TW201805730A

TW201805730A - 基於通過波長相似性之度量衡堅固性

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Publication number: TW201805730A
Application number: TW106116043A
Authority: TW
Inventors: 格藍達米歌爾葛西亞; 克理斯宣馬瑞斯李維斯; 法蘭克史達爾
Original assignee: Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2016-05-17
Filing date: 2017-05-16
Publication date: 2018-02-16
Also published as: US20190129319A1; US10394132B2; CN109154786A; IL262560A; CN109154786B; US10871716B2; KR102205364B1; IL262560B; TWI643030B; US20190377264A1; WO2017198422A1; KR20190008321A

Abstract

一種方法，其包括：藉由使用一基板量測配方而自一基板上之一目標獲得一量測結果；藉由一硬體電腦系統自該量測結果判定一參數，其中該參數特性化針對用於該基板量測配方之入射輻射的該量測結果對該目標之一光學路徑長度之相依性，且該判定該參數包含判定該量測結果對該入射輻射之波長之一相對改變的相依性；及若該參數不在一指定範圍內，則調整該基板量測配方。

Description

基於通過波長相似性之度量衡堅固性

本文中之描述係關於微影裝置及程序，且更特定言之係關於一種用以檢測或量測由微影裝置及程序產生之基板的工具及方法。

製造器件(諸如，半導體器件)通常涉及使用數個圖案化程序及圖案化裝置處理基板(例如，半導體晶圓)以形成器件之各種特徵及多個層。通常使用(例如)沈積、微影、蝕刻、化學機械拋光及離子植入來圖案化此等層及特徵。可在一基板上之複數個晶粒上圖案化多個器件，且接著將該等器件分離成個別器件。圖案化程序可涉及使用圖案化裝置之圖案化步驟(諸如使用微影裝置之光學及/或奈米壓印微影)以在基板上提供圖案，且通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影裝置之抗蝕劑顯影、使用烘烤工具烘烤基板、使用蝕刻裝置使用圖案蝕刻，等等。另外，可在圖案化程序中涉及一或多個度量衡程序。在圖案化程序期間在各種步驟下使用度量衡程序以監視及控制該程序。舉例而言，度量衡程序係用以量測基板之一或多個特性，諸如，在圖案化程序期間形成於基板上之特徵之相對部位(例如，對齊、疊對、對準等等)或尺寸(例如，線寬、臨界尺寸(CD)、厚度等)，使得(例如)可自該一或多個特性判定圖案化程序之效能。若該一或多個特性不可接受的(例如，在用於該(該等)特性之預定範圍外)，則該一或多個特性之量測可用以變更圖案化程序之一或多個參數使得藉由該圖案化程序製造之另外基板具有可接受的特性。微影裝置可用於(例如)圖案化程序中以用於製造積體電路(IC)或其他器件。在此狀況下，圖案化器件(例如，光罩)可含有或提供對應於器件之個別層之電路圖案(「設計佈局」)，且可藉由諸如經由圖案化器件上之電路圖案而輻照已塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)的方法將此電路圖案轉印至該目標部分上。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，電路圖案係由微影裝置順次地轉印至該複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影裝置中，將整個圖案化器件上之電路圖案一次性轉印至一個目標部分上；此裝置通常被稱作晶圓步進器(wafer stepper)。在通常被稱作步進掃描裝置(step-and-scan apparatus)之替代裝置中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化器件進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。圖案化器件上之電路圖案之不同部分逐漸地轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影裝置將具有縮減比M (例如，4)，故基板移動之速度F將為因數1/M乘以投影光束掃描圖案化器件之速度。在將電路圖案自圖案化器件轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如，上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序，諸如，曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印電路圖案之量測/檢測。此工序陣列用作製造一器件(例如，IC)之個別層的基礎。基板接著可經歷各種程序，諸如，蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等等，該等程序皆意欲精整器件之個別層。若在器件中需要若干層，則針對每一層來重複整個工序或其變體。最終，在基板上之每一目標部分中將存在一器件。接著藉由諸如切割或鋸切之技術來使此等裝置彼此分離，由此，可將個別器件安裝於載體上，連接至銷釘，等等。

本文中揭示一種方法，其包含：藉由使用一基板量測配方而自一基板上之一目標獲得一量測結果；藉由一硬體電腦系統自該量測結果判定一參數，其中該參數特性化針對根據該基板量測配方而使用之入射輻射的該量測結果對該目標之一光學路徑長度之相依性，且該判定該參數包含判定該量測結果對該入射輻射之波長之一相對改變的相依性；及若該參數不在一指定範圍內，則調整該基板量測配方。根據一實施例，該量測結果包含一疊對誤差、對準、焦點或臨界尺寸。根據一實施例，該量測結果包含來自該目標之兩個繞射階之一正規化強度不對稱性。根據一實施例，該參數為該量測結果相對於該光學路徑長度之一相對改變之一導數。根據一實施例，判定該參數包含使用至少兩個不同波長獲得量測結果。根據一實施例，該參數為運用該入射輻射之不同波長使用兩個基板量測配方而獲得的量測結果之兩個集合之間的一差。根據一實施例，調整該基板量測配方包含調整與該基板量測配方相關聯的一量測目標結構之一參數。根據一實施例，該目標之該參數包含該量測目標結構之至少部分之一形狀或定向。根據一實施例，調整該基板量測配方包含調整使用該基板量測配方進行之一量測之一參數。根據一實施例，該量測之該參數包含該入射量測輻射之偏振或波長。根據一實施例，該基板量測配方使用一單一入射光束。根據一實施例，使用該基板量測配方而量測之一量測目標結構具有經處理之誘發之目標不對稱性。根據一實施例，該方法進一步包含使用該基板量測配方檢測另一基板。本文中揭示一種方法，其包含：藉由使用複數個基板量測配方中之每一者而自一基板上之一目標獲得一量測結果；藉由一硬體電腦系統自該等量測結果中之每一者判定一參數，其中該參數特性化針對根據供獲得該量測結果之該基板量測配方而使用之入射輻射的該量測結果對該目標之一光學路徑長度之相依性；及基於該等參數自該複數個選擇至少一個基板量測配方。根據一實施例，判定該參數包含判定該量測結果對該入射輻射之波長之一相對改變的相依性。根據一實施例，該量測結果包含一疊對誤差、焦點、對準或臨界尺寸。根據一實施例，該量測結果包含來自該目標之兩個繞射階之一正規化強度不對稱性。根據一實施例，該參數為該量測結果相對於該光學路徑長度之一相對改變之一導數。根據一實施例，判定該參數包含使用至少兩個不同波長獲得量測結果。根據一實施例，該參數為運用該入射輻射之不同波長使用兩個基板量測配方而獲得的量測結果之兩個集合之間的一差。根據一實施例，該複數個基板量測配方中之至少一者使用一單一入射光束。根據一實施例，使用該複數個基板量測配方中之至少一者而量測之一目標具有經處理之誘發之目標不對稱性。根據一實施例，該方法進一步包含使用該選定基板量測配方檢測另一基板。本文中揭示一種電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施上文之該等方法中之任一者。

儘管在本文中可特定地參考IC之製造，但應明確理解，本文中之描述具有許多其他可能應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，在本文中對術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被認為是可分別與更一般之術語「光罩」、「基板」及「目標部分」互換。術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線輻射(EUV，例如具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)。如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」意謂調整圖案化程序參數(例如，微影投影裝置參數)使得(例如，微影之)器件製造結果及/或程序具有一或多個理想特性，諸如，設計佈局於基板上之較高投影準確度、較大程序窗等等。作為簡要介紹，圖1說明例示性微影裝置10A。主要組件包括：照明光學件，其定義部分相干性(被表示為均方偏差)，且可包括：塑形來自輻射源12A之輻射的光學件14A、16Aa及16Ab，該輻射源12A可為深紫外線準分子雷射源或包括極紫外線(EUV)源的其他類型之源(如本文中所論述，微影裝置自身無需具有輻射源)；及光學件16Ac，其將圖案化器件18A之圖案化器件圖案之影像投影至基板平面22A上。投影光學件之光瞳平面處之可調整濾光器或孔徑20A可限定照射於基板平面22A上之光束角度之範圍，其中最大可能角度定義投影光學件之數值孔徑NA=sin(Θ_max )。在微影裝置中，源提供照明(亦即，輻射)；投影光學件將照明經由圖案化器件而導向至基板上且塑形該照明。此處，術語「投影光學件」被廣泛地界定為包括可變更輻射光束之波前的任何光學組件。舉例而言，投影光學件可包括組件14、16a、16b及16c中之至少一些。空中影像(AI)為基板上之輻射強度分佈。曝光基板上之抗蝕劑層，且將空中影像轉印至抗蝕劑層以在其中作為潛伏「抗蝕劑影像」(RI)。可將抗蝕劑影像(RI)定義為抗蝕劑層中之抗蝕劑之溶解度的空間分佈。為了模擬微影裝置中之微影，源模型可表示源之光學特性(包括輻射強度分佈及/或相位分佈)。投影光學件模型可表示投影光學件之光學特性(包括由投影光學件造成的輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)。投影光學件模型可包括由各種因素造成的像差，該等因素例如，投影光學件之組件之加熱，由投影光學件之組件之機械連接造成的應力。源模型及投影光學件模型可組合成透射交叉係數(TCC)模型。設計佈局模型可表示設計佈局之光學特性(包括由給定設計佈局造成的輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)，該設計佈局為圖案化器件之特徵之配置的表示。可自源模型、投影光學件模型及設計佈局模型模擬空中影像。可使用抗蝕劑模型而自空中影像模擬抗蝕劑影像。微影之模擬可(例如)預測抗蝕劑影像中之輪廓及CD。模擬之目標應為準確地預測(例如)邊緣置放及CD，接著可比較邊緣置放及CD與預期設計。預期設計通常被定義為預OPC設計佈局，其可以諸如GDSII或OASIS或其他檔案格式之標準化數位檔案格式而提供。更具體言之，應注意，源模式可表示源之光學特性，其包括但不限於NA均方偏差(σ)設定以及任何特定照明源形狀(例如，離軸輻射源，諸如環形、四極及偶極等等)。投影光學件模型可表示投影光學件之光學特性，該等光學特性包括像差、失真、折射率、實體大小、實體尺寸、吸收率等等。設計佈局模型亦可表示如(例如)全文以引用方式併入之美國專利第7,587,704號中所描述的實體圖案化器件之物理屬性。可使用抗蝕劑模型以自空中影像計算抗蝕劑影像，可在全部揭示內容特此以引用方式併入之美國專利申請公開案第US 2009-0157360號中找到此情形之實例。抗蝕劑模型僅關於抗蝕劑層之屬性(例如，在曝光、PEB及顯影期間發生之化學程序之效應)。微影裝置之光學屬性(例如，源、圖案化器件及投影光學件之屬性)規定空中影像。由於用於微影裝置中之圖案化器件可改變，故需要將圖案化器件之光學屬性與至少包括源及投影光學件的微影裝置之其餘部分之光學屬性分離。如圖2A中所展示，微影裝置LA可形成微影製造單元LC (有時亦被稱作微影叢集)之部件，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行一或多個曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及/或一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序器件之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件受到塗佈顯影系統控制單元TCU控制，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。微影製造單元LC可進一步包含用以蝕刻基板之一或多個蝕刻器，及經組態以量測基板之參數之一或多個量測器件。量測器件可包含經組態以量測基板之實體參數之光學量測器件，諸如，散射計、掃描電子顯微鏡等等。在器件製造程序(例如，微影程序)中，可使基板在該程序期間或之後經受各種類型之量測。量測可判定一特定基板是否有缺陷、可建立對程序及/或用於程序中之一或多個裝置之調整(例如，對準基板上之兩個層或將圖案化器件對準至基板)、可量測程序及/或一或多個裝置之效能，或可用於其他目的。基板量測之實例包括光學成像(例如，光學顯微鏡)、非成像光學量測(例如，基於繞射之量測，諸如ASML YieldStar、ASML SMASH GridAlign)、機械量測(例如，使用觸控筆之剖面探測、原子力顯微法(AFM))，或非光學成像(例如，掃描電子顯微法(SEM))。如全文以引用方式併入本文中之美國專利第6,961,116號中所描述之智慧型對準感測器混合式(SMASH)系統使用自參考干涉計，該自參考干涉計產生對準標記之兩個重疊且相對旋轉之影像、偵測在使影像之傅立葉變換進行干涉之光瞳平面中之強度，且自兩個影像之繞射階之間的相位差提取位置資訊，該相位差表現為經干涉階中之強度變化。可根據基板量測配方執行藉由量測裝置進行之量測。術語「基板量測配方」可包括量測自身之一或多個參數、經量測圖案之一或多個參數，或此兩者。舉例而言，若用於基板量測配方中之量測為以非成像繞射為基礎之光學量測，則量測之參數可包括入射輻射之波長、入射輻射之偏振、輻射相對於基板之入射角，及/或繞射之輻射相對於基板上之圖案之相對定向。量測之參數可包括用於量測中之度量衡裝置之參數。經量測之圖案可為繞射經量測的圖案(亦被稱為「目標」或「目標結構」)。經量測之圖案可為出於量測目的而特殊設計的圖案。可將目標之多個複本置放於基板上之許多地點上。經量測圖案之參數可包括圖案之至少部分之形狀、定向及/或大小。基板量測配方可用以將相對於基板上之現有圖案而成像的圖案之層對準。基板量測配方可用於藉由量測基板之相對位置而將圖案化器件對準至基板。可以數學形式來表達基板量測配方：

，其中r_i 為量測之參數且t_j 為經量測之一或多個圖案之參數。量測配方無需具有經量測之一或多個圖案之參數或無需具有量測之參數。圖3示意性地展示具有兩個相異目標P及Q之基板，其中每一目標之複本置放於基板之四個不同區域中。該等目標可包括(例如)具有相互垂直方向之光柵。目標可包括量測可偵測圖案之邊緣之位移或圖案之尺寸的圖案上之部位。圖3之基板可經受使用兩個基板量測配方A及B之量測。基板量測配方A及B至少在經量測之目標方面不同(例如，A量測目標P且B量測目標Q)。基板量測配方A及B亦可在其量測之一或多個參數方面不同。基板量測配方A及B可甚至不基於同一量測技術。舉例而言，配方A可基於SEM量測且配方B可基於AFM量測。由散射計使用之目標可包含相對大的週期性結構佈局(例如，包含一或多個光柵)，例如40微米乘40微米。在彼狀況下，量測光束常常具有小於週期性結構佈局之光點大小(亦即，佈局填充不足使得週期性結構中之一或多者並未由光點完全覆蓋)。此情形簡化目標之數學重新建構，此係因為可將目標視為無限的。然而，舉例而言，當可將目標定位於產品特徵當中而非切割道中時，目標之大小可縮減(例如)至20微米乘20微米或更小，或縮減至10微米乘10微米或更小。在此情形下，可使週期性結構佈局小於量測光點(亦即，週期性結構佈局填充過度)。通常使用暗場散射量測來量測此目標，其中阻擋零階繞射(對應於鏡面反射)，且僅處理高階。可在PCT專利申請公開案第WO 2009/078708號及第WO 2009/106279號中找到暗場度量衡之實例，該等專利申請公開案之全文特此以引用方式併入。美國專利申請公開案US2011/0027704、US2011/0043791及US2012/0242970中已描述該技術之進一步開發，該等專利申請公開案之全文特此以引用方式併入。使用繞射階之暗場偵測的以繞射為基礎之疊對使能夠對較小目標進行疊對量測。此等目標可小於照明光點且可由基板上之產品結構環繞。在一實施例中，可在一個影像中量測多個目標。在一實施例中，基板上之目標可包含一或多個1-D週期性光柵，其經印刷成使得在顯影之後，長條係由固體抗蝕劑線形成。在一實施例中，目標可包含一或多個2-D週期性光柵，其經印刷成使得在顯影之後，該一或多個光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。長條、導柱或通孔可替代地經蝕刻至基板中。光柵之圖案對微影投影裝置(特別是投影系統PL)中之色像差敏感，且照明對稱性及此等像差之存在將使其自身表現為經印刷光柵之變化。因此，經印刷光柵之經量測資料可用以重新建構該等光柵。可將1-D光柵之參數(諸如線寬及形狀)或2-D光柵之參數(諸如導柱或通孔寬度或長度或形狀)輸入至由處理單元PU根據印刷步驟及/或其他量測程序之知識而執行之重新建構程序。圖2B中展示暗場度量衡裝置。圖2C中更詳細地說明目標T (包含諸如光柵之週期性結構)及繞射射線。暗場度量衡裝置可為單機器件，或(例如)在量測站處併入於微影裝置LA中抑或併入於微影製造單元LC中。貫穿該裝置具有若干分支之光軸係由點線O表示。在此裝置中，由輸出11 (例如，諸如雷射或氙氣燈之源，或連接至源之開口)發射之輻射係由包含透鏡12、14及物鏡16之光學系統經由稜鏡15而導向至基板W上。該輻射可為可見光及/或紫外線輻射(例如，選自約425奈米至約880奈米之範圍之輻射)。此等透鏡係以4F配置之雙重序列而配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為：該透鏡配置仍將基板影像提供至偵測器上。透鏡配置可允許接取中間光瞳平面以用於空間頻率濾光。因此，可藉由在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處被稱作(共軛)光瞳平面)中界定空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度範圍。詳言之，此選擇可(例如)藉由在為物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡12與透鏡14之間插入合適形式之孔徑板13來進行。在所說明之實例中，孔徑板13具有不同形式(被標註為13N及13S)，從而允許選擇不同照明模式。本實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N提供自僅出於描述起見被指明為「北」之方向之離軸照明。在第二照明模式中，孔徑板13S係用以提供相似照明，但提供來自被標註為「南」之相對方向之照明。藉由使用不同孔徑，其他照明模式係可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係因為所要照明模式外部之任何不必要輻射可干涉所要量測信號。基板量測配方之量測之參數可包括光瞳平面處之強度分佈。目標可為在光瞳平面處之強度分佈不同的多個基板量測配方之一部分。如圖2C中所展示，目標T經置放成使得基板W實質上垂直於物鏡16之光軸O。與軸線O成一角度而照射於目標T上之照明射線I引起一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈線-1)。在運用填充過度之小目標T的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。由於板13中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之輻射所必要)，所以入射射線I事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數，每一階+1及-1將遍及一角度範圍而進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。應注意，週期性結構間距及照明角度可經設計或經調整成使得進入物鏡之一階射線與中心光軸緊密地對準。圖2B及圖2C中所說明之射線被展示為稍微離軸，以純粹地使其能夠在圖解中被更容易地區分。由基板W上之目標繞射之至少0階及+1階係由物鏡16收集，且被返回導向通過稜鏡15。返回至圖2B，藉由指明被標註為北(N)及南(S)之完全相對孔徑來說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當入射射線I係來自光軸之北側時，亦即，當使用孔徑板13N來應用第一照明模式時，被標註為+1(N)之+1繞射射線進入物鏡16。與此對比，當使用孔徑板13S來應用第二照明模式時，-1繞射射線(標註為-1(S))為進入透鏡16之繞射射線。因此，在一實施例中，藉由在某些條件下量測目標兩次(例如，在使目標旋轉或改變照明模式或改變成像模式以分離地獲得-1繞射階強度及+1繞射階強度之後)來獲得量測結果。針對給定目標比較此等強度會提供該目標中之不對稱性之量測，且該目標中之不對稱性可用作微影程序之參數之指示符，例如，疊對誤差。在以上所描述之情形下，改變照明模式。光束分裂器17將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束而在第一感測器19 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。由感測器19捕捉之光瞳平面影像可用於聚焦度量衡裝置及/或正規化一階光束之強度量測。光瞳平面影像亦可用於諸如重新建構之許多量測目的，其未在此處被詳細描述。在第二量測分支中，光學系統20、22在感測器23(例如，CCD或CMOS感測器)上形成基板W上之目標之影像。在第二量測分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供孔徑光闌21。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上的目標之影像DF係由-1或+1一階光束形成。將由感測器19及23捕捉之影像輸出至影像處理器及控制器PU，影像處理器及控制器PU之功能將取決於正被執行之量測之特定類型。應注意，此處在廣泛意義上使用術語「影像」。若僅存在-1階及+1階中之一者，則將不形成如此的週期性結構特徵(例如，光柵線)之影像。圖2D及圖2E中所展示之孔徑板13及光闌21之特定形式純粹為實例。在本發明之另一實施例中，使用目標之同軸照明，且使用具有離軸孔徑之孔徑光闌以將實質上僅一個一階繞射輻射傳遞至感測器。在又其他實施例中，代替一階光束或除了一階光束以外，在量測中亦可使用二階光束、三階光束及高階光束(圖中未繪示)。為了使照明可適應於此等不同類型之量測，孔徑板13可包含圍繞一圓盤而形成之數個孔徑圖案，該圓盤旋轉以使所要圖案處於適當位置。應注意，使用孔徑板13N或13S以量測在一個方向(取決於設置為X或Y)上定向之目標之週期性結構。為了量測正交週期性結構，可能實施達90°及270°之目標旋轉。圖2D及圖2E中展示不同孔徑板。圖2D說明離軸照明模式之另外兩種類型。在圖2D之第一照明模式中，孔徑板13E提供來自僅出於描述起見相對於先前所描述之「北」被指明為「東」之方向的離軸照明。在圖2E之第二照明模式中，孔徑板13W係用以提供相似照明，但提供來自被標註為「西」之相對方向之照明。圖2E說明離軸照明模式之另外兩種類型。在圖2E之第一照明模式中，孔徑板13NW提供來自被指明為如先前所描述之「北」及「西」之方向的離軸照明。在第二照明模式中，孔徑板13SE用以提供相似照明，但提供來自被標註為如先前所描述之「南」及「東」之相對方向的照明。舉例而言，上文所提及之先前公開之專利申請公開案中描述裝置之此等及眾多其他變化及應用的使用。圖2F描繪形成於基板上之實例複合度量衡目標。該複合目標包含緊密定位在一起之四個週期性結構(在此狀況下，為光柵) 32、33、34、35。在一實施例中，該等週期性結構足夠緊密地定位在一起，使得其皆在由度量衡裝置之照明光束形成之量測光點31內。在彼狀況下，該四個週期性結構因此皆被同時地照明且同時地成像於感測器19及23上。在專用於疊對量測之一實例中，週期性結構32、33、34、35自身為由上覆週期性結構而形成之複合週期性結構(例如，複合光柵)，亦即，週期性結構在形成於基板W上之器件之不同層中經圖案化且使得一個層中之至少一個週期性結構與不同層中之至少一個週期性結構疊對。此目標可具有在20微米× 20微米內或在16微米× 16微米內之外部尺寸。另外，所有週期性結構用以量測一特定層對之間的疊對。為了促進目標能夠量測多於單一層對，週期性結構32、33、34、35可具有經不同偏置之疊對偏移，以便促進經形成有複合週期性結構之不同部分的不同層之間的疊對之量測。因此，用於基板上之目標之所有週期性結構將用以量測一個層對，且用於基板上之另一相同目標之所有週期性結構將用以量測另一層對，其中不同偏置促進區分該等層對。圖2G展示在使用來自圖2E之孔徑板13NW或13SE的情況下在圖2B之裝置中使用圖2F之目標而可形成於感測器23上且由感測器23偵測的影像之一實例。雖然感測器19不可解析不同個別週期性結構32至35，但感測器23可進行此解析。暗矩形表示感測器上之影像之場，在該場內，基板上之經照明光點31成像至對應圓形區域41中。在此圓形區域內，矩形區域42至45表示週期性結構32至35之影像。若週期性結構位於產品區域中，則在此影像場之周邊中亦可看見產品特徵。影像處理器及控制器PU使用圖案辨識來處理此等影像，以識別週期性結構32至35之分離影像42至45。以此方式，影像並不必須在感測器框架內之特定部位處極精確地對準，此情形極大地改良量測裝置整體上之產出率。在器件製造程序之內容背景中，判定基板量測配方是否準確及自量測獲得真值可具有挑戰性，此係因為真值及系統誤差兩者表現於量測結果中。即，真值及系統誤差兩者影響結果，且因此，結果可具有來自真值之貢獻及來自系統誤差之貢獻。若可判定系統誤差之貢獻，則可自經受隨機誤差(亦即，不精確性)之量測之結果判定真值。量測之隨機誤差(亦即，不精確性)可歸因於量測之性質、用於量測之裝置、環境或甚至量測中所涉及之物理學。隨機誤差或不精確性可藉由重複量測而縮減，此係因為重複量測中之隨機誤差平均為零。圖4A及圖4B示範相同目標可如何使用不同基板量測配方來引入不同系統誤差。圖4A示意性地展示包括渠溝312上方之上部結構311之目標310的橫截面圖，該目標適合於量測上部結構311與渠溝312之間的疊對誤差。由於程序(例如，蝕刻、CMP或程序中之其他步驟)，渠溝312之底部313傾斜(不平行於基板)。舉例而言，另外兩個相同基板量測配方使用處於相同入射角之輻射光束314及315以用於基板量測，惟輻射光束314及315自不同方向導向至基板上除外。儘管光束314及315具有相對於基板之相同入射角，但其並不具有相對於渠溝312之底部313的相同入射角，此係因為底部313相對於基板傾斜。因此，光束314及315由目標之散射之特性不同。圖4B示意性地展示包括渠溝322上方之上部結構321之另一目標320的橫截面圖，該目標適合於量測上部結構321與渠溝322之間的疊對誤差。由於程序(例如，蝕刻、CMP或程序中之其他步驟)，渠溝322之側壁323傾斜(不垂直於基板)。舉例而言，另外兩個相同基板量測配方使用處於相同入射角之輻射光束324及325以用於基板量測，惟輻射光束324及325自不同方向導向至基板上除外。儘管光束324及325具有相對於基板之相同入射角，但光束324偏斜側壁323，而光束325幾乎垂直於側壁323。因此，光束324幾乎不由側壁323散射，但光束325由側壁323強散射。因此，光束324及325由目標之散射之特性不同。目標之光學路徑之變化可造成使用基板量測配方獲得的量測結果之誤差。圖4C示意性地展示在一或多個層之堆疊333上方包括結構331之目標330的橫截面圖。結構331可為光柵。堆疊333可具有半導體材料、金屬、介電質或任何其他合適材料。包括此目標330之基板量測配方可將入射輻射光束334導向至目標330且收集自該目標330散射之輻射336。當入射輻射中之一些穿透至堆疊333中時，目標330之光學路徑長度之變化可影響散射輻射336且因此影響使用基板量測配方而執行之量測之量測結果。目標330之光學路徑長度可歸因於各種因素。該等因素之實例之非詳盡清單包括堆疊333中之一或多個層之化學成份、堆疊333中之一或多個層之厚度，及/或該一或多個層之一或多個處理條件(例如，退火、沈積、摻雜等等)。量測、預測或模擬此等因素可為困難的。根據一實施例，藉由目標之光學路徑長度變化而出現的對使用基板量測配方而執行之量測之量測結果之影響可自藉由入射輻射之波長之相對改變而對量測結果之相依性予以估計或判定。由行進通過堆疊333之輻射累積之相位為：

其中h為目標330之光學路徑長度、λ為入射輻射之波長且β為圖4C中所展示之角度。因此，光學路徑長度之變化Δh造成經累積相位以以下方程式改變：

且波長之變化Δλ造成經累積相位以以下方程式改變：

。在將相位改變設定為相等之後：

得到方程式：

及近似式：

。即，波長及光學路徑長度中之相對相同的改變對量測結果有近似相同影響。在使用此關係的情況下，可使用藉由入射輻射之波長之變化而對量測結果的影響來估計或判定藉由目標之光學路徑長度之變化而對量測結果的影響。在一實例中，此關係可用於以繞射為基礎之焦點量測上。包括目標之基板量測配方可用以量測微影裝置在掃描期間之聚焦。可自來自目標之+1繞射階與-1繞射階之間的正規化強度不對稱性(例如，ΔI/I )導出焦點。正規化強度不對稱性與聚焦誤差之間的關係取決於用於基板量測配方中之波長。圖5展示表示針對兩個基板量測配方之正規化強度不對稱性(在此狀況下為ΔI/I )與聚焦誤差(FE)之間的關係的兩個曲線，該兩個基板量測配方相同，惟入射輻射之波長除外(分別為λ1及λ2)。藉由由此兩個基板量測配方獲得之正規化強度不對稱性之相同值，可分別自該等關係導出兩個不同FE值(FE1及FE2)。藉由波長之相對改變

而對FE之影響因此為

，其中λ0可為在

之條件下介於λ1與λ2之間的任何地方之標稱波長。在使用上文所導出的波長之相對改變與光學路徑長度之相對改變之間的關係的情況下，藉由光學路徑長度之相對改變

而對FE之影響亦為近似

。圖6A展示針對若干不同標稱波長之在光學路徑長度之相對改變為1%的情況下之聚焦誤差之影響，其係如使用上文所導出的波長之相對改變與光學路徑長度之相對改變之間的關係而判定。圖6B展示針對若干不同標稱波長之如藉由模擬而判定的在光學路徑長度之相對改變為1%的情況下之聚焦誤差之影響。圖6C展示如藉由此兩種途徑所判定之影響良好地匹配(水平軸線：藉由模擬之FE；垂直軸線：藉由上文所導出的波長之相對改變與光學路徑長度之相對改變之間的關係之FE)。圖7A展示使用基板量測配方使用入射輻射而獲得之量測結果D 與波長λ之間的通用關係，且該波長λ變化。圖7B展示量測結果D 相對於波長λ之偏導數，該偏導數自身為波長λ之函數。使用具有兩個波長710及720中之任一者或在該兩個波長710及720附近的波長(例如，在20%內、在15%內、在10%內、在5%內或在2%內)之入射輻射之基板量測配方相對於波長之變化堅固，且因此相對於用於該基板量測配方中的目標之光學路徑長度之變化堅固。圖8展示用於調整基板量測配方之方法的流程圖。在工序810中，藉由使用基板量測配方而自基板上之目標獲得量測結果。量測結果之實例可包括疊對誤差、對準、焦點或臨界尺寸。量測結果可包括來自目標之兩個繞射階之正規化強度不對稱性。在工序820中，自量測結果判定參數。該參數特性化針對當根據基板量測配方進行量測時使用之入射輻射的量測結果對目標之光學路徑長度的相依性。舉例而言，對光學路徑長度之相依性係取決於光學路徑長度之相對改變。參數可為量測結果相對於目標之光學路徑長度之相對改變之導數。參數可為運用入射輻射之不同波長使用兩個基板量測配方而獲得的量測結果之兩個集合之間的差。判定參數之程序包含判定量測結果對入射輻射之波長之相對改變的相依性。舉例而言，判定參數之程序包含使用至少兩個不同波長獲得量測結果。根據對波長之相對改變之相依性，可使用上文所導出的波長之相對改變與光學路徑長度之相對改變之間的關係來判定或估計對光學路徑長度之相依性。在工序830中，若參數經判定為不在特定範圍內，則流程轉至工序840，在工序840中調整基板量測配方。調整基板量測配方可包括調整與基板量測配方相關聯的目標之至少部分之一或多個參數(例如，形狀或定向)。調整基板量測配方可包括調整使用基板量測配方進行之量測之一或多個參數(例如，入射輻射之偏振或波長)。特定範圍可表示基板量測配方相對於光學路徑長度之變化之堅固性範圍。一旦調整了基板量測配方，流程就返回至工序810。若參數在特定範圍內，則流程可轉至選用工序850，在工序850中使用基板量測配方以檢測另一基板。基板量測配方可使用單一入射光束。目標可具有諸如圖4A及/或圖4B中所展示之程序誘發之目標不對稱性。圖9展示用於自候選基板量測配方之群組選擇一或多個基板量測配方之方法的流程圖。在工序910-1、910-2、…、910-N中之每一者中，藉由使用基板量測配方之群組之一個配方而自基板上之目標獲得量測結果。量測結果之實例可包括疊對誤差、對準、焦點或臨界尺寸。量測結果可包括來自目標之兩個繞射階之正規化強度不對稱性。在工序920-1、920-2、…、920-N中之每一者中，針對每一基板量測配方而自量測結果中之每一者判定參數。該參數特性化針對當根據基板量測配方進行量測時使用之入射輻射的量測結果對目標之光學路徑長度的相依性。舉例而言，對光學路徑長度之相依性可為對光學路徑長度之相對改變之相依性。參數可為量測結果相對於目標之光學路徑長度之相對改變之導數。參數可為運用入射輻射之不同波長使用兩個基板量測配方而獲得的量測結果之兩個集合之間的差。判定參數之程序可包括判定量測結果對入射輻射之波長之相對改變的相依性。舉例而言，判定參數之程序包含使用至少兩個不同波長獲得量測結果。根據對波長之相對改變之相依性，可使用上文所導出的波長之相對改變與光學路徑長度之相對改變之間的關係來判定或估計對光學路徑長度之相依性。在工序930中，基於參數而自群組選擇至少一個基板量測配方。在選用工序940中，使用選定基板量測配方以檢測另一基板。來自基板量測配方之群組之至少一個配方可使用單一入射光束。目標可具有諸如圖4A及/或圖4B中所展示之程序誘發之目標不對稱性。因此，在一實施例中，提供通過波長相似性之方法，其係基於辨識目標堆疊改變與量測光束波長改變之間的基本當量。此可(例如)在以下情況下實現：堆疊可被描述為具有折射率n及厚度h的均質有效媒體且堆疊變化修改正在行進通過該堆疊之輻射之相位(輻射在該堆疊之底部反射且與由目標朝向感測器繞射至環境中的輻射相互作用)。具體言之，關於行進通過堆疊之輻射之相位，波長之改變基本上等效於堆疊高度之改變(例如，倘若彼等波長改變足夠小使得輻射與目標結構之相互作用中之差異可忽略)。可在各種應用中使用通過波長相似性(亦即，堆疊變化(在此狀況下為高度變化)之相對改變(Dh/h)與波長變化之相對改變(DL/l)之間的連結)。舉例而言，需要知曉的堅固性為堆疊之相對改變(Dh/h)對量測結果之影響，但可並未直接判定此堆疊改變。但在運用在多個波長下量測之資料的情況下，可計算波長之相對改變(Dl/l)對量測結果之影響。因為此兩個改變基本上等效(如以上所描述)，所以在不同波長下收集之資料可用以計算堆疊變化之影響。在一實施例中，為了計算波長改變之影響，可使用允許計算在(例如)依據針對不同量測光束波長之聚焦誤差(例如，散焦)而變化的(例如，繞射階之)經量測強度不對稱性之校準曲線之間的聚焦誤差(在曝光期間)之任何度量。此度量可為運用加權函數評估之曲線之間的差，該加權函數在標稱焦點周圍較高。此度量之另一選項應為使用相似性方法，其包括計算加權平均值與3σ(權重函數為具有平滑邊緣之字組，其考量偏移及聚焦均一性)、局域最大絕對差或最大絕對加權局域斜率(權重函數在此狀況下為考量聚焦均一性之高斯(Gaussian)函數)。在運用適當度量的情況下，可將在不同情況下(通常為對不同量測裝置量測之相同目標及波長)量測之校準曲線進行比較，且可獲得對應於以下狀況之聚焦誤差影響：當一個校準曲線已被使用時使用另一校準曲線以計算焦點。為了堅固性計算，可將度量應用於每一對經量測波長。所得聚焦誤差除以波長(以奈米為單位)之間的差，且接著經正規化至標稱波長。因此，導出由波長之相對改變產生之誤差，該誤差基本上等效於由相同相對堆疊改變產生之誤差。在一實施例中，可使用同一原理藉由評估曲線之依據其擬合係數而變化的變化通過波長來估計每波長堅固性。若校準曲線之擬合係數通過波長平滑地變化(通常在簡單堆疊中)，則其可經擬合且擬合資料可用以估計在某一(有限)相對波長變化之後的校準曲線。可在之前所解釋之相似性度量中使用此等所估計曲線。使用正交多項式之展開式及來自提供較緻密(或連續)波長取樣之量測裝置之資料將適合於此方法，其限制條件為：經評估係數變化有限。圖10為說明可輔助實施本文中所揭示之方法及流程之電腦系統100的方塊圖。電腦系統100包括用以傳達資訊之一匯流排102或其他通信機構，及與匯流排102耦接以處理資訊之一處理器104 (或多個處理器104及105)。電腦系統100亦可包括耦接至匯流排102以儲存及/或供應待由處理器104執行之資訊及指令的主記憶體106，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體106可用以在待由處理器104執行之指令之執行期間儲存及/或供應暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統100可進一步包括耦接至匯流排102以儲存及/或供應用於處理器104之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM) 108或其他靜態儲存器件。可提供諸如磁碟或光碟之儲存器件110，且可將儲存器件110耦接至匯流排102以儲存及/或供應資訊及指令。電腦系統100可經由匯流排102而耦接至用以向電腦使用者顯示資訊之顯示器112，諸如，陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件114可耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入器件可為用以將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且控制顯示器112上之游標移動的游標控制件116，諸如，滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如，x)及第二軸線(例如，y))上之兩個自由度，其允許該器件指定在平面中之位置。亦可將觸控面板(螢幕)顯示器用作輸入器件。根據一項實施例，回應於處理器104執行一或多個指令之一或多個序列，可由電腦系統100執行本文中所描述之方法之部分。在一實施例中，電腦系統100可為微影裝置之部分、度量衡系統之部分，連接至微影裝置及/或度量衡系統之單機系統等等。主記憶體106中可含有此等指令，且可將此等指令自諸如儲存器件110之另一電腦可讀媒體讀取至主記憶體106中。主記憶體106中所含有之指令序列之執行致使處理器104執行本文中所描述之程序步驟。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用以執行主記憶體106中含有之指令序列。在一替代實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此，本文中之描述不限於硬體電路系統及軟體之任何特定組合。如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器104以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括(例如)光碟及/或磁碟，諸如儲存器件110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體106。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，其包括包含匯流排102之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或輻射波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或輻射波。電腦可讀媒體之常見形式包括(例如)軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行時涉及電腦可讀媒體之各種形式。舉例而言，最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟或記憶體上。遠端電腦可將該等指令載入至其動態記憶體中，且經由通信路徑發送該等指令。電腦系統100可自路徑接收資料且將資料置放於匯流排102上。匯流排102將資料攜載至主記憶體106，處理器104自該主記憶體106擷取並執行指令。由主記憶體106接收之指令可視情況在供處理器104執行之前或之後儲存於儲存器件110上。電腦系統100亦可包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118提供對網路鏈路120之雙向資料通信耦合，網路鏈路120連接至網路122。舉例而言，通信介面118可提供有線或無線資料通信連接。在任何此類實施中，通信介面118發送及接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光學信號。網路鏈路120通常經由一或多個網路將資料通信提供至其他資料器件。舉例而言，網路鏈路120可經由網路122而向主機電腦124或向由網際網路服務業者(ISP) 126操作之資料設備提供連接。ISP 126又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」) 128而提供資料通信服務。網路122及網際網路128兩者皆使用攜載數位資料流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統100及自電腦系統100攜載數位資料)為輸送資訊的載波之例示性形式。電腦系統100可經由網路、網路鏈路120及通信介面118發送訊息及接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，伺服器130可能經由網際網路128、ISP 126、網路122及通信介面118而傳輸用於應用程式之經請求程式碼。舉例而言，一個此類經下載應用程式可提供用以實施本文中之方法之程式碼。所接收程式碼可在其被接收時由處理器104執行，及/或儲存於儲存器件110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統100可獲得呈載波之形式之應用程式碼。圖11示意性地描繪例示性微影裝置。該裝置包含： - 照明系統IL，其用以調節輻射光束B。在此特定狀況下，照明系統亦包含輻射源SO； - 第一物件台(例如，光罩台) MT，其具備用以固持圖案化器件MA (例如，倍縮光罩)之圖案化器件固持器，且連接至用以相對於項目PS來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM； - 第二物件台(基板台) WT，其具備用以固持基板W (例如，抗蝕劑塗佈矽晶圓)之基板固持器，且連接至用以相對於項目PS來準確地定位該基板之第二定位器PW； - 投影系統PS (例如，折射、反射或反射折射光學系統)，其用以將圖案化器件MA之經輻照部分成像至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。如本文中所描繪，該裝置屬於透射類型(亦即，具有透射光罩)。然而，一般而言，其亦可屬於(例如)反射類型(具有反射光罩)。替代地，裝置可使用另一種類之圖案化器件作為對經典光罩之使用的替代例；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。源SO (例如，水銀燈或準分子雷射)產生輻射光束。此光束直接地或在已橫穿諸如光束擴展器之調節器之後經饋入至照明系統(照明器) IL中。照明器IL可包含經組態以設定光束中之強度分佈之外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)的調整器AD。另外，照明器IL通常將包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。以此方式，照射於圖案化器件MA上之光束B在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。關於圖11應注意，源SO可在微影裝置之外殼內(此通常為當源SO為(例如)水銀燈時之狀況)，但其亦可遠離微影裝置，其產生之輻射光束被導向至該裝置中(例如，憑藉合適導向鏡面BD)；此後一情境常常為當源SO為準分子雷射(例如，基於KrF、ArF或F₂ 雷射作用)時之狀況。光束B隨後截取被固持於圖案化器件台MT上之圖案化器件MA。在已橫穿圖案化器件MA之情況下，光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW (及干涉計IF)，可準確地移動基板台WT，例如，以便將不同目標部分C定位於光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM可用以(例如)在自圖案化器件庫機械擷取圖案化器件MA之後或在掃描期間相對於光束B之路徑來準確地定位該圖案化器件MA。一般而言，將憑藉未在圖11中明確地描繪之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT、WT之移動。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩) MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記亦可包括於器件特徵當中之晶粒內，在此狀況下，需要使標記儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或程序條件。圖12示意性地描繪另一例示性微影裝置1000。該微影裝置1000包括： - 源收集器模組SO； - 照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，EUV輻射)； - 支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩) MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM； - 基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及 - 投影系統(例如，反射投影系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。如此處所描繪，裝置1000屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，所以圖案化器件可具有包含(例如)鉬與矽之多堆疊的多層反射器。在一項實例中，多堆疊反射器具有鉬及矽之40層對。可藉由X射線微影來產生甚至更小的波長。由於大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，故圖案化器件構形(topography)上之經圖案化吸收材料薄片(例如，多層反射器之頂部上之TaN吸收器)界定特徵將印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負型抗蝕劑)之處。參看圖12，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線(EUV)輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(其常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖12中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用以提供用以激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO₂ 雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，例如當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，該源可為源收集器模組之整體部分。照明器IL可包含經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩) MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2 (例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。 2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，在給定方向(所謂的「掃描方向」)上同步地掃描支撐結構(例如，光罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台) MT之速度及方向。 3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台) MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。另外，微影裝置可屬於具有兩個或多於兩個台(例如，兩個或多於兩個基板台、兩個或多於兩個圖案化器件台，及/或一基板台及不具有基板之一台)之類型。在此等「多載物台」器件中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，全文以引用方式併入本文中之美國專利第5,969,441號中描述雙載物台微影裝置。圖13更詳細地展示裝置1000，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於該源收集器模組SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)來產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為(例如) 10帕斯卡之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。由熱電漿210發射之輻射係經由經定位於源腔室211中之開口中或後方的選用氣體障壁或污染物截留器230 (在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染物截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如此項技術中已知，本文中進一步指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。收集器腔室211可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240被反射以沿著由點虛線「O」指示之光軸而聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處的輻射光束21之所要角度分佈，以及在圖案化器件MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處的輻射光束21之反射後，隨即形成經圖案化光束26，且由投影系統PS經由反射元件28、30而將經圖案化光束26成像至由基板台WT固持之基板W上。比所展示之元件多的元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖13中所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。如圖13中說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學件CO理想地結合放電產生電漿源(常常被稱為DPP源)而使用。替代地，源收集器模組SO可為LPP輻射系統之部分。本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。本文中所揭示之概念可供涉及微影裝置之任何器件製造程序使用，且可對能夠產生具有愈來愈小大小之波長之新興成像技術尤其有用。已經在使用中之新興技術包括能夠藉由使用ArF雷射來產生193奈米波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157奈米波長之深紫外線 (DUV)微影。此外，EUV微影能夠產生在5奈米至20奈米之範圍內之波長。雖然本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上的器件製造，但應理解，所揭示概念可與任何類型之微影成像系統一起使用，例如，用於在除了矽晶圓以外之基板上之成像的微影成像系統。上文所提及之圖案化器件包含或可形成設計佈局。可利用電腦輔助設計(CAD)程式來產生設計佈局。此程序常常被稱作電子設計自動化(EDA)。大多數CAD程式遵循預定設計規則之集合，以便產生功能設計佈局/圖案化器件。藉由處理及設計限制來設定此等規則。舉例而言，設計規則定義電路器件(諸如，閘、電容器等等)或互連線之間的空間容許度，以便確保電路器件或線彼此不會以不理想方式相互作用。設計規則限制通常被稱作「臨界尺寸」(CD)。可將電路之臨界尺寸界定為線或孔之最小寬度，或兩條線或兩個孔之間的最小空間。因此，CD判定經設計電路之總大小及密度。當然，積體電路製造中之目標中之一者係在基板上如實地再生原始電路設計(經由圖案化器件)。本文中所使用之術語「光罩」或「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向經圖案化橫截面賦予入射輻射光束之通用圖案化器件，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。除經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等等)以外，其他此類圖案化器件之實例包括： -可程式化鏡面陣列。此器件之實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此裝置所隱含之基本原理為(例如)：反射表面之經定址區域將入射輻射反射為繞射輻射，而未經定址區域將入射輻射反射為非繞射輻射。在使用適當濾光器之情況下，可自反射光束濾出該非繞射輻射，從而僅留下繞射輻射；以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。可使用合適電子構件來執行所需矩陣定址。 -可程式化LCD陣列。如所提及，微影蝕刻術(microlithography)為在諸如IC之器件之製造中的重要步驟，在微影蝕刻術中形成於基板上之圖案界定IC之功能元件，諸如，微處理器、記憶體晶片等等。相似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他器件。供印刷尺寸小於微影裝置之經典解析度極限之特徵的程序根據解析度公式CD=k₁ ×λ/NA通常被稱為低k₁ 微影，其中λ為所使用輻射之波長(當前在大多數狀況下為248奈米或193奈米)，NA為微影裝置中之投影光學件之數值孔徑，CD為「臨界尺寸」(通常為所印刷之最小特徵大小)，且k₁ 為經驗解析度因數。一般而言，k₁ 愈小，則在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，將複雜微調步驟應用於微影裝置及/或設計佈局。此等步驟包括(例如，但不限於)NA及光學相干設定之最佳化、定製照明方案、相移圖案化器件之使用、設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及程序校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。作為實例，OPC處理如下事實：投影於基板上之設計佈局之影像的最終大小及置放將不相同於或簡單地僅取決於該設計佈局在圖案化器件上之大小及置放。熟習此項技術者將認識到，尤其是在微影模擬/最佳化之內容背景中，術語「光罩」/「圖案化器件」及「設計佈局」可被互換地使用，此係因為：在微影模擬/最佳化中，未必使用實體圖案化器件，而可使用設計佈局以表示實體圖案化器件。對於存在於一些設計佈局上之小特徵大小及高特徵密度，給定特徵之特定邊緣之位置將在某種程度上受到其他鄰近特徵之存在或不存在影響。此等近接效應起因於自一特徵耦合至另一特徵的微小量之輻射及/或諸如繞射及干涉之非幾何光學效應。相似地，近接效應可起因於在通常跟隨微影之曝光後烘烤(PEB)、抗蝕劑顯影及蝕刻期間之擴散及其他化學效應。為了幫助確保設計佈局之經投影影像係根據給定目標電路設計之要求，可使用設計佈局之複雜數值模型、校正或預失真來預測及補償近接效應。在典型高端設計中，設計佈局之幾乎每一特徵皆具有某種修改，以便達成經投影影像至目標設計之高保真度。此等修改可包括邊緣位置或線寬之移位或偏置，以及意欲輔助其他特徵之投影的「輔助」特徵之應用。應用OPC通常不為「嚴正科學(exact science)」，而為並不總是補償所有可能近接效應之經驗反覆程序。因此，應藉由設計檢測(亦即，使用經校準數值程序模型之密集型全晶片模擬)來驗證OPC之效應(例如，在應用OPC及任何其他RET之後的設計佈局)，以便使將設計缺陷建置至圖案化器件圖案中的可能性最小化。OPC及全晶片RET驗證兩者可基於數值模型化系統。一個RET係關於設計佈局之全域偏置之調整。全域偏置為設計佈局中之圖案與意欲印刷於基板上之特徵之間的差。舉例而言，具有25奈米直徑之圓形圖案可藉由設計佈局中之50奈米直徑圖案或藉由設計佈局中之20奈米直徑圖案但以高劑量而印刷於基板上。除了對設計佈局或圖案化器件之最佳化(例如，OPC)以外，亦可與圖案化器件最佳化聯合地抑或分離地最佳化照明源，以致力於改良總微影保真度。術語「照明源」及「源」在此文件中可被互換地使用。如所已知，諸如環形、四極及偶極之離軸照明為用以解析圖案化器件中所含有之精細結構(亦即，目標特徵)之經論證方式。然而，相比於傳統照明源，離軸照明源通常提供針對空中影像(AI)之較小輻射強度。因此，變得需要試圖最佳化照明源以在較精細解析度與縮減輻射強度之間達成最佳平衡。可使用眾多照明源最佳化途徑。舉例而言，可將源分割成若干區，該等區中之每一者對應於光瞳光譜之某一區。接著，將源分佈假定為在每一源區中均一，且針對程序窗來最佳化每一區之亮度。在另一實例中，使用基於照明器像素且將源最佳化問題轉換成一系列非負最小平方最佳化之方法。對於低k₁ 光微影，源及圖案化器件兩者之最佳化有用於確保用於臨界電路圖案之投影的可行程序窗。一些演算法在空間頻域中將照明離散化成獨立源點且將圖案化器件圖案離散化成繞射階，且基於可藉由光學成像模型自源點強度及圖案化器件繞射階而預測之程序窗度量(諸如，曝光寬容度)來分離地公式化成本函數(其被定義為選定設計變數之函數)。如本文中所使用之術語「設計變數」包含裝置或器件製造程序之參數集合，例如，微影裝置之使用者可調整之參數，或使用者可藉由調整彼等參數而調整之影像特性。應瞭解，器件製造程序之任何特性(包括源、圖案化器件、投影光學件之特性及/或抗蝕劑特性)可在最佳化中之設計變數當中。成本函數常常為設計變數之非線性函數。接著使用標準最佳化技術以最小化成本函數。全文據此以引用方式併入之共同讓與之PCT專利申請公開案第WO2010/059954號描述允許在不具有約束的情況下且在可實行時間量內使用成本函數來同時最佳化源及圖案化器件(設計佈局)之源及圖案化器件最佳化方法及系統。全文據此以引用方式併入之美國專利申請公開案第2010/0315614號中描述涉及藉由調整源之像素而最佳化源的另一源及光罩最佳化方法及系統。如本文中所使用之術語「投影光學件」應被廣泛地解譯為涵蓋各種類型之光學系統，包括(例如)折射光學件、反射光學件、孔徑及反射折射光學件。術語「投影光學件」亦可包括用於集體地或單個地導向、塑形或控制投影輻射光束的根據此等設計類型中之任一者而操作之組件。術語「投影光學件」可包括微影裝置中之任何光學組件，而不管該光學組件在微影裝置之光學路徑上位於何處。投影光學件可包括用於在來自源之輻射通過圖案化器件之前塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件，及/或用於在該輻射通過圖案化器件之後塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件。投影光學件通常排除源及圖案化器件。在以下經編號條項中揭示本發明之另外實施例： 1. 一種方法，其包含：藉由使用一基板量測配方而自一基板上之一目標獲得一量測結果；藉由一硬體電腦系統自該量測結果判定一參數，其中該參數特性化針對根據該基板量測配方而使用之入射輻射的該量測結果對該目標之一光學路徑長度之相依性，且該判定該參數包含判定該量測結果對該入射輻射之波長之一相對改變的相依性；及若該參數不在一指定範圍內，則調整該基板量測配方。 2. 如條項1之方法，其中該量測結果包含一疊對誤差、對準、焦點或臨界尺寸。 3. 如條項1或條項2之方法，其中該量測結果包含來自該目標之兩個繞射階之一正規化強度不對稱性。 4. 如條項1至3中任一項之方法，其中該參數為該量測結果相對於該光學路徑長度之一相對改變之一導數。 5. 如條項1至4中任一項之方法，其中判定該參數包含使用至少兩個不同波長獲得量測結果。 6. 如條項1至5中任一項之方法，其中該參數為運用該入射輻射之不同波長使用兩個基板量測配方而獲得的量測結果之兩個集合之間的一差。 7. 如條項1至6中任一項之方法，其中調整該基板量測配方包含調整與該基板量測配方相關聯的一量測目標結構之一參數。 8. 如條項7之方法，其中該目標之該參數包含該量測目標結構之至少部分之一形狀或定向。 9. 如條項1至8中任一項之方法，其中調整該基板量測配方包含調整使用該基板量測配方進行之一量測之一參數。 10. 如條項9之方法，其中該量測之該參數包含該入射量測輻射之偏振或波長。 11. 如條項1至10中任一項之方法，其中該基板量測配方使用一單一入射光束。 12. 如條項1至11中任一項之方法，其中使用該基板量測配方而量測之一量測目標結構具有經處理之誘發之目標不對稱性。 13. 如條項1至12中任一項之方法，其進一步包含使用該基板量測配方檢測另一基板。 14. 一種方法，其包含：藉由使用複數個基板量測配方中之每一者而自一基板上之一目標獲得一量測結果；藉由一硬體電腦系統自該等量測結果中之每一者判定一參數，其中該參數特性化針對根據供獲得該量測結果之該基板量測配方而使用之入射輻射的該量測結果對該目標之一光學路徑長度之相依性；及基於該等參數自該複數個選擇至少一個基板量測配方。 15. 如條項14之方法，其中判定該參數包含判定該量測結果對該入射輻射之波長之一相對改變的相依性。 16. 如條項14或條項15之方法，其中該量測結果包含一疊對誤差、焦點、對準或臨界尺寸。 17. 如條項14至16中任一項之方法，其中該量測結果包含來自該目標之兩個繞射階之一正規化強度不對稱性。 18. 如條項14至17中任一項之方法，其中該參數為該量測結果相對於該光學路徑長度之一相對改變之一導數。 19. 如條項14至18中任一項之方法，其中判定該參數包含使用至少兩個不同波長獲得量測結果。 20. 如條項14至19中任一項之方法，其中該參數為運用該入射輻射之不同波長使用兩個基板量測配方而獲得的量測結果之兩個集合之間的一差。 21. 如條項14至20中任一項之方法，其中該複數個基板量測配方中之至少一者使用一單一入射光束。 22. 如條項14至21中任一項之方法，其中使用該複數個基板量測配方中之至少一者而量測之一目標具有經處理之誘發之目標不對稱性。 23. 如條項14至22中任一項之方法，其進一步包含使用該選定基板量測配方來檢測另一基板。 24. 一種電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如條項1至23中任一項之方法。儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但應瞭解，本發明之實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許的情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。因此，使用壓印技術之微影裝置通常包括用以固持壓印模板之一模板固持器、用以固持基板之一基板台，及用以造成基板與壓印模板之間的相對移動使得可將壓印模板之圖案壓印至基板之層上的一或多個致動器。以上之描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述進行修改。

0‧‧‧零階射線/繞射射線
+1‧‧‧一階射線/繞射射線
-1‧‧‧一階射線/繞射射線
+1(N)‧‧‧+1繞射射線
-1(S)‧‧‧-1繞射射線
10A‧‧‧微影裝置
11‧‧‧輸出
12‧‧‧透鏡
12A‧‧‧輻射源
13‧‧‧孔徑板
13E‧‧‧孔徑板
13N‧‧‧孔徑板
13NW‧‧‧孔徑板
13S‧‧‧孔徑板
13SE‧‧‧孔徑板
13W‧‧‧孔徑板
14‧‧‧透鏡
14A‧‧‧光學件/組件
15‧‧‧稜鏡
16‧‧‧物鏡
16Aa‧‧‧光學件/組件
16Ab‧‧‧光學件/組件
16Ac‧‧‧光學件/組件
17‧‧‧光束分裂器
18‧‧‧光學系統
18A‧‧‧圖案化器件
19‧‧‧第一感測器
20‧‧‧光學系統
20A‧‧‧可調整濾光器或孔徑
21‧‧‧孔徑光闌/輻射光束
22‧‧‧光學系統/琢面化場鏡面器件
22A‧‧‧基板平面
23‧‧‧感測器
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧反射元件
31‧‧‧量測光點
32‧‧‧週期性結構
33‧‧‧週期性結構
34‧‧‧週期性結構
35‧‧‧週期性結構
41‧‧‧圓形區域
42‧‧‧矩形區域/影像
43‧‧‧矩形區域/影像
44‧‧‧矩形區域/影像
45‧‧‧矩形區域/影像
100‧‧‧電腦系統
102‧‧‧匯流排
104‧‧‧處理器
105‧‧‧處理器
106‧‧‧主記憶體
108‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
110‧‧‧儲存器件
112‧‧‧顯示器
114‧‧‧輸入器件
116‧‧‧游標控制件
118‧‧‧通信介面
120‧‧‧網路鏈路
122‧‧‧網路
124‧‧‧主機電腦
126‧‧‧網際網路服務業者(ISP)
128‧‧‧網際網路
130‧‧‧伺服器
210‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿/極熱電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
230‧‧‧氣體障壁或污染物截留器/污染物障壁
240‧‧‧光柵光譜濾光器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠入射反射器
254‧‧‧掠入射反射器
255‧‧‧掠入射反射器
310‧‧‧目標
311‧‧‧上部結構
312‧‧‧渠溝
313‧‧‧底部
314‧‧‧輻射光束
315‧‧‧輻射光束
320‧‧‧目標
321‧‧‧上部結構
322‧‧‧渠溝
323‧‧‧側壁
324‧‧‧輻射光束
325‧‧‧輻射光束
330‧‧‧目標
331‧‧‧結構
333‧‧‧堆疊
334‧‧‧入射輻射光束
336‧‧‧散射輻射
710‧‧‧波長
720‧‧‧波長
810‧‧‧工序
820‧‧‧工序
830‧‧‧工序
840‧‧‧工序
850‧‧‧工序
910-1‧‧‧工序
910-2‧‧‧工序
910-n‧‧‧工序
920-1‧‧‧工序
920-2‧‧‧工序
920-n‧‧‧工序
930‧‧‧工序
940‧‧‧工序
1000‧‧‧微影裝置
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧導向鏡面
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器/輻射收集器/收集器光學件
DE‧‧‧顯影器
DF‧‧‧影像
FE‧‧‧聚焦誤差
I‧‧‧照明射線/入射射線
IF‧‧‧干涉計/虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
M1‧‧‧光罩對準標記/圖案化器件對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記/圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧第一物件台/圖案化器件台/支撐結構
O‧‧‧光軸
P‧‧‧目標
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧項目/投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PU‧‧‧處理單元/影像處理器及控制器
PW‧‧‧第二定位器
Q‧‧‧目標
RO‧‧‧基板處置器或機器人
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源/源收集器模組
T‧‧‧度量衡目標
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WT‧‧‧第二物件台/基板台

圖1為微影系統之各種子系統的高度示意性方塊圖。圖2A示意性地描繪微影製造單元或叢集之一實施例。圖2B為用於使用提供某些照明模式之第一對照明孔徑來量測目標的量測裝置之示意圖。圖2C為針對給定照明方向之目標之繞射光譜的示意性細節。圖2D為在使用量測裝置以用於以繞射為基礎之疊對量測時提供另外照明模式之第二對照明孔徑的示意性說明。圖2E為在使用量測裝置以用於以繞射為基礎之疊對量測時組合第一對孔徑與第二對孔徑之提供另外照明模式的第三對照明孔徑的示意性說明。圖2F描繪基板上之多重週期性結構(例如，多重光柵)目標之形式及量測光點之輪廓。圖2G描繪在圖2B之裝置中獲得的圖2F之目標之影像。圖3示意性地展示具有兩個相異目標P及Q之基板，其中每一目標之複本置放於基板之四個不同區域中。圖4A及圖4B示範相同目標可如何運用不同基板量測配方來引入不同系統誤差。圖4C示意性地展示在一或多個層之堆疊333上方包括結構331之目標330的橫截面圖。圖5展示表示針對兩個基板量測配方之正規化強度不對稱性(例如呈ΔI/I之形式)與聚焦誤差(FE)之間的關係的兩個曲線，該兩個基板量測配方相同，惟入射輻射之波長除外(分別為λ1及λ2)。圖6A展示針對若干不同標稱波長之在光學路徑長度之相對改變為1%的情況下之聚焦誤差之影響，其係如使用下文所導出的波長之相對改變與光學路徑長度之相對改變之間的關係而判定。圖6B展示針對若干不同標稱波長之如藉由模擬而判定的在光學路徑長度之相對改變為1%的情況下之聚焦誤差之影響。圖6C展示如藉由此兩種途徑所判定之影響良好地匹配。圖7A展示使用基板量測配方使用入射輻射而獲得之量測結果D 與波長λ之間的通用關係，且該波長λ變化。圖7B展示量測結果D 相對於波長λ之偏導數，該偏導數自身為波長λ之函數。圖8展示用於調整基板量測配方之方法的流程圖。圖9展示用於自候選基板量測配方之群組選擇一或多個基板量測配方之方法的流程圖。圖10為實例電腦系統之方塊圖。圖11為微影裝置之示意圖。圖12為另一微影裝置之示意圖。圖13為圖12中之裝置的更詳細視圖。

810‧‧‧工序

820‧‧‧工序

830‧‧‧工序

840‧‧‧工序

850‧‧‧工序

Claims

一種方法，其包含：藉由使用一基板量測配方而自一基板上之一目標獲得一量測結果；藉由一硬體電腦系統自該量測結果判定一參數，其中該參數特性化針對根據該基板量測配方而使用之入射輻射的該量測結果對該目標之一光學路徑長度之相依性，且該判定該參數包含判定該量測結果對該入射輻射之波長之一相對改變的相依性；及若該參數不在一指定範圍內，則調整該基板量測配方。
如請求項1之方法，其中該量測結果包含一疊對誤差、對準、焦點或臨界尺寸。
如請求項1之方法，其中該量測結果包含來自該目標之兩個繞射階之一正規化強度不對稱性。
如請求項1之方法，其中該參數為該量測結果相對於該光學路徑長度之一相對改變之一導數。
如請求項1之方法，其中判定該參數包含：使用至少兩個不同波長獲得量測結果。
如請求項1之方法，其中該參數為運用該入射輻射之不同波長使用兩個基板量測配方而獲得的量測結果之兩個集合之間的一差。
如請求項1之方法，其中調整該基板量測配方包含：調整與該基板量測配方相關聯的一量測目標結構之一參數。
如請求項7之方法，其中該目標之該參數包含該量測目標結構之至少部分之一形狀或定向。
如請求項1之方法，其中調整該基板量測配方包含：調整使用該基板量測配方進行之一量測之一參數。
如請求項9之方法，其中該量測之該參數包含該入射量測輻射之偏振或波長。
一種方法，其包含：藉由使用複數個基板量測配方中之每一者而自一基板上之一目標獲得一量測結果；藉由一硬體電腦系統自該等量測結果中之每一者判定一參數，其中該參數特性化針對根據供獲得該量測結果之該基板量測配方而使用之入射輻射的該量測結果對該目標之一光學路徑長度之相依性；及基於該等參數自該複數個選擇至少一個基板量測配方。
如請求項11之方法，其中判定該參數包含：判定該量測結果對該入射輻射之波長之一相對改變的相依性。
如請求項11之方法，其中該量測結果包含一疊對誤差、焦點、對準或臨界尺寸。
一種電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如請求項1之方法。
一種電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如請求項11之方法。