CN111185432B - 代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺 - Google Patents
代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111185432B CN111185432B CN202010039168.9A CN202010039168A CN111185432B CN 111185432 B CN111185432 B CN 111185432B CN 202010039168 A CN202010039168 A CN 202010039168A CN 111185432 B CN111185432 B CN 111185432B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cleaning
- sapphire substrate
- substrate wafer
- wafer
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 183
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 102
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 45
- 239000002253 acid Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims abstract description 61
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 47
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 25
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 claims description 16
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 12
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims description 7
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 claims description 7
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 claims description 7
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 6
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 6
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 5
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N Sodium methoxide Chemical compound [Na+].[O-]C WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 claims description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 4
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 4
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 4
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 claims description 3
- BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxy-1-phosphonoethyl)phosphonic acid Chemical compound OCC(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUJLWPFSUCHPQL-UHFFFAOYSA-N 11-methyldodecan-1-ol Chemical compound CC(C)CCCCCCCCCCO XUJLWPFSUCHPQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims description 2
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002191 fatty alcohols Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 2
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 94
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 16
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 abstract description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005554 pickling Methods 0.000 abstract description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical group [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001804 emulsifying effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
- B08B1/12—Brushes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/04—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by a combination of operations
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B11/00—Machines or apparatus for drying solid materials or objects with movement which is non-progressive
- F26B11/02—Machines or apparatus for drying solid materials or objects with movement which is non-progressive in moving drums or other mainly-closed receptacles
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B3/00—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat
- F26B3/28—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun
- F26B3/30—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun from infrared-emitting elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Microbiology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，包括先用刷洗去除表面大颗粒，再用乳化剂浸泡控制晶片表面的吸附状态，然后用清洗剂去除晶片表面的脏污，再用含有催化剂的臭氧水清洗去除晶片表面的有机物和金属离子，之后使用清洗剂去除催化剂，最后置于异丙醇内去除晶片表面的亚微米颗粒，降低表面金属离子含量和避免水痕缺陷的产生，同时也避免了传统加热干燥过程中产生的静电，保证晶片表面不被二次污染。本发明的清洗工艺在去除了酸洗工艺的同时，能够提高去除有机物、金属污染物和微粒的效率。
Description
技术领域
本发明涉及蓝宝石加工制作技术领域，具体而言涉及一种蓝宝石衬底晶片抛光后的清洗方法。
背景技术
目前，市面上普遍选用蓝宝石作为制作GaN基LED芯片的衬底材料，超高亮度白/蓝光LED的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质，而蓝宝石衬底晶片抛光表面的杂质沾污会严重影响LED的质量和成品率。在目前的LED生产中，绝大多数废品是由于衬底表面污染引起的，而在衬底晶片生产中，几乎每道工序都有清洗问题，因此蓝宝石衬底清洗工艺对蓝宝石衬底的品质影响很大。
目前蓝宝石行业的清洗方式主要有干法和湿法清洗两种，其中，湿法清洗具有诸如，高选择比，低成本，高产能，清洗效果明显等优势而占主导地位。湿法清洗是利用溶剂、各种酸碱、表面活性剂和水的混合物通过腐蚀、溶解等化学反应，结合一定的机械作用以去除镜片表面的沾污物。目前，国内大部分衬底制造厂家在利用湿法清洗衬底晶片时会优先利用硫酸、双氧水去除衬底表面的氧化层，这样虽然可以有效去除衬底表面油脂类等分子较大有机物，但浓硫酸和双氧水使用时化学危险性高，酸性废液、废气处理方式复杂，对环境有一定的危害，但若改用柠檬酸、醋酸等化学危险性小的有机酸或弱酸代替浓硫酸，其清洁效果又不理想。
中国专利申请第201410366227.8号文件提出的一种蓝宝石晶片清洗工艺，是用加热的氢氧化钠溶液超声清洗去油污，再用加热的水基环保清洗机超声清洗去脏污，最后用加热的水基环保清洗机超声清洗去残留，该工艺减少了强酸性、强腐蚀性洗剂的使用，但对于粘附性较强、颗粒越小的污染清洗效果较差。
中国专利申请第201310362912.9号文件提出的一种蓝宝石衬底晶片抛光后的超声清洗方法，使用螯合剂和表面活性剂配制成的混合清洗剂去除颗粒，同时防止二次吸附，再使用电解金刚石膜所得的阳极强氧化液去除有机物，该工艺去除了酸洗工艺，但其去除有机物、金属污染物和微粒的效率有待提高。
发明内容
本发明目的在于针对现有的不足和缺陷，提出了一种代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，在去除了酸洗工艺的同时，能够提高去除去除有机物、金属污染物和微粒的效率。
为实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：
一种代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，包括以下步骤：
步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底晶片装入制程晶周盒，再将制程晶周盒置于纯水槽中；
步骤二：对步骤一中的蓝宝石衬底晶片的表面进行刷洗；
步骤三：将步骤二处理完的蓝宝石衬底晶片传送喷淋；
步骤四：将步骤三处理完的蓝宝石衬底晶片放入乳化池中浸泡；
步骤五：将步骤四处理完的蓝宝石衬底晶片放入第一碱性清洗剂超声清洗槽中，进行超声清洗，所述第一碱性清洗剂的活性成份为有机碱和复合活性剂；
步骤六：将步骤五处理完的蓝宝石衬底晶片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗；
步骤七：将步骤六处理完的蓝宝石衬底晶片放入臭氧水清洗槽中进行清洗；
步骤八：将步骤七处理完的蓝宝石衬底晶片放入第二超纯水清洗槽中进行清洗；
步骤九：将步骤八处理完的蓝宝石衬底晶片放入第二碱性清洗剂超声清洗槽中，进行超声清洗，所述第二碱性清洗剂的活性成份为无机碱、表面活性剂和络合剂；
步骤十：将步骤九处理完的蓝宝石衬底晶片放入第三超纯水清洗槽中进行清洗；
步骤十一：将步骤十处理完的蓝宝石衬底晶片放入异丙醇脱水槽中静置，静置完成后进行慢拉脱水；
步骤十二：将步骤十一处理完的蓝宝石衬底晶片放入成品晶周中，密封保存。
进一步地，所述步骤二中的刷洗，采用PVA毛刷对蓝宝石衬底晶片表面进行刷洗，刷片时间为30-40s，纯水的温度控制在35℃～40℃，优先去除晶片表面的较大颗粒。
进一步地，所述步骤三中的喷淋，使用超纯水对蓝宝石衬底晶片进行喷淋，喷头角度倾斜15-20°，喷淋时间为20-30s。
进一步地，所述步骤四中的乳化池，乳化剂溶液的浓度为0.1～0.2wt％，蓝宝石衬片的浸泡时间为20-30min，有效控制晶片表面的吸附状态、亲水和疏水状态，防止表面颗粒的二次吸附；
所述乳化剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、异十三醇聚氧乙烯醚和月桂醇聚氧乙烯醚中的至少一种。
进一步地，所述步骤五中的第一碱性清洗剂的浓度为10％～20wt％，温度为65±2℃，清洗时间为15-25min，去除晶片表面的脏污；
所述有机碱在清洗剂中所占体积分数为10-15％，所述复合活性剂在清洗剂中所占体积分数为3-5％；
所述有机碱为烷基胺、甲醇钠、丁基锂中的至少一种，所述复合活性剂为聚氧乙基烷基苯基醚、聚氧乙基烷基醚、聚氧乙基脂肪酸醚酯中的至少一种。
进一步地，所述步骤六的第一超纯水清洗槽内的温度为20～30℃，每分钟上下抛动30-50次，清洗时间为15-25min。
进一步地，所述步骤七中的臭氧水采用强激励方法进行现制备，臭氧浓度≥30mg/L，清洗时间为5-10min，所述臭氧水中加入催化剂，有效去除晶片表面的有机物和金属离子。
进一步地，所述催化剂为金属氧化物，金属氧化物的浓度为0.1-1％。
进一步地，所述步骤八的第一超纯水清洗槽内的温度为20～30℃，每分钟上下抛动30-50次，清洗时间为15-25min。
进一步地，所述步骤九中的第二碱性清洗剂的浓度为10％～15wt％，温度为65±5℃，清洗时间为15-25min；
所述无机碱在清洗剂中所占体积分数为15-20％，所述复合活性剂在清洗剂中所占体积分数为3-5％，所述络合剂在清洗剂中所占体积分数为8-10％；
所述无机碱为氢氧化钙、氢氧化钠、氢氧化钾中的至少一种，所述复合活性剂为聚氧乙基烷基苯基醚、聚氧乙基烷基醚、聚氧乙基脂肪酸醚酯中的至少一种，所述络合剂为三乙醇胺、焦磷酸钾、羟基乙叉二膦酸中的至少一种。
进一步地，所述步骤十中的第三超纯水清洗槽内的温度为20～30℃，每分钟上下抛动30-50次，清洗时间为15-25min。
进一步地，所述步骤九中的异丙醇脱水槽，异丙醇的温度为65±2℃，静置时间为10-20min，蓝宝石衬底晶片移动的速度为0.5～2mm/s，能够有效去除晶片表面的亚微米颗粒，降低表面金属离子含量和避免水痕缺陷的产生，同时也避免了传统加热干燥过程中产生的静电，保证晶片表面不被二次污染。
与现有技术相比，本发明的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，先使用PVA毛刷对蓝宝石衬底晶片表面进行刷洗，优先去除晶片表面的较大颗粒，再浸泡在乳化池中对晶片进行预处理，有效控制晶片表面的吸附状态、亲水和疏水状态，防止表面颗粒的二次吸附，接着使用环保的清洗剂去除晶片的脏污，再使用臭氧水去除晶片表面的有机物和金属离子，之后使用清洗剂，通过络合作用去除催化剂，最后使用加热的异丙醇对晶片进行脱水处理，去除晶片表面的亚微米颗粒，降低表面金属离子含量和避免水痕缺陷的产生，同时也避免了传统加热干燥过程中产生的静电，保证晶片表面不被二次污染。
有益效果在于：
1、无强酸成分，环保无污染，同时也就取消了废酸的处理的复杂步骤，人员操作安全性更高。
2、所用臭氧水为现制备，在制备后的1-5min内投入使用，臭氧的分解率低，防止了臭氧因容易分解成氧气造成其氧化性能降低甚至失效，采用强激励方法把O3溶于水形成高浓度臭氧水，制备过程安全有效。
3、臭氧的氧化还原电势比硫酸，盐酸及双氧水都高，因此去除有机物、金属污染物及微粒的效率更高，从而降低了晶片的清洗难度，增强了清洗的效果，提高了晶片表面洁净度；另外，在臭氧水中增加了金属氧化物，通过金属氧化物催化臭氧，进一步提高了臭氧的氧化性，通过催化剂催化的臭氧水对晶片的清洗，晶片的表面洁净度更高，其表面脏污数量低于业内要求的200以内，达到或超过业内要求水准，且清洗效率可高达98％以上。
4、通过第二碱性清洗剂中的络合剂将作为催化剂的金属氧化物中的金属离子络合，生成可溶于水的物质，同时无机碱和复合活性剂起到辅助巩固的效果，协同作用，是催化剂在发挥作用的同时，避免了催化剂对晶片的二次污染。
5、去除酸洗工艺的同时减少了清洗设备的种类，节约了清洗时间，提高了工业化生产能力。
具体实施方式
为了更了解本发明的技术内容，特举具体实施例说明如下。
本公开的实施例不必定意在包括本发明的所有方面。应当理解，上面介绍的多种构思和实施例，以及下面更加详细地描述的那些构思和实施方式可以以很多方式中任意一种来实施。
本实施例中的第一碱性清洗剂优选为山之风win-27，第二碱性清洗剂优选为三达奥克的VS7000，乳化剂优选为脂肪醇聚氧乙烯醚，臭氧水使用臭氧产生装置现制备，并在制备后的2min内投入使用，采用强激励方法把O3溶于水形成高浓度臭氧水，臭氧水中加入的催化剂优选为氧化亚铁。
实施例1：
一种代替蓝宝石衬底片酸洗的清洗工艺，其清洗工艺如下：
步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底片装入制程晶周盒，置制程晶周盒于纯水槽中；
步骤二：使用PVA毛刷对蓝宝石衬底表面进行刷洗，纯水温度为35℃，刷片时间为30s；
步骤三：传送喷淋；将喷头角度倾斜15°，利用超纯水对蓝宝石衬底片表面进行喷淋导流，停留时间为20s；
步骤四：将淋洗好的衬底片放入乳化剂中，乳化剂浓度为0.1wt％，浸泡时间为30min；
步骤五：将浸泡好的晶片放置到第一碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为10％，清洗时间为25min，清洗剂清洗槽内温度为67℃；
步骤六：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为15min，每分钟上下抛动50次，第一超纯水清洗槽内的温度为30℃；
步骤七：将衬底片放入臭氧水清洗槽中进行清洗，臭氧水浓度为30mg/L，催化剂的浓度为0.1％，清洗时间为10min；
步骤八：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第二超纯水超声清洗槽中进行清洗，清洗时间为15min，每分钟上下抛动50次，第二超纯水清洗槽内的温度为30℃；
步骤九：将浸泡好的晶片放置到第二碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为15％，清洗时间为15min，清洗剂清洗槽内温度为70℃；
步骤十：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第三超纯水超声清洗槽中进行清洗，清洗时间为15min，每分钟上下抛动50次，第二超纯水清洗槽内的温度为30℃；
步骤十一：将清洗后蓝宝石衬底片放入加热过的异丙醇中静置，异丙醇加热温度为63℃，静置时间为20min，20min钟到后用慢拉手臂将晶片缓慢提升，手臂提拉速度为0.5mm/s。
实施例2：
一种代替蓝宝石衬底片酸洗的清洗工艺，其清洗工艺如下：
步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底片装入制程晶周盒，置制程晶周盒于纯水槽中；
步骤二：使用PVA毛刷对蓝宝石衬底表面进行刷洗，纯水温度为40℃，刷片时间为40s；
步骤三：传送喷淋；将喷头角度倾斜15°，利用超纯水对蓝宝石衬底片表面进行喷淋导流，停留时间为20s；
步骤四：将淋洗好的衬底片放入乳化剂中，乳化剂浓度为0.2wt％，浸泡时间为20min，；
步骤五：将浸泡好的晶片放置到第一碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为20wt％，清洗时间为15min，清洗剂清洗槽内温度为63℃；
步骤六：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为25min，每分钟上下抛动30次，第一超纯水清洗槽内的温度为20℃；
步骤七：将衬底片放入臭氧水清洗槽中进行清洗，臭氧水浓度为34mg/L，催化剂的浓度为1％，清洗时间为5min；
步骤八：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第二超纯水超声清洗槽中进行清洗，清洗时间为25min，每分钟上下抛动30次，第二超纯水清洗槽内的温度为20℃；
步骤九：将浸泡好的晶片放置到第二碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为10％，清洗时间为25min，清洗剂清洗槽内温度为60℃；
步骤十：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第三超纯水超声清洗槽中进行清洗，清洗时间为25min，每分钟上下抛动30次，第二超纯水清洗槽内的温度为20℃；
步骤十一：将清洗后蓝宝石衬底片放入加热过的异丙醇中静置，异丙醇加热温度为67℃，静置时间为10min，10min钟到后用慢拉手臂将晶片缓慢提升，手臂提拉速度为2mm/s。
实施例3：
一种代替蓝宝石衬底片酸洗的清洗工艺，其清洗工艺如下：
步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底片装入制程晶周盒，置制程晶周盒于纯水槽中；
步骤二：使用PVA毛刷对蓝宝石衬底表面进行刷洗，纯水温度为35℃，刷片时间为35s；
步骤三：传送喷淋；将喷头角度倾斜15°，利用超纯水对蓝宝石衬底片表面进行喷淋导流，停留时间为20s；
步骤四：将淋洗好的衬底片放入乳化剂中，乳化剂浓度为0.15wt％，浸泡时间为25min，；
步骤五：将浸泡好的晶片放置到第一碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为15wt％，清洗时间为20min，清洗剂清洗槽内温度为65℃；
步骤六：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为20min，每分钟上下抛动40次，第一超纯水清洗槽内的温度为25℃；
步骤七：将衬底片放入臭氧水清洗槽中进行清洗，臭氧水浓度为32mg/L，催化剂的浓度为0.5％，清洗时间为8min；
步骤八：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第二超纯水超声清洗槽中进行清洗，清洗时间为20min，每分钟上下抛动40次，第二超纯水清洗槽内的温度为25℃；
步骤九：将浸泡好的晶片放置到第二碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为12％，清洗时间为20min，清洗剂清洗槽内温度为65℃；
步骤十：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第三超纯水超声清洗槽中进行清洗，清洗时间为20min，每分钟上下抛动40次，第二超纯水清洗槽内的温度为25℃；
步骤十一：将清洗后蓝宝石衬底片放入加热过的异丙醇中静置，异丙醇加热温度为65℃，静置时间为15min，15min钟到后用慢拉手臂将晶片缓慢提升，手臂提拉速度为1.3mm/s。
对比例1：
步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底片装入制程晶周盒，置制程晶周盒于纯水槽中；
步骤二：将晶片放置到SM007酸槽进行浸泡，浓度为20％，温度为25℃，浸泡时间为1h；
步骤三：将浸泡好的晶片放置到KOH碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为10wt％，清洗时间为15min，清洗剂清洗槽内温度为60℃；
步骤四：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为15min，每分钟上下抛动30次，第一超纯水清洗槽内的温度为20℃；
步骤五：将浸泡好的晶片放置到奥首APVS3002碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为20wt％，清洗时间为15min，清洗剂清洗槽内温度为60℃；
步骤六：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第二超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为15min，每分钟上下抛动30次，第二超纯水清洗槽温度为20℃
步骤七：将衬底片放入SPM槽中清洗，槽中溶液为硫酸和双氧水混合溶液，硫酸比例为70％，双氧水比例为15％，温度为140℃，时间为20min；
步骤八：将酸洗好的晶片，使用PVA毛刷进行刷洗，纯水温度为30℃，刷片时间为25s；
步骤九：将刷洗好的晶片使用旋干机进行旋干。
对比例2：
步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底片装入制程晶周盒，置制程晶周盒于纯水槽中；
步骤二：将晶片放置到SM007酸槽进行浸泡，浓度为10％，温度为25℃，浸泡时间为2h；
步骤三：将浸泡好的晶片放置到KOH碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为5wt％，清洗时间为25min，清洗剂清洗槽内温度为65℃；
步骤四：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为25min，每分钟上下抛动40次，第一超纯水清洗槽内的温度为25℃；
步骤五：将浸泡好的晶片放置到奥首APVS3002碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为10wt％，清洗时间为25min，清洗剂清洗槽内温度为70℃；
步骤六：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第二超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为25min，每分钟上下抛动40次，第二超纯水清洗槽温度为25℃
步骤七：将衬底片放入SPM槽中清洗，槽中溶液为硫酸和双氧水混合溶液，硫酸比例为80％，双氧水比例为10％，温度为120℃，时间为15min；
步骤八：将酸洗好的晶片，使用PVA毛刷进行刷洗，纯水温度为25℃，刷片时间为35s；
步骤九：将刷洗好的晶片使用旋干机进行旋干。
【清洗后的蓝宝石衬底晶片检测】
对通过实施例1-3及对比例1-2清洗出来的蓝宝石衬底晶片进行检测，使用Candela检测设备检验其表面脏污，通过AFM测试其表面粗糙度，其结果如下表所示：
| 表面脏污颗粒数量/颗 | 表面粗糙度/nm | |
| 实施例1 | 45 | 0.142 |
| 实施例2 | 38 | 0.135 |
| 实施例3 | 41 | 0.137 |
| 对比例1 | 95 | 0.184 |
| 对比例2 | 112 | 0.203 |
通过本发明的清洗工艺，清洗后的蓝宝石衬底晶片表面脏污颗粒数量均值在38-45之间，远远超过业内要求的200颗以内的要求，其且表面粗糙度在0.135-0.142nm之间，晶片的表面脏污颗粒数量及表面粗糙度均比传统的酸洗工艺清洗出来的晶片好。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
Claims (12)
1.一种代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于，包括以下
步骤：
步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底晶片装入制程晶周盒，再将制程晶周盒置于纯水槽中；
步骤二：对步骤一中的蓝宝石衬底晶片的表面进行刷洗；
步骤三：将步骤二处理完的蓝宝石衬底晶片传送喷淋；
步骤四：将步骤三处理完的蓝宝石衬底晶片放入乳化池中浸泡；
步骤五：将步骤四处理完的蓝宝石衬底晶片放入第一碱性清洗剂超声清洗槽
中，进行超声清洗，所述第一碱性清洗剂的活性成份为有机碱和复合活性剂；
步骤六：将步骤五处理完的蓝宝石衬底晶片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗；
步骤七：将步骤六处理完的蓝宝石衬底晶片放入现制备的臭氧水中进行清洗；
步骤八：将步骤七处理完的蓝宝石衬底晶片放入第二超纯水清洗槽中进行清洗；
步骤九：将步骤八处理完的蓝宝石衬底晶片放入第二碱性清洗剂超声清洗槽
中，进行超声清洗，所述第二碱性清洗剂的活性成份为无机碱、复合活性剂和络合剂；
步骤十：将步骤九处理完的蓝宝石衬底晶片放入第三超纯水清洗槽中进行清洗；
步骤十一：将步骤十处理完的蓝宝石衬底晶片放入异丙醇脱水槽中静置，静置完成后进行慢拉脱水；
步骤十二：将步骤十一处理完的蓝宝石衬底晶片放入成品晶周盒中，密封保存。
2.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤二中的刷洗，刷片时间为30-40s，纯水的温度控制在35°C~40°C。
3.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤三中的喷淋，使用超纯水对蓝宝石衬底晶片进行喷淋，喷头角度倾斜15-20°，喷淋时间为20-30s。
4.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤四中的乳化池，乳化剂溶液的浓度为0.1~0.2wt%，蓝宝石衬底晶片的浸泡时间为20-30min；
所述乳化剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、异十三醇聚氧乙烯醚和月桂醇聚氧乙烯醚中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤五中的第一碱性清洗剂的浓度为10~20wt%，温度为65±2℃，清洗时间为15-25min；
所述有机碱在清洗剂中所占体积分数为10-15%，所述复合活性剂在清洗剂中所占体积分数为3-5%；
所述有机碱为烷基胺、甲醇钠、丁基锂中的至少一种，所述复合活性剂为聚氧乙基烷基苯基醚、聚氧乙基烷基醚、聚氧乙基脂肪酸醚酯中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤六的第一超纯水清洗槽内的温度为20~30℃，每分钟上下抛动30-50次，清洗时间为15-25min。
7.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤七中的臭氧水采用强激励方法进行现制备，所述臭氧水在制备后的1-5min内投入使用，臭氧浓度≥30mg/L，清洗时间为5-10min，所述臭氧水中加入催化剂。
8.根据权利要求7所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述催化剂为金属氧化物，金属氧化物的浓度为0.1-1wt%。
9.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤八的第二超纯水清洗槽内的温度为20~30℃，每分钟上下抛动30-50次，清洗时间为15-25min。
10.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤九中的第二碱性清洗剂的浓度为10~15wt%，温度为65±5℃，清洗时间为15-25min；
所述无机碱在清洗剂中所占体积分数为15-20%，所述复合活性剂在清洗剂中所占体积分数为3-5%，所述络合剂在清洗剂中所占体积分数为8-10%；
所述无机碱为氢氧化钙、氢氧化钠、氢氧化钾中的至少一种，所述复合活性剂为聚氧乙基烷基苯基醚、聚氧乙基烷基醚、聚氧乙基脂肪酸醚酯中的至少一种，所述络合剂为三乙醇胺、焦磷酸钾、羟基乙叉二膦酸中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤十中的第三超纯水清洗槽内的温度为20~30℃，每分钟上下抛动30-50次，清洗时间为15-25min。
12.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤十一中的异丙醇脱水槽，异丙醇的温度为65±2℃，静置时间为10-20min，蓝宝石衬底晶片移动的速度为0.5~2mm/s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010039168.9A CN111185432B (zh) | 2020-01-14 | 2020-01-14 | 代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010039168.9A CN111185432B (zh) | 2020-01-14 | 2020-01-14 | 代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111185432A CN111185432A (zh) | 2020-05-22 |
| CN111185432B true CN111185432B (zh) | 2021-03-19 |
Family
ID=70685028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010039168.9A Active CN111185432B (zh) | 2020-01-14 | 2020-01-14 | 代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111185432B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112259444A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-01-22 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种高疏水性超薄晶圆清洗方法 |
| CN114472341B (zh) * | 2022-04-19 | 2022-07-08 | 天通控股股份有限公司 | 一种铌酸锂单面抛光片的清洗方法 |
| CN114769199A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-07-22 | 福建北电新材料科技有限公司 | 晶片清洗方法和装置 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102094209A (zh) * | 2009-12-14 | 2011-06-15 | 徐冰 | 一种表面处理清洗液 |
| CN102632055A (zh) * | 2012-03-31 | 2012-08-15 | 江苏鑫和泰光电科技有限公司 | 一种蓝宝石衬底的清洗方法 |
| CN103111434A (zh) * | 2013-01-15 | 2013-05-22 | 安徽康蓝光电股份有限公司 | 一种蓝宝石加工最终清洗工艺 |
| CN103343060A (zh) * | 2013-07-17 | 2013-10-09 | 常熟奥首光电材料有限公司 | 一种蓝宝石衬底晶片清洗液、制备方法、用途和清洗方法 |
| CN104259132A (zh) * | 2014-07-29 | 2015-01-07 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种蓝宝石晶片清洗工艺 |
| CN106391548A (zh) * | 2016-09-23 | 2017-02-15 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种蓝宝石窗口片碱性清洗工艺 |
| CN108340290A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-07-31 | 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 | 一种蓝宝石碎晶清洗方法及装置 |
| CN109092801A (zh) * | 2017-06-20 | 2018-12-28 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种蓝宝石晶片的清洗方法及其采用的设备 |
| CN109821810A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-31 | 江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司 | 一种蓝宝石衬底片成品清洗工艺 |
| CN209465445U (zh) * | 2018-12-19 | 2019-10-08 | 武汉正源高理光学有限公司 | 蓝宝石清洗治具 |
| CN110586568A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-20 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种用于蓝宝石衬底片碳化硼研磨后的清洗方法 |
-
2020
- 2020-01-14 CN CN202010039168.9A patent/CN111185432B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102094209A (zh) * | 2009-12-14 | 2011-06-15 | 徐冰 | 一种表面处理清洗液 |
| CN102632055A (zh) * | 2012-03-31 | 2012-08-15 | 江苏鑫和泰光电科技有限公司 | 一种蓝宝石衬底的清洗方法 |
| CN103111434A (zh) * | 2013-01-15 | 2013-05-22 | 安徽康蓝光电股份有限公司 | 一种蓝宝石加工最终清洗工艺 |
| CN103343060A (zh) * | 2013-07-17 | 2013-10-09 | 常熟奥首光电材料有限公司 | 一种蓝宝石衬底晶片清洗液、制备方法、用途和清洗方法 |
| CN104259132A (zh) * | 2014-07-29 | 2015-01-07 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种蓝宝石晶片清洗工艺 |
| CN106391548A (zh) * | 2016-09-23 | 2017-02-15 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种蓝宝石窗口片碱性清洗工艺 |
| CN109092801A (zh) * | 2017-06-20 | 2018-12-28 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种蓝宝石晶片的清洗方法及其采用的设备 |
| CN108340290A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-07-31 | 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 | 一种蓝宝石碎晶清洗方法及装置 |
| CN209465445U (zh) * | 2018-12-19 | 2019-10-08 | 武汉正源高理光学有限公司 | 蓝宝石清洗治具 |
| CN109821810A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-31 | 江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司 | 一种蓝宝石衬底片成品清洗工艺 |
| CN110586568A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-20 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种用于蓝宝石衬底片碳化硼研磨后的清洗方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111185432A (zh) | 2020-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111185432B (zh) | 代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺 | |
| US7578890B2 (en) | Method for removing contaminants from silicon wafer surface | |
| JPH0278467A (ja) | ケイ素ウェファー表面の保護方法 | |
| CN102294332A (zh) | 金刚石线切割硅晶片的清洗方法 | |
| JP4744228B2 (ja) | 半導体基板洗浄液及び半導体基板洗浄方法 | |
| CN113675073B (zh) | 一种晶片的清洗方法 | |
| CN105280477A (zh) | 一种蓝宝石晶片的清洗工艺 | |
| CN106000977A (zh) | 一种砷化镓单晶片清洗的方法 | |
| CN110828299A (zh) | 一种制绒清洗方法及异质结电池 | |
| CN103521474B (zh) | 一种以抛代洗的蓝宝石衬底材料表面洁净方法 | |
| CN113736580A (zh) | 一种用于硅片清洗抛光的混酸清洗液及抛光硅片清洗方法 | |
| CN1866466A (zh) | 利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法 | |
| CN112928017A (zh) | 有效去除硅片表面金属的清洗方法 | |
| CN108649098A (zh) | 一种硅片单面刻蚀抛光的方法 | |
| CN112608799B (zh) | 一种单晶硅片清洗剂及其应用 | |
| CN111185433B (zh) | 可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺 | |
| CN114836274B (zh) | 一种双组份硅片清洗剂及清洗方法 | |
| CN111554564B (zh) | 一种清除硅片表面污染杂质的方法 | |
| KR100433961B1 (ko) | 반도체 기판용 세정 수용액 | |
| CN108641826A (zh) | 一种涡轮油泥清除剂及涡轮冲洗液 | |
| CN108690747A (zh) | 一种光伏片清洗剂 | |
| CN112143573B (zh) | 硅片碱抛后清洗用添加剂及其应用 | |
| JP2015233116A (ja) | シリコンウエーハの表面処理組成物 | |
| CN111154565A (zh) | 一种硅料清洗剂 | |
| CN111286774A (zh) | 一种金属微弧氧化前处理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240319 Address after: 364105 Yongding Industrial Park, Gaopo Town, Yongding District, Longyan City, Fujian Province Patentee after: FUJIAN ZOOMKING TECHNOLOGY CO.,LTD. Country or region after: Zhong Guo Address before: 8 Feiyue Road, Shanghuang science and Technology Pioneer Park, Liyang City, Changzhou City, Jiangsu Province 213300 Patentee before: Jiangsu Jingjing Photoelectric Technology Co.,Ltd. Country or region before: Zhong Guo |