CN111218714B - 一种断线测量方法、设备及存储介质 - Google Patents
一种断线测量方法、设备及存储介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111218714B CN111218714B CN201811417468.5A CN201811417468A CN111218714B CN 111218714 B CN111218714 B CN 111218714B CN 201811417468 A CN201811417468 A CN 201811417468A CN 111218714 B CN111218714 B CN 111218714B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- image
- pixel
- image measurement
- measurement area
- velocity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/26—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using television detectors; using photo or X-ray detectors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Abstract
本公开提供一种断线测量方法、设备及存储介质,能够解决现有测量方法无法准确判断是否断线的问题。具体技术方案为:对获取的单晶生长图像的当前帧与前一帧进行处理,得到所述图像当前帧中运动像素的数量;在单位时间内,统计得到所有所述图像的帧中运动像素的数量和单晶生长时间的信息;根据所述信息确定所述单晶是否断线。用于判断晶体等径生长过程是否断线。
Description
技术领域
本公开涉及晶体硅制造领域,尤其涉及一种断线测量方法、设备及存储介质。
背景技术
直拉法是晶体硅制备的常见方法之一,其制备过程包括:在晶体炉中,使籽晶浸入坩埚中硅熔体,转动籽晶及坩埚的同时提拉籽晶,然后在籽晶下端依次进行引晶、放肩、转肩、等径及收尾等步骤,制备出晶体硅棒。晶体硅棒在轴向方向具有特征明显的晶线,在等径生长过程中,需要关注该晶线是否一直存在,在晶线断线后拉制的晶棒为多晶硅棒,不符合产品要求。通常,晶棒与硅熔体之间固液界面处会有一圈很亮的光圈,光圈上有晶线特征,在等径生长过程,通过观察光圈上的晶线特征是否存在,来判断是否断线。若采用人工观察晶线,存在劳动强度大、人员经验不足等问题。
现有的一种自动检测等径晶线是否断线的方法,采用相机对硅棒进行拍摄,然后分析测量成像图进行判断。分析测量步骤主要包括:在成像图上确定晶线特征像素值;设置扫描起始点、终点,扫描成像图;扫描到晶线特征像素时,记录像素点D及与像素点D临近像素点C位置,并计算像素点C到像素点D的晶线平面高度x;若x等于0.5mm,表明晶线未断线,x等于0mm,表面晶线断线。然而,在实际晶体生长过程中,由于晶棒直径大小会有波动、晶棒的晶线特征不明显等原因,导致晶线平面高度x数据特征差异较小,因此该方法存在测量精度低,无法准确判断是否断线等问题。
发明内容
本公开实施例提供一种断线测量方法、设备及存储介质,能够解决现有测量方法无法准确判断是否断线的问题。所述技术方案如下:
根据本公开的一个实施例,提供一种断线测量方法,该方法包括:
对获取的单晶生长图像的当前帧与前一帧进行处理,得到图像当前帧中运动像素的数量;在单位时间内,统计得到所有图像的帧中运动像素的数量和单晶生长时间的信息;根据信息确定单晶是否断线。
该断线测量方法中,由于硅棒在轴线方向具有特征明显的晶线,晶线在硅棒圆周方向均匀分布,所以利用图像帧上的运动像素判断单晶是否等径断线。
与根据晶线平面高度x数据特征差异判断是否断线的方法相比,本申请的短线测量方法能够适应晶体硅棒直径波动、晶棒晶线特征不明显情况下的等径断线测量,能提高测量精度,准确判断是否断线。
在一个实施例中,对每个图像帧进行处理,得到每个图像帧中运动像素的数量包括:选取图像测量区域;对图像测量区域内的每个像素进行数据处理,得到每个像素的速度幅值;若像素的速度幅值大于预设阈值,将像素确定为运动像素;统计图像测量区域内运动像素的数量。
光流法:即利用图像序列中像素在时间域上的变化以及相邻帧之间的相关性来找到上一帧跟当前帧之间存在的对应关系,从而计算出相邻帧之间像素运动信息的一种方法。
本申请的具体的光流法处理具体为:在图像的当前帧上选取一个像素,确定该像素的坐标点位置,在图像的前一帧上找到该像素,对比该像素的坐标点位置在当前帧上是否发生变化,若坐标点位置发生变化,该变化用速度幅值表示,将该像素的速度幅值与预设阈值进行比较,若该像素的速度幅值大于预设阈值则确定该像素为运动像素。然后将这些运动像素进行统计得出总数。
本申请通过预设阈值能消除噪音,提高测量判断精度,不受晶体直径大小波动的影响;在晶棒晶线特征不明显时,仍可识别出晶线特征的运动像素,进行分析判断。
在一个实施例中,选取图像测量区域包括:根据光圈的位置在图像帧上选取图像测量区域。光圈位于单晶硅棒下方固体硅与硅熔体的固液界面处。
每个图像帧上都会存在光圈,本申请根据光圈的位置选取图像测量区域,有利于将较暗的像素点过滤。
在一个实施例中,选取图像测量区域包括:根据灰度值在每个所述图像帧上选取图像测量区域,最大所述灰度值为200。
选取图像测量区域内也可以根据光圈的位置和灰度值,其灰度值不能超过200。
将图像测量区域内的最大灰度值设置为200,能保证光流法处理的效果。
在一个实施例中,对图像测量区域进行数据处理,得到图像测量区域内像素的速度及其对应的幅值包括:
获取图像测量区域内第i个像素在第一方向的速度和第二方向的速度;
根据第一方向的速度、第二方向的速度及第一公式,得到图像测量区域内图像任意点的速度幅值;第一公式包括:
其中,mi表示图像测量区域内像素的速度幅值,θi表示第一方向和第二方向之间的夹角,f(θi)表示与θi相关的函数关系式,ui表示第一方向的速度,vi表示第二方向的速度。
在一个实施例中,获取图像测量区域内图像的第i个像素在第一方向的速度和第二方向的速度包括:根据图像测量区域内第i个像素的坐标点位置、图像采集间隔时间及第二公式得到图像测量区域内像素在第一方向的速度和第二方向的速度,第二公式为:(ui,vi)=[(xi2,yi2)-(xi1,yi1)]/t;
其中,x表示第一方向,y表示第二方向,(xi1,yi1)表示第s-1帧时图像测量区域内第i个像素的坐标点位置,(xi2,yi2)表示第s帧时图像测量区域内第i个像素的坐标点位置,t表示第s帧与第s-1帧图像采集间隔时间。
在一个实施例中,预设阈值为根据图像测量区域内每个像素的速度幅值得到的,包括:
其中,Y表示预设阈值,Mg表示光圈范围内第g个像素的速度幅值,g=1,2,3,...,k,N表示光圈范围内像素的个数。
预设阈值也就是图像测量区域内的所有像素速度幅值的平均值,预设阈值也可以设定为其他值。
本申请通过预设阈值能消除噪音,提高测量判断精度,不受晶体直径大小波动的影响;在晶棒晶线特征不明显时,仍可识别出晶线特征的运动像素,进行分析判断。并且选取图像测量区域内像素的幅值可以过滤掉较暗的像素,实际应用中即可过滤晶棒的运动像素,保留晶线特征和光圈的运动像素。
本公开的另一个实施例,提供了一种断线测量装置,包括:
图像处理模块,用于对获取的单晶生长图像的当前帧与前一帧进行处理,得到图像当前帧中运动像素的数量;
统计模块,用于在单位时间内,统计得到所有图像的帧中运动像素的数量和单晶生长时间的信息;
认定模块,用于根据信息确定单晶是否断线。
在另一个实施例中,图像处理模块包括:
选取子模块,用于选取图像测量区域;
数据处理子模块,用于对图像测量区域内的每个像素进行数据处理,得到每个像素的速度幅值;
认定子模块,用于当像素的速度幅值大于预设阈值时,将像素确定为运动像素;
统计子模块,用于统计运动像素的数量。
选取子模块用于根据光圈的位置在图像帧上选取图像测量区域。
数据处理子模块包括:
图像获取单元,用于获取图像测量区域内第i个像素在第一方向的速度和第二方向的速度;
数据处理子单元,用于根据第一方向的速度、第二方向的速度及第一公式,得到图像测量区域内第i个像素的速度幅值;第一公式包括:
其中,i=1,2,3,...,n;mi表示图像测量区域内第i个像素的速度幅值,θi表示第一方向和第二方向之间的夹角,f(θi)表示与θi相关的函数关系式,ui表示第一方向的速度,vi表示第二方向的速度。
图像获取单元用于根据图像测量区域内第i个像素的坐标点位置、图像采集间隔时间及第二公式得到图像测量区域内像素在第一方向的速度和第二方向的速度,第二公式为:(ui,vi)=[(xi2,yi2)-(xi1,yi1)]/t;
其中,x表示第一方向,y表示第二方向,(xi1,yi1)表示第s-1帧时图像测量区域内第i个像素的坐标点位置,(xi2,yi2)表示第s帧时图像测量区域内第i个像素的坐标点位置,t表示第s帧与第s-1帧图像采集间隔时间。
其中,Y表示预设阈值,Mg表示光圈范围内第g个像素的速度幅值,g=1,2,3,...,k,N表示光圈范围内像素的个数。
本实施例还公开了一种断线测量的设备,设备包括处理器和存储器,存储器中存储有至少一条指令,指令由处理器加载并执行以实现断线测量方法中所执行的操作。
本实施例还公开了一种计算机可读存储介质,存储介质中存储有至少一条指令,指令由处理器加载并执行以实现断线测量方法中所执行的操作。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。
图1是本公开实施例一提供的一种断线测量方法的流程图;
图2是本公开实施例提供的一种断线测量方法的运动像素的数量与单晶生长时间的变化曲线图;
图3是本公开实施例二提供的一种断线测量方法的流程图;
图4是本公开实施例三提供的一种断线测量装置的结构图;
图5是本公开实施例三提供的一种断线测量装置的结构图;
图6是本公开实施例三提供的一种断线测量装置的结构图;
图7是本公开实施例三提供的一种断线测量装置的结构图;
图8是本公开实施例四提供的一种断线测量装置的结构图。
图中,1.单晶硅棒,2.光圈,3.凸起,4.间隔,501.图像处理模块,502.统计模块,503.认定模块,5011.选取子模块,5012.数据处理子模块,5013.认定子模块,5014.统计子模块,50121.图像获取单元,50122.数据处理子单元,801.接收器,802.发射器,803.处理器,804.存储器。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。
实施例一
本公开实施例提供一种断线测量方法,如图1所示,该方法包括:
步骤10、利用光流法对获取的单晶生长图像的当前帧与前一帧进行处理,得到图像当前帧中运动像素的数量。
具体的,步骤10包括:
首先采用CCD相机获取晶体生长的图像,CCD相机摄像头的光轴与坩埚中熔体液面之间成夹角,该夹角不等于90°。
步骤101、选取图像测量区域。
根据光圈的位置在图像帧上选取图像测量区域,光圈位于单晶硅棒下方固体硅与硅熔体的固液界面处。
还可以根据灰度值在图像帧上选取图像测量区域,灰度值不超过200。
步骤102、对图像测量区域内的每个像素进行数据处理,得到每个像素的速度幅值。
获取图像测量区域内像素在第一方向的速度和第二方向的速度;根据第一方向的速度、第二方向的速度及第一公式,得到图像测量区域内像素的速度幅值;第一公式包括:
其中,i=1,2,3,...,n;mi表示图像测量区域内第i个像素的速度幅值,θi表示第一方向和第二方向之间的夹角,f(θi)表示与θi相关的函数关系式,ui表示第一方向的速度,vi表示第二方向的速度。
获取图像测量区域内第i个像素在第一方向的速度和第二方向的速度包括:根据图像测量区域内第i个像素的坐标点位置、图像采集间隔时间及第二公式得到图像测量区域内第i个像素在第一方向的速度和第二方向的速度,第二公式为:(ui,vi)=[(xi2,yi2)-(xi1,yi1)]/t;其中,x表示第一方向,y表示第二方向,(xi1,yi1)表示第s-1帧(即前一帧)时图像测量区域内第i个像素的坐标点位置,(xi2,yi2)表示第s帧(即当前帧)时图像测量区域内第i个像素的坐标点位置,t表示第s帧与第s-1帧图像采集间隔时间。
步骤103、若像素的速度幅值大于预设阈值,将像素确定为运动像素。
其中,Y表示预设阈值,Mg表示光圈范围内第g个像素的速度幅值,g=1,2,3,...,k,N表示光圈范围内像素的个数。
预设阈值也就是图像测量区域内的所有像素速度幅值的平均值,预设阈值也可以设定为其他值。
将第i个像素像素的速度幅值与预设阈值进行比较,若该像素的速度幅值大于预设阈值则确定该像素为运动像素。
步骤104、统计图像测量区域内运动像素的数量。
步骤11、在单位时间内,统计得到所有图像的帧中运动像素的数量和单晶生长时间的信息。
步骤12、根据信息确定单晶是否断线。
根据所有图像的帧中运动像素的数量和单晶生长时间的波形变化曲线,若波形变化曲线中相邻两个凸起之间间隔的持续时间大于预设时间,则确定单晶断线。
正常情况下,如图2所示,晶体转动时,波形曲线的凸起呈周期性出现,正常情况下,设定相邻凸起之间间隔的持续时间为预设时间周期T,相邻凸起之间间隔的持续时间指的是,前一个凸起的结束点至后一个凸起的开始点。若相邻凸起之间间隔的持续时间大于会大于预设时间周期T,则确定单晶等径断线。
本申请根据光圈的位置选取图像测量区域,有利于将较暗的像素点过滤,保留晶线特征和光圈的运动像素;将图像测量区域内的最大灰度值设置为不超过200,能保证光流法处理的效果;通过预设阈值能消除噪音,提高测量判断精度,能够适应晶体硅棒直径波动、晶棒晶线特征不明显情况下的等径断线测量,能提高测量精度低,准确判断是否断线。
实施例二
本公开实施例提供一种断线测量方法,如图3所示,该方法包括:
步骤20、选取图像帧。
采用CCD相机获取晶体生长的图像,CCD相机摄像头的光轴与坩埚中熔体液面之间成夹角,该夹角不等于90°。
步骤21、设置图像帧测量区域。
具体的,步骤21包括:
根据光圈2的位置在每个图像帧上选取图像测量区域,如图4所示,光圈2位于单晶硅棒1下方固体硅与硅熔体的固液界面处。
还可以根据灰度值在每个图像帧上选取图像测量区域,灰度值不超过200。
直拉单晶硅生长的图像帧在CCD相机上获取后通过电路输入至工控机中,由工控机的图像处理程序对单晶生长图像帧进行处理,具体的由图像处理程序中的特征识别模块识别图像测量区域,图像测量区域设置在光圈附近,有利于将较暗的像素点过滤;为了保证光流法处理图像的效果,图像测量区域内的灰度值不超过200。
步骤22、获取图像测量区域内像素在x方向的速度和y方向的速度。
具体的,步骤12包括:
根据图像测量区域内任意点像素的坐标点位置、图像采集间隔时间及第二公式得到图像测量区域内第i个像素在第一方向和第二方向的速度,第二公式为:(ui,vi)=[(xi2,yi2)-(xi1,yi1)]/t;其中,x表示第一方向,y表示第二方向,(xi1,yi1)表示第s-1帧时图像测量区域内第i个像素的坐标点位置,(xi2,yi2)表示第s帧时图像测量区域内第i个像素的坐标点位置,t表示第s帧与第s-1帧图像采集间隔时间。
步骤23、得到实时像素的速度幅值。
具体的,步骤23包括:
根据x的速度、y的速度及第一公式,得到图像测量区域内实时像素的速度幅值;第一公式包括:
其中,i=1,2,3,...,n;mi表示图像测量区域内第i个像素的速度幅值,θi表示第一方向和第二方向之间的夹角,f(θi)表示与θi相关的函数关系式,ui表示第一方向的速度,vi表示第二方向的速度。
本实例中,利用光流法对图像测量区域内的图像帧进行处理,假定测量区域内任意点像素A在第s-1帧时的坐标点位置是(105,105),在s帧时,任意点像素A的坐标点位置为(120,140),t=0.2s;则任意点像素A在第一方向和第二方向的速度为:(uA,vA)=(15,35)。由于第一方向和第二方向为相互垂直方向,则求取此点的像素的速度幅值mA:
步骤24、二值化处理。
对测量区域内实时像素速度的幅值进行二值化处理,具体包括:
对图像测量区域内像素的速度幅值进行处理得到预设阈值;若图像测量区域内像素的速度幅值大于预设阈值,则图像测量区域内该像素为运动像素;统计得到运动像素总数。
其中,Y表示预设阈值,Mg表示光圈范围内第g个像素的速度幅值,g=1,2,3,...,k,N表示光圈范围内像素的个数。
步骤25、判断是否等径断线。
具体的,步骤25包括:
由于硅棒在轴线方向具有特征明显的晶线,晶线在硅棒圆周方向均匀分布,本申请通过设置实时像素速度的阈值,保留出晶线特征的运动像素。根据运动像素个数的总数随晶体生长时间的变化情况,判断是否等径断线。随晶体转动,如图2所示,运动像素个数的总数随时间的波形曲线中的凸起3交替周期性出现,相邻凸起3之间有间隔4。3所示为凸起,凸起3之间为间隔4。本实施例,间隔4为一平台,表明该时间范围内没有所定义的运动像素出现。
如图2的上半部分,单晶生长正常时,凸起3呈周期性出现;如图2的下半部分所示,相邻两个凸起3之间的间隔4持续时间大于预设时间,则确定单晶等径断线。图2中的数值并不对本申请时间周期T、运动像素个数总数构成限制,仅为示例。
本实施例中,正常时,凸起持续1.5s,相邻两个躯体之间的间隔持续1s,即时间周期T=1s;当非运动像素持续2.5s,即相邻两个躯体之间的间隔持续时间2.5s,大于时间周期T,完全没有凸起出现时,可以判断等径断线。
本申请根据光圈的位置选取图像测量区域,有利于将较暗的像素点过滤,保留晶线特征和光圈的运动像素;将图像测量区域内的最大灰度值设置为200,能保证光流法处理的效果;通过预设阈值能消除噪音,提高测量判断精度,能够适应晶体硅棒直径波动、晶棒晶线特征不明显情况下的等径断线测量,能提高测量精度低,准确判断是否断线。
实施例三
本公开的另一个实施例,提供了一种断线测量装置,如图5所示,包括:
图像处理模块501,用于对获取的单晶生长图像的当前帧与前一帧进行处理,得到图像当前帧中运动像素的数量;
统计模块502,用于在单位时间内,统计得到所有图像的帧中运动像素的数量和单晶生长时间的信息;
认定模块503,用于根据信息确定单晶是否断线。
在另一个实施例中,如图6所示,图像处理模块501包括:
选取子模块5011,用于选取图像测量区域;
数据处理子模块5012,用于对图像测量区域内的每个像素进行数据处理,得到每个像素的速度幅值;
认定子模块5013,用于若像素的速度幅值大于预设阈值,将像素确定为运动像素;
统计子模块5014,用于统计图像测量区域运动像素的数量。
在另一个实施例中,选取子模块用于根据光圈的位置在图像帧上选取图像测量区域。
在另一个实施例中,如图7所示,数据处理子模块5012包括:
图像获取单元50121,用于获取图像测量区域内第i个像素在第一方向的速度和第二方向的速度;
数据处理子单元50122,用于根据第一方向的速度、第二方向的速度及第一公式,得到图像测量区域内第i个像素的速度幅值;第一公式包括:
其中,i=1,2,3,...,n;mi表示图像测量区域内第i个像素的速度幅值,θi表示第一方向和第二方向之间的夹角,f(θi)表示与θi相关的函数关系式,ui表示第一方向的速度,vi表示第二方向的速度。
在另一个实施例中,图像获取单元50121用于根据图像测量区域内第i个像素的坐标点位置、图像采集间隔时间及第二公式得到图像测量区域内像素在第一方向的速度和第二方向的速度,第二公式为:(ui,vi)=[(xi2,yi2)-(xi1,yi1)]/t;
其中,x表示第一方向,y表示第二方向,(xi1,yi1)表示第s-1帧时图像测量区域内第i个像素的坐标点位置,(xi2,yi2)表示第s帧时图像测量区域内第i个像素的坐标点位置,t表示第s帧与第s-1帧图像采集间隔时间。
其中,Y表示预设阈值,Mg表示光圈范围内第g个像素的速度幅值,g=1,2,3,...,k,N表示光圈范围内像素的个数。
本申请根据光圈的位置选取图像测量区域,有利于将较暗的像素点过滤,保留晶线特征和光圈的运动像素;将图像测量区域内的最大灰度值设置为不超过200,能保证光流法处理的效果;通过预设阈值能消除噪音,提高测量判断精度,能够适应晶体硅棒直径波动、晶棒晶线特征不明显情况下的等径断线测量,能提高测量精度低,准确判断是否断线。
实施例四
本公开实施例还提供一种断线测量的设备,如图8所示,设备包括接收器801、发射器802、处理器803和存储器804,该接收器801、发射器802、存储器804分别与该处理器803连接,存储器804中存储有至少一条指令,指令由处理器803加载并执行以实现上述实施例设备所执行的操作。
实施例五
本公开实施例还提供一种计算机可读存储介质,例如,非临时性计算机可读存储介质可以是只读存储器(英文:Read Only Memory,ROM)、随机存取存储器(英文:RandomAccess Memory,RAM)、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储装置等。该存储介质中存储有至少一条计算机指令,指令由处理器加载并执行以实现上述实施例中设备所执行的操作。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是,本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (8)
1.一种断线测量方法,其特征在于,包括:
对获取的单晶生长图像的当前帧与图像的前一帧进行处理,得到所述图像当前帧中运动像素的数量;
在单位时间内,统计得到所有所述图像的帧中运动像素的数量和单晶生长时间的信息;
根据所述信息确定所述单晶是否断线;
其中,对每个所述图像帧进行处理,得到每个所述图像帧中运动像素的数量包括:选取图像测量区域;对所述图像测量区域内的每个像素进行数据处理,得到每个像素的速度幅值;当像素的速度幅值大于预设阈值时,将像素确定为运动像素;统计所述图像测量区域内的运动像素的数量;
所述根据所述信息确定所述单晶是否断线包括:根据所有所述图像的帧中运动像素的数量和单晶生长时间的波形变化曲线,若波形变化曲线中相邻两个凸起之间间隔的持续时间大于预设时间,则确定所述单晶断线。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述选取图像测量区域包括:
根据光圈的位置在每个所述图像帧上选取图像测量区域。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述选取图像测量区域包括:
根据灰度值在每个所述图像帧上选取图像测量区域,最大所述灰度值为200。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述获取图像测量区域内任意点像素在第一方向的速度和第二方向的速度包括:
根据图像测量区域内第i个像素的坐标点位置、图像采集间隔时间及第二公式得到所述图像测量区域内像素在第一方向的速度和第二方向的速度,所述第二公式为:(ui,vi)=[(xi2,yi2)-(xi1,yi1)]/t;
其中,x表示第一方向,y表示第二方向,(xi1,yi1)表示第s-1帧时图像测量区域内第i个像素的坐标点位置,(xi2,yi2)表示第s帧时图像测量区域内第i个像素的坐标点位置,t表示第s帧与第s-1帧图像采集间隔时间。
7.一种断线测量的设备,其特征在于,包括:处理器和存储器,所述存储器中存储有至少一条指令,所述指令由所述处理器加载并执行以实现权利要求1-6任意一项所述断线测量方法中所执行的操作。
8.一种计算机可读存储介质,其特征在于,包括:所述存储介质中存储有至少一条指令,所述指令由所述处理器加载并执行以实现权利要求1-6任意一项所述断线测量方法中所执行的操作。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811417468.5A CN111218714B (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 一种断线测量方法、设备及存储介质 |
PCT/CN2019/117204 WO2020108287A1 (zh) | 2018-11-26 | 2019-11-11 | 一种硅棒的晶线生长状态检测方法、装置及设备 |
EP19891140.6A EP3800282A4 (en) | 2018-11-26 | 2019-11-11 | METHOD, EQUIPMENT AND DEVICE FOR DETECTING THE CRYSTAL GROWING STATE FOR SILICON ROD |
US17/256,494 US20210279905A1 (en) | 2018-11-26 | 2019-11-11 | Crystal line growing state detection method, apparatus and device for silicon rod |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811417468.5A CN111218714B (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 一种断线测量方法、设备及存储介质 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111218714A CN111218714A (zh) | 2020-06-02 |
CN111218714B true CN111218714B (zh) | 2021-06-08 |
Family
ID=70810722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811417468.5A Active CN111218714B (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 一种断线测量方法、设备及存储介质 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111218714B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111733449B (zh) * | 2020-07-07 | 2021-04-27 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶棒生长设备及生长方法 |
CN116071285A (zh) * | 2021-10-29 | 2023-05-05 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 放肩断线检测方法、装置、存储介质及电子设备 |
CN117372377A (zh) * | 2023-10-23 | 2024-01-09 | 保定景欣电气有限公司 | 一种单晶硅棱线的断线检测方法、装置及电子设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102134739A (zh) * | 2011-03-08 | 2011-07-27 | 宁夏日晶新能源装备股份有限公司 | 单晶炉自动引晶系统及方法 |
JP2012076963A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Kiyohara Optics Inc | 強磁場中結晶生成装置 |
CN102787353A (zh) * | 2012-08-15 | 2012-11-21 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 单晶炉非接触式硅棒晶线测量方法 |
CN106637389A (zh) * | 2016-12-07 | 2017-05-10 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 | 一种直拉单晶产业化直径生长自控的工艺方法 |
-
2018
- 2018-11-26 CN CN201811417468.5A patent/CN111218714B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012076963A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Kiyohara Optics Inc | 強磁場中結晶生成装置 |
CN102134739A (zh) * | 2011-03-08 | 2011-07-27 | 宁夏日晶新能源装备股份有限公司 | 单晶炉自动引晶系统及方法 |
CN102787353A (zh) * | 2012-08-15 | 2012-11-21 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 单晶炉非接触式硅棒晶线测量方法 |
CN106637389A (zh) * | 2016-12-07 | 2017-05-10 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 | 一种直拉单晶产业化直径生长自控的工艺方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111218714A (zh) | 2020-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111218714B (zh) | 一种断线测量方法、设备及存储介质 | |
WO2020108287A1 (zh) | 一种硅棒的晶线生长状态检测方法、装置及设备 | |
JP6493787B2 (ja) | 撮像装置、撮像方法及び撮像動作制御プログラム | |
CN103139492B (zh) | 摄像装置、摄像方法以及监视系统 | |
US8558942B2 (en) | Focusing measurement device, focusing measurement method, and program | |
US5270173A (en) | Method of monitoring cell culture | |
JP6341229B2 (ja) | 結晶欠陥の評価方法、シリコンウェーハの製造方法及び結晶欠陥の評価装置 | |
JP2015039342A (ja) | 幹細胞分化判定装置および方法並びにプログラム | |
CN104767913B (zh) | 一种对比度自适应的视频去噪系统 | |
CN113781446B (zh) | 玻纤表面油污检出方法、装置、存储介质和电子设备 | |
CN111008563B (zh) | 一种暗光场景种子发芽检测方法、装置及可读存储介质 | |
JPWO2014013792A1 (ja) | ノイズ評価方法、画像処理装置、撮像装置およびプログラム | |
CN101807297B (zh) | 医学超声图像直线检测方法 | |
CN102787353A (zh) | 单晶炉非接触式硅棒晶线测量方法 | |
JP2928714B2 (ja) | 細胞活性度判定方法及び装置 | |
CN105445282B (zh) | 计数池外部灰尘识别方法、装置及全自动尿液沉渣分析系统 | |
CN112188190A (zh) | 污渍检测方法、烹饪器具、服务器和存储介质 | |
CN112444516B (zh) | 一种硅棒的晶线生长状态检测方法、装置及设备 | |
WO2020063688A1 (zh) | 视频场景变化的检测方法、装置及视频采集设备 | |
CN114387251B (zh) | 饱满点的监测方法、存储介质、终端和拉晶设备 | |
JP2010273319A (ja) | 撮像装置、顕微鏡システム、及びホワイトバランス調整方法 | |
CN110827267B (zh) | 一种白酒厂原酒酿造过程配糟质量视觉分析方法及系统 | |
CN110865084A (zh) | 基于自学习模式的综丝分离检测系统及方法 | |
CN113029014B (zh) | 一种单晶硅棒直径的检测方法及检测装置 | |
TW201228366A (en) | Method for detecting streaks in digital image |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220523 Address after: 679100 No. 114, lishuyuan community, shangqiluo community, Tengyue Town, Tengchong City, Baoshan City, Yunnan Province Patentee after: Tengchong Longji silicon material Co.,Ltd. Address before: 710075 no.388, Hangtian Middle Road, Chang'an District, Xi'an City, Shaanxi Province Patentee before: LONGI GREEN ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd. |