CN111180362A - 一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其通过处理气体喷吹口、过流孔、晶圆三者的位置关系，增大了晶圆表面与处理气体的接触面积，能够在短时间内提高处理气体的处理效果，提高了生产效率。气体处理炉包括炉体，炉体内设置有容置晶舟的气体处理室。气体处理室内晶舟位置的一侧设置有多个喷吹口，多个喷吹口沿晶舟上承载的晶圆堆叠方向排布且分别朝向多个晶圆；另一侧设置有沿晶圆堆叠方向延伸的气体收集室，气体收集室朝向多个晶圆一侧的壁体上开设有将气体收集室与气体处理室相连通的多个过流孔，多个过流孔沿多个晶圆的堆叠方向排列；气体收集室的壁体上设置有能够与抽吸装置相连通的至少一个抽气接口。

Description

一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法。
背景技术
在晶圆掺入杂质以使其具有导电性之后，需要对其进行退火，也称为复原(heal)或回火(temper)。因在晶体结构中注入杂质而产生的损坏只能在这种退火过程中部分得到“复原”。这种过程通常发生在多个晶圆的气体处理炉的处理室中在一定温度下使用处理气体对晶圆进行退火。
晶圆在光刻工艺中其表面会残留有聚合物残基及损坏的硅残留，为了消除晶圆上残留的聚合物残基及损坏的硅残留，要对晶圆进行H2退火处理，以获得无渗漏的高品质外延层(SEG)。现有H2退火处理，多在气体处理炉内进行。现有气体处理炉多包括炉体和设置在炉体内处理室中的晶圆船，将在晶圆船上堆叠放置多个晶圆以进行H2退火处理，然而现有H2处理炉在处理过程中晶圆表面的处理均匀性无法得到有效保证，尤其是使用高温低压H2处理工艺处理300mm晶圆时，存在晶圆中心部位外延层性能比边缘差的问题，这时需要将高温退火的时间加长很多才能将晶圆中间的外延层(SEG)性能提高到可接受的水平，这不仅导致成本提高很多，而且也正常了处理时间，降低了生产效率。基于上述问题，需要提供一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，来获得表面均匀性较高的晶圆。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，用于解决现有技术中晶圆在气体处理过程中表面均匀度较差的问题。
为实现上述目的及其它相关目的，本发明的第一个方面是提供一种气体处理炉，包括炉体，所述炉体内设置有能够容置晶舟的气体处理室，
所述晶舟一侧的所述气体处理室内设置有多个喷吹口，所述多个喷吹口沿所述晶舟上承载的晶圆堆叠方向排布且分别朝向所述多个晶圆；
所述晶舟另一侧的所述炉体内设置有沿所述晶圆堆叠方向延伸的气体收集室，所述气体收集室朝向所述多个晶圆一侧的壁体上开设有将所述气体收集室与所述气体处理室相连通的多个过流孔，所述多个过流孔沿晶圆堆叠方向排列；所述气体收集室的壁体上设置有能够与抽吸装置相连通的至少一个抽气接口。
作为本发明的一个可选方案，所述气体处理室内设置有至少一喷吹管道，所述多个喷吹口开设在所述至少一喷吹管道上。
作为本发明的一个可选方案，所述处理室内设置有多个喷吹管道，每一所述喷吹管道分别对应喷吹不同的晶圆堆叠段，所述多个喷吹口分别设置在所述多个喷吹管道上。
作为本发明的一个可选方案，所述晶圆数量为100层，所述喷吹管道为5个，每一喷吹管上设置有20个所述喷吹口。
作为本发明的一个可选方案，所述多个喷吹口、所述多个过流孔分别与所述晶圆一一对应。
作为本发明的一个可选方案，所述气体收集室由所述炉体的内壁、隔板和底板围成，所述隔板与所述多个喷吹口相对，所述过流孔开设在所述隔板上；所述底板将所述炉体的内壁和隔板下部封堵。
作为本发明的一个可选方案，所述隔板为平板，所述多个喷吹口的喷吹方向垂直与所述平板的板面。
作为本发明的一个可选方案，所述气体收集室设置在一罐体内，所述罐体安装在所述处理室内，所述过流孔开设在所述罐体的侧壁上。
作为本发明的一个可选方案，所述罐体朝向所述多个晶圆的一侧的外部壁体为平面，所述多个喷吹口的喷吹方向垂直与所述平面。
作为本发明的一个可选方案，所述过流孔为扁长孔，且长度方向沿前后方向延伸。
作为本发明的一个可选方案，所述喷吹口至晶圆前后两侧边缘的切线通过所述过流孔。
本发明的第二方面是提供一种提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，包括以下步骤：
提供一气体处理炉，在所述气体处理炉的处理室中堆叠放置多个晶圆，并在所述多个晶圆之间设置允许气流通过的间隙；
在所述处理室内晶圆一侧设置多个喷吹口，并使所述多个喷吹口沿所述多个晶圆的堆叠方向排布；
在所述处理室内晶圆另一侧设置一沿所述晶圆堆叠方向延伸的气体收集室，并在所述气体收集室朝向所述多个晶圆一侧的壁体上开设将所述气体收集室与所述处理室相连通的多个过流孔，并使所述多个过流孔沿所述多个晶圆的堆叠方向排列，在所述气体收集室的壁体上设置有能够与抽吸装置相连通的至少一个抽气接口；
将处理气体通过所述多个喷吹口注入所述处理室内，并通过多个所述过流孔流入所述气体收集室后从所述抽气接口排出。
作为本发明的一个可选方案，所述多个喷吹口、所述多个过流孔分别与所述晶圆一一对应。
作为本发明的一个可选方案，所述气体处理室内设置有至少一喷吹管道，所述多个喷吹口开设在所述至少一喷吹管道上。
作为本发明的一个可选方案，将所述喷吹管道设置为多个，且使每一所述喷吹管道分别对应喷吹不同的晶圆堆叠段。
作为本发明的一个可选方案，将所述多个晶圆设置为100层，将所述喷吹管道设置为5个，在每一喷吹管上设置有20个所述喷吹口。
作为本发明的一个可选方案，所述气体收集室由所述炉体的内壁、隔板和底板围成，所述隔板与所述多个喷吹口相对，所述过流孔开设在所述隔板上；所述底板将所述炉体的内壁和隔板下部封堵。
作为本发明的一个可选方案，所述隔板为平板，所述多个喷吹口的喷吹方向垂直与所述平板的板面。
作为本发明的一个可选方案，所述气体收集室设置在一罐体内，所述罐体安装在所述处理室内，所述过流孔开设在所述罐体的侧壁上。
作为本发明的一个可选方案，所述罐体朝向所述多个晶圆的一侧的外部壁体为平面，所述多个喷吹口的喷吹方向垂直与所述平面。
作为本发明的一个可选方案，所述过流孔为扁长孔，且长度方向沿前后方向延伸。
作为本发明的一个可选方案，所述喷吹口至晶圆前后两侧边缘的切线通过所述过流孔。
如上所述，本发明提供了一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，处理气体经喷吹口喷吹后沿对应晶圆面流动通过对侧设置的过流孔进入气体收集室内，最后经抽气接口被外配抽吸装置抽出，本发明通过处理气体喷吹口、过流孔、晶圆三者间的位置关系，以及气体收集室的均压性能，使处理气体沿晶圆表面流动，增大了晶圆表面与处理气体的接触面积，能够在短时间内提高处理气体的处理效果，提高了生产效率，降低了成本，并且减少了处理气体的紊流风阻，降低了外配抽吸装置的功率。
附图说明
图1显示为本发明气体处理炉实施例一的结构示意图；
图2显示为本发明气体处理炉实施例一中晶圆、过流孔与各喷吹口的俯视位置示意图；
图3显示为本发明气体处理炉过流孔的一结构示意图；
图4显示为本发明气体处理炉实施例一、实例二、实施例三中过流孔的结构示意图；
图5显示为本发明气体处理炉实施例二的结构示意图；
图6显示为本发明气体处理炉实施例三的结构示意图；
图7显示为图6中壁体151的局部结构图；
图8显示为本发明方法的流程图。
元件标号说明
10 炉体
110 处理室
120 晶舟
130 喷吹管道
131/1511 喷吹口
140 气体收集室
140a 罐体
141 抽气接口
142 隔板
1421/1421a 过流孔
143 底板
150 供气腔
151 壁体
20 晶圆
30 抽吸装置
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
实施例一
请参阅图1至图4,本实施例提供一种气体处理炉，包括炉体10，所述炉体10内设置有能够容置晶舟120(外配)的气体处理室110，
所述气体处理室110内晶舟位置的一侧设置有多个喷吹口131，所述多个喷吹口131沿所述晶舟120上承载的晶圆堆叠方向排布且分别朝向所述多个晶圆20
所述晶舟120位置的另一侧设置有沿所述晶圆堆叠方向延伸的气体收集室140，所述气体收集室140朝向所述多个晶圆20一侧的壁体上开设有将所述气体收集室与所述气体处理室相连通的多个过流孔1421，所述多个过流孔1421沿所述多个晶圆20的堆叠方向排列；所述气体收集室140的壁体上设置有能够与抽吸装置30相连通的至少一个抽气接口141。
本发明气体处理炉中晶舟的一侧设置有多个喷吹口131，另一侧设置有多个沿所述多个晶圆的堆叠方向排列的过流孔，这种设置方式使得处理气体经喷吹口131喷吹后经对应过流孔1421后进入气体收集室140内，最后经抽气接口被外配抽吸装置30抽出，增大了晶圆表面与处理气体的接触面积，能够在短时间内提高处理气体的处理效果，提高了生产效率。
本发明气体处理炉中喷吹口131的设置方式原则上不受限制，本实施例中所述气体处理室内设置有至少一喷吹管道130，所述多个喷吹口131开设在所述至少一喷吹管道130上。
本发明气体处理炉中的喷吹管道130的数量原则上不受限定，其可以为一个、两个或多个，示意性地，本实施例中所述处理室110内的所述晶圆20数量为100片，设置的喷吹管道130为5个，每一喷吹管上设置有20个所述喷吹口131，每一所述喷吹管道130分别对应喷吹不同的晶圆堆叠段。这种分多个管道喷吹的方式，能够减小处理气体沿喷吹管道130压降对喷吹口131流量的影响，使得各处喷吹口131的流量及压力较为均匀。
原则上讲本发明气体处理炉中过流孔1421与喷吹口131之间的位置可以不多做限制，只要设置有气体收集室140和沿晶圆20堆叠方向排布的多个过流孔1421，就能够增加气体处理室110内气流的水平流动，较佳地，本实施例中所述多个喷吹口131、所述多个过流孔1421分别与所述晶圆20的堆叠层一一对应。这种对应关系能够处理气体更好的沿晶圆表面行进。
本发明气体处理炉中气体收集室140的结构和制作方式原则上不受限制，其只要设置在晶圆相对于喷吹口131的对侧，并开启有与多个晶圆20一一对应的过流孔1421即能够提高处理气体的处理效果，本实施例中所述气体收集室140由所述炉体10的内壁、隔板142和底板143围成，所述隔板142与所述多个喷吹口131相对，所述过流孔1421开设在所述隔板142上；所述底板143将所述炉体10的内壁和隔板142下部封堵。这种方式不仅改造起来更为简单。
本发明气体处理炉中隔板142的形状可以不受限制，其可以是圆弧形板或异形结构，但考虑到制作的方便性，本实施例中所述隔板142为平板，所述多个喷吹口131的喷吹方向垂直与所述平板的板面，这种设置方式能够减少隔板142处的局部紊流。
本发明气体处理炉中过流孔1421只要与喷吹口131一一对应，即能提高处理气体的处理能力，其形状也可以为如图3所示的圆孔1421a或椭圆孔或与喷吹口131相对应的任意形状，但为了取得更好的层流效果，增大处理气流与晶圆的接触面积，本实施例中所述过流孔1421为扁长孔，且长度方向沿前后方向延伸，如图2中所示，喷吹口131至晶圆前后两侧边缘的切线通过所述过流孔1421。需要说明的是，本发明中的前后方向为图1中垂直于纸面的方向。
本实施例气体处理炉，处理气体经喷吹口131喷吹后受对侧过流孔1421内的吸力的影响，向晶圆前后两侧发散至过流孔1421长度大小后被过流孔1421吸入，沿对应晶圆面流动通过对应过流孔1421进入气体收集室140内，最后经抽气接口被外配抽吸装置30抽出，这种设置方式极大的增大了晶圆表面与处理气体的接触面积，能够在短时间内提高处理气体的处理效果，提高了生产效率，降低了成本，并且也减少了处理气体的紊流风阻，降低了外配抽吸装置30的功率。本实施例中气体处理炉，在高温(>900C)、低压(<10Torr)的工作环境下通入H2进行热处理时，在同样的工作条件下，可以将处理时间由之前的120分钟缩短到80分钟，并使缺陷密度(DPPM：Defect Performance Per Million)降低了50％。
实施例二
请参阅图4和图5，本实施例提供一种气体处理炉，其与实施例一的不同之处在于，本实施例中的所述气体收集室140不是由所述炉体10的内壁、隔板142和底板143围成，而是设置在一罐体140a内，所述罐体140a独立设置在晶圆20相对于所述喷吹口131一侧的所述处理室110内，所述过流孔1421开设在所述罐体140a朝向晶圆20一侧的壁体上，且与所述多个晶圆20一一对应。所述罐体140a内的气体收集室140沿所述多个晶圆20堆叠方向延伸，所述罐体140a朝向所述多个晶圆20的一侧的外部壁体为平面，所述多个喷吹口131的喷吹方向垂直与所述平面，所述过流孔1421为开设在所述平面上的扁长孔，且长度方向沿前后方向延伸，所述喷吹口131至晶圆前后两侧边缘的切线通过所述过流孔1421，所述多个过流孔1421；所述气体收集室140的罐体140a上设置有能够与抽吸装置30相连通的至少一个抽气接口。
实施例三
请参阅图6和图7，本实施例提供一种气体处理炉，其与实施例一的不同之处在于，本实施例中的所述喷吹口1511不是设置在喷吹管道上，而是设置在供气腔150的朝向晶圆的壁体151上，所述壁体151与所述气体收集室140的隔板相平行，且喷吹口1511也为长条孔，所述喷吹口和所述过流孔在高度上一一对应，并且长度方向与过流孔长度方向相平行。从垂直于壁体151的方向看，整个晶圆处于喷吹口1511内和过流孔内。
实施例四
请参阅图8，本实施例提供一种提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，包括以下步骤：
提供一气体处理炉，在所述气体处理炉的处理室中堆叠放置多个晶圆，并在所述多个晶圆之间设置允许气流通过的间隙；
在所述处理室内晶圆一侧设置多个喷吹口，并使所述多个喷吹口沿所述多个晶圆的堆叠方向排布；
在所述处理室内晶圆另一侧设置一沿所述晶圆堆叠方向延伸的气体收集室，并在所述气体收集室朝向所述多个晶圆一侧的壁体上开设将所述气体收集室与所述处理室相连通的多个过流孔，并使所述多个过流孔沿所述多个晶圆的堆叠方向排列，在所述气体收集室的壁体上设置有能够与抽吸装置相连通的至少一个抽气接口；
将处理气体通过所述多个喷吹口注入所述处理室内，并通过多个所述过流孔流入所述气体收集室后从所述抽气接口排出。
为了使处理气体沿晶圆面层流，本实施例中所述多个喷吹口、所述多个过流孔分别与所述晶圆一一对应。
本发明方法中，喷吹口的设置方式原则上不受限制，可以为设置在供气腔上的开口，也可以为喷吹管道上的喷嘴，作为示意，本实施例中所述气体处理室内设置有至少一喷吹管道，所述多个喷吹口开设在所述至少一喷吹管道上。
为了减少压降对各喷吹口流量的影响，本实施例中将所述喷吹管道设置为多个，且使每一所述喷吹管道分别对应喷吹不同的晶圆堆叠段。
考虑到常用晶舟能够承载100层晶圆，较佳地，本实施例中将所述晶圆设置为100层，将所述喷吹管道设置为5个，在每一喷吹管上设置有20个所述喷吹口。
本发明提高晶圆表面气体处理均匀性的方法中气体收集室的结构和制作方式原则上不受限制，其只要设置在晶圆相对于喷吹口的对侧，并开启有与多个晶圆一一对应的过流孔即能够提高处理气体的处理效果，本实施例中所述气体收集室由所述炉体的内壁、隔板和底板围成，所述隔板与所述多个喷吹口相对，所述过流孔开设在所述隔板上；所述底板将所述炉体的内壁和隔板下部封堵。
本发明提高晶圆表面气体处理均匀性的方法中隔板的形状可以不受限制，其可以是圆弧形板或异形结构，但考虑到制作的方便性本实施例中所述隔板为平板，所述多个喷吹口的喷吹方向垂直与所述平板的板面。
本发明提高晶圆表面气体处理均匀性的方法中过流孔只要与喷吹口一一对应，即能提高处理气体的处理能力，其形状也可以为圆形、椭圆形或与喷吹口相对应的任意形状，但为了取得更好的层流效果，增大处理气流与晶圆的接触面积，本实施例中所述过流孔为扁长孔，且长度方向沿前后方向延伸，所述喷吹口至晶圆前后两侧边缘的切线通过所述过流孔。
本实施例提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，处理气体经喷吹口喷吹后受对侧过流孔内的吸力的影响，向晶圆前后两侧发散至过流孔长度大小后被过流孔吸入，沿对应晶圆面流动通过对应过流孔进入气体收集室内，最后经抽气接口被外配抽吸装置抽出，这种设置方式极大的增大了晶圆表面与处理气体的接触面积，能够在短时间内提高处理气体的处理效果，提高了生产效率，降低了成本，并且也减少了处理气体的紊流风阻，降低了外配抽吸装置的功率。
实施例五
本实施例提供一种提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其与实施例四的不同之处在于，本实施例方法中所述气体处理炉与实施例四方法中中气体处理炉的设置方式不同，所述气体收集室不是由所述炉体的内壁、隔板和底板围成，而是设置在一罐体内，所述罐体独立设置在晶圆相对于所述喷吹口一侧的所述处理室内，所述过流孔开设在所述罐体朝向晶圆一侧的壁体上，且与所述多个晶圆一一对应。所述罐体内的气体收集室沿所述晶圆堆叠方向延伸，所述罐体朝向所述多个晶圆的一侧的外部壁体为平面，所述多个喷吹口的喷吹方向垂直与所述平面，所述过流孔为开设在所述平面上的扁长孔，且长度方向沿前后方向延伸，所述喷吹口至晶圆前后两侧边缘的切线通过所述过流孔，所述多个过流孔；所述气体收集室的罐体上设置有能够与抽吸装置相连通的至少一个抽气接口。
实施例六
本实施例提供一种提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其与实施例四的不同之处在于，本实施例方法中所述气体处理炉与实施例四方法中气体处理炉的设置方式不同，如图6和图7中所示，本实施例中的所述喷吹口1511不是设置在喷吹管道上，而是设置在供气腔150的朝向晶圆的壁体151上，所述壁体151与所述气体收集室140的隔板相平行，且喷吹口1511也为长条孔，所述喷吹口和所述过流孔在高度上一一对应，并且长度方向与过流孔长度方向相平行。从垂直于壁体151的方向看，整个晶圆处于喷吹口1511内和过流孔内。
综上所述，本发明一种气体处理炉和提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，通过使处理气体喷吹口、过流孔、晶圆间的位置关系，以及气体收集室的均压性能，使处理气体沿晶圆表面流动，增大了晶圆表面与处理气体的接触面积，能够在短时间内提高处理气体的处理效果，提高了生产效率，降低了成本，并且减少了处理气体的紊流风阻，降低了外配抽吸装置的功率。所以，本发明有效克服了现有技术中的一些实际问题从而有很高的利用价值和使用意义。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (22)

1.一种气体处理炉，包括炉体，所述炉体内设置有能够容置晶舟的气体处理室，其特征在于，
所述气体处理室内晶舟位置的一侧设置有多个喷吹口，所述多个喷吹口沿所述晶舟上承载的晶圆堆叠方向排布且分别朝向所述多个晶圆；
所述晶舟位置的另一侧设置有沿所述晶圆堆叠方向延伸的气体收集室，所述气体收集室朝向所述多个晶圆一侧的壁体上开设有将所述气体收集室与所述气体处理室相连通的多个过流孔，所述多个过流孔沿所述多个晶圆的堆叠方向排列；所述气体收集室的壁体上设置有能够与抽吸装置相连通的至少一个抽气接口。
2.根据权利要求1所述的气体处理炉，其特征在于：所述气体处理室内设置有至少一喷吹管道，所述多个喷吹口开设在所述至少一喷吹管道上。
3.根据权利要求1所述的气体处理炉，其特征在于：所述处理室内设置有多个喷吹管道，每一所述喷吹管道分别对应喷吹不同的晶圆堆叠段，所述多个喷吹口分别设置在所述多个喷吹管道上。
4.根据权利要求3所述的气体处理炉，其特征在于：所述晶舟上的晶圆数量为100层，所述喷吹管道为5个，每一喷吹管上设置有20个所述喷吹口。
5.根据权利要求1所述的气体处理炉，其特征在于：所述多个喷吹口、所述多个过流孔分别与所述晶圆一一对应。
6.根据权利要求1所述的气体处理炉，其特征在于：所述气体收集室由所述炉体的内壁、隔板和底板围成，所述隔板与所述多个喷吹口相对，所述过流孔开设在所述隔板上；所述底板将所述炉体的内壁和隔板下部封堵。
7.根据权利要求6所述的气体处理炉，其特征在于：所述隔板为平板，所述多个喷吹口的喷吹方向垂直与所述平板的板面。
8.根据权利要求1所述的气体处理炉，其特征在于：所述气体收集室设置在一罐体内，所述罐体安装在所述气体处理室内，所述过流孔开设在所述罐体的侧壁上。
9.根据权利要求8所述的气体处理炉，其特征在于：所述罐体朝向所述多个晶圆的一侧的外部壁体为平面，所述多个喷吹口的喷吹方向垂直与所述平面。
10.根据权利要求6至9任一项所述的气体处理炉，其特征在于：所述过流孔为扁长孔，且长度方向沿前后方向延伸。
11.根据权利要求10所述的气体处理炉，其特征在于：所述喷吹口至晶圆前后两侧边缘的切线通过所述过流孔。
12.一种提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一气体处理炉，在所述气体处理炉的处理室中堆叠放置多个晶圆，并在所述多个晶圆之间设置允许气流通过的间隙；
在所述处理室内晶圆一侧设置多个喷吹口，并使所述多个喷吹口沿所述多个晶圆的堆叠方向排布；
在所述处理室内晶圆另一侧设置一沿所述晶圆堆叠方向延伸的气体收集室，并在所述气体收集室朝向所述多个晶圆一侧的壁体上开设将所述气体收集室与所述处理室相连通的多个过流孔，并使所述多个过流孔沿所述多个晶圆的堆叠方向排列，在所述气体收集室的壁体上设置有能够与抽吸装置相连通的至少一个抽气接口；
将处理气体通过所述多个喷吹口注入所述处理室内，并通过多个所述过流孔流入所述气体收集室后从所述抽气接口排出。
13.根据权利要求12所述的提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其特征在于：所述多个喷吹口、所述多个过流孔分别与所述晶圆一一对应。
14.根据权利要求12所述的提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其特征在于：所述气体处理室内设置有至少一喷吹管道，所述多个喷吹口开设在所述至少一喷吹管道上。
15.根据权利要求14所述的提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其特征在于：将所述喷吹管道设置为多个，且使每一所述喷吹管道分别对应喷吹不同的晶圆堆叠段。
16.根据权利要求14所述的提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其特征在于：将所述多个晶圆设置为100层，将所述喷吹管道设置为5个，在每一喷吹管上设置有20个所述喷吹口。
17.根据权利要求12所述的提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其特征在于：所述气体收集室由所述炉体的内壁、隔板和底板围成，所述隔板与所述多个喷吹口相对，所述过流孔开设在所述隔板上；所述底板将所述炉体的内壁和隔板下部封堵。
18.根据权利要求17所述的提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其特征在于：所述隔板为平板，所述多个喷吹口的喷吹方向垂直与所述平板的板面。
19.根据权利要求12所述的提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其特征在于：所述气体收集室设置在一罐体内，所述罐体安装在所述处理室内，所述过流孔开设在所述罐体的侧壁上。
20.根据权利要求19所述的提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其特征在于：所述罐体朝向所述多个晶圆的一侧的外部壁体为平面，所述多个喷吹口的喷吹方向垂直与所述平面。
21.根据权利要求17至20中任一项所述的提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其特征在于：所述过流孔为扁长孔，且长度方向沿前后方向延伸。
22.根据权利要求17至20中任一项所述的提高晶圆表面气体处理均匀性的方法，其特征在于：所述喷吹口至晶圆前后两侧边缘的切线通过所述过流孔。
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