로 구성하여도 좋다. 그리고 이 슬릿의 폭을 조정함으로써, 매니폴드 파이프(3) 내의 가스압을 균등하게 유지할 수 있다.

이와 같이 한 슬릿은, 상기 가스통로(15, 32)에 연통하고 있지 않으면 안 되는 것은 당연하다.

상기 각 실시형태에서는, 매니폴드 파이프(3)에 형성한 작은 구멍(24, 25) 혹은 지지부재(4)에 형성한 가스 유도공(5)의 어느 하나를 오리피스로 하였으나, 본 발명에 있어서의 오리피스는, 반드시 구멍에 한정되는 것은 아니다. 요컨대, 매니폴드 파이프(3)와 가스통로(15, 22, 23)를 통과하는 가스류에 스로틀저항을 부여하여, 매니폴드 파이프 내의 압력이 균일하게 유지되면 그 형태는 무방하다.

예를 들면, 소결금속, 금속 메쉬, 세라믹, 합성수지 혹은 부직포 중 어느 하나를 매니폴드 파이프(3) 내에 끼워 넣도록 하여도 좋다. 이와 같은 다공질체를 사용한 때에는, 이들 다공질체의 다수의 연속된 작은 구멍이 본 발명의 복수의 오리피스를 구성하게 된다.

상기와 같이 매니폴드 파이프(3)에 다공질체를 끼워 넣을 때에는, 매니폴드 파이프(3)에, 그 길이방향을 따른 슬릿을 형성하고, 이 슬릿을 막도록 해서 상기 다공질체를 끼워 넣으면 된다.

상기 각 실시형태에서는, 처리기재를 수지제 필름(F)으로 하는 동시에, 이 수지제 필름(F)을 반송하는 처리롤러(R)를 유지수단으로 하고 있으나, 본 발명에 있어서의 유지수단은, 처리롤러(R)에 한정되지 않는다.

예를 들면, 유지수단은, 처리기재를 실어서 반송하는 컨베이어, 처리기재를 싣는 테이블 혹은 처리기재를 이동시키는 로봇 암의 핸드 등이라도 좋다.

또 상기 실시형태의 모든 유지수단은 대향 전극을 겸하도록 하여도 좋다. 만약, 유지수단이 대향 전극을 겸하지 않는 경우에는, 대향 전극을 별도로 마련하지 않으면 안 된다.

그리고 유지수단이 컨베이어인 경우에는, 컨베이어를 사이에 두고 방전 전극과는 반대측에 대향 전극을 마련하도록 하면 된다.

어쨌든, 본 발명에 있어서의 유지수단의 필요조건은, 방전 전극과 대향 전극과의 사이에 생성되는 전계중에 처리기재를 유지하는 것이다.

[산업상의 이용 가능성]

수지제 필름 등의 표면개질에 최적이다.

C: 전극 챔버
3: 매니폴드 파이프
4: 스로틀부재인 지지부재
5: 오리피스인 가스 유도공
E: 방전 전극
15, 22, 23: 가스통로
F: 처리기재인 수지제 필름
R: 유지수단 및 대향 전극을 구성하는 처리롤러
28, 29: 유전체

Claims (22)

1. 표면개질처리를 하기 위한 처리기재를 유지하는 유지수단과,
   상기 처리기재의 폭 방향으로 길이가 유지된 방전 전극과,
   상기 방전 전극에 대향하는 동시에, 상기 방전 전극과의 사이에서 전계를 생성시키기 위한 대향 전극과,
   상기 방전 전극을 따라 상기 처리기재 방향으로 치환가스를 유도하며, 또한, 상기 전계의 생성영역을 향해 상기 치환가스를 분출하는 가스통로와,
   가스 공급원에 접속되는 동시에, 상기 방전 전극의 길이방향으로 길이가 유지된 매니폴드 파이프와,
   상기 매니폴드 파이프와 상기 가스통로와의 연통과정에 마련되는 동시에, 매니폴드 파이프의 길이방향으로 연속적으로 마련된 오리피스가 구비된 표면개질장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 매니폴드 파이프는, 방전 전극의 길이방향으로 1 개 마련된 표면개질장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 매니폴드 파이프는 복수 구비되고, 이들 복수의 매니폴드 파이프는 방전 전극의 길이방향으로 직렬로 배치된 표면개질장치.
4. 제1항에 있어서,
   상기 매니폴드 파이프는, 방전 전극의 폭 방향으로 병렬로 복수 마련된 표면개질장치.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 방전 전극은, 상기 매니폴드 파이프에 부착되고, 매니폴드 파이프가 방전 전극의 지지기구를 구성하는 표면개질장치.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 매니폴드 파이프와 상기 가스통로와의 연통과정에 마련된 상기 오리피스는,
   상기 매니폴드 파이프의 길이방향으로 연속적으로 마련된 복수의 작은 구멍으로 이루어지는 표면개질장치.
7. 제6항에 있어서,
   상기 매니폴드 파이프와 상기 가스통로와의 연통과정에 마련된 상기 오리피스는,
   상기 매니폴드 파이프에 직접 형성된 복수의 작은 구멍으로 이루어지는 표면개질장치.
8. 제6항에 있어서,
   상기 매니폴드 파이프와 상기 가스통로와의 연통과정에 마련된 상기 오리피스는,
   매니폴드 파이프에 직접 형성된 1 또는 복수의 슬릿으로 이루어지는 표면개질장치.
9. 제6항에 있어서,
   상기 매니폴드 파이프와 상기 가스통로와의 연통과정에 마련된 상기 오리피스는,
   매니폴드 파이프 내에 마련된 다공질체의 다수의 연속된 작은 구멍으로 이루어지는 표면개질장치.
10. 제6항에 있어서,
    상기 매니폴드 파이프와 상기 가스통로와의 연통과정에 마련된 오리피스는,
    상기 매니폴드 파이프와 가스통로와의 사이에 마련된 스로틀부재로 형성된 표면개질장치.
11. 제10항에 있어서,
    상기 스로틀부재는 다공질체로 이루어지고,
    상기 오리피스는, 상기 다공질체의 다수의 연속된 작은 구멍으로 이루어지는 표면개질장치.
12. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 방전 전극은, 복수의 전극부재로 이루어지고,
    이들 복수의 전극부재가 서로 대향하는 동시에,
    그 대향 간격이 상기 가스통로로 된 표면개질장치.
13. 제12항에 있어서,
    상기 매니폴드 파이프에는, 그 매니폴드 파이프의 길이방향으로 신장되는 지지부재가 고정되는 한편,
    상기 복수의 전극부재는, 상기 지지부재를 협지하여 대향하고,
    상기 전극부재의 상기 대향 간격에 형성되는 극간이 상기 가스통로를 구성하고,
    상기 지지부재에는, 상기 매니폴드 파이프 및 상기 가스통로에 연통하는 가스 유도공이 상기 매니폴드 파이프의 길이방향으로 복수 형성되며,
    상기 매니폴드 파이프 및 상기 지지부재가 함께 상기 지지기구를 구성하는 표면개질장치.
14. 제13항에 있어서,
    상기 지지부재가 상기 스로틀부재를 구성하는 동시에, 이 스로틀부재에 형성된 가스 유도공이, 상기 오리피스를 구성하는 표면개질장치.
15. 제11항에 있어서,
    상기 지지부재가 다공질체로 구성되고, 이 다공질체의 다수의 연속된 작은 구멍이 상기 오리피스를 구성하는 표면개질장치.
16. 제1항, 제5항, 제12항, 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방전 전극을 구성하는 상기 전극부재는, 한 쌍의 판상체(板狀體)로 이루어지는 표면개질장치.
17. 제1항 또는 제5항에 있어서,
    상기 방전 전극은,
    그 전극부재가 하나의 블록으로 이루어지고,
    이 블록에 슬릿을 형성하며,
    이 슬릿을 상기 가스통로로 한 표면개질장치.
18. 제1항에 있어서,
    상기 가스통로는,
    상기 방전 전극과, 이 방전 전극의 외측면을 따라 마련한 커버부재와의 사이에 형성된 극간으로 이루어지는 표면개질장치.
19. 제1항에 있어서,
    상기 유지수단은, 장척물(長尺物)로 이루어지는 상기 처리기재를 반송하는 처리롤러로 이루어지는 표면개질장치.
20. 제1항에 있어서,
    상기 유지수단은, 상기 처리기재를 싣는 컨베이어, 테이블 혹은 로봇 암의 핸드 중 어느 하나로 구성되는 표면개질장치.
21. 제1항 또는 제19항에 있어서,
    상기 유지수단이, 대향 전극을 겸하는 표면개질장치.
22. 제1항, 제5항, 제12항, 제16항, 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방전 전극 또는 대향 전극의 적어도 어느 한쪽을 유전체로 감싼 표면개질장치.

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