CN111183396B - 用于确定辐射的束的对齐属性的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种确定由辐射源发射的辐射的照射束的一个或多个对齐属性的方法和一种用于在确定由辐射源发射的辐射的照射束的一个或多个对齐属性中使用的装置。所述照射束用于辐照量测装置中的衬底上的目标区域。方法包括：(a)获得第一组强度数据；(b)获得第二组强度数据；(c)处理上述第一组强度数据和上述第二组强度数据以确定上述辐射的照射束的上述一个或多个对齐属性；其中所述处理包含将所述第一组强度数据与所述第二组强度数据进行比较以计算指示所述辐射的照射束的平移的值。

Description

用于确定辐射的束的对齐属性的方法和装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年10月3日提交的欧洲申请17194483.8的优先权，并且其通过引用整体并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种辐射束诊断工具和方法，其可以被并入光刻装置中。
背景技术
光刻装置是被构造为将期望图案应用到衬底上的机器。光刻装置可以例如被使用在对集成电路(IC)的制造中。光刻装置可以例如将在图案化设备(例如，掩模)处的图案(也通常称为“设计布局”或“设计”)投影到提供在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(阻剂)的层上。
为了将图案投影在衬底上，光刻装置可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以被形成在衬底上的特征的最小尺寸。当前使用中的典型波长是365nm(i-line)、248nm、193nm以及13.5nm。使用具有在范围4-20nm内(例如，6.7nm或13.5nm)的波长的源紫外(EUV)辐射的光刻装置可以用于将比使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻装置使用的更小的特征形成在衬底上。
低k1光刻可以用于处理具有小于光刻装置的经典分辨率限制的尺寸的特征。在这样的过程中，分辨率公式可以被表示为CD＝k1×λ/NA，其中，λ是采用的辐射的波长，NA是光刻装置中的投影光学器件的数值孔径，CD是“关键尺寸”(一般是打印的最小特征尺寸，但是在这种情况下为半个间距)，并且k1是经验分辨率因子。一般，k1越小，在衬底上再生类似由电路设计者规划的形状和尺寸的图案以便实现特定的电气功能和性能变得更困难。为了克服这些困难，复杂的微调步骤可以被应用到光刻投影装置和/或设计布局。这些包括例如但不限于NA的优化、定制的照射方案、对相移图案化设备的使用、设计布局的各种优化(诸如设计布局中的光学邻近效应校正(OPC，有时还被称为“光学和处理校正”)、或一般限定为“分辨率增强技术”(RET)的其他方法。备选地，用于控制光刻装置的稳定性的严密控制环可以用于改善以低k1对图案的再生。
在光刻过程中，期望进行对创建的结构的频繁测量，例如以进行过程控制和验证。进行这样的测量的工具通常被称作量测装置MT。用于进行这样的测量的不同类型的量测装置MT是已知的，包括扫描电子显微镜或各种形式的散射仪量测装置MT。
最近，各种形式的光学工具或散射仪已经被开发用于在光刻领域中使用。这些设备将辐射的束指引到目标上并测量散射的辐射的一个或多个属性，例如，作为波长的函数的在单个反射角处的强度；作为反射角的在一个或多个波长处的强度；或者作为反射角的偏振，以获得可以根据其确定目标的感兴趣属性的测量信号。
已知的检查技术采用可见光或紫外波段内(例如，大于200nm)的辐射。这限制能够被测量的最小特征，使得技术不再能够测量在现代光刻过程中制作的最小特征。为了允许对较小结构的测量，已经提出了使用类似于例如在EUV光刻中使用的远紫外(EUV)波长的较短波长的辐射。这样的波长可以例如在1至100nm的范围内或者在1至125nm的范围内。该波长范围的部分或全部也可以被称为软x射线(SXR)波长。一些作者可以使用SXR来指代较窄波长范围，例如在1-10nm或10-20nm的范围内。为了本文中公开的方法和装置的目的，这些术语SXR和EUV将被使用而不暗示任何严格区别。也可以使用例如在0.1-1nm范围内的更硬x射线的计量学。
对于SXR量测，在高次谐波生成(HHG)的原理上工作的源可以被使用。高功率脉冲IR驱动激光器被聚焦在气体喷嘴中，其中功率的小部分被转换到更短波长。所生成的波长遵循奇谐波阶：
Figure BDA0002437457610000031
Figure BDA0002437457610000032
其中，n是奇数。
源随后在光学照射系统中被缩小并且被聚焦在晶片上的目标上。焦点可以未填充满目标。由于目标很小，所以这从静态视角(光斑需要小)和动态视角(光斑需要静止不动)两者来说都是具有挑战性的。小源定位错误将导致光斑到目标移位并导致错误的测量结果。
入射在量测装置的检测器上的SXR光斑的尺寸是小的，通常大约为一些检测器像素。这导致关于源的角度稳定性的严格要求：源的小射束指向错误导致在远场检测器上的SXR光斑位置的变化。可能期望的是，在源位置处具有小至几μrad(微弧度)的角度稳定性。
用于使源定位稳定的先前方法包含在IR驱动激光器上的计量学。然而，这是间接测量并且SXR的源定位和射束指向很可能遭受气体喷嘴中的不稳定性(强度变化、湍流、等离子)，导致未由IR上的诊断捕获的波动。
发明内容
本发明的目标是消除或缓解由于源位置波动而引起的光斑相对于目标的位置波动和/或由于源束指向波动而引起的谐波光斑在远场检测器上的位置波动。
本发明可以提供一种确定由辐射源发射的辐射的照射束的一个或多个对齐属性的方法，其中上述照射束用于辐照量测装置中的衬底上的目标区域，上述方法包括：
(a)获得表示参考测量结果的第一组强度数据，上述第一组强度数据表示源自上述辐射的照射束的辐射的第一束到第一像素化传感器上的投影；
(b)获得表示源自上述辐射的照射束的辐射的第二束到上述第一像素化传感器或第二像素化传感器上的投影的第二组强度数据；
(c)处理上述第一组强度数据和上述第二组强度数据以确定上述辐射的照射束的上述一个或多个对齐属性；
其中上述处理包含将上述第一组强度数据与上述第二组强度数据进行比较，以计算指示上述辐射的照射束的对齐属性的变化的信号值。
在一个实施例中，上述第二组强度数据表示辐射的上述第二束到上述第二像素化传感器上的上述投影，并且步骤(a)和(b)被同时执行。
在一个实施例中，上述第二组强度数据表示辐射的上述第二束到上述第一像素化传感器上的上述投影，并且步骤(a)和(b)在时间上顺序地执行。
在一个实施例中，上述第二束的上述投影相对于上述第一束的上述投影在位置上相差一距离；并且
上述处理包含将上述第一组强度数据与上述第二组强度数据进行比较，以计算指示上述距离的值。
在一个实施例中，上述距离小于上述第一像素化传感器或上述第二像素化传感器的像素的大小。
在一个实施例中，处理的上述步骤包括：
从上述第一组强度数据减去上述第二组强度数据，以获得差异矩阵；
计算上述第一组强度数据的强度的梯度以获得第一梯度矩阵；
执行对上述差异矩阵与上述第一梯度矩阵的逐元素相乘以获得第一信号矩阵；以及
对上述第一信号矩阵的元素求和以获得指示上述第二射束的上述投影沿着第一轴到上述第一像素化传感器或上述第二像素化传感器的平面中的第一坐标的平移的第一信号值。
方法可以还包括根据工具配置来执行在上述第一坐标上的坐标变换以获得第一源坐标，其中上述第一源坐标限定上述辐射源的位置。
方法可以还包括计算上述第一组强度数据的强度的第二梯度以获得第二梯度矩阵；
执行对上述差异矩阵与上述第二梯度矩阵的逐元素相乘以获得第二信号矩阵；以及
对上述第二信号矩阵的元素求和以获得指示上述第二射束的上述投影沿着第二轴到上述第一像素化传感器或上述第二像素化传感器的平面中的第二坐标的平移的第二信号值。
在一个实施例中，上述第一轴实质上垂直于上述第二轴。
上述方法可以还包括根据工具配置来执行在上述第二坐标上的坐标变换以获得第二源坐标，其中上述第二源坐标限定上述辐射源的位置。
在一个实施例中，获得强度数据的上述步骤包括检测通过第一周期性结构衍射的辐射的束。
在一个实施例中，上述第一周期性结构被布置为将辐射衍射到至少第一正衍射级和第一负衍射级中，并且辐射的上述第一束包括衍射到上述第一正衍射级中的上述辐射，并且辐射的上述第二束包括衍射到上述第一负衍射级中的上述辐射。
在一个实施例中，上述第一周期性结构被布置为将辐射衍射到第二衍射级中，并且上述第一组强度数据和上述第二组强度数据通过检测衍射到上述第二衍射级中的辐射来获得。
在一个实施例中，上述第一像素化传感器在上述第一周期性结构的远场中。
在一个实施例中，上述第二像素化传感器在上述第一周期性结构的远场中。
在一个实施例中，上述辐射源是高次谐波生成(HHG)源，并且上述辐射的照射束包括多个辐射谐波。
在一个实施例中，上述辐射源是衬底上的目标区域，并且由上述辐射源发射的辐射是由上述目标区域反射的辐射。
在一个实施例中，上述目标区域包括形成在上述衬底上的衬底周期性结构，并且由上述辐射源发射的辐射是由上述衬底周期性结构衍射的辐射。
在一个实施例中，上述辐射的照射束是由上述衬底周期性结构衍射到零衍射级中的辐射的束。
在一个实施例中，上述一个或多个对齐属性包括上述辐射的照射束的位置。
在一个实施例中，上述一个或多个对齐属性包括来自上述辐射的照射束的上述辐射源的传播方向。
在一个实施例中，辐射的上述第一束和辐射的上述第二束包括形成辐射源发射光谱的部分而非全部的波长。
在一个实施例中：
步骤(a)还包括获得一个或多个另外的第一组强度数据，其中，上述另外的第一组中的每个表示包括形成上述辐射源发射光谱的部分而非全部的其他波长的辐射的束；
步骤(b)还包括获得一个或多个相应的另外的第二组强度数据，其中，上述相应的另外的第二组表示上述其他波长；并且
步骤(c)还包括通过将上述第一组强度数据与相应的第二组强度数据进行比较来处理上述另外的第一组强度数据和上述相应的另外的第二组强度数据以确定与上述其他波长相关的一个或多个另外的对齐属性。
在一个实施例中，上述波长和上述其他波长包括上述辐射源发射光谱中的不同辐射谐波。
方法可以包括将上述一个或多个另外的对齐属性进行组合以获得一个或多个组合的对齐属性。
本发明还提供了一种使辐射的照射束稳定的方法，上述方法包括：
根据任一前述权利要求上述的确定上述辐射的照射束的一个或多个对齐属性；以及
使用上述一个或多个对齐属性来控制上述辐射源以便将上述对齐属性中的至少一个的值调节到上述至少一个对齐属性的目标值。
使辐射的照射束稳定的上述方法可以包括：
根据任一前述权利要求上述的方法来确定上述辐射的照射束的一个或多个对齐属性，其中，上述一个或多个对齐属性包括来自上述辐射的照射束的位置；以及
使用所确定的位置来控制上述辐射源以便将上述辐射的照射束的上述位置调节到目标位置。
使辐射的照射束稳定的上述方法可以包括：
根据任一前述权利要求上述的确定上述辐射的照射束的一个或多个对齐属性，其中上述一个或多个对齐属性包括来自上述辐射的照射束的上述辐射源的传播方向；以及
使用所确定的传播方向来控制上述辐射源以便将上述辐射的照射束的上述传播方向调节到目标传播方向。
使用的上述步骤可以包括将闭环反馈提供到控制系统。
本发明还提供了一种用于在确定衬底上的结构的属性并且确定由辐射源发射的辐射的照射束的一个或多个对齐属性中使用的量测装置，上述装置包括：
辐照系统，用于生成上述辐射的照射束；
衬底支撑件，能够与上述辐照系统一起操作。以辐照形成在由上述衬底支撑件保持的上述衬底的目标区域上的周期性结构；
镜面检测分支检测器，其用于检测由上述周期性结构衍射的辐射的光谱；以及
一个或多个处理器，被配置为：
获得表示参考测量结果的第一组强度数据，上述第一组强度数据表示源自上述辐射的照射束的辐射的第一束到第一像素化传感器上的投影；
获得第二组强度数据，上述第二组强度数据表示源自上述辐射的照射束的辐射的第二束到上述第一像素化传感器或第二像素化传感器上的投影；并且
处理上述第一组强度数据和上述第二组强度数据以确定上述辐射的照射束的上述一个或多个对齐属性；
其中上述处理包含将上述第一组强度数据与上述第二组强度数据进行比较以计算指示上述辐射的照射束的对齐属性的变化的值。
装置可以还包括用于检测上述周期性结构上游的上述辐射的照射束的参考辐射光谱的参考检测器。
在一个实施例中，上述结构的上述属性是根据上述辐射光谱和上述参考辐射光谱来确定的。
在一个实施例中，上述镜面检测分支检测器包括上述第一像素化传感器。
在一个实施例中，上述参考检测器包括上述第一像素化传感器。
装置可以还包括控制系统，上述控制系统被配置为控制上述辐照系统和上述衬底支撑件中的至少一个，以便将上述对齐属性中的至少一个的值调节到上述至少一个对齐属性的目标值。
在一个实施例中，上述一个或多个处理器被配置为执行以上描述的方法中的任何方法。
本发明还提供了一种光刻单元，包括如以上所描述的量测装置。
本发明还提供了一种计算机程序产品，包括具有指令记录在其上的非瞬态计算机可读介质，上述指令当由计算机运行时实施以上描述的方法中的任何方法。
现在将参考附图仅通过举例的方式来描述本发明的优选实施例。
附图说明
现在将参考随附示意性附图仅通过举例的方式来描述本发明的实施例，在随附示意性附图中：
-图1描绘了量测装置的一部分的示意性概览；
-图2描绘了用于确定一个或多个对齐属性的方法的实施例的步骤的流程图；
-图3描绘了辐射的束到传感器上的投影；
-图4a描绘了辐射的束在像素化传感器上的投影；
-图4b描绘了偏移的辐射的束在像素化传感器上的投影；
-图5描绘了差异矩阵；
-图6描绘了梯度矩阵；
-图7描绘了信号矩阵；
-图8描绘了具有针对像素X绘制的信号Sx的曲线图；
-图9描绘了来自参考光栅的锥形衍射；
-图10描绘了具有近场检测器和远场检测器的参考分支的部分；
-图11描绘了具有HHG源的量测装置的部分；
-图12描绘了光刻装置的示意性概览；
-图13描绘了光刻单元的示意性概览；
-图14描绘了整体光刻的示意性表示，整体光刻表示三种关键技术之间的协作以优化半导体制造；并且
-图15示意性地描绘了示例计算机系统，实施例可以被实施在该示例计算机系统种。
具体实施方式
图1示出了可以被使用在实施例中的量测装置2(或检查装置2)的部分。辐照系统4(例如，HHG源)提供源3，其提供包含具有一定频谱的辐射的辐射的照射束6。可以在计量学系统2中使用的HHG源被描述在于2016年11月11日提交的EP16198346.5和具有2016年4月28日的优先权日的PCT/EP2017/058771中，并且这些申请的内容通过引用并入本文中。在辐照系统4是HHG源的情况下，发射光谱包括在气体喷嘴中生成的IR驱动激光器的频率的奇次谐波。奇次谐波可以是软X射线(SXR)和/或远紫外(EUV)辐射。如果术语软X射线(SXR)被使用在本文中，那么人们还可以理解远紫外(EUV)辐射或者人们可以理解软X射线(SXR)和远紫外(EUV)的组合。IR驱动频率可以使用滤波器(未描绘)来滤波，使得辐射的照射束6仅仅包括奇次谐波6。反射镜5将辐射的照射束6反射朝向衍射光栅8，其在本文中被称为参考光栅。参考光栅8(其可以被认为是第一周期性结构)衍射入射辐射的束6。射束被衍射到在不同衍射角度的多个衍射级。由包括像素化传感器的参考检测器10捕获衍射到高(>0)衍射级的辐射的束。参考光栅8和参考检测器10可以被称为在参考检测分支中。衍射到零衍射级的辐射被缩小并且被反射镜11聚焦到保持在衬底支撑件15上的衬底14的目标区域12上。辐射从目标区域12被衍射。目标区域12可以包括形成在其上的衬底周期性结构。零级16衍射辐射(其可以被称为镜面反射辐射)入射在另一光栅18(其还可以更一般地被称为一种类型的周期性结构)上。该光栅18可以被称为在量测装置2的镜面检测分支中。镜面检测分支在射束路径中的衬底14的下游(之后)，然而参考检测分支在射束路径中的衬底14的上游(之前)。由光栅18衍射的辐射由包括像素化传感器的另一检测器20捕获以进行进一步信号处理。从目标区域12衍射的高阶辐射还由包括像素化传感器的检测器22捕获以进行进一步信号处理。检测从目标区域12衍射的高阶辐射的检测器22在相对于目标区域12上的SXR辐射的聚焦光斑的远场中。检测器22可以被称为高阶检测器22。可以提供多于一个高阶检测器22。
在操作中，参考检测器10可以获得表示参考测量的第一组强度数据。第一组强度数据表示辐射的第一束到参考检测器10的像素化传感器上的投影。辐射的第一束是由参考光栅8衍射的射束之一。辐射的第一束包括源发射光谱的一部分，例如辐射的单个谐波或几个谐波或其他波长。随后从参考检测器10获得第二组强度数据。第二组强度数据表示第二随后辐射的束到参考检测器10的像素化传感器上的投影。第二随后辐射的束包括与辐射的第一束相同的辐射的照射束6的源发射光谱的部分，例如，相同的单个辐射谐波或其他波长。具有不同频率的辐射的束具有(用于高阶衍射的)不同的衍射角度。为了比较参考检测器10的像素化传感器上的光斑位置，第一组强度数据和第二组强度数据应当表示具有相同频率(即源发射光谱的相同部分)的相应辐射的束的投影。
第一组强度数据和第二组强度数据可以被处理以便确定所投影的辐射的第一束和辐射的第二束在参考检测器10的像素化传感器上的位置的差异。第一组强度数据与第二组强度数据可以进行比较以便确定相应检测器10的像素化传感器上的第一坐标和第二坐标(x和y)，表示第一射束与第二射束的位置的差异，即，第二射束相对于第一射束的投影的平移。这样的差异可以指示对齐属性的变化，例如，辐射的照射束6的平移(例如，辐射的照射束入射在参考光栅8上的位置的移动)。这可以由于例如辐照系统4的源3的移动。源3的移动可以由于辐照系统4的的气体喷嘴中的不稳定性(强度变换、湍流、等离子)。通过处理第一组强度数据和第二组强度数据，可以确定辐射的照射束6的一个或多个对齐属性。所确定的对齐属性可以用于控制辐照系统4以便将对齐属性中的至少一个的值调节到目标值。目标值可以表示辐射的照射束6的目标位置。
坐标变换可以在第一坐标和第二坐标上执行以获得第一源坐标和第二源坐标，其在该实施例中涉及源3的位置的变化。这样的坐标变换可以根据工具配置来执行，即，其可以取决于量测装置2的特定几何结构。
备选地或附加地，如果第一组强度数据和第二组强度数据通过在相距参考光栅8的远场中检测辐射的第一束和辐射的第二束来获得，那么位置的变化可以指示辐射的照射束6的传播方向的变化(即，射束指向的变化)。辐射的照射束的传播方向是辐射的照射束6的另一对齐属性。如下面进一步解释的，所确定的对齐属性可以被使用在反馈环中以控制辐照系统4和/或其他部件，诸如量测装置2的反射镜5和11的倾斜的位置。这可以减少辐射的照射束6相对于衬底14的移动。在一个示例中，所确定的射束指向可以用于控制由辐照系统4的源3发射的辐射的照射束的角度。即，可以使用所确定的传播方向来控制辐照系统4以便将辐射的照射束6的传播方向调节到目标传播方向。
本发明的实施例可以使用由参考光栅8(以及镜面检测分支中的光栅18)分散的光来获得可以被使用在源位置和束指向的闭环控制中的信号。在具有2016年9月14日的优先权日的PCT/EP2017/069506中描述了适当的闭环控制方法的示例，并且该申请的内容通过引用并入本文中。存在一些实施方式以及信号可以被使用的一些方式。束指向指代辐射的束的传播方向。
处理可以包括从第一组强度数据减去第二组强度数据以获得差异矩阵。差异矩阵的每个元素表示参考检测器10的像素化传感器的像素，并且元素的值表示在该像素上的入射的辐射的第一束和辐射的束第二的强度的差异。计算第一组强度数据的强度的(空间)梯度以获得第一梯度矩阵。第一梯度矩阵表示辐射的第一束的投影的沿着x或y(或者传感器平面中的某个任意地限定的坐标轴)的强度的空间梯度。差异矩阵(通过逐元素相乘)与梯度矩阵相乘以获得第一信号矩阵。信号矩阵的每个元素被求和以获得第一信号值。第一信号值是指示辐射的第二束沿着(取决于空间梯度的方向的)轴到第一坐标的平移的标量值。坐标在参考检测器10的像素化传感器的平面中并且表示第二射束沿着轴(例如，x或y)相对于第一射束的平移。该轴是与第一组强度数据的空间梯度沿着其获取以获得第一梯度矩阵的轴相同的轴。例如，如果第一组强度数据的梯度沿着x获取，那么第一信号值将指示到沿着x轴的坐标的平移。第二信号值可以然后根据相同的第一组强度数据和相同的第二组强度数据通过重复这些步骤但是获取不同的空间梯度(例如，沿着y)来获得，以获得第二梯度矩阵。第二梯度矩阵也与(相同的)差异矩阵相乘以获得第二信号矩阵。第二信号矩阵的每个元素被求和以获得第二信号值。第二信号值是指示辐射的第二束沿着轴到第二坐标的平移的标量值。第二坐标也在参考检测器10的像素化传感器的平面中。优选地，第二信号值与沿着垂直于或实质上垂直于第一信号值指示沿着其的平移的轴的平移有关。信号值与辐射的第一束和辐射的第二束的位置直接相关，但是还指示第一射束和第二射束源自其的辐射的照射束6的对齐属性的变化。例如，辐射的照射束6的平移或传播方向的变化引起辐射的第二束在参考检测器10的像素化传感器上的平移，其由信号值指示。
第一信号值和第二信号值可以在例如到控制系统21的闭环反馈中被使用。控制系统21可以控制量测装置2(例如，辐照系统4)的一个或多个部件以便实现辐射的照射束6相对于由照射束辐照的目标区域12的期望对齐属性。即，控制系统可以被配置为控制量测装置的一个或多个部件以便将辐射的照射束6的对齐属性中的至少一个的值调节到目标值。例如，控制系统可以被配置为最小化辐射的第一束与辐射的第二束在参考检测器10的像素化传感器上的投影的位置的差异。这可以通过控制辐照系统4以便将辐射的照射束6的位置调节到目标位置来完成。目标位置可以被限定在衬底14的目标区域12上或参考光栅8上。
在实施例中，多个另外的第一组强度数据被获得，每个表示包括源发射光谱的不同部分的辐射的束的投影(即，辐射的照射束6的其他波长)。例如，每个辐射的束可以包括辐射源的发射光谱中的不同辐射谐波。还获得相应的另外的第二组强度数据。另外的第二组强度数据表示对应的辐射的束(即，包括源发射光谱的相同部分(即，其他波长)的辐射的束)的投影。例如，如果另外的第一组强度数据中的一个表示包括第三辐射谐波的辐射的束的投影，那么获得的相应的另外的第二组强度数据表示随后检测到的第三谐波。每个第一组强度数据和对应的第二组强度数据可以(与任何其他第一组强度数据和第二组强度数据)被单独地处理，以便确定辐射的照射束6的波长相关对齐属性。备选地，通过处理一个第一组强度数据和对应的第二组强度数据确定的对齐属性可以与通过处理一个或多个其他第一组强度数据和对应的第二组强度数据确定的一个或多个另外的对齐属性进行组合(例如，平均)，以便获得一个或多个组合的对齐属性。例如，与像素化传感器上的每个投影的第二射束相关联的平移可以被平均以获得辐射的照射束的平均平移。除了使用不同谐波，还能够使用源(例如DPP源)，其中不同的等离子发射峰以与以上描述的谐波类似的方式与彼此区分开，或者实现相同效果的任何类型的源。
在实施例中，表示参考测量结果的第一组强度数据可以从校准测量获得，其已经在先前时间被执行并且然后被存储。即，尽管第二组强度数据(以及相应的另外的第二组强度数据)在原地获得(在量测装置的正常操作期间)，但是第一组强度数据(以及另外的第一组强度数据)可以从存储的位置(例如，计算机存储器)获得。
参考图1，第一组强度数据和第二组强度数据也可以从高阶检测器22(其包括像素化传感器)获得。尽管在下面的描述中仅仅引用了一个高阶检测器22，但是可以提供多于一个高阶检测器。在所描绘的实施例中，入射在衬底14的目标区域12上的辐射的照射束6是参考光栅8的零衍射级。参考光栅8可以更一般地被称为第一周期性结构。目标区域12可以包括周期性结构，其可以被认为是衬底周期性结构，其衍射入射辐射的束6。辐射的束被衍射到高阶(>0)，其由高阶检测器22检测。在实施例中，第一组强度数据表示辐射的第一束到高阶检测器22的像素化传感器上的投影，并且第二组强度数据表示在时间上顺序地获得的第二随后辐射的束到高阶检测器22的像素化传感器上的投影。第一组强度数据和第二组强度数据可以被处理以确定辐射的照射束6的一个或多个对齐属性。因为辐射的照射束被衬底14散射，所以对齐属性还与衬底14相关。例如，衬底支撑件15中的旋转移动或不稳定性可以引起辐射的照射束在衬底14上的入射角的变化，其可以继而引起在高阶检测器22的像素化传感器上的第二射束的投影相对于第一射束的投影的位置/坐标的平移。因此，所确定的对齐属性可以用于控制衬底支撑件15以及辐照系统14。同样地，第一源坐标和第二源坐标(在这种情况下，源是衬底14上的目标区域12)可以根据工具配置通过坐标变换来获得。
控制系统21可以在衬底支撑件15的移动与入射辐射的束6的移动之间进行区分。使用参考光栅10获得的测量结果仅仅指示入射辐射的束6的移动，然而使用高阶检测器22获得的测量结果指示入射辐射的束6的移动和衬底14的移动两者。因此，控制系统21可以通过将使用参考检测器10获得的测量结果与使用高阶检测器22获得的测量结果进行比较来在入射辐射的束6的移动与衬底支撑件15的移动之间进行区分。
在另一实施例中，备选地或附加地，第一组强度数据和第二组强度数据可以从镜面检测分支(其包括光栅18和检测器20)(包括像素化传感器的)检测器20获得。该检测器20可以被称为镜面检测分支检测器20。在该实施例中，辐射的照射束是衬底14的零级衍射。即，入射在衍射光栅18(其可以被认为是第一周期性结构)上的辐射的照射束从衬底14的目标区域12反射。目标区域12可以包括形成在其上的衬底周期性结构。辐射的照射束可以由第一周期性结构18(衍射光栅18)衍射到具有不同衍射角度的多个衍射级中。第一组强度数据表示辐射的第一束到镜面检测分支检测器20的像素化传感器上的投影，并且第二组强度数据表示在时间上顺序地获得的第二随后辐射的束到镜面检测分支检测器20的像素化传感器上的投影。第一组强度数据和第二组强度数据可以被处理以确定辐射的照射束的一个或多个对齐属性。当辐射的照射束在被镜面检测分支检测器20衍射和捕获之前已经与量测装置2的不同零件/部件相互作用(从其被散射)时，所确定的对齐属性与辐照系统4、衬底14、以及射束路径中的任何其他部件相关。该实施例可以特别地有用于通过控制衬底支撑件15来校正衬底14的未对齐。辐射的照射束的所确定的对齐属性可以用于控制衬底支撑件15以便将辐射的照射束的位置和传播方向调节到目标位置和目标传播方向。因此，可以控制辐照衬底14的目标区域12的辐射的束的光斑位置和入射角。
为了本说明书的目的，“辐射源”可以是指任何辐射发射器，并且不受制于生成辐射(例如，HHG源)的辐照系统。因此，“辐射源”还可以是指反射辐射的束的衬底14，并且在本背景中的“发射的辐射的束”是由衬底14反射的辐射的束。
工作原理正在利用以下事实：HHG谐波峰1)在光谱上是窄的并且2)能够被聚焦到与用于捕获光的检测器的像素相同的尺寸尺度的光斑。
尽管本文中的实施例涉及量测装置(或计量学工具)并且更具体地涉及用于在确定光刻过程的性能参数中使用的量测装置，但是该方法更广泛地适用于其他类型的检查装置并且用于确定其他属性和参数。类似地，尽管对HHG源的使用提供某些优点，但是本发明不限于对HHG源的使用，而是可以被应用到具有备选辐照系统(例如，激光产生的等离子、LPP、源、放电产生的等离子、DPP、源或同步加速器)的系统。
图2示出了根据实施例的方法的步骤。方法包括：1)获得表示参考测量结果的第一组强度数据，第一组强度数据表示源自辐射的照射束的辐射的第一束到(检测器的)像素化传感器上的投影，其被称为图2中的步骤S1；2)获得第二组强度数据，第二组强度数据表示源自辐射的照射束的第二随后辐射的束到像素化传感器或第二像素化传感器上的投影，其被称为图2中的步骤S2；以及3)处理第一组强度数据和第二组强度数据以确定辐射的照射束的一个或多个对齐属性，其中，处理包含将第一组强度数据与第二组强度数据进行比较以计算指示辐射的照射束的平移的值，其被称为图2中的步骤S3。在(下面进一步描述的)修改的方法中，步骤S1和S2可以使用不同检测器被同时执行。
图3示出了单个谐波如何可以看起来像聚焦在参考检测器10上的现实(但为了该目的简化)的示例。图像表示投影到检测器(例如，参考检测器10)的像素化传感器上的辐射的束，包括单个谐波。在该示例的其余部分中，仅仅一个谐波被考虑，但是相同原理适用于整个光谱。例如，所描述的方法可以被应用到投影到检测器上的每个谐波。
图4a示出了当考虑检测器的像素化传感器的像素时该图像实际上看起来如何。传感器测量入射在每个像素上的光的强度，并且输出包括矩阵的一组强度数据。矩阵的每个元素表示(对应于)像素化传感器的一个像素，并且该元素的值表示入射在该像素上的光的强度。
由于参考检测器10的像素化传感器在场平面中，所以如果辐射源3倍移位(例如，遭受位置波动)，那么辐射的束在参考检测器的像素化传感器上的光斑被移位，导致图4b中示出的图像。参考检测器10的像素化传感器上的光斑的移动比衬底14上的光斑的移动小等于量测装置的缩小的因子。需要被捕获的移位可以很小：参考检测器10与目标区域12之间的缩小例如为4倍，在这种情况下，测量在目标区域处的50nm的位置变化要求参考检测器的像素化传感器上的200nm分辨率。这是像素的分数，例如，像素宽度的50分之一。为了使用该效果来创建在控制环中使用的信号，提出了可以实现所需的子像素分辨率的算法。关于使用参考检测器10获得的测量结果描述算法。然而，该算法可以用于使用其他检测器(诸如以上描述的其他检测器20、22或下面进一步描述的其他检测器)获得的测量结果。
a)参考检测器10的第零幅图像被称为I0。该第零幅图像是第一组强度数据。第零幅图像可以在目标测量的开始(即，在采集时段的开始)或在每次算法运行时重新获得。备选地，第零幅图像可能已经在之前获得，例如，在先前目标测量期间或在校准测量期间，在这种情况下，相同的第零幅图像可以被算法使用多次。校准测量可以被定期(例如，每周或每月)重复以生成新的第零幅图像。
b)以目标测量内的时间间隔，从参考检测器10获得帧，该帧是针对第k幅图像的图像I(tk)。每幅图像I(tk)是第二组强度数据。在该示例中，第一组强度数据和第二组强度数据在时间上顺序地获得。如果多于一个检测器被使用(例如，如下面进一步描述的)，第一组强度数据和第二组强度数据可以备选地同时获得。
c)首先，从总强度规范化图像I0’和I’(tk)获取差异矩阵M(tk)＝I0’-I’(tk)，诸如图5中针对图4a和图4b中示出的数据所表示的。图4a中的图像可以被认为是I0并且图4b中的图像可以被认为是I(tk)。M(tk)是通过将第一组强度数据I0从第二组强度数据I(tk)减去获得的差异矩阵。
d)其次，从第零幅图像I0形成在X和Y方向上的梯度矩阵Gx和Gy。Gx是通过沿着x获取第一组强度数据的空间梯度获得的第一梯度矩阵，并且Gy是通过沿着y获取第一组强度数据的空间梯度获得的第二梯度矩阵。图6示出了针对当前示例的第一梯度矩阵Gx(第二梯度矩阵Gy未示出)。
e)信号值Sx(tk)通过在所有像素(矩阵元素)上针对Gx与M的逐元素乘积求和来计算：
Sx(tk)＝SUM_ij(Gx_ij*M_ij(tk))，
其中，i和j是整幅图像的像素索引。即，i和j是矩阵的元素索引。图7示出了第一梯度矩阵Gx与差异矩阵M(tk)的乘积，被称为第一信号矩阵。以对应方式，可以构建信号Sy(tk)(未示出)。
f)第一信号值和第二信号值，Sx和Sy，对应于参考检测器10的平面中的X坐标和Y坐标。根据工具配置的坐标变换导致在源的X’和Y’坐标中的这些信号的解读。当考虑坐标变换相关方向是正交于传播方向的那些时。在SXR生成时，这些方向可以由正交的X坐标和Y坐标(例如实验室/工厂的水平平面和垂直平面)表示。传感器/相机上的像素网格可以由X'和Y'(分别针对水平线和垂直线)表示。在晶片级，我们可以使用坐标X”和Y”，其例如分别在子午面和矢状面中。三组坐标(即，X，Y和X',Y'以及X”,Y”)可以然后通过简单旋转矩阵被变换到彼此。额外幅度A可以被添加到矩阵以说明以下事实：(X,Y)坐标中的D的移位导致另一坐标系中的移位A*D。可以使‘A’是X/Y相关的。
梯度矩阵与差异矩阵的逐元素相乘(以上的步骤e)给出信号矩阵(未示出)。信号值Sx或Sy是信号矩阵的每个元素的值(强度)的和。信号值Sx或Sy是指示投影到像素化传感器上以形成(由第二组强度数据表示的)I(tk)图像的射束的对齐属性的信号值。即，Sx指示辐射的第二束相对于辐射的第一束的沿着x轴的平移，并且Sy指示辐射的第二束的沿着y轴的平移。
为了验证信号的鲁棒性，在仿真中计算Sx以在针对测量到的谐波的期望数量的光子添加了每像素的光子发射噪声和最大像素强度的1％的不相关恒定背景噪声的情况下改变移位。结果被示出在图8中。图8示出了针对以像素的数为单位的距离x绘制的第一信号值Sx。x轴从-0.4像素行进到0.4像素，使得整个轴覆盖0.8像素，即，稍微小于整个像素的尺寸/宽度。然而，可以从该图看出，可以确定甚至很小的平移，其表示对齐属性的小变化。Sx与图像移位之间的关系是线性的并且可以容易地被使用在控制环中。高得多的噪声水平可以被应用在仿真中(例如通过增大采样率1/tk)，同时仍然提供足够强的关系来允许测量准确性降低到像素的50分之一。由于该分析可以每谐波地来完成，所以可以使由本发明的实施例使用的信号值是波长相关的。即，在存在检测器的像素化传感器上的多个谐波光斑的情况下，每个光斑可以表示另外的第一组强度数据或另外的第二组强度数据。对于该基本实施方式不需要额外的硬件，使其成为经济有效的技术方案。即，参考检测器10或镜面检测分支检测器20(其已经被使用在量测装置2中以确定衬底14上的结构的属性)可以用于实施以上描述的实施例。
量测装置2将辐射的照射束6聚焦到衬底4的目标区域12上。目标区域12可以是通过光刻过程形成在衬底14上的光栅或其他周期性结构。射束6被衬底14散射，并且频谱由一个或多个检测器20、22(包括相应的像素化传感器)捕获。在足够的数据已经被采集(即，感兴趣的处理参数已经根据测量结果被足够地建立)之后，量测装置2被控制以将射束6移动到新目标区域，并且过程被重复。花费在每个目标区域12上的时间被称为采集时间或时段。在每个采集时段(t0)开始处，可以获得第一参考数据集I0。一个或多个另外的数据集可以然后在采集时段期间被获得，其与如本文中所描述的I0进行比较以确定射束的一个或多个对齐属性。射束6的对齐属性与例如(辐照系统4的)源3的对齐相关。根据工具配置的坐标变换可以用于根据辐射的束的所确定的位置来确定量测装置2的部件的位置。在备选实施例中，可以在采集时段期间以一间隔捕获参考图像I0。
备选地或另外，可以在校准期间，在第一采集时段之前的一时间处，获得第一组强度数据I0。校准可以被定期(例如在每周或每月的基础上(或某个其他时段))执行。一个或多个第一组I0可以在校准期间被获得和存储，并且然后在目标测量期间(在采集时段期间)被访问，以便确定一个或多个对齐属性。这允许校准之间的对齐属性的变化被确定。
数据集被获得的速率(采样率)确定系统可以多么快地适应对齐属性的变化。工具的一个或多个部件可以遭受周期性干扰，并且高捕获速率可以用于避免混叠。
图9示出了其中代替平面参考光栅使用锥形参考光栅24的实施例。锥形配置中的光栅被定位为其中使得入射射束反射(零级)(也称为子午面)不正交于光栅线的方向的平面。原则上，其可以处于除了90度以外的任何其他角度，但是通常角度是零度。在这种情况下，光栅线因此平行于子午面。锥形参考光栅24给出+1衍射级26和-1衍射级28两者，其能够由两个检测器30、32(分别包括第一像素化传感器和第二像素化传感器)捕获。源3(在参考检测器上的色散方向上)的横向偏移将导致+1检测器30和-1检测器32两者中的不对称响应。这使第零幅图像I0的需要变得不必要。代替地，在平衡的光电检测器中获取两个检测器30、32之间的差异。在该实施例中，从第一检测器30获得第一组强度数据，并且从第二检测器32获得第二组强度数据。第一组强度数据表示辐射的第一束到第一检测器30的(第一)像素化传感器上的投影，并且第二组强度数据表示辐射的第二束到第二检测器32的(第二)像素化传感器上的投影。辐射的第一束包括衍射到第一正衍射级(+1)中的源发射光谱的部分。辐射的第二束包括源发射光谱的相同部分，但是衍射到第一负衍射级(-1)中。例如，如果第一组强度数据表示具有+1衍射级的第三谐波，那么第二组强度数据是具有-1衍射级的第三谐波。数据集可以然后如以上所描述的被处理，例如在步骤a)到f)中。在步骤a)中，从第一检测器30获得第0幅图像I0(第一组强度数据)。在步骤b)中，从第二检测器32获得第k幅图像I(tk)。步骤c)到f)然后遵循如以上所阐述的。锥形配置可以以使得实质上不存在第零幅图像Io但是在每个时刻k处两个检测器的图像与彼此相减的方式来使用。备选地，可以考虑第零幅图像Io是从检测器30获得的，但是在每个时刻tk处，通过该检测器提供新Io以使用在关于其他检测器32的I(tk)的过程中。因为两个不同的检测器30、32被使用，所以第一组强度数据和第二组强度数据可以被同时获得。
在非色散方向上，移位对于+1检测器30和-1检测器32是对称的并且第零幅图像仍然需要。即，如果辐射的第一束和辐射的第二束在相同方向上(即，对称地)平移相同量，那么它们之间的任何差异被抵消。代替地，每个检测器可以具有在早前时间处(例如，在校准期间或在采集时段的开始处)捕获的它自己的第零幅图像I0。处理然后可以针对检测器30、32中的每个单独地执行。即，第一组强度数据和第二组强度数据从第一检测器30获得并且被处理，并且不同的第一组强度数据和第二组强度数据从第二检测器32倍获得并且被处理。因此，辐射的照射束在非色散方向上的任何平移应当产生来自第一检测器30和第二检测器32的相同的第一信号值和第二信号值(Sx和Sy)。
量测装置配置可以被调整以使平衡检测测量晶片平面中的对源波动最敏感的方向。
图10示出了另一实施例中的量测装置的参考检测分支的设置。(将回忆到，在图1中，参考检测分支包括参考光栅8和参考检测器10。)在图10中，辐射的照射束34照射参考光栅36(其可以被认为是第一周期性结构)并且被衍射成衍射的零级38、第一正部分40、第一负部分42、第二正部分44和第二负部分46。衍射到零级38中的射束被聚焦到衬底48的目标区域(其可以包括形成在衬底上的衬底周期性结构)上。高级入射在近场检测器50、52(其是参考检测器的示例)和远场检测器54、56(其可以被称为第二检测器)上。光栅的衍射级44、46的部分经过参考检测器50、53并且由远场中的第二检测器54、56检测。由第二检测器(即，远场检测器)54、56检测的信号对辐射的照射束34的角度波动敏感。所获得的信号(由于远场中的检测)指示波束指向(即传播方向)而非源定位。远场中的波长分辨率可以由于辐射的发散而恶化。远场中的衍射辐射的光斑尺寸将小于第二检测器54、56上的强度梯度。然而，第二检测器54、56将仍然提供有用的信号。该假设的所需准确性可以为在50μm(5个像素)的光斑上的200nm，其产生被成像光斑的250分之一。为了不牺牲感兴趣的波长方案内的光，来自参考光栅36的第二衍射级(+2,-2)可以被使用，其与第一级在角度上移位并且可以被指引经过参考检测器50、52到达专用于该目的的第二检测器(远场检测器)54、56。即，第二正部分44可以是第二正衍射级，并且第二负部分46可以是第二负衍射级。
相同的方法可以用于镜面检测分支中的光栅18，实现对量测装置2与衬底14之间的未对齐的敏感监测。即，该方法可以被应用到从镜面检测分支中的检测器接收的图像/数据。该方法然后实现对衬底支撑件15的对齐控制。
用于本发明的实施例的检测器的信号可以用于优化/稳定源3的位置和辐射的照射束6、34的射束指向。另外，它们可以用作数据分析中的工具知识。例如，如果在镜面检测分支中检测到衬底14的倾斜，则这可以用于校正从高阶检测器22接收的信号。另一示例是导致从高阶检测器22接收的图像的偏移或模糊的残余射束指向错误。偏移或模糊的效果可以在残余射束指向错误已知的情况下被减轻。
图11示出了具有IR驱动(种子)激光束60、以及HHG源62、反射镜63、参考光栅64、第一检测器66、第二检测器68以及衬底70的计量学设置58的部分。IR射束60与HHG源62的气体喷嘴72相互作用以生成具有多个辐射谐波的照射束，其频率是IR辐射的频率的奇数倍。照射束由参考光栅64衍射。零级衍射光入射在衬底70上。高级(至少一级)衍射光由第一检测器66和第二检测器68捕获。检测器包括相应的像素化传感器。高衍射级包括被投影到两个检测器66、68的像素化传感器上的不同辐射谐波的射束。表示投影到像素化传感器上的射束的强度数据集可以从检测器66、68获得并且被处理以确定照射束的一个或多个对齐属性。具体地，第零幅图像I0(第一强度数据集)和第k幅图像I(tk)可以由检测器66、68中的一个或两者捕获并且如以上步骤a)至f)中所阐述的处理。
所提出的方法可以提供以下优点中的一个或多个：它是廉价的，处理光斑到目标定位和从软X射线视角的射束指向的问题，而不是依赖于来自IR驱动激光器的间接结果并且同时提供波长相关信号。其还可以提供在工具中的两个阶段(参考检测和镜面检测)处的位置和射束指向两者，从而实现对辐照系统和工具(包括衬底支撑件)的稳定控制。
我们现在参考图12至14，其提供光刻装置和单元的概览以及在半导体制造中使用的一些关键技术。
光刻装置
如本文中所采用的术语“标线”、“掩模”或“图案化设备”可以被宽泛地解读为是指可以用于向到来的入射射束赋予图案化的横截面的通用图案化设备，该图案化的横截面对应于要在衬底的目标部分中创建的图案；术语“光阀”也可以被使用在本上下文中。除了经典掩模(透射性的或反射性的；二元的、相位移动的、混合的，等等)，其他这样的图案化设备的示例包括：
-可编程反射镜阵列。在美国专利号5,296,891和5,523,193中给出了关于这样的反射镜阵列的更多信息，通过引用将其并入本文中。
-可编程LCD阵列。在美国专利号5,229,872中给出了这样的构造的示例，通过引用将其并入本文中。
图12示意性地描绘了光刻装置LA。存在于以上讨论的衬底和/或晶片上的图案可以借助于光刻装置LA和稍后讨论的光刻单元LC来制造。光刻装置LA包括：照射系统(也称为照射器)IL，其被配置为调节辐射的束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；支撑结构(例如，掩模表)T，其被构造为支撑图案化设备(例如，掩模)MA并且连接到被配置为根据某些参数来准确地定位图案化设备MA的第一定位器PM；衬底结构(例如，晶片表或衬底支撑件)WT，其被构造为保持衬底(例如，阻剂涂覆的晶片)W并且连接到被配置为根据某些参数来准确地定位衬底的第二定位器PW；以及投影系统(例如，折射投影透镜系统)PS，其被配置为通过将设备MA图案化到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个晶片)上来投影给予辐射的束B的图案。光刻装置LA的某些实施例可以具有照射系统，该照射系统包括例如与量测装置2的照射分支一致的参考光栅8和包括像素化传感器的参考检测器10。确定一个或多个对齐属性的方法的以上讨论的实施例也可以被使用在这样的光刻装置中。确定对齐属性可以被使用在提供闭环反馈的控制系统中。控制系统可以例如控制特性源SO或照射系统IL。备选地，控制系统可以控制第一定位器PM和/或第二定位器PW。
在操作中，照射器IL例如经由射束递送系统BD从辐射源SO接收辐射的束。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学部件、或其任何组合，以用于对辐射进行指引、成形或控制。照射器IL可以用于控制辐射的束B以具有在其在图案化设备MA的平面处的横截面上的期望空间和角度强度分布。
本文中使用的术语“投影系统”PS应当被宽泛地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射、反射、反射折射、变形、磁性、电磁和静电光学系统、或其任何组合，视正在使用的暴露辐射或诸如对浸液的使用或对真空的使用的其他因素情况而定。本文中对术语“投影透镜”PS的任何使用可以被认为与更一般术语“投影系统”同义。
光刻装置可以是如下类型的，其中，衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖以便填充在投影系统与衬底之间的空间，其也被称为浸没式光刻。在美国专利号6,952,253中和在PCT公布号WO99-49504中给出了关于浸没式技术的更多信息，通过引用将其并入本文中。
光刻装置LA还可以是具有两个(双级)或更多个衬底台WT和例如两个或更多个支撑结构T(未示出)的类型的。在这样的“多级”机器中，附加台/结构可以被并行使用，或者准备步骤可以在一个或多个台上被执行同时一个或多个另外的台正在被用于暴露图案化设备MA到衬底W上的设计布局。
在操作中，辐射的束B入射在图案化设备(例如，掩模MA)上，其被保持在支撑结构(例如，掩模台T)上，并且通过图案化设备MA进行图案化。已经贯穿了掩模MA，辐射的束B穿过投影系统PS，其将射束聚焦到衬底W的目标位置C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉仪设备、线性编码器、2-D编码器或电容传感器)，衬底台WT可以被准确地移动，例如以便定位辐射的束B的路径中的不同目标位置C。类似地，第一定位器PM和可能的另一位置传感器(其未显式地描绘在图12中)可以用于相对于辐射的束B的路径准确地定位掩模MA。掩模MA和衬底W可以使用对齐标志M1、M2和衬底对齐标志P1、P2来对齐。尽管如图示的衬底对齐标志占据专用目标部分，但是它们可以位于目标部分(这些被称为划片槽对齐标志)之间的空间中。
光刻单元
如图13中所示出的，光刻装置LA可以形成光刻单元LC的部分，其有时也被称为lithocell或(litho)集群，其通常还包括在衬底W上执行暴露前和暴露后处理的装置。传统上，这些包括旋转涂布机SC以沉积阻剂层，开发者DE以开发暴露的阻剂，冷却板CH和烘烤板BK，例如以调节衬底W的温度，例如以调节阻剂层中的溶剂。衬底处理器或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底W，将它们在不同处理装置之间移动，并将衬底W递送到光刻装置LA的进料台LB。光刻单元中的设备(其通常还被统称为轨道)通常在跟踪控制单元TCU的控制下，该跟踪控制单元本身可以由监控系统SCS(其也可以例如经由光刻控制单元LACU控制光刻装置LA)控制。
为了使由光刻装置LA暴露的衬底W被正确地且一致地暴露，期望检查衬底以测量图案化结构的属性，诸如随后层之间的叠加错误、线厚度、关键尺寸(CD)等等。为此目的，检查工具(未示出)可以被包括在光刻单元LC中。如果错误被检测到，那么例如可以对随后衬底的暴露或要在衬底W上执行的其他处理步骤进行调整，尤其是在相同批或批次的其他衬底W上仍然要被暴露或处理之前完成检查的情况下。
也可以被称为量测装置的检查装置用于确定衬底W的属性，并且具体地，不同衬底W的属性如何变化或者与相同衬底W的不同层相关联的属性如何在不同层之间变化。检查装置可以包括图1中描绘的量测装置2的部分。参考检测器10可以用于(即，在照射束与衬底14相互作用之前)测量衬底14上游的辐射的照射束6的参考辐射光谱。镜面检测分支检测器20可以用于测量衬底14下游的辐射的光谱。两个光谱可以被比较和处理以确定衬底14上的结构的一个或多个属性。
检查装置可以备选地被构造以识别衬底W上的缺陷并且可以例如为光刻单元LC的部分，或者可以被集成到光刻装置LA中或者可以甚至为独立设备。检查装置可以测量潜像(在暴露之后的阻剂层中的图像)上或半潜像(在暴露后烘烤步骤PEB之后的阻剂层中的图像)上或开发的阻剂图像(其中已经移除了阻剂的暴露部分或未暴露部分)或者甚至在蚀刻图像(在诸如蚀刻的图案化转移步骤之后)上的属性。
量测装置可以根据以上描述的实施例中的任一个来使用以确定辐射的照射束的一个或多个对齐属性，其中，照射束用于辐照量测装置中的衬底上的目标区域。
整体光刻
通常，光刻装置LA中的图案化过程是要求衬底W上的结构的尺寸和放置的高准确性的处理中的最关键步骤之一。为了确保该高准确性，三个系统可以被组合在如图14中示意性地描绘的所谓的“整体”控制环境中。这些系统之一是光刻装置LA，其(实际上)被连接到量测装置MT(第二系统)并且连接到计算机系统CL(第三系统)。这样的“整体”环境的关键在于优化这三个系统之间的协作以增强总体处理窗口并提供严密控制环以确保由光刻装置LA执行的图案化保持在处理窗口内。该处理窗口限定一系列处理参数(例如，剂量、焦点、叠加)，在其内特定制造过程产生限定的结果(例如，功能半导体器件)，通常在其内允许光刻过程或图案化过程中的处理参数变化。
计算机系统CL可以使用要被图案化的设计布局(的部分)以预测哪些分辨率增强技术要使用并且执行计算光刻仿真和计算来确定哪些掩模布局和光刻装置设置实现图案化过程的最大总体处理窗口(图14中通过第一尺度SC1的双箭头描绘)。通常，分辨率增强技术被布置为匹配光刻装置LA的图案化可能性。计算机系统CL也可以用于检测光刻装置LA当前正在处理窗口内何处操作(例如，使用来自量测装置MT的输入)以预测缺陷是否可能由于例如欠佳的处理(图14中通过第二尺度SC2的指向“0”的箭头描绘)而存在。计算机系统CL可以处理从量测装置MT获得的强度数据以确定用于辐照衬底上的目标区域的辐射的照射束的一个或多个对齐属性。量测装置MT可以包括图1中描绘的量测装置2的部分。
量测装置MT可以将输入提供到计算机系统CL以实现准确的仿真和预测，并且可以将反馈提供到光刻装置LA以识别可能的漂移，例如在光刻装置LA的校准状态中(图14中通过第三尺度SC3的多个箭头描绘的)。
图15是图示了可以帮助实施本文中公开的方法和流程的计算机系统1600的框图。计算机系统1600包括总线1602或用于通信信息的其他通信机制以及与用于处理信息的总线1602耦合的处理器1604(或多个处理器1604和1605)。计算机系统1600还包括主存储器1606，诸如随机存取存储器(RAM)或其他动态存储设备，其耦合到总线1602以存储要由处理器1604运行的信息和指令。主存储器1606还可以用于在运行要由处理器1604运行的指令期间存储临时变量或其他中间信息。计算机系统1600还包括耦合到总线1602以存储用于处理器1604的静态信息和指令的只读存储器(ROM)1608或其他静态存储设备。诸如磁盘或光盘的存储设备1610被提供和耦合到总线1602以存储信息和指令。
计算机系统1600可以经由总线1602耦合到用于向计算机用户显示信息的显示器1612，诸如阴极射线管(CRT)或平板或触摸面板显示器。包括字母数字和其他键的输入设备1614耦合到总线1602以将信息和命令选择通信到处理器1604。任何类型的用户输入设备是用于将方向信息和命令选择通信到处理器1604并且用于控制显示器1612上的光标移动的光标控制1616，诸如鼠标、跟踪球或光标方向键。该输入设备通常具有两个轴上的两个自由度，允许设备指定平面内的位置的第一轴(例如，x)和第二轴(例如，y)。触摸面板(屏幕)显示器还可以被用作输入设备。
如本文中所描述的方法中的一个或多个可以由计算机系统1600响应于处理器1604运行包含于主存储器1606中的一个或多个指令的一个或多个序列而执行。这样的指令可以从诸如存储设备1610的另一计算机可读介质被读入主存储器1606中。对包含于主存储器1606中的指令的序列的运行引起处理器1604执行本文中描述的过程步骤。多处理布置中的一个或多个处理器还可以被用于运行包含于主存储器1606中的指令的序列。在备选实施例中，硬接线电路可以代替各软件指令或与各软件指令组合使用。因此，本文中的描述不限于硬件电路和软件的任何具体组合。
如本文中所使用的术语“计算机可读介质”是指参与将指令提供到处理器1604以供运行的任何介质。这样的介质可以采用许多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质以及传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如存储设备1610。易失性介质包括动态存储器，诸如主存储器1606。传输介质包括同轴线缆、铜线和光纤，包括了包括总线1602的线。传输介质还可以采取声波或光波的形式，诸如在射频(RF)和红外(IR)数据通信期间生成的那些。计算机可读介质的常见形式包括例如软盘、柔性盘、硬盘、磁带、任何其他磁性介质、CD-ROM、DVD、任何其他光学介质、穿孔卡片、纸带、具有孔的图案的任何其他物理介质、RAM、PROM、以及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他存储器芯片或卡盒、如下文描述的载波、或计算机可以从其读取的任何其他介质。
在将一个或多个指令的一个或多个序列运送到处理器1604以供运行中涉及各种形式的计算机可读介质。例如，指令可以被承载在远程计算机的磁盘上。远程计算机可以将指令加载到其动态存储器中并且使用调制解调器通过电话发送指令。计算机系统1600本地的调制解调器可以在电话线上接收数据并且使用红外发射器将数据转换为红外信号。耦合到总线1602的红外检测器可以接收红外信号中携带的数据并将数据放在总线1602上。总线1602将数据运送到主存储器1606，从其处理器1604检索并运行指令。由主存储器1606接收的指令可以可选地在由处理器1604运行之前或之后被存储在存储设备1610上。
计算机系统1600还优选包括耦合到总线1602的通信接口1618。通信接口1618提供耦合到连接到本地网络1622的网络链接1620的双向数据通信。例如，通信接口1618可以是集成服务数字网络(ISDN)卡或调制解调器以提供到对应类型的电话线的数据通信连接。作为另一示例，通信接口1618可以是提供到可兼容LAN的数据通信连接的局域网(LAN)卡。还可以实施无线链接。在任何这样的实施方式中，通信接口1618发送和接收携带表示各种类型的信息的数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。
网络链接1620通常提供通过一个或多个网络到其他数据设备的数据通信。例如，网络链接1620可以提供通过本地网络1622到主控计算机1624或到由互联网服务提供者(ISP)1626操作的数据装备的连接。ISP 1626转而提供通过万维网分组数据通信网络(现在通常被称为“互联网”1628)的数据通信服务。本地网络1622和互联网1628两者都使用携带数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。通过各种网络的信号和网络链接1620上并且通过通信接口1618的信号(其将数字数据运送到计算机系统1600和运送来自该计算机系统的数字数据)是传输信息的载波的示例性形式。
计算机系统1600可以通过(一个或多个)网络、网络链接1620以及通信接口1618发送消息和接收数据，包括程序代码。在互联网示例中，服务器1630可以通过互联网1628、ISP1626、局域网1622以及通信接口1618发送针对应用程序的请求代码。例如，一个这样的下载的应用可以提供本文中描述的技术中的一种或多种。接收的代码可以在其被接收时由处理器1604运行，和/或存储在存储设备1610或其他非易失性存储设备中以供稍后运行。以这种方式，计算机系统1600可以获得以载波的形式的应用代码。
处理器1604、1605可以用于处理从量测装置的一个检测器或多个检测器获得的数据集。具体地，处理器1604、1605可以执行将数据集进行比较以确定辐射的束、辐射源、衬底、量测装置或其部件中的一个中的一个或多个的一个或多个对齐属性的步骤a)至f)。计算机可读存储介质存储用于从用于测量频谱的一个检测器或多个检测器获得强度数据的指令以及用于根据所描述的方法来处理它们并且输出指示对齐属性(例如，射束/源位置)的信号值的指令。
另外的实施例被呈现在随后编号的条款中：
1.一种确定由辐射源发射的辐射的照射束的一个或多个对齐属性的方法，其中所述照射束用于辐照量测装置中的衬底上的目标区域，所述方法包括：
(a)获得表示参考测量结果的第一组强度数据，所述第一组强度数据表示源自所述辐射的照射束的辐射的第一束到第一像素化传感器上的投影；
(b)获得表示源自所述辐射的照射束的辐射的第二束到所述第一像素化传感器或第二像素化传感器上的投影的第二组强度数据；
(c)处理所述第一组强度数据和所述第二组强度数据以确定所述辐射的照射束的所述一个或多个对齐属性；
其中所述处理包含将所述第一组强度数据与所述第二组强度数据进行比较以计算指示所述辐射的照射束的对齐属性的变化的信号值。
2.根据条款1所述的方法，其中所述第二组强度数据表示辐射的所述第二束到所述第二像素化传感器上的所述投影，并且步骤(a)和(b)被同时执行。
3.根据条款1所述的方法，其中所述第二组强度数据表示辐射的所述第二束到所述第一像素化传感器上的所述投影，并且步骤(a)和(b)在时间上顺序地执行。
4.根据条款3所述的方法，其中：
所述第二射束的所述投影相对于所述第一射束的所述投影在位置上相差一距离；并且
所述处理包含将所述第一组强度数据与所述第二组强度数据进行比较以计算指示所述距离的值。
5.根据条款4所述的方法，其中所述距离小于所述第一像素化传感器或所述第二像素化传感器的像素的大小。
6.根据任一前述条款所述的方法，其中，处理的所述步骤包括：
从所述第一组强度数据减去所述第二组强度数据以获得差异矩阵；
计算所述第一组强度数据的强度的梯度以获得第一梯度矩阵；
执行对所述差异矩阵与所述第一梯度矩阵的逐元素相乘以获得第一信号矩阵；以及
对所述第一信号矩阵的元素求和以获得指示所述第二射束的所述投影沿着第一轴到所述第一像素化传感器或所述第二像素化传感器的平面中的第一坐标的平移的第一信号值。
7.根据条款6所述的方法，还包括根据工具配置来执行在所述第一坐标上的坐标变换以获得第一源坐标，其中所述第一源坐标限定所述辐射源的位置。
8.根据条款6或7所述的方法，还包括计算所述第一组强度数据的强度的第二梯度以获得第二梯度矩阵；
执行对所述差异矩阵与所述第二梯度矩阵的逐元素相乘以获得第二信号矩阵；以及
对所述第二信号矩阵的元素求和以获得指示所述第二射束的所述投影沿着第二轴到所述第一像素化传感器或所述第二像素化传感器的平面中的第二坐标的平移的第二信号值。
9.根据条款8所述的方法，其中所述第一轴实质上垂直于所述第二轴。
10.根据条款8或9所述的方法，还包括根据工具配置来执行在所述第二坐标上的坐标变换以获得第二源坐标，其中所述第二源坐标限定所述辐射源的位置。
11.根据任一前述条款所述的方法，其中获得强度数据的所述步骤包括检测通过第一周期性结构衍射的辐射的束。
12.根据条款11所述的方法，其中，所述第一周期性结构被布置为将辐射衍射到至少第一正衍射级和第一负衍射级中，并且辐射的所述第一束包括衍射到所述第一正衍射级中的所述辐射，并且辐射的所述第二束包括衍射到所述第一负衍射级中的所述辐射。
13.根据11或12所述的方法，其中所述第一周期性结构被布置为将辐射衍射到第二衍射级中，并且所述第一组强度数据和所述第二组强度数据通过检测衍射到所述第二衍射级中的辐射来获得。
14.根据条款11、12或13所述的方法，其中所述第一像素化传感器在所述第一周期性结构的远场中。
15.根据条款11至14中的任一项所述的方法，其中所述第二像素化传感器在所述第一周期性结构的远场中。
16.根据任一前述条款所述的方法，其中所述辐射源是高次谐波生成(HHG)源，并且所述辐射的照射束包括多个辐射谐波。
17.根据条款1至15中的任一项所述的方法，其中所述辐射源是衬底上的目标区域，并且由所述辐射源发射的辐射是由所述目标区域反射的辐射。
18.根据条款17所述的方法，其中所述目标区域包括形成在所述衬底上的衬底周期性结构，并且由所述辐射源发射的辐射是由所述衬底周期性结构衍射的辐射。
19.根据条款15所述的方法，其中所述辐射的照射束是由所述衬底周期性结构衍射到零衍射级中的辐射的束。
20.根据任一前述条款所述的方法，其中所述一个或多个对齐属性包括所述辐射的照射束的位置。
21.根据任一前述条款所述的方法，其中所述一个或多个对齐属性包括来自所述辐射的照射束的所述辐射源的传播方向。
22.根据任一前述条款所述的方法，其中辐射的所述第一束和辐射的所述第二束包括形成辐射源发射光谱的部分而非全部的波长。
23.根据条款22所述的方法，其中：
步骤(a)还包括获得一个或多个另外的第一组强度数据，其中所述另外的第一组中的每个表示包括形成所述辐射源发射光谱的部分而非全部的其他波长的辐射的束；
步骤(b)还包括获得一个或多个相应的另外的第二组强度数据，其中所述相应的另外的第二组表示所述其他波长；并且
步骤(c)还包括通过将所述第一组强度数据与相应的第二组强度数据进行比较来处理所述另外的第一组强度数据和所述相应的另外的第二组强度数据以确定与所述其他波长相关的一个或多个另外的对齐属性。
24.根据条款23所述的方法，其中所述波长和所述其他波长包括所述辐射源发射光谱中的不同辐射谐波。
25.根据条款23所述的方法，还包括将所述一个或多个另外的对齐属性进行组合以获得一个或多个组合的对齐属性。
26.一种使辐射的照射束稳定的方法，所述方法包括：
根据任一前述条款所述的确定所述辐射的照射束的一个或多个对齐属性；以及
使用所述一个或多个对齐属性来控制所述辐射源以便将所述对齐属性中的至少一个对齐属性的值调节到所述至少一个对齐属性的目标值。
27.一种使辐射的照射束的位置稳定的方法，所述方法包括：
根据任一前述条款所述的方法来确定所述辐射的照射束的一个或多个对齐属性，其中所述一个或多个对齐属性包括来自所述辐射的照射束的位置；以及
使用所确定的位置来控制所述辐射源以便将所述辐射的照射束的所述位置调节到目标位置。
28.一种使辐射的照射束的射束指向的方法，所述方法包括：
根据任一前述条款所述的确定所述辐射的照射束的一个或多个对齐属性，其中所述一个或多个对齐属性包括来自所述辐射的照射束的所述辐射源的传播方向；以及
使用所确定的传播方向来控制所述辐射源以便将所述辐射的照射束的所述传播方向调节到目标传播方向。
29.根据条款26、27或28所述的方法，其中使用的所述步骤包括将闭环反馈提供到控制系统。
30.一种用于在确定衬底上的结构的属性并且确定由辐射源发射的辐射的照射束的一个或多个对齐属性中使用的量测装置，所述装置包括：
辐照系统，用于生成所述辐射的照射束；
衬底支撑件，能够与所述辐照系统一起操作，以辐照形成在由所述衬底支撑件保持的所述衬底的目标区域上的周期性结构；
镜面检测分支检测器，用于检测由所述周期性结构衍射的辐射的光谱；以及
一个或多个处理器，其被配置为：
获得表示参考测量结果的第一组强度数据，所述第一组强度数据表示源自所述辐射的照射束的辐射的第一束到第一像素化传感器上的投影；
获得第二组强度数据，所述第二组强度数据表示源自所述辐射的照射束的辐射的第二束到所述第一像素化传感器或第二像素化传感器上的投影；并且
处理所述第一组强度数据和所述第二组强度数据以确定所述辐射的照射束的所述一个或多个对齐属性；
其中所述处理包含将所述第一组强度数据与所述第二组强度数据进行比较以计算指示所述照射辐射的束的对齐属性的变化的值。
31.根据条款30所述的量测装置，还包括用于检测所述周期性结构上游的所述辐射的照射束的参考辐射光谱的参考检测器。
32.根据条款31所述的量测装置，其中所述结构的所述属性根据所述辐射光谱和所述参考辐射光谱而被确定。
33.根据条款30、31或32所述的量测装置，其中所述镜面检测分支检测器包括所述第一像素化传感器。
34.根据条款31或32所述的量测装置，其中所述参考检测器包括所述第一像素化传感器。
35.根据条款30至34中的任一项所述的量测装置，还包括控制系统，所述控制系统被配置为控制所述辐照系统和所述衬底支撑件中的至少一个，以便将所述对齐属性中的至少一个对齐属性的值调节到所述至少一个对齐属性的目标值。
36.根据条款30至35中的任一项所述的量测装置，其中所述一个或多个处理器被配置为执行根据条款1至29中的任一项所述的方法。
37.一种光刻单元，包括根据条款30至36中的任一项所述的量测装置。
38.一种计算机程序产品，包括具有记录在其上的指令的非瞬态计算机可读介质，所述指令当由计算机执行时实施根据条款1至29中的任一项所述的方法。
尽管在本文中对光刻装置在IC的制造中的使用进行了特定引用，但是应当理解，本文中描述的光刻装置可以具有其他应用。可能的其他应用包括对集成光学系统的制造、用于磁域存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、以及薄膜磁头等等。
尽管在本文中在光刻装置的背景下对本发明的实施例进行了特定引用，但是本发明的实施例可以被使用在其他装置中。本发明的实施例可以形成掩模检测装置、量测装置、或测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案化设备)的对象的任何装置的部分。这些装置可以一般被称为光刻工具。这样的光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
尽管以上可以已经对本发明的实施例在光学光刻的背景中的使用进行了特定引用，但是将认识到，本发明在该背景允许的情况下不限于光学光刻并且可以被使用在其他应用(例如压印光刻)中。
尽管以上已经描述了本发明的特定实施例，但是将认识到，本发明可以以除了所描述的其他方式来实践。以上描述旨在为说明性的而非限制性的。因此，对于本领域技术人员将显而易见的是，可以对如所描述的本发明进行修改而不脱离下面阐述的权利要求的范围。
本说明书中公开或图示的每个特征可以被并入本发明中，无论是单独地还是以与本文中公开或图示的任何其他特征的任何适当组合。

Claims (39)

1.一种确定由辐射源发射的辐射的照射束的一个或多个对齐属性的方法，其中所述照射束用于辐照量测装置中的衬底上的目标区域，所述方法包括：
(a)获得表示参考测量结果的第一组强度数据，所述第一组强度数据表示源自所述辐射的照射束的辐射的第一束到第一像素化传感器上的投影；
(b)获得表示源自所述辐射的照射束的辐射的第二束到所述第一像素化传感器或第二像素化传感器上的投影的第二组强度数据；
(c)处理所述第一组强度数据和所述第二组强度数据以确定所述辐射的照射束的所述一个或多个对齐属性；
其中所述处理包含将所述第一组强度数据与所述第二组强度数据进行比较以计算指示所述辐射的照射束的对齐属性的变化的信号值；
其中获得强度数据的所述步骤(a)和(b)包括检测通过第一周期性结构衍射的辐射的束。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组强度数据表示辐射的所述第二束到所述第二像素化传感器上的所述投影，并且步骤(a)和(b)被同时执行。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组强度数据表示辐射的所述第二束到所述第一像素化传感器上的所述投影，并且步骤(a)和(b)在时间上顺序地执行。
4.根据权利要求3所述的方法，其中：
所述第二束的所述投影相对于所述第一束的所述投影在位置上相差一距离；并且
所述处理包含将所述第一组强度数据与所述第二组强度数据进行比较以计算指示所述距离的值。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述距离小于所述第一像素化传感器或所述第二像素化传感器的像素的大小。
6.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述处理的所骤包括：
从所述第一组强度数据减去所述第二组强度数据以获得差异矩阵；
计算所述第一组强度数据的强度的梯度以获得第一梯度矩阵；
执行对所述差异矩阵与所述第一梯度矩阵的逐元素相乘以获得第一信号矩阵；以及
对所述第一信号矩阵的元素求和以获得指示所述第二束的所述投影沿着第一轴到所述第一像素化传感器或所述第二像素化传感器的平面中的第一坐标的平移的第一信号值。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括根据工具配置来执行在所述第一坐标上的坐标变换以获得第一源坐标，其中所述第一源坐标限定所述辐射源的位置。
8.根据权利要求6所述的方法，还包括计算所述第一组强度数据的强度的第二梯度以获得第二梯度矩阵；
执行对所述差异矩阵与所述第二梯度矩阵的逐元素相乘以获得第二信号矩阵；以及
对所述第二信号矩阵的元素求和以获得指示所述第二射束的所述投影沿着第二轴到所述第一像素化传感器或所述第二像素化传感器的平面中的第二坐标的平移的第二信号值。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一轴实质上垂直于所述第二轴。
10.根据权利要求8或9所述的方法，还包括根据工具配置来执行在所述第二坐标上的坐标变换以获得第二源坐标，其中所述第二源坐标限定所述辐射源的位置。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一周期性结构被布置为将辐射衍射到至少第一正衍射级和第一负衍射级中，并且辐射的所述第一束包括衍射到所述第一正衍射级中的所述辐射，并且辐射的所述第二束包括衍射到所述第一负衍射级中的所述辐射。
12.根据权利要求1或11所述的方法，其中所述第一周期性结构被布置为将辐射衍射到第二衍射级中，并且所述第一组强度数据和所述第二组强度数据通过检测衍射到所述第二衍射级中的辐射来获得。
13.根据权利要求1或11所述的方法，其中所述第一像素化传感器在所述第一周期性结构的远场中。
14.根据权利要求1或11所述的方法，其中所述第二像素化传感器在所述第一周期性结构的远场中。
15.根据1、2、3、4、5、7、8、9或11所述的方法，其中所述辐射源是高次谐波生成HHG源，并且所述辐射的照射束包括多个辐射谐波。
16.根据权利要求1、2、3、4、5、7、8、9或11所述的方法，其中所述辐射源是衬底上的目标区域，并且由所述辐射源发射的辐射是由所述目标区域反射的辐射。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述目标区域包括形成在所述衬底上的衬底周期性结构，并且由所述辐射源发射的辐射是由所述衬底周期性结构衍射的辐射。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述辐射的照射束是由所述衬底周期性结构衍射到零衍射级中的辐射的束。
19.根据权利要求1、2、3、4、5、7、8、9、11、17或18所述的方法，其中所述一个或多个对齐属性包括所述辐射的照射束的位置。
20.根据权利要求1、2、3、4、5、7、8、9、11、17或18所述的方法，其中所述一个或多个对齐属性包括来自所述辐射的照射束的所述辐射源的传播方向。
21.根据权利要求1、2、3、4、5、7、8、9、11、17或18所述的方法，其中辐射的所述第一束和辐射的所述第二束包括形成辐射源发射光谱的部分而非全部的波长。
22.根据权利要求21所述的方法，其中：
步骤(a)还包括获得一个或多个另外的第一组强度数据，其中所述另外的第一组中的每个表示包括形成所述辐射源发射光谱的部分而非全部的其他波长的辐射的束；
步骤(b)还包括获得一个或多个相应的另外的第二组强度数据，其中所述相应的另外的第二组表示所述其他波长；并且
步骤(c)还包括通过将所述第一组强度数据与相应的第二组强度数据进行比较来处理所述另外的第一组强度数据和所述相应的另外的第二组强度数据以确定与所述其他波长相关的一个或多个另外的对齐属性。
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述波长和所述其他波长包括所述辐射源发射光谱中的不同辐射谐波。
24.根据权利要求22所述的方法，还包括将所述一个或多个另外的对齐属性进行组合以获得一个或多个组合的对齐属性。
25.一种使辐射的照射束稳定的方法，所述方法包括：
根据权利要求1-24中任一项所述的方法来确定所述辐射的照射束的一个或多个对齐属性；以及
使用所述一个或多个对齐属性来控制所述辐射源以便将所述对齐属性中的至少一个对齐属性的值调节到所述至少一个对齐属性的目标值。
26.根据权利要求25所述的方法，其中使用的所述步骤包括将闭环反馈提供到控制系统。
27.一种使辐射的照射束的位置稳定的方法，所述方法包括：
根据权利要求1-24中任一项所述的方法来确定所述辐射的照射束的一个或多个对齐属性，其中所述一个或多个对齐属性包括来自所述辐射的照射束的位置；以及
使用所确定的位置来控制所述辐射源以便将所述辐射的照射束的所述位置调节到目标位置。
28.根据权利要求27所述的方法，其中使用的所述步骤包括将闭环反馈提供到控制系统。
29.一种使辐射的照射束的射束指向的方法，所述方法包括：
根据权利要求1-24中任一项所述的方法来确定所述辐射的照射束的一个或多个对齐属性，其中所述一个或多个对齐属性包括来自所述辐射的照射束的所述辐射源的传播方向；以及
使用所确定的传播方向来控制所述辐射源以便将所述辐射的照射束的所述传播方向调节到目标传播方向。
30.根据权利要求29所述的方法，其中使用的所述步骤包括将闭环反馈提供到控制系统。
31.一种用于在确定衬底上的结构的属性并且确定由辐射源发射的辐射的照射束的一个或多个对齐属性中使用的量测装置，所述装置包括：
辐照系统，用于生成所述辐射的照射束；
衬底支撑件，能够与所述辐照系统操作，以用于辐照形成在由所述衬底支撑件保持的所述衬底的目标区域上的周期性结构；
镜面检测分支检测器，用于检测由所述周期性结构衍射的辐射的光谱；以及
一个或多个处理器，被配置为：
获得表示参考测量的第一组强度数据，所述第一组强度数据表示源自所述辐射的照射束的辐射的第一束到第一像素化传感器上的投影；
获得第二组强度数据，所述第二组强度数据表示源自所述辐射的照射束的辐射的第二束到所述第一像素化传感器或第二像素化传感器上的投影；并且
处理所述第一组强度数据和所述第二组强度数据以确定所述辐射的照射束的所述一个或多个对齐属性；
其中所述处理包含将所述第一组强度数据与所述第二组强度数据进行比较以计算指示所述辐射的照射束的对齐属性的变化的值；
其中获得强度数据的所述步骤包括检测通过第一周期性结构衍射的辐射的束。
32.根据权利要求31所述的量测装置，还包括用于检测所述周期性结构上游的所述辐射的照射束的参考辐射光谱的参考检测器。
33.根据权利要求32所述的量测装置，其中所述结构的所述属性根据所述辐射的光谱和所述参考辐射光谱而被确定。
34.根据权利要求31至33中任一项所述的量测装置，其中所述镜面检测分支检测器包括所述第一像素化传感器。
35.根据权利要求32或33所述的量测装置，其中所述参考检测器包括所述第一像素化传感器。
36.根据权利要求31至33中任一项所述的量测装置，还包括控制系统，所述控制系统被配置为控制所述辐照系统和所述衬底支撑件中的至少一个，以便将所述对齐属性中的至少一个对齐属性的值调节到所述至少一个对齐属性的目标值。
37.根据权利要求31至33中任一项所述的量测装置，其中所述一个或多个处理器被配置为执行根据权利要求1至30中的任一项所述的方法。
38.一种光刻单元，包括根据权利要求31至37中的任一项所述的量测装置。
39.一种非瞬态计算机可读介质，具有记录在其上的指令，所述指令当由计算机执行时实施根据权利要求1至30中的任一项所述的方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3869270A1 (en) * 2020-02-18 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Assemblies and methods for guiding radiation
KR20220066963A (ko) * 2019-11-05 2022-05-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 측정 방법 및 측정 장치
US11674894B2 (en) * 2020-04-24 2023-06-13 Honeywell International Inc. Methods, apparatuses, and systems for diagnosing misalignment in gas detecting devices

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004101438A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Toshiba Corp レーザ発生装置、画像読取装置及び画像検査装置
CN101165597A (zh) * 2007-10-11 2008-04-23 上海微电子装备有限公司 双向分束器、使用其的对准系统及使用该系统的光刻装置
WO2014001071A2 (en) * 2012-06-26 2014-01-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
JP2938568B2 (ja) 1990-05-02 1999-08-23 フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 照明装置
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
KR100543536B1 (ko) * 2002-09-20 2006-01-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 마커구조체, 상기 리소그래피 마커구조체를포함하는 리소그래피 투영장치 및 상기 리소그래피마커구조체를 사용하여 기판을 정렬하는 방법
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8445876B2 (en) * 2008-10-24 2013-05-21 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light source apparatus
WO2010069757A1 (en) * 2008-12-16 2010-06-24 Asml Netherlands B.V. Calibration method, inspection method and apparatus, lithographic apparatus, and lithographic processing cell
JP5134603B2 (ja) * 2009-09-09 2013-01-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 光ビーム調整方法及び光ビーム調整装置
US9140998B2 (en) * 2010-11-12 2015-09-22 Asml Netherlands B.V. Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
US9404872B1 (en) * 2011-06-29 2016-08-02 Kla-Tencor Corporation Selectably configurable multiple mode spectroscopic ellipsometry
NL2009508A (en) * 2011-10-24 2013-04-25 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, and device manufacturing method.
CN102566318B (zh) * 2012-02-12 2014-05-28 中国科学院光电技术研究所 一种光束传输稳定装置
KR20160146718A (ko) * 2014-04-22 2016-12-21 바스프 에스이 적어도 하나의 물체를 광학적으로 검출하기 위한 검출기
EP3230841B1 (en) * 2014-12-09 2019-07-03 Basf Se Optical detector
KR102104843B1 (ko) 2015-10-02 2020-04-28 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치, 컴퓨터 프로그램 및 리소그래피 시스템
CN109313390B (zh) 2016-04-28 2021-05-25 Asml荷兰有限公司 Hhg源、检查设备和用于执行测量的方法
EP3296723A1 (en) 2016-09-14 2018-03-21 ASML Netherlands B.V. Illumination source for an inspection apparatus, inspection apparatus and inspection method
EP3321739A1 (en) 2016-11-11 2018-05-16 ASML Netherlands B.V. Illumination source for an inspection apparatus, inspection apparatus and inspection method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004101438A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Toshiba Corp レーザ発生装置、画像読取装置及び画像検査装置
CN101165597A (zh) * 2007-10-11 2008-04-23 上海微电子装备有限公司 双向分束器、使用其的对准系统及使用该系统的光刻装置
WO2014001071A2 (en) * 2012-06-26 2014-01-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus

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Publication number Publication date
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