CN111179868B - 一种复位信号电位维持电路及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种复位信号电位维持电路，电路包括依序相连的动作识别模块、电位转换模块、电位维持模块以及控制模块；动作识别模块与电源电压连接，电位转换模块、电位维持模块以及控制模块均与维持电压相连；控制模块输出复位信号；动作识别模块用于当识别到电源电压掉电时，送出数位信号至所述电位转换模块；电位转换模块用于根据维持电压将数位信号转换为电位信号并送至电位维持模块；电位维持模块用于根据电位信号产生控制信号并送至控制模块，通过维持电压维持控制模块工作；控制模块用于当电源电压掉电时控制输出的复位信号拉地。本发明控制复位信号在关机时不受上拉电压影响，同时可以较长时间保持稳定电位状态。

Description

一种复位信号电位维持电路及方法
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种复位信号电位维持电路及方法。
背景技术
LCD模组电源芯片Power IC的复位信号控制引脚RESET pin控制复位信号的电位。现有电源芯片power IC的RESET pin关机时会在电源掉电时维持拉地，电源掉至低准位时拉地失效，此时若复位信号的上拉电压仍未掉至地GND，复位信号会被再次弹起。复位信号弹起可能会导致后端IC误识别，出现IC异常工作的情况。现有主流电源芯片Power IC复位信号控制架构如图1所示，具体工作流程为：
1)动作识别模块识别到电源掉电时，送出信号至控制模块。
2)控制模块打开第一晶体管M1，维持复位信号拉地。
3)动作识别模块在电源电压掉到低准位时停止工作，同时控制模块因电源电压较低无法维持控制状态；该情况下若上拉电压掉电速度较电源电压慢，控制模块无法在上拉电压掉至低准位前保持第一晶体管M1开启。
4)复位信号会因第一晶体管M1未保持开启被拉至上拉电压。
图2为现行架构Power IC掉电分析示意图，如图2所示，关机后复位信号仍会受上拉电压影响弹起，可能会造成IC异常工作；若关机后复位信号不受上拉电压影响即可避免此问题。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种复位信号电位维持电路及方法。
本发明提供的技术方案如下：
本发明公开了一种复位信号电位维持电路，所述电路包括依序相连的动作识别模块、电位转换模块、电位维持模块以及控制模块；其中，所述动作识别模块与电源电压连接，所述电位转换模块、所述电位维持模块以及所述控制模块均与维持电压相连；所述控制模块输出复位信号；所述动作识别模块用于当识别到电源电压掉电时，送出数位信号至所述电位转换模块；所述电位转换模块用于根据所述维持电压将所述数位信号转换为电位信号并送至所述电位维持模块；所述电位维持模块用于根据所述电位信号产生控制信号并送至所述控制模块，通过所述维持电压维持所述控制模块工作；所述控制模块用于当电源电压掉电时控制输出的复位信号拉地。
优选的，所述动作识别模块具体包括：；
所述第一晶体管的栅极连接电源掉电信号，所述第一晶体管的源极连接电源电压，所述第一晶体管的漏极连接第二晶体管的源极；
所述第二晶体管的栅极连接电源掉电信号，所述第二晶体管的漏极接地；
所述第三晶体管的栅极与第一晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的源极连接电源电压，所述第三晶体管的漏极连接第四晶体管的源极；
所述第四晶体管的栅极连接第一晶体管的漏极，所述第四晶体管的漏极接地。
优选的，所述电位转换模块具体包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管；
所述第一晶体管的栅极连接电源掉电信号，所述第一晶体管的源极连接电源电压，所述第一晶体管的漏极连接第二晶体管的源极；
所述第二晶体管的栅极连接电源掉电信号，所述第二晶体管的漏极接地；
所述第三晶体管的栅极与第一晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的源极连接电源电压，所述第三晶体管的漏极连接第四晶体管的源极；
所述第四晶体管的栅极连接第一晶体管的漏极，所述第四晶体管的漏极接地；
所述第五晶体管的栅极连接第七晶体管的栅极，所述第五晶体管的源极连接维持电压，所述第五晶体管的漏极连接第六晶体管的源极；
所述第六晶体管的栅极连接所述第一晶体管的漏极，所述第六晶体管的漏极接地；
所述第七晶体管的源极连接所述维持电压，所述第七晶体管的漏极连接第八晶体管的源极；
所述第八晶体管的栅极连接所述第三晶体管的漏极，所述第八晶体管的漏极接地。
优选的，所述电位维持模块具体包括：第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管以及第十二晶体管；
所述第九晶体管的栅极连接第七晶体管的漏极，所述第九晶体管的源极连接维持电压，所述第九晶体管的漏极连接第十晶体管的源极；
所述第十晶体管的栅极连接第九晶体管的栅极，所述第十晶体管的漏极接地；
所述第十一晶体管的栅极连接第九晶体管的漏极，所述第十一晶体管的源极连接所述维持电压，所述第十一晶体管的漏极连接第十二晶体管的源极；
所述第十二晶体管的源极连接所述第十一晶体管的栅极，所述第十二晶体管的漏极接地。
优选的，所述控制模块具体包括：第十三晶体管、第十四晶体管以及第十五晶体管；
所述第十三晶体管的栅极连接所述第十一晶体管的栅极，所述第十三晶体管的源极连接所述维持电压，所述第十三晶体管的漏极连接所述第十四晶体管的源极；
所述第十四晶体管的栅极连接所述第十三晶体管的栅极，所述第十四晶体管的漏极接地；
所述第十五晶体管的栅极连接所述第十三晶体管的漏极，所述第十五晶体管的源极连接复位信号，且通过电阻连接上拉电压，所述第十五晶体管的漏极接地。
优选的，第一晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第七晶体管、第九晶体管、第十一晶体管以及第十三晶体管均为PMOS型。
优选的，第二晶体管、第四晶体管、第六晶体管、第八晶体管、第十晶体管、第十二晶体管、第十四晶体管以及第十五晶体管均为NMOS型。
本发明还公开了一种复位信号电位维持方法，所述方法应用于上述复位信号电位维持电路。
与现有技术相比，本发明的电源芯片的复位信号输出电路，动作识别模块及控制模块分别使用两个电源，通过对控制模块的维持电压进行调整，来控制复位信号在关机时不受上拉电压影响，同时动作识别模块识别电源电压掉电后送出信号至维持模块后，维持模块可以较长时间保持稳定电位状态。
附图说明
下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对本发明予以进一步说明。
图1为现有主流电源芯片复位信号控制架构示意图；
图2为现有主流电源芯片复位信号控制架构掉电分析示意图；
图3为本发明复位信号电位维持电路的组成结构示意图；
图4为本发明复位信号电位维持电路的具体电路示意图；
图5为本发明复位信号电位维持电路的掉电分析示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
图3为本发明复位信号电位维持电路的组成结构示意图，如图3所示，一种复位信号电位维持电路，包括依序相连的动作识别模块100、电位转换模块200、电位维持模块300以及控制模块400；其中，所述动作识别模块100与电源电压连接，所述电位转换模块300、所述电位维持模块300以及所述控制模块400均与维持电压相连；所述控制模块400输出复位信号；所述动作识别模块100用于当识别到电源电压掉电时，送出数位信号至所述电位转换模块200；所述电位转换模块200用于根据所述维持电压将所述数位信号转换为电位信号并送至所述电位维持模块300；所述电位维持模块300用于根据所述电位信号产生控制信号并送至所述控制模块400，通过所述维持电压维持所述控制模块400工作；所述控制模块400用于当电源电压掉电时控制输出的复位信号拉地。
具体的，请参阅图4至图5，现对本发明具体实施例进行说明。
图4为本发明复位信号电位维持电路的具体电路示意图，如图4所示，一种复位信号电位维持电路，包括依序相连的动作识别模块100、电位转换模块200、电位维持模块300以及控制模块400；其中，所述动作识别模块100与电源电压连接，所述电位转换模块200、所述电位维持模块300以及所述控制模块400均与维持电压相连；所述控制模块400输出复位信号。
所述电位转换模块200具体包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8；所述第一晶体管M1的栅极连接电源掉电信号Vin，所述第一晶体管M1的源极连接电源电压，所述第一晶体管M1的漏极连接第二晶体管M2的源极；所述第二晶体管M2的栅极连接电源掉电信号，所述第二晶体管M2的漏极接地；所述第三晶体管M3的栅极与第一晶体管M1的漏极连接，所述第三晶体管M3的源极连接电源电压，所述第三晶体管M3的漏极连接第四晶体管M4的源极；所述第四晶体管M4的栅极连接第一晶体管M1的漏极，所述第四晶体管M4的漏极接地；所述第五晶体管M5的栅极连接第七晶体管M7的栅极，所述第五晶体管M5的源极连接维持电压，所述第五晶体管M5的漏极连接第六晶体管M6的源极；所述第六晶体管M6的栅极连接所述第一晶体管M1的漏极，所述第六晶体管M6的漏极接地；所述第七晶体管M7的源极连接所述维持电压AVDD，所述第七晶体管M7的漏极连接第八晶体管M8的源极；所述第八晶体管M8的栅极连接所述第三晶体管M3的漏极，所述第八晶体管M8的漏极接地GND。
所述电位维持模块300具体包括：第九晶体管M9、第十晶体管M10、第十一晶体管M11以及第十二晶体管M12；所述第九晶体管M9的栅极连接第七晶体管M7的漏极，所述第九晶体管M9的源极连接维持电压AVDD，所述第九晶体管M9的漏极连接第十晶体管M10的源极；所述第十晶体管M10的栅极连接第九晶体管M9的栅极，所述第十晶体管M10的漏极接地；所述第十一晶体管M11的栅极连接第九晶体管M9的漏极，所述第十一晶体管M10的源极连接所述维持电压AVDD，所述第十一晶体管M11的漏极连接第十二晶体管M12的源极；所述第十二晶体管M12的源极连接所述第十一晶体管M11的栅极，所述第十二晶体管M12的漏极接地。
所述控制模块400具体包括：第十三晶体管M13、第十四晶体管M14以及第十五晶体管M15；所述第十三晶体管M13的栅极连接所述第十一晶体管M11的栅极，所述第十三晶体管M13的源极连接所述维持电压AVDD，所述第十三晶体管M13的漏极连接所述第十四晶体管M14的源极；所述第十四晶体管M14的栅极连接所述第十三晶体管M13的栅极，所述第十四晶体管M14的漏极接地；所述第十五晶体管M15的栅极连接所述第十三晶体管M13的漏极，所述第十五晶体管M15的源极连接复位信号RESET，且通过电阻连接上拉电压LDO，所述第十五晶体管M15的漏极接地GND。
具体的，第一晶体管M1、第三晶体管M3、第五晶体管M5、第七晶体管M8、第九晶体管M9、第十一晶体管M11以及第十三晶体管M13均为PMOS型；第二晶体管M2、第四晶体管M4、第六晶体管M6、第八晶体管M8、第十晶体管M10、第十二晶体管M12、第十四晶体管M14以及第十五晶体管M15均为NMOS型。
如图4所示，上述实施例具体工作流程为：
1、关机时电源掉电下降沿触发动作识别模块100输出高电平信号，第一晶体管M1不导通，第二晶体管M2导通输出低电位至a点；
a点为低电位，第四晶体管M4、第六晶体管M6不导通，第三晶体管M3导通输出将b点拉至高电位；
b点为高电位，第八晶体管M8导通输出低电位至c点；
c点为低电位，第十晶体管M10、第十二晶体管M12、第十四晶体管M14不导通，第十五晶体管M5、第十一晶体管M11导通将d点电位拉至高电位，第十三晶体管M13导通将e点电位拉至高电位；
d点为高电位，第七晶体管M7、第九晶体管M9不导通，第十晶体管M10导通持续将c点拉至低电位；此时若前端电源电压Vin掉至较低电位，a点及b点无法被拉至高电位，维持电压AVDD掉至低电位前可持续保持d点为高电位，则第十晶体管M10可保持c点为低电位；
此时e点持续为高电位，即可保持第十五晶体管M15持续为开启状态，复位信号RESET保持拉低而不受上拉电压LDO的影响，即可实现关机维持复位信号拉地的功能。
2、开机时上升沿信号触发动作识别模块100输出低电平信号，第二晶体管M2不导通，第一晶体管M1导通将a点拉至高电位；
a点为高电位，M3不导通，第四晶体管M4将b点拉至低电位，第六晶体管M6导通将d点拉至低电位；
b点为低电位，第八晶体管M8不导通；
d点为低电位，第七晶体管M7、第九晶体管M9导通将c点拉至高电位；
c点为高电位，第十三晶体管M13不导通，第十二晶体管M12导通使d点持续为低电位，第十四晶体管M14导通将e点拉至低电位；
e点为低电位，第十五晶体管M15不导通，复位信号RESET持续受到上拉电压LDO影响持续抬高以供IC正常工作。
具体的，维持电压可选用掉电较慢电压，如升压斩波电路Boost电路关闭后Boost电压可较长时间维持，作为维持电压可保持M1打开。复位信号因第一晶体管M1打开持续维持拉地，即使电源电压掉至低准位后复位信号仍不会受上拉电压影响。动作识别模块在电源电压开电时送出信号至电位转换模块，使电位维持模块重置。
图5为本发明复位信号电位维持电路的掉电分析示意图。如图5所示，维持电压可选用面板上所用如AVDD电压(通常大于8V)，后端有较多电容，且该路电压上串有二极管，关机时掉电较慢。因关机后维持电压仍处于高电平，控制模块维持复位信号拉地不受上拉电压影响。
基于相同的技术构思，本发明还公开了一种复位信号电位维持方法，所述方法应用于上述复位信号电位维持电路。
所述方法具体细节可参照前述装置部分的介绍，此处不再赘述。
应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种复位信号电位维持电路，其特征在于，所述电路包括依序相连的动作识别模块、电位转换模块、电位维持模块以及控制模块；其中，所述动作识别模块与电源电压连接，所述电位转换模块、所述电位维持模块以及所述控制模块均与维持电压相连；所述控制模块输出复位信号；
所述动作识别模块用于当识别到电源电压掉电时，送出数位信号至所述电位转换模块；所述电位转换模块用于根据所述维持电压将所述数位信号转换为电位信号并送至所述电位维持模块；所述电位维持模块用于根据所述电位信号产生控制信号并送至所述控制模块，通过所述维持电压维持所述控制模块工作；所述控制模块用于当电源电压掉电时控制输出的复位信号拉地；
所述电位转换模块具体包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管；
所述第一晶体管的栅极连接电源掉电信号，所述第一晶体管的源极连接电源电压，所述第一晶体管的漏极连接第二晶体管的源极；
所述第二晶体管的栅极连接电源掉电信号，所述第二晶体管的漏极接地；
所述第三晶体管的栅极与第一晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的源极连接电源电压，所述第三晶体管的漏极连接第四晶体管的源极；
所述第四晶体管的栅极连接第一晶体管的漏极，所述第四晶体管的漏极接地；
所述第五晶体管的栅极连接第七晶体管的栅极，所述第五晶体管的源极连接维持电压，所述第五晶体管的漏极连接第六晶体管的源极；
所述第六晶体管的栅极连接所述第一晶体管的漏极，所述第六晶体管的漏极接地；
所述第七晶体管的源极连接所述维持电压，所述第七晶体管的漏极连接第八晶体管的源极；
所述第八晶体管的栅极连接所述第三晶体管的漏极，所述第八晶体管的漏极接地；
所述电位维持模块具体包括：第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管以及第十二晶体管；
所述第九晶体管的栅极连接第七晶体管的漏极，所述第九晶体管的源极连接维持电压，所述第九晶体管的漏极连接第十晶体管的源极；
所述第十晶体管的栅极连接第九晶体管的栅极，所述第十晶体管的漏极接地；
所述第十一晶体管的栅极连接第九晶体管的漏极，所述第十一晶体管的源极连接所述维持电压，所述第十一晶体管的漏极连接第十二晶体管的源极；
所述第十二晶体管的源极连接所述第十一晶体管的栅极，所述第十二晶体管的漏极接地。
2.根据权利要求1所述的复位信号电位维持电路，其特征在于，所述控制模块具体包括：第十三晶体管、第十四晶体管以及第十五晶体管；
所述第十三晶体管的栅极连接所述第十一晶体管的栅极，所述第十三晶体管的源极连接所述维持电压，所述第十三晶体管的漏极连接所述第十四晶体管的源极；
所述第十四晶体管的栅极连接所述第十三晶体管的栅极，所述第十四晶体管的漏极接地；
所述第十五晶体管的栅极连接所述第十三晶体管的漏极，所述第十五晶体管的源极连接复位信号，且通过电阻连接上拉电压，所述第十五晶体管的漏极接地。
3.根据权利要求2所述的复位信号电位维持电路，其特征在于，第一晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第七晶体管、第九晶体管、第十一晶体管以及第十三晶体管均为PMOS型。
4.根据权利要求2所述的复位信号电位维持电路，其特征在于，第二晶体管、第四晶体管、第六晶体管、第八晶体管、第十晶体管、第十二晶体管、第十四晶体管以及第十五晶体管均为NMOS型。
5.一种复位信号电位维持方法，其特征在于，所述方法应用于上述权利要求1-4任意一项所述的复位信号电位维持电路。
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