CN111200404A - 线性度改善系统及线性度改善方法 - Google Patents
线性度改善系统及线性度改善方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111200404A CN111200404A CN201811530955.2A CN201811530955A CN111200404A CN 111200404 A CN111200404 A CN 111200404A CN 201811530955 A CN201811530955 A CN 201811530955A CN 111200404 A CN111200404 A CN 111200404A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- signal
- circuit
- linearity
- radio frequency
- coupled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 claims description 35
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
- H03F1/0216—Continuous control
- H03F1/0222—Continuous control by using a signal derived from the input signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
- H03F1/0266—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the input signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3211—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
- H03F1/3282—Acting on the phase and the amplitude of the input signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/213—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/18—Indexing scheme relating to amplifiers the bias of the gate of a FET being controlled by a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
一种线性度改善系统及线性度改善方法。线性度改善系统包括信号耦合电路、降频电路及转换电路。信号耦合电路用于耦合部分的输入射频信号。降频电路耦接于信号耦合电路。降频电路用于将输入射频信号降至基带,以输出调制信号。转换电路耦接于降频电路。转换电路用于调整调制信号的相位及功率。输入射频信号及调整后的调制信号输入至放大器电路后,放大器电路输出输出射频信号。
Description
技术领域
本公开是有关于一种线性度改善系统及线性度改善方法。
背景技术
因应5G时代的来临,为了要达成更高的传输数据量,调制信号的频率宽度必须由LTE的20MHz,进一步提升至100MHz以上更宽的传输带宽。一般而言,功率放大器的输出功率增加时,传输效率虽然有效增加,但信号失真程度也变得严重。基站的功率放大器需要极低的信号失真程度,通常是通过功率回馈(power back-off)技术来达到此目标。然而,此时的功率放大器的效率不佳。
线性度可以反应信号失真程度,若能够较有效改善线性度,将可获得更大的输出功率与效率。尤其是因应5G的宽带时代的来临,更需开发新的宽带线性改善技术。
发明内容
本公开有关于一种线性度改善系统及线性度改善方法,其利用调制信号注入机制,使得传输宽带信号时,可以改善放大器电路的线性度。
根据本公开的一个实施例,提出一种线性度改善系统。线性度改善系统包括信号耦合电路(coupler)、降频电路(down converter)及转换电路(transformer)。信号耦合电路用于耦合部分的输入射频信号。降频电路耦接于信号耦合电路。降频电路用于将输入射频信号降至基带,以输出调制信号。转换电路耦接于降频电路。转换电路用于调整调制信号的相位及功率。输入射频信号及调整后的调制信号输入至放大器电路后,放大器电路输出输出射频信号。
根据本公开的另一实施例,提出一种线性度改善方法。线性度改善方法包括以下步骤。耦合部分的输入射频信号,将输入射频信号降至基带,以输出调制信号。调整调制信号的相位及功率。输入射频信号及调整后的调制信号输入至放大器电路后,输出输出射频信号。
为了对本公开的上述及其他方面有更佳的了解,下文特举实施例,并配合所附附图详细说明如下:
附图说明
图1图示了线性度曲线的改善情况的示意图。
图2图示了根据一个实施例的线性度改善系统的示意图。
图3图示了根据一个实施例的线性度改善方法的流程图。
图4A~4C说明信号调制的过程。
图5图示了根据另一实施例的线性度改善系统的示意图。
图6图示了根据一个实施例的可调式衰减器的示意图。
图7图示了根据一个实施例的降频电路的示意图。
图8A图示了根据一个实施例的负群时延器的示意图。
图8B图示了根据一个实施例的负群时延器的示意图。
图9图示了放大器电路的示意图。
图10图示了根据另一实施例的线性度改善系统的示意图。
图11图示了根据一个实施例的低通滤波器电路的示意图。
具体实施方式
本公开提出各种实施例来提升功率放大器的线性度。如图1所示,其图示了线性度曲线的改善情况的示意图。如线性度曲线C1所示,线性度与输出功率呈现负相关,输出功率越高,线性度越低。因此,在线性度规范TH之下,线性度曲线C1最佳仅能达到点A的输出功率。经过本公开的改良,线性度曲线C2的线性度恶化的情况可以有效改善。因此,在线性度规范TH下,线性度曲线C2最佳可以达到点B的输出功率。
请参照图2,其图示了根据一个实施例的线性度改善系统100的示意图。线性度改善系统100包括信号耦合电路(coupler)110、降频电路(down converter)120及转换电路(transformer)130。信号耦合电路110耦合输入射频信号RF_IN。降频电路120耦接于信号耦合电路110。转换电路130耦接于降频电路120。放大器电路900耦接于转换电路130及信号耦合电路110,以输出输出射频信号RF_OUT。以下搭配流程图说明各项组件的运作。
请参照图3,其图示了根据一个实施例的线性度改善方法的流程图。首先,在步骤S110中,信号耦合电路110耦合部分的输入射频信号RF_IN后。在此实施例中,信号耦合电路110用于提供0度相位信号与180度相位信号。
接着,在步骤S120中,降频电路120将输入射频信号RF_IN降至基带,以输出调制信号RF_M。在本实施例中,所采用的信号耦合电路110与降频电路120可以减少宽带调制信号的损耗,与一般功率检测器不同。
然后,在步骤S130中,转换电路130调整调制信号RF_M的相位及功率。输入射频信号RF_IN及调整后的调制信号RF_M输入至放大器电路900后,放大器电路900输出上述的输出射频信号RF_OUT。在本实施例中,转换电路130包括负群时延器(negative group delay,NGD)131及基带放大器(baseband amplifier)132。负群时延器131用于调整调制信号RF_M的相位。基带放大器132用于调整调制信号RF_M的功率。在本实施例中,降频电路120、负群时延器131、及基带放大器132依序耦接,而先进行相位的调整,再进行功率的调整。在另一实施例中,也可以是降频电路120、基带放大器132、及负群时延器131依序耦接,而先进行功率的调整,再进行相位的调整。
放大器电路900包括偏压电路(bias circuit)910及放大器920。输入射频信号RF_IN及调制信号RF_M输入至放大器电路900后,输出射频信号RF_OUT的线性度能够较有效提升。
请参照图4A~4C,其说明信号调制的过程。图2的节点(a)输入图4A的混合双频的信号S1、S2时,利用信号耦合电路110将信号S1、S2少量耦合至降频电路120,再经由降频电路120降至基带。此时在图2的节点(b)可产生如于图4B的结果(即信号S1、S2、S3)。接着,通过负群时延器131及基带放大器132将信号S1、S2、S3由图2的节点(b’)注入至放大器电路900的偏压电路910之中。通过负群时延器131与基带放大器132的设计,可以调整适合的相位与功率。放大器电路900具有非线性的特性,于输出端与频率ω1的信号S1、频率ω2的信号S2交互调制而在图2的节点(c)产生频率2ω1-ω2的信号S4’与频率2ω2-ω1的信号S5’,以抑制频率2ω1-ω2的信号S4与频率2ω2-ω1的信号S5。如此一来,信号S1、S2不会受到信号S4、S5的干扰,而可较有效提升了线性度。
因此,通过上述实施例的线性度改善系统100及线性度改善方法,在传输宽带信号时可以改善功率放大器电路900的线性度。
上述实施例使用模拟电路架构,相较于数字的失真现象,上述实施例能够减少直流功率消耗,且实现成本较低。
此外,上述实施例在传输混合双频信号时,可有效改善其三阶谐波失真。尤其是在传输宽带信号(例如是40,100MHz LTE)时,可以有效抑制其邻道泄漏功率(ACLR)。
请参照图5,其图示了根据另一实施例的线性度改善系统200的示意图。在此实施例中,线性度改善系统200的信号耦合电路210包括电解质电容器211、可调式衰减器(tunable attenuator)212及平衡-不平衡转换器(balun)213。电解质电容器211接收输入射频信号RF_IN。可调式衰减器212耦接于电解质电容器211。平衡-不平衡转换器213耦接于可调式衰减器212。图5的实施例所描述的信号耦合电路210仅为本公开的其中一种实施方式,并非用于局限本公开的范围。
更详细来说,请参照图6,其图示了根据一个实施例的可调式衰减器212的示意图。可调式衰减器212例如是由多个电阻、二极管、电容所组成,通过可调式电压Vtune的调整,可以实现可调整信号大小的功能。然而,图6的可调式衰减器212仅为本公开的其中一种实施方式,并非用于局限本公开的范围。
平衡-不平衡转换器213又称为单端转差动平衡电路,例如是由两组九十度耦合器所组成。
请参照图7,其图示了根据一个实施例的降频电路120的示意图。降频电路120例如是由多个晶体管、电阻所组成。降频电路120又可称为降频转换器、向下变换器(downconvertor)。降频电路120通过电压VE1、VE2、VB1、VB2的输入,实现将信号降至基带的功能。然而,图7的降频电路120仅为本公开的其中一种实施方式,并非用于局限本公开的范围。
请参照图8A,其图示了根据一个实施例的负群时延器131的示意图。负群时延器131例如是由多个电阻、电感、电容组成。负群时延器131例如是滤波器的形式,目的在于产生与邻近信道功率信号相位相反的信号。通过适当的电路设计,负群时延器131可以在某一特定频率范围内,使相位与频率的关系呈现正相关。然而,图8A的负群时延器131仅为本公开的其中一种实施方式,并非用于局限本公开的范围。
请参照图8B,其图示了根据一个实施例的负群时延器131’的示意图。负群时延器131’例如是由多个电阻、电感组成。通过适当的电路设计,可以在某一特定频率范围内,使相位与频率的关系呈现正相关。然而,图8B的负群时延器131’仅为本公开的其中一种实施方式,并非用于局限本公开的范围。
基带放大器132的目的则为产生与邻近信道功率信号大小相等的信号。
请参照图9,其图示了放大器电路900的示意图。放大器电路900的偏压电路910及放大器920例如是由多个晶体管、二极管、电感、电容、电阻组成。输入射频信号RF_IN输入至放大器电路900后,通过输入至偏压电路910的调制信号RF_M的辅助,将输入射频信号RF_IN放大为输出射频信号RF_OUT。如此一来,输出射频信号RF_OUT的线性度能够较有效提升。
请参照图10,其图示了根据另一实施例的线性度改善系统300的示意图。在本实施例中,线性度改善系统300还包括低通滤波器电路(low pass filter)340。低通滤波器电路(low pass filter)340耦接于降频电路120及转换电路130的负群时延器131之间。低通滤波器电路340用于滤除高频的信号。举例来说,请参照图4B,滤波曲线LPF表示滤波范围,经过低通滤波器电路340之后,仅保留频率2(ω2-ω1)以下的信号。如此一来,后续交互调制过程可以更有效率,而不会受到过多高频信号的干扰。
详细来说,请参照图11,其图示了根据一个实施例的低通滤波器电路340的示意图。低通滤波器电路340例如是由多个电感、电容组成。通过适当的电路设计,低通滤波器电路340可以滤除高于某一参考频率的高频的信号。
通过上述各种实施例的线性度改善系统100、200、300、及信号控制方法,提出一种调制信号注入机制,其利用将输入射频信号RF_IN耦合至线性度改善系统100、200、300中,并利用线性度改善系统100、200、300产生的调制信号RF_M,注回放大器电路900的偏压电路910中,藉以产生相同大小、相位相反的信号,并与原信号产生混波。如此一来,能够有效抑制三阶调制项或邻道泄露功率,改善放大器电路900的线性度。
综上所述,虽然本公开已以实施例公开如上,然其并非用于限定本公开。本公开所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本公开的精神和范围内,当可作各种的改动与润饰。因此,本公开的保护范围当视后附的权利要求所确定的保护范围为准。
【符号说明】
100:线性度改善系统
110:信号耦合电路
120:降频电路
130:转换电路
131、131’:负群时延器
132:基带放大器
200:线性度改善系统
210:信号耦合电路
211:电解质电容器
212:可调式衰减器
213:平衡-不平衡转换器
300:线性度改善系统
340:低通滤波器电路
900:放大器电路
910:偏压电路
920:放大器
A、B:点
C1、C2:线性度曲线
LPF:滤波曲线
RF_IN:输入射频信号
RF_M:调制信号
RF_OUT:输出射频信号
S1、S2、S3、S4、S4’、S5、S5’、S6、S7:信号
S110、S120、S130:步骤
TH:线性度规范
Vtune:可调式电压
VB1、VB2、VE1、VE2:电压
ω1、ω2、2ω1-ω2、2ω2-ω1、2ω2、2ω1、2(ω2-ω1):频率(a)、(b)、(b’)、(c):节点
Claims (11)
1.一种线性度改善系统,其特征在于该线性度改善系统包括:
信号耦合电路,用于耦合部分的输入射频信号;
降频电路,耦接于该信号耦合电路,该降频电路用于将该输入射频信号降至基带,以输出调制信号;以及
转换电路,耦接于该降频电路,该转换电路用于调整该调制信号的相位及功率,其中该输入射频信号及调整后的该调制信号输入至放大器电路后,该放大器电路输出输出射频信号。
2.如权利要求1所述的线性度改善系统,其中该信号耦合电路用于提供0度相位信号与180度相位信号。
3.如权利要求1所述的线性度改善系统,其中该转换电路包括:
负群时延器,用于调整该调制信号的相位;以及
基带放大器,用于调整该调制信号的功率。
4.如权利要求3所述的线性度改善系统,其中该负群时延器耦接于该降频电路,该基带放大器耦接于该负群时延器。
5.如权利要求3所述的线性度改善系统,其中该基带放大器耦接于该降频电路,该负群时延器耦接于该基带放大器。
6.如权利要求1所述的线性度改善系统,其中该信号耦合电路包括:
电解质电容器,接收该输入射频信号;
可调式衰减器,耦接于该电解质电容器;以及
平衡-不平衡转换器,耦接于该可调式衰减器。
7.如权利要求1所述的线性度改善系统,还包括:
低通滤波器电路,耦接于该降频电路及该转换电路之间。
8.一种线性度改善方法,其特征在于该线性度改善方法包括:
耦合部分的输入射频信号;
将该输入射频信号降至基带,以输出调制信号;以及
调整该调制信号的相位及功率,
其中该输入射频信号及调整后的该调制信号输入至放大器电路后,输出输出射频信号。
9.如权利要求8所述的线性度改善方法,其中在调整该调制信号的相位及功率的步骤中,是先调整该调制信号的相位,再调整该调制信号的功率。
10.如权利要求8所述的线性度改善方法,其中在调整该调制信号的相位及功率的步骤中,是先调整该调制信号的功率,再调整该调制信号的相位。
11.如权利要求8所述的线性度改善方法,还包括:
用低通滤波器电路,滤波该调制信号。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107140923 | 2018-11-16 | ||
TW107140923A TWI696344B (zh) | 2018-11-16 | 2018-11-16 | 線性度改善系統及線性度改善方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111200404A true CN111200404A (zh) | 2020-05-26 |
CN111200404B CN111200404B (zh) | 2023-07-11 |
Family
ID=70332440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811530955.2A Active CN111200404B (zh) | 2018-11-16 | 2018-12-14 | 线性度改善系统及线性度改善方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10637415B1 (zh) |
CN (1) | CN111200404B (zh) |
TW (1) | TWI696344B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113922779A (zh) * | 2021-10-14 | 2022-01-11 | 电子科技大学 | 一种基于巴伦结构的负群时延电路及群时延方法 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6078216A (en) * | 1998-03-31 | 2000-06-20 | Spectrian Corporation | Aliased wide band performance monitor for adjusting predistortion and vector modulator control parameters of RF amplifier |
US20030109222A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-12 | Agere Systems, Inc. | Group delay precompensator for broadband radio frequency transmitter and method of operating the same |
US20040136470A1 (en) * | 2003-01-15 | 2004-07-15 | Andrew Corporation | Uncorrelated adaptive predistorter |
US20070161356A1 (en) * | 2006-01-12 | 2007-07-12 | Hoon Bryan A | Method and apparatus for improved carrier feed thru rejection for a linear amplifier |
JP2007228493A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Renesas Technology Corp | 通信用半導体集積回路 |
US20080242237A1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-10-02 | Broadcom Corporation, A California Corporation | Antenna system for use within a wireless communication device |
US20080297247A1 (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Sige Semiconductor Inc. | Method and apparatus for distortion correction of RF amplifiers |
CA2720162A1 (en) * | 2008-04-02 | 2009-10-08 | Harris Corporation | Feedforward linearization of rf power amplifiers |
WO2010075645A1 (zh) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种改善射频功率放大器线性度的方法与装置 |
CN101807886A (zh) * | 2010-03-26 | 2010-08-18 | 深圳市云海通讯股份有限公司 | 一种射频功率放大装置及其模拟预失真校正方法 |
EP2306638A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-06 | Alcatel Lucent | Envelope tracking amplifier arrangement |
WO2013175681A1 (ja) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | パナソニック株式会社 | ダイレクトコンバージョン方式の受信機 |
CN103475315A (zh) * | 2013-09-12 | 2013-12-25 | 电子科技大学 | 改善射频功率放大器线性度的方法及装置 |
EP2733871A1 (en) * | 2012-11-20 | 2014-05-21 | Tektronix, Inc. | Amplitude flatness and phase linearity calibration for rf sources |
US20150145604A1 (en) * | 2013-11-26 | 2015-05-28 | Rf Micro Devices, Inc. | High efficiency radio frequency power amplifier circuitry with reduced distortion |
CN105743831A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-07-06 | 数微(福建)通信技术有限公司 | 一种基于WIFI230MHz的射频处理方法 |
CN108768312A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-11-06 | 上海亮牛半导体科技有限公司 | 利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构及方法 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6366622B1 (en) * | 1998-12-18 | 2002-04-02 | Silicon Wave, Inc. | Apparatus and method for wireless communications |
US6130579A (en) | 1999-03-29 | 2000-10-10 | Rf Micro Devices, Inc. | Feed-forward biasing for RF amplifiers |
EP1056193B1 (en) * | 1999-05-27 | 2005-04-27 | Sony International (Europe) GmbH | Down converter and demodulator using a three port junction |
ATE327601T1 (de) * | 2003-10-23 | 2006-06-15 | Sony Ericsson Mobile Comm Ab | Zusätzliche regelung des referenzsignals der automatischen leistungsregelung in einem mobilen endgerät |
KR101124116B1 (ko) | 2004-02-13 | 2012-03-21 | 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 증폭기용 적응형 바이어스 전류 회로 및 방법 |
US7319849B2 (en) | 2005-08-25 | 2008-01-15 | Microtune (Texas), L.P. | Radio-frequency tuner with differential converter |
KR100804546B1 (ko) | 2005-08-26 | 2008-02-20 | 인티그런트 테크놀로지즈(주) | 선형성을 개선한 차동 증폭회로 |
CN101479956B (zh) * | 2006-04-28 | 2013-07-31 | 大力系统有限公司 | 用于无线通信的高效率线性化功率放大器 |
US8019015B2 (en) * | 2007-02-26 | 2011-09-13 | Harris Corporation | Linearization of RF power amplifiers using an adaptive subband predistorter |
KR100973222B1 (ko) | 2007-12-26 | 2010-07-30 | 주식회사 동부하이텍 | 타이밍 제어를 위한 지연동기 루프 장치 |
US20090282441A1 (en) * | 2008-05-12 | 2009-11-12 | Eliav Zipper | Digital broadcasting filler device |
US8189713B2 (en) * | 2010-01-18 | 2012-05-29 | Micro Mobio Corporation | Matrix power amplifiers for high speed wireless applications |
US8358170B2 (en) | 2010-03-23 | 2013-01-22 | Intersil Americas Inc. | Power amplifier linearization using cancellation-based feed forward methods and systems |
US8331487B2 (en) * | 2010-11-03 | 2012-12-11 | Scintera Networks, Inc. | Analog signal processor for nonlinear predistortion of radio-frequency signals |
JP5666985B2 (ja) | 2011-05-16 | 2015-02-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ダウンコンバータ、ダウンコンバータic、およびダウンコンバータの制御方法 |
KR101214589B1 (ko) * | 2011-11-17 | 2012-12-24 | 한국해양대학교 산학협력단 | 구동회로용 고집적 다운컨버터 |
US8918070B2 (en) * | 2012-05-04 | 2014-12-23 | Analog Devices, Inc. | Frequency tuning for LC circuits |
GB2510917A (en) * | 2013-02-19 | 2014-08-20 | Roke Manor Research | A suppression circuit for suppressing unwanted transmitter output |
JP6265206B2 (ja) * | 2013-03-07 | 2018-01-24 | 日本電気株式会社 | 無線送信装置および無線送信方法 |
CN105324941B (zh) | 2013-05-09 | 2017-08-08 | 加利福尼亚大学董事会 | 用于芯片到芯片连接的差动电流模式低延迟调制及解调 |
US20150042296A1 (en) | 2013-06-28 | 2015-02-12 | Sk Hynix Memory Solutions Inc. | Voltage regulator soft start |
US10224891B2 (en) * | 2013-12-12 | 2019-03-05 | Qorvo Us, Inc. | Radio frequency power amplifier with noise reduction feedback linearization |
US9660600B2 (en) | 2013-12-23 | 2017-05-23 | Skyworks Solutions, Inc. | Dynamic error vector magnitude compensation |
US9520907B2 (en) * | 2014-02-16 | 2016-12-13 | Mediatek Inc. | Methods and apparatus for envelope tracking system |
US9768731B2 (en) * | 2014-07-23 | 2017-09-19 | Eta Devices, Inc. | Linearity and noise improvement for multilevel power amplifier systems using multi-pulse drain transitions |
US9571135B2 (en) * | 2015-03-20 | 2017-02-14 | Intel IP Corporation | Adjusting power amplifier stimuli based on output signals |
EP3278459B1 (en) * | 2015-03-31 | 2019-10-16 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Receiving a plurality of radio frequency bands |
US9929702B2 (en) | 2015-09-14 | 2018-03-27 | Qorvo Us, Inc. | Linearization circuit for a multiple-stage RF power amplifier |
US10090850B2 (en) | 2016-04-12 | 2018-10-02 | Microchip Technology Incorporated | Microcontroller with digital delay line analog-to-digital converter |
TWI583128B (zh) | 2016-10-03 | 2017-05-11 | 降頻混頻器 | |
US10250195B2 (en) * | 2016-11-18 | 2019-04-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Receiver receiving wideband radio frequency signal, wireless communication device including the same, and method of operating the wireless communication device |
CN107579716B (zh) | 2017-09-19 | 2020-08-07 | 中国人民解放军海军工程大学 | 基于模拟对消的线性功率放大器 |
-
2018
- 2018-11-16 TW TW107140923A patent/TWI696344B/zh active
- 2018-12-14 CN CN201811530955.2A patent/CN111200404B/zh active Active
- 2018-12-24 US US16/231,751 patent/US10637415B1/en active Active
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6078216A (en) * | 1998-03-31 | 2000-06-20 | Spectrian Corporation | Aliased wide band performance monitor for adjusting predistortion and vector modulator control parameters of RF amplifier |
US20030109222A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-12 | Agere Systems, Inc. | Group delay precompensator for broadband radio frequency transmitter and method of operating the same |
US20040136470A1 (en) * | 2003-01-15 | 2004-07-15 | Andrew Corporation | Uncorrelated adaptive predistorter |
US20070161356A1 (en) * | 2006-01-12 | 2007-07-12 | Hoon Bryan A | Method and apparatus for improved carrier feed thru rejection for a linear amplifier |
JP2007228493A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Renesas Technology Corp | 通信用半導体集積回路 |
US20080242237A1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-10-02 | Broadcom Corporation, A California Corporation | Antenna system for use within a wireless communication device |
US20080297247A1 (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Sige Semiconductor Inc. | Method and apparatus for distortion correction of RF amplifiers |
CA2720162A1 (en) * | 2008-04-02 | 2009-10-08 | Harris Corporation | Feedforward linearization of rf power amplifiers |
WO2010075645A1 (zh) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种改善射频功率放大器线性度的方法与装置 |
EP2306638A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-06 | Alcatel Lucent | Envelope tracking amplifier arrangement |
CN101807886A (zh) * | 2010-03-26 | 2010-08-18 | 深圳市云海通讯股份有限公司 | 一种射频功率放大装置及其模拟预失真校正方法 |
WO2013175681A1 (ja) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | パナソニック株式会社 | ダイレクトコンバージョン方式の受信機 |
EP2733871A1 (en) * | 2012-11-20 | 2014-05-21 | Tektronix, Inc. | Amplitude flatness and phase linearity calibration for rf sources |
CN103475315A (zh) * | 2013-09-12 | 2013-12-25 | 电子科技大学 | 改善射频功率放大器线性度的方法及装置 |
US20150145604A1 (en) * | 2013-11-26 | 2015-05-28 | Rf Micro Devices, Inc. | High efficiency radio frequency power amplifier circuitry with reduced distortion |
CN105743831A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-07-06 | 数微(福建)通信技术有限公司 | 一种基于WIFI230MHz的射频处理方法 |
CN108768312A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-11-06 | 上海亮牛半导体科技有限公司 | 利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构及方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113922779A (zh) * | 2021-10-14 | 2022-01-11 | 电子科技大学 | 一种基于巴伦结构的负群时延电路及群时延方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202021265A (zh) | 2020-06-01 |
CN111200404B (zh) | 2023-07-11 |
US10637415B1 (en) | 2020-04-28 |
TWI696344B (zh) | 2020-06-11 |
US20200162042A1 (en) | 2020-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6930549B2 (en) | Variable gain amplifier for use in communications | |
US9838047B2 (en) | Radio-frequency transmitter and amplifier | |
US9438186B2 (en) | Power amplifier with envelope injection | |
US7092683B2 (en) | Transmission circuit | |
JPWO2004057768A1 (ja) | 送信回路およびそれを用いた送受信機 | |
JPWO2009101905A1 (ja) | 電力増幅器 | |
US8521104B2 (en) | Amplifier structure and amplification method thereof | |
US7042294B2 (en) | Power amplifier system | |
US10263649B2 (en) | Fully integrated power amplifier employing transformer combiner with enhanced back-off efficiency | |
CN111200404B (zh) | 线性度改善系统及线性度改善方法 | |
US20220182020A1 (en) | Pre-distortion processing device, signal transmission system, and pre-distortion processing method | |
EP2982089B1 (en) | Quadrature power amplifier having increased efficiency | |
TWI390839B (zh) | 功率放大器的失真校正裝置與方法 | |
US9197462B2 (en) | Single amplifier filter for constant group delay in radio frequency transmitters | |
JP2008271172A (ja) | 高効率増幅器 | |
US20040085127A1 (en) | Power amplifying method, power amplifier, and communication apparatus | |
US20090245418A1 (en) | Transmitter using cartesian loop | |
RU149398U1 (ru) | Радиопередающее устройство с цифровым предыскажением и адаптивной коррекцией линейности | |
JP3950369B2 (ja) | 歪補償回路および送信機 | |
CN112703677B (zh) | 信号处理方法及系统 | |
JP2001053631A (ja) | 群遅延補償回路 | |
US9385663B2 (en) | Envelope tracking push-pull or differential power amplifier | |
US11870409B2 (en) | Compact transformer-based notch filter | |
CN107046406B (zh) | 异相放大器 | |
Malekzadeh et al. | Low frequency dithering technique for linearization of current mode class D amplifiers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |