CN111180389B - 阵列基板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，包括形成柔性衬底、缓冲层、有源层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源漏极、平坦化层、像素电极、像素定义层，并图案化形成可放置屏下摄像头的O‑cut区域，其中，O‑cut区域通过至少两次的黄光刻蚀图案化工艺以形成，可防止因蚀刻时间过长导致保护光阻受损，而引发的像素区域膜层受损，进而影响良率的状况。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
现如今，全面屏的设计已成为手机市场的主流，各个相关供应商都专注于研发屏占比高的全面屏产品。相较于异形(Notch)屏设计，屏下摄像头设计，即O型切割(O-Cut)屏设计，可更趋近于全面屏的显示效果，因此在手机显示屏幕市场占有很大的优势。
在传统的O-cut制作工艺流程中，在对O-cut区域进行蚀刻时，其他像素有效区域会覆盖光刻胶以进行保护，但是因需要蚀刻的膜层厚度有1.5ˉ1.6um左右，导致蚀刻的时间很长，可达到240s以上，光刻胶保护层无法抵档以CF4与O2为工艺气体进行长时间的干法蚀刻，易出现光刻胶损伤的状况，进而导致像素膜层出现损伤，影响良率。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制备方法，在O-cut区域蚀刻时，可有效避免像素区域膜层发生损伤。
为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种阵列基板的制备方法，包括：
提供一基板，在所述基板之上形成柔性衬底；
在所述柔性衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成有源层；
在所述有源层上形成第一绝缘层与栅极；
在所述栅极上形成第二绝缘层，并形成第一过孔；
在所述第二绝缘层上形成源极与漏极，所述源极与漏极通过所述第一过孔与所述有源层搭接；
在所述源极与漏极上形成平坦化层；
在所述平坦化层上形成像素电极；
在所述像素电极上形成像素定义层，
以及，在上述步骤之中，或在上述步骤之后，通过至少两次黄光蚀刻图案化工艺，在所述阵列基板上预留于放置摄像头的区域，形成一个凹槽，所述凹槽贯穿形成于所述缓冲层、第一绝缘层以及第二绝缘层之中，并使得所述柔性衬底显露。
进一步地，所述形成一个凹槽的步骤包括：
在通过黄光蚀刻图案化工艺形成所述第一过孔时，同时蚀刻去除所述凹槽区域对应的所述第二绝缘层与第一绝缘层；
再在形成像素定义层后，通过黄光蚀刻图案化工艺，蚀刻去除所述凹槽区域对应的所述缓冲层，至柔性衬底显露。进一步地，所述凹槽形成于所述阵列基板的显示区内部。
进一步地，所述蚀刻的方式为干法刻蚀。
进一步地，所述干法刻蚀所使用的工艺气体为四氟化碳与氧气的混合气体。
进一步地，所述柔性衬底包括第一柔性衬底、形成于所述第一柔性衬底上的无机层、与形成于所述无机层上的第二柔性衬底。
进一步地，所述平坦化层中形成有第二过孔，所述像素电极通过第二过孔与所述漏极搭接。
进一步地，所述有源层的材料为低温多晶硅。
进一步地，所述平坦化层与像素定义层的材料均为聚酰亚胺。
另一方面，本发明还提供了一种阵列基板，采用上述方法制备而成。
有益效果：本发明提供了一种阵列基板的制备方法，其中，O-cut区域通过至少两次的黄光刻蚀图案化工艺以形成，可防止因蚀刻时间过长导致的保护光阻受损，而引发的像素区域膜层受损，进而影响良率的状况。进一步的，其中一次蚀刻工艺可与接触孔(源漏极与有源层接触的过孔)蚀刻一同进行，有效降低制程时间，简化工艺流程。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供一种阵列基板制备方法的文字流程示意图；
图2A-2G是本发明实施例提供的一种阵列基板制备方法的结构流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，以下分别进行详细说明。
如图1与图2A-2G所示，为本发明实施例中一种阵列基板的制备方法的一个实施例示意图，该方法包括：
S01:提供一基板(图中未示出)，所述基板的材料可以为玻璃、石英、树脂等本领域常用的材料，在基板形成柔性衬底，所述柔性衬底可以为单层或多层的结构，例如可以为由下至上依次为第一柔性衬底1、无机层2与第二柔性衬底3的叠层结构，所述第一柔性衬底1与第二柔性衬底3的材料通常可以为聚酰亚胺，采用涂布与高温固化的步骤形成，所述无机层2通常可以为氮化硅或氧化硅，采用化学气相沉积的方式形成；
S02:在所述柔性衬底上形成缓冲层4，所述缓冲层4的材料通常可以为氧化硅、氮化硅或氮化硅与氧化硅的混合物，采用化学气相沉积的方式形成；
S03:在所述缓冲层4上形成有源层5，所述有源层5的材料通常可以为低温多晶硅，所述有源层5的形成步骤包括：使用化学气相沉积的方式沉积一层非晶硅，再经过高温去氢与准分子激光照射转变为低温多晶硅，最后通过黄光刻蚀图案化工艺形成有源层5，此时形成的结构参阅图2A；
S04:在所述有源层5上形成第一绝缘层6，所述第一绝缘层6的材料通常可以为氧化硅、氮化硅或氮化硅与氧化硅的混合物，采用化学气相沉积的方式形成，再在第一绝缘层6上形成栅极7，所述栅极7的材料通常可以为钼、铝、钼钨合金、铝镍合金、铬或铜等金属，首先通过物理气相沉积的方式沉积整面金属，再通过黄光刻蚀图案化工艺形成图案，此时形成的结构参阅图2B；
S05:在所述栅极7上形成第二绝缘层8，所述第二绝缘层8的材料通常可以为氧化硅、氮化硅或氮化硅的叠层结构，采用化学气相沉积的方式形成，然后进行光刻胶涂布、曝光及显影工艺，形成如图2C所示的结构，所形成的第一光阻9仅露出有源层上方对应的接触孔区域10与O-Cut区域11，再使用干法刻蚀工艺，所述干法刻蚀所使用的工艺气体为四氟化碳与氧气的混合气体，形成如图2D所示的结构，即接触孔区域10处的第一绝缘层6与第二绝缘层8蚀刻去除形成第一过孔，使得此处的有源层显露，O-Cut区域11处的第一绝缘层6与第二绝缘层8提前被蚀刻去除，仅剩柔性衬底与缓冲层4，再剥离除去所述第一光阻9，
其中，上述的O-Cut区域11形成用于放置屏下摄像头，以实现全面屏显示；
S06:在所述第二绝缘层8上形成源极12与漏极13，所述源极12与漏极13通过第一过孔与有源层5搭接，所述源极12与漏极13的材料通常可以为钛铝钛的叠层结构，首先通过物理气相沉积的方式沉积整面金属，再通过黄光刻蚀图案化工艺形成图案；
S07:在所述源极12与漏极13上形成平坦化层14，并在漏极13上方对应区域形成有第二过孔，所述平坦化层14的材料通常可以为聚酰亚胺，采用涂布固化的方式形成；
S08:在所述平坦化层14上形成像素电极15，所述像素电极15通过第二过孔与漏极13搭接，所述像素电极15的材料通常可以为氧化铟锡、银、氧化铟锡的叠层结构，首先通过物理气相沉积的方式沉积整面膜层，再通过黄光刻蚀图案化工艺形成相应图案；
S09:在所述像素电极15上形成像素定义层16，所述像素定义层16的材料通常可以为聚酰亚胺，采用涂布固化的方式形成，即形成如图2E所示；
S10:在所述像素定义层16上进行光刻胶涂布，曝光及显影工艺，形成一层第二光阻17，具体参见图2F，仅露出O-Cut区域11，再进行干法刻蚀，所述干法刻蚀所使用的工艺气体为四氟化碳与氧气的混合气体，去除O-Cut区域11的剩余膜层，直至柔性衬底显露，剥离所述第二光阻17，即制备完成，此时结构参见图2G，通常情况下，所述O-Cut区域11形成的凹槽为圆形凹槽，以适应放置于此处的摄像头镜头的形状。
本发明还提供了另一实施例，由上述方法制备而得的阵列基板。
采用上述实施例中提供的阵列基板的制备方法进行制备阵列基板，其中，O-cut区域通过至少两次的黄光刻蚀图案化工艺以形成，可防止因蚀刻时间过长导致的保护光阻受损，而引发的像素区域膜层受损，进而影响良率的状况。进一步的，其中一次蚀刻工艺可与接触孔(源漏极与有源层接触的过孔)蚀刻一同进行，有效降低制程时间，简化工艺流程。
以上对本发明实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (9)
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一基板，在所述基板之上形成柔性衬底；
在所述柔性衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成有源层；
在所述有源层上形成第一绝缘层与栅极；
在所述栅极上形成第二绝缘层，并形成第一过孔；
在所述第二绝缘层上形成源极与漏极，所述源极与漏极通过所述第一过孔与所述有源层搭接；
在所述源极与漏极上形成平坦化层；
在所述平坦化层上形成像素电极；
在所述像素电极上形成像素定义层，
以及，在上述步骤之中，或在上述步骤之后，通过至少两次黄光蚀刻图案化工艺，在所述阵列基板上预留于放置摄像头的区域，形成一个凹槽，所述凹槽贯穿形成于所述缓冲层、第一绝缘层以及第二绝缘层之中，并使得所述柔性衬底显露，其中，所述形成一个凹槽的步骤包括：在通过黄光蚀刻图案化工艺形成所述第一过孔时，同时蚀刻去除所述凹槽区域对应的所述第二绝缘层与第一绝缘层；再在形成像素定义层后，通过黄光蚀刻图案化工艺，蚀刻去除所述凹槽区域对应的所述缓冲层，至所述柔性衬底显露。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述凹槽形成于所述阵列基板的显示区内部。
3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述蚀刻的方式为干法刻蚀。
4.如权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀所使用的工艺气体为四氟化碳与氧气的混合气体。
5.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述柔性衬底包括第一柔性衬底、形成于所述第一柔性衬底上的无机层、与形成于所述无机层上的第二柔性衬底。
6.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述平坦化层中形成有第二过孔，所述像素电极通过第二过孔与所述漏极搭接。
7.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源层的材料为低温多晶硅。
8.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述平坦化层与像素定义层的材料均为聚酰亚胺。
9.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-8任意一项所述的方法制备而成。
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- 2020-03-04 CN CN202010143119.XA patent/CN111180389B/zh active Active
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