CN111177810A - 预制体的纹织图生成方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents

预制体的纹织图生成方法、装置、电子设备及存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明公开了预制体的纹织图生成方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取待制备预制体的初始结构信息；根据初始结构信息生成待制备预制体的初始纹织图；初始纹织图中的像素点的像素值包括第一像素值和第二像素值，当像素点对应的经纱在对应的纬纱的上方时，像素点的像素值为第一像素值，当像素点对应的经纱在对应的纬纱下方时，像素点的像素值为第二像素值；获取待制备预制体的减纱信息；减纱信息包括待制备预制体中各列经纱和各列纬纱的交织点处的实际经纱层数以及减纱位置信息；根据减纱信息对初始纹织图进行调整，得到待制备预制体的纹织图。通过实施本发明，能够以较高效率和较高的准确性自动生成待制备预制体的纹织图。

Description

预制体的纹织图生成方法、装置、电子设备及存储介质
技术领域
本发明涉及制造技术领域，尤其涉及到预制体的纹织图生成方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
三维机织结构复合材料因其高比强度、低密度及良好成型性等优点受到越来越多的青睐，在飞机和汽车工程等领域已经取得成功应用。目前，对于结构及形面复杂的大变厚度预制体，通常通过基于电子提花系统的增减纱的方法实现净成型制造。但是，由于结构及形面复杂的变厚度预制体中的减纱点一般数量较为庞大，减纱位置及减纱层数无一定规律，例如，航空发动机风扇叶片，其减纱点数量多达上千个点，因此，若直接根据预制体的结构生成纹织图，则需要以预制体中的经纱列和纬纱列的每一个交织点处为对象，逐一获取各个交织点处的经纱层数、纬纱层数以及经纱和纬纱的位置关系，生成各个交织点处的纹织图，从而实现整个预制体的纹织图生成，生成效率较低，且由于每个做了减纱后交织点处的组织结构均会产生一定的改变，因此，获取各个交织点处的组织结构的难度较大，获取出错的可能性也较大，从而，使得预制体的纹织图生成难度较大，准确性较低。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种预制体的纹织图生成方法、装置、电子设备及存储介质，以解决现有的存在增减纱的预制体的纹织图的生成方法，生成效率较低、生成难度较大，且最终生成的纹织图的准确性较低的问题。
根据第一方面，本发明实施例提供了预制体的纹织图生成方法，其特征在于，包括如下步骤：获取待制备预制体的初始结构信息；待制备预制体包括至少一种初始基元组织；初始结构信息包括待制备预制体的经纱列数和纬纱列数，以及待制备预制体的初始基元组织的经纱列数、经纱层数、纬纱列数、纬纱层数以及经纱和纬纱的位置关系；根据初始结构信息生成待制备预制体的初始纹织图；初始纹织图中的像素点的像素值包括第一像素值和第二像素值，当像素点对应的经纱在对应的纬纱的上方时，像素点的像素值为第一像素值，当像素点对应的经纱在对应的纬纱下方时，像素点的像素值为第二像素值；获取待制备预制体的减纱信息；减纱信息包括待制备预制体中各列经纱和各列纬纱的交织点处的实际经纱层数以及减纱位置信息；根据减纱信息对初始纹织图进行调整，得到待制备预制体的纹织图。
通过首先根据待制备预制体的结构信息，特别是待制备预制体中的初始基元组织(未经过减纱时的基元组织)的结构信息，生成待制备预制体的初始纹织图，然后再根据获取到的待制备预制体的各列经纱和各列纬纱的交织点处的实际经纱层数以及减纱位置等减纱信息，对初始纹织图进行基于减纱信息的调整，能够实现对需要进行减纱的结构较为复杂的待制备预制体的纹织图的整体性自动生成，而无需单独获取待制备预制体各个交织点处的组织结构并依次生成各个交织点处的纹织图，从而组合形成整个待制备预制体的纹织图，纹织图的生成效率较高，而由于每个交织点减纱后的组织结构均会产生一定的改变，因此，获取各个交织点处的组织结构的难度较大，获取出错的可能性也较大，因此，该无需获取各个交织点处的组织结构的预制体的纹织图生成方法的实现难度较低，且生成的纹织图的准确性较高。
结合第一方面，在第一方面第一实施方式中，待制备预制体包括至少两种初始基元组织；初始结构信息还包括待制备预制体的各列经纱与各列纬纱的交织点处的基元组织类型。
结合第一方面或者第一方面第一实施方式，在第一方面第二实施方式中，根据减纱信息对初始纹织图进行调整，得到待制备预制体的纹织图的步骤，包括：获取待制备预制体中的一待减经纱列和一待减纬纱列的待减交织点处的实际经纱层数；根据实际经纱层数以及初始结构信息中的经纱和纬纱的位置关系确定交织点处的实际纬纱层数；根据实际经纱层数、实际纬纱层数和减纱位置信息对初始纹织图进行调整，得到待制备预制体的纹织图。
结合第一方面或者第一方面第一实施方式或者第一方面第二实施方式，在第一方面第三实施方式中，减纱位置信息包括经纱减纱起始位置信息和纬纱减纱起始位置信息，经纱减纱起始位置为除第一层经纱和最后一层经纱以外的任意一层经纱，纬纱减纱起始位置为第一层纬纱或者最后一层纬纱。
结合第一方面第三实施方式，在第一方面第四实施方式中，根据实际经纱层数、实际纬纱层数和减纱位置信息对初始纹织图进行调整，得到待制备预制体的纹织图的步骤，包括：根据实际纬纱层数、初始基元组织的纬纱层数以及纬纱减纱起始位置信息确定待减交织点处的待减纬纱层；获取初始纹织图中与待减纬纱层相对应的第一待减行以及与待减经纱列中的各层经纱对应的第一待减列，并将第一待减行中的各个第一待减列的像素点的像素值均设置为第一像素值或者第二像素值；根据实际经纱层数、初始基元组织的经纱层数以及经纱减纱起始位置信息确定待减交织点处的待减经纱层；获取初始纹织图中与待减经纱层相对应的第二待减列以及与待减纬纱列中的各层纬纱对应的第二待减行，并将第二待减列中的各个第二待减行的像素点的像素值均设置为第一像素值或者第二像素值。
结合第一方面第四实施方式，在第一方面第五实施方式中，待减纬纱列在纹织图中所占的行数为待减纬纱列与各个待减经纱列的交织点处的实际纬纱层数中的最大值；根据实际经纱层数、实际纬纱层数和减纱位置信息对初始纹织图进行调整，得到待制备预制体的纹织图的步骤，还包括：将纹织图中与待减纬纱列所对应的行中多于待减纬纱列的实际纬纱层数的行的像素点的像素值均为第一像素值或者第二像素值。
根据第二方面，本发明实施例提供了一种预制体的纹织图生成装置，包括：结构信息获取模块，用于获取待制备预制体的初始结构信息；初始结构信息包括待制备预制体的经纱列数和纬纱列数，以及待制备预制体的初始基元组织的经纱列数、经纱层数、纬纱列数、纬纱层数以及经纱和纬纱的位置关系；初始纹织图生成模块，用于根据初始结构信息生成待制备预制体的初始纹织图；初始纹织图中的像素点的像素值包括第一像素值和第二像素值，当像素点对应的经纱在对应的纬纱的上方时，像素点的像素值为第一像素值，当像素点对应的经纱在对应的纬纱下方时，像素点的像素值为第二像素值；减纱信息获取模块，用于获取待制备预制体的减纱信息；减纱信息包括待制备预制体中各列经纱和各列纬纱的交织点处的实际经纱层数以及减纱位置信息；纹织图生成模块，用于根据减纱信息对初始纹织图进行调整，得到待制备预制体的纹织图。
根据第三方面，本发明实施例提供了一种电子设备，包括：存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行第一方面或者第一方面的任意一种实施方式中所述的预制体的纹织图生成方法。
根据第四方面，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储计算机指令，所述计算机指令用于使所述计算机执行第一方面或者第一方面的任意一种实施方式中所述的预制体的纹织图生成方法。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种预制体的纹织图生成方法的一种方法流程图；
图2A-图2D分别为一种待制备预制体的主视图、侧视图、前视图和立体图；
图3A-图3D为一种初始基元组织的结构示意图；
图4A-图4B为另一种初始基元组织的结构示意图；
图5A-图5B为另一种初始基元组织的结构示意图；
图6为图2A-图2D中的待制备预制体中的第6列纬纱的纹织图；
图7为图2A-图2D中的待制备预制体的纹织图；
图8为图1中的步骤S104的具体步骤流程图；
图9为图8中的步骤S803的具体步骤流程图；
图10为图2A-图2D中的待制备预制体中的第7列经纱第15列纬纱的交织点的纹织图；
图11为本发明实施例提供的一种预制体的纹织图生成的原理框图；
图12为本发明实施例提供的一种电子设备的硬件结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
实施例1
图1示出了本发明实施例的预制体的纹织图生成方法的流程图，如图1所示，该方法可以包括如下步骤：
S101：获取待制备预制体的初始结构信息。
在本实施例中，待制备预制体包括至少一种初始基元组织，初始结构信息包括待制备预制体的经纱列数和纬纱列数，以及待制备预制体的初始基元组织的经纱列数、经纱层数、纬纱列数、纬纱层数以及经纱和纬纱的位置关系。
在本发明实施例中，若待制备预制体为如图2A-2D所示的形状不规则的预制体，则待制备预制体的经纱列数为该待制备预制体的最长处(沿用上例，图2A中的线段AB处为该待制备预制体的最长处)的经纱的列数，待制备预制体的纬纱列数为该待制备预制体的最宽处(沿用上例，图2A中的线段CD处为该待制备预制体的最宽处)。
在本发明实施中，需要说明的是，初始基元组织是用以表示待制备预制体中的经纱和纬纱之间的位置关系的最小单元，同时，该初始基元组织中的经纱层数和纬纱层数均是待制备预制体的最厚处的经纱层数和纬纱层数，因而，待制备预制体中各个经纱列和各个纬纱列的交织点处的经纱层数均小于或者等于初始基元组织中的经纱层数，待制备预制体中各个经纱列和各个纬纱列的交织点处的纬纱层数均小于或者等于初始基元组织中的纬纱层数，因此，本发明实施例中的预制体的纹织图生成方法仅涉及减纱而未涉及增纱，但是，本领域技术人员应当理解，可以通过对本发明实施例中的方法进行反向推导，得到相应的通过增纱的方式生成待制备预制体的纹织图的方法。
此外，需要说明的是，虽然初始基元组织是用以表示待制备预制体中的经纱和纬纱之间的位置关系的最小单元，但是并不要求待制备预制体中包括的基元组织均为完整的基元组织，具体地，仍以图2A-图2D所示的待制备预制体为例，该待制备预制体的经纱列数为12列，纬纱列数为15列，但是，该待制备预制体的初始基元组织可以为经纱列数为4列，纬纱列数为4列的初始基元组织。
在本发明实施例中，该待制备预制体可以仅包括一种初始基元组织，也可以包括两种以及两种以上的初始基元组织，具体地，该待制备预制体可以仅包括如图3A-图3D所示的一种初始基元组织(下文简称为初始基元组织1)，其中，实线表示经纱，椭圆表示纬纱，该初始基元组织1包括4列经纱，4列纬纱，每列经纱包括3层，每列纬纱包括4层，具体地，图3A-图3D中的X轴方向为纬纱列的延伸方向，Y轴方向为经纱列的延伸方向，Z轴方向为经纱层和纬纱层的延伸方向，图3A示出了初始基元组织1以第1列经纱所在面为截面时的结构，图3B示出了初始基元组织1以第2列经纱所在面为截面时的结构，图3C示出了初始基元组织1以第3列经纱所在面为截面时的结构，图3D示出了初始基元组织1以第4列经纱所在面为截面时的结构。
或者，该待制备预制体除了包括上述初始基元组织1外，还可以包括图4A-图4B所示的初始基元组织(下文简称为初始基元组织2)，以及图5A-图5B所示的初始基元组织(下文简称为初始基元组织3)，其中，实线表示经纱，椭圆表示纬纱，且图4A-图4B以及图5A-图5B中的X轴方向均为纬纱列的延伸方向，Y轴方向均为经纱列的延伸方向，Z轴方向均为经纱层和纬纱层的延伸方向，具体地，初始基元组织2包括2列经纱，2列纬纱，每列经纱包括3层，每列纬纱包括4层：图4A示出了初始基元组织2以第1列经纱所在面为截面时的结构，图4B示出了初始基元组织2以第2列经纱所在面为截面时的结构；初始基元组织3包括2列经纱，2列纬纱，每列经纱包括3层，每列纬纱包括4层：图5A示出了初始基元组织5以第1列经纱所在面为截面时的结构，图5B示出了初始基元组织5以第2列经纱所在面为截面时的结构。
需要说明的是，由于上述初始基元组织1、2和3均为结构规则的纹织结构，因此，均以能够表示初始基元组织1、2和3的结构的最少层数进行示出，也即，均以初始基元结构中的每列经纱包括3层经纱，每列纬纱包括4层纬纱进行示出，但是，本领域技术人员应该能够理解，待制备预制体中的最厚处的经纱层数一般均大于3层，纬纱层数一般也均大于4层，且基于上述初始基元组织1、2和3的结构的规则性，因此，当初始基元组织中的经纱层数和纬纱层数均为更多层(例如，每列经纱包括9层，每列纬纱包括10层)时，初始基元组织的具体结构均可以根据图3A-图3D、图4A-图4B以及图5A-图5B中所示的结构扩充得到，在此不再赘述。
S102：根据初始结构信息生成待制备预制体的初始纹织图。
在本发明实施例中，初始纹织图中的像素点的像素值包括第一像素值和第二像素值，当像素点对应的经纱在对应的纬纱的上方时，像素点的像素值为第一像素值，当像素点对应的经纱在对应的纬纱下方时，像素点的像素值为第二像素值。
在本发明实施例中，需要说明的是，若待制备预制体包括多种初始基元组织，则待制备预制体的结信息中还包括待制备预制体的各列经纱与各列纬纱的交织点处的基元组织类型。具体地，沿用上例，若待制备预制体的结构如图2A-图2D所示，且该待制备预制体中包括初始基元组织1、2和3三种初始基元组织，则待制备预制体的结信息中的待制备预制体的经纱列数，纬纱列数和各列经纱(共12列：J1～J12)与各列纬纱(共15列：W1～W15)的交织点处的基元组织类型可以通过表1的形式来表示：
J1 J2 J3 J4 J5 J6 J7 J8 J9 J10 J11 J12
W1 2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1
W2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1 1
W3 2 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1 1
W4 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1
W5 2 2 2 2 2 2 1 1 1
W6 2 2 2 2 2 1 1 1 1
W7 2 2 2 2 1 1 1 1
W8 2 2 2 2 3 1 1
W9 2 2 2 3 3 3 1
W10 2 2 2 3 3 3 3
W11 2 2 3 3 3 3 3
W12 2 3 3 3 3 3 3
W13 3 3 3 3 3 3 3 3
W14 3 3 3 3 3 3 3 3
W15 3 3 3 3 3 3 3 3
表1
在本发明实施例中，初始纹织图的生成方式可以为现有任意一种能够根据待制备预制体的结构信息生成对应的纹织图的方式，在此不做任何限制。
S103：获取待制备预制体的减纱信息。
在本发明实施例中，减纱信息包括待制备预制体中各列经纱和各列纬纱的交织点处的实际经纱层数以及减纱位置信息。
沿用上例，若待制备预制体的结构如图2A-图2D所示，且该待制备预制体中包括初始基元组织1、2和3三种初始基元组织，待制备预制体的结信息中的待制备预制体的经纱列数(共12列：J1～J12)，纬纱列数(共15列：W1～W15)和各列经纱与各列纬纱的交织点处的基元组织类型如表1所示，则减纱信息中的各列经纱和各列纬纱的交织点处的实际经纱层数可以如表2所示：
J1 J2 J3 J4 J5 J6 J7 J8 J9 J10 J11 J12
W1 2 3 3 5 6 8 9 9 8 7 5 3
W2 2 3 3 5 6 8 8 9 8 7 5 3
W3 2 3 3 5 6 7 8 8 8 7 5 3
W4 3 3 5 6 7 8 8 7 6 5
W5 3 3 5 6 7 8 7 7 6
W6 3 3 4 6 7 7 7 7 6
W7 3 4 6 6 7 7 6 5
W8 3 4 5 6 7 6 6
W9 3 4 5 6 6 6 5
W10 3 4 5 6 6 6 5
W11 3 4 5 6 6 5 5
W12 3 4 5 5 5 5 4
W13 3 4 5 5 5 5 4 3
W14 3 4 4 5 5 4 4 3
W15 3 4 4 5 4 4 3 3
表2
在本发明实施例中，初始基元组织中的纬纱层数与经纱层数相关，且纬纱层数与经纱层数可以根据各种初始基元组中经纱和纬纱之间的位置关系得到，因此，各列经纱和各列纬纱的交织点处的实际纬纱层数可以根据对应的交织点处的实际经纱层数得到，具体地，在上述初始基元组织1，初始基元组织2以及初始基元组织3中，各列经纱和各列纬纱的交织点处的实际纬纱层数均比对应的交织点处的实际经纱层数多1层。
在本发明实施例中，减纱位置信息可以包括经纱减纱起始位置信息和纬纱减纱起始位置信息。
在本发明实施例中，经纱减纱起始位置可以为一列经纱中的任意一层经纱，具体地，经纱减纱起始位置信息可以为除第一层经纱和最后一层经纱以外的任意一层经纱，例如，经纱减纱起始位置可以为第二层经纱或者倒数第二层经纱。在本发明实施例中，经纱减纱起始位置还可以为一个以上，例如，为了实现对称减纱，可以将第二层经纱以及倒数第二层经纱均作为经纱减纱起始位置，进行经纱减纱时，每个经纱减纱起始位置均减去一半的待减经纱层(若待减经纱层为奇数，则其中一个经纱减纱起始位置多减一层)。
在本发明实施例中，纬纱减纱起始位置也可以为一列纬纱中的任意一层纬纱，具体地，纬纱减纱起始位置可以为第一层纬纱或者最后一层纬纱，在本发明实施例中，为了实现对称减纱，同样可以将第一层纬纱和最后一层纬纱均作为经纱减纱起始位置，进行纬纱减纱时，每个纬纱减纱起始位置均减去一半的待减纬层(若待减纬纱层为奇数，则其中一个纬纱减纱起始位置多减一层)。
在本发明实施例中，减纱位置信息还包括经纱减纱方向信息和纬纱减纱方向信息，具体地，经纱减纱方向信息可以根据经纱减纱起始位置信息确定，例如，当经纱减纱起始位置为第二层经纱时，则经纱减纱方向为朝向最后一层经纱，当经纱减纱起始位置为倒数第二层经纱时，则经纱减纱方向为朝向第一层经纱；具体地，纬纱减纱方向信息同样可以根据纬纱减纱起始位置信息确定，当纬纱减纱起始位置为第一层纬纱时，则纬纱减纱方向为朝向最后一层纬纱，当纬纱减纱起始位置为最后一层纬纱时，则纬纱减纱方向为朝向第一层纬纱。
需要说明的是，上述第一层经纱和最后一层经纱分别是指一列经纱中两层位于最外侧的经纱，当其中一层位于最外侧的经纱为第一层经纱时，则相应地，另一层位于最外侧的经纱为最后一层经纱；同样地，第一层纬纱和最后一层纬纱分别是指一列纬纱中两层位于最外侧的纬纱；此处的第一层和最后一层均不应构成对本发明实施例的其他限制。
S104：根据减纱信息对初始纹织图进行调整，得到待制备预制体的纹织图。
在本发明实施例中，当在某一交织点处(假设为交织点A)减去一层经纱(假设为经纱层A)时，则将经纱层A提到所有纬纱上方或者所有纬纱的下方，也即，将初始纹织图中与该交织点A对应的所有像素点中，与经纱层A相对应的一列像素点的像素值均设置为第一像素点值或者第二像素点值，具体地，当经纱层A靠近交织点A中的第一层经纱时，则可以将经纱层A提到所有纬纱上方，相应地，将初始纹织图中与该交织点A对应的所有像素点中，与经纱层A相对应的一列像素点的像素值均设置为第一像素点值；当经纱层A靠近交织点A中的最后一层经纱时，则可以将经纱层A提到所有纬纱下方，相应地，将初始纹织图中与该交织点A对应的所有像素点中，与经纱层A相对应的一列像素点的像素值均设置为第二像素点值。
在本发明实施例中，当在某一交织点处(假设为交织点B)中的一列纬纱(假设为纬纱列B)中减去一层纬纱(假设为纬纱层B)时，将初始纹织图中与该交织点B对应的所有像素点中，与纬纱层B相对应的一行像素点设置为第一像素点或者第二像素点；同时，当在纬纱列B与所有经纱列的交织点处，纬纱层B都被减去，也即初始纹织图中与纬纱层B相对应的行的所有像素点的像素值均将被设置为第一像素点或者第二像素点，则可以将初始纹织图中与纬纱层B相对应的行删除。沿用上例，若纱减纱起始位置为第一层纬纱，且根据表1可知，第6列纬纱(W6)与第1列经纱～第12列经纱(J1～J12)的交织点处的经纱层数分别为0，3，3，4，6，7，7，7，7，6，0，0，相应地，各个交织点处的纬纱层数分别为：0，4，4，5，7，8，8，8，8，7，0，0(纬纱层数比经纱层数多一层，但是本领域的技术人员应当可以理解，当经纱层数为0时，纬纱层数也为0)，而初始基元组织中的纬纱层数为10层，因此，第6列纬纱中的第1层经纱和第2层经纱在所有交织点处均被减去，也即第6列纬纱中的第1层经纱和第2层在初始纹织图中所对应的行的像素值均为第一像素值或者第二像素值，对应的行可以删除，调整后的第6列纬纱所对应的纹织图如图6所示，其中的w3～w10是指初始基元中的第3层纬纱～第10层纬纱；调整后得到的待制备预制体的纹织图如图7所示，在本发明实施例中，图6和图7中以像素点的像素值为第一像素值时，像素点为黑色(为了方便显示像素点的边界，图6和图7中均使用黑色圆点代替黑色色块进行示出)，像素点的像素值为第二像素值时，像素点为白色为例进行示出。
在本发明实施例中，通过首先根据待制备预制体的结构信息，特别是待制备预制体中的初始基元组织(未经过减纱时的基元组织)的结构信息，生成待制备预制体的初始纹织图，然后再根据获取到的待制备预制体的各列经纱和各列纬纱的交织点处的实际经纱层数以及减纱位置等减纱信息，对初始纹织图进行基于减纱信息的调整，能够实现对需要进行减纱的结构较为复杂的待制备预制体的纹织图的整体性自动生成，而无需单独获取待制备预制体各个交织点处的组织结构并依次生成各个交织点处的纹织图，从而组合形成整个待制备预制体的纹织图，纹织图的生成效率较高，而由于每个交织点减纱后的组织结构均会产生一定的改变，因此，获取各个交织点处的组织结构的难度较大，获取出错的可能性也较大，因此，该无需获取各个交织点处的组织结构的预制体的纹织图生成方法的实现难度较低，且生成的纹织图的准确性较高。
作为本发明实施例的一种可选实施方式，如图8所示，步骤S104可以包括如下步骤：
S801：获取待制备预制体中的一待减经纱列和一待减纬纱列的待减交织点处的实际经纱层数。
在本发明实施例中，沿用上例，若待减经纱列为待制备预制体中的第7列经纱，待减纬纱列为待制备预制体中的第15列纬纱，则可以根据待制备预制体的减纱信息(如表2所示)可以获取到该待减交织点处的实际经纱层数为5层。
S802：根据实际经纱层数以及初始结构信息中的经纱和纬纱的位置关系确定交织点处的实际纬纱层数。
在本发明实施例中，沿用上例，根据待制备预制体的初始结构信息中的经纱和纬纱的位置关系可知，待制备预制体中各个交织点处的纬纱层数比经纱层数多一层，因此，可以得到待减交织点处的实际纬纱层数为6层。
S803：根据实际经纱层数、实际纬纱层数和减纱位置信息对初始纹织图进行调整，得到待制备预制体的纹织图。
在本发明实施例中，根据实际经纱层数和初始基元组织中的经纱层数即可得到待减经纱列中的减纱层数，而根据待减经纱列中的减纱层数以及减纱位置信息中的经纱减纱起始位置信息即可得到待减经纱层数中需要减去的具体经纱层；根据实际纬纱层数和初始基元组织中的纬纱层数即可得到待减纬纱列中的减纱层数，而根据待减纬纱列中的减纱层数以及减纱位置信息中的纬纱减纱起始位置信息即可得到待减纬纱层数中需要减去的具体纬纱层；根据待减经纱层数中需要减去的具体经纱层以及待减纬纱层数中需要减去的具体纬纱层对初始纹织图进行调整，即可得到待制备预制体的纹织图。
作为本发明实施例的一种可选实施方式，如图9所示，步骤S803可以包括如下步骤：
S901：根据实际纬纱层数、初始基元组织的纬纱层数以及纬纱减纱起始位置信息确定待减交织点处的待减纬纱层。
沿用上例，若待减经纱列为待制备预制体中的第7列经纱，待减纬纱列为待制备预制体中的第15列纬纱，则实际纬纱层数为6层(比实际经纱层数5层多一层)，而初始基元组织的纬纱层数为10层，且纬纱减纱起始位置信息为第一层纬纱，因此，待减交织点处的待减纬纱层为第1～4层纬纱。
S902：获取初始纹织图中与待减纬纱层相对应的第一待减行以及与待减经纱列中的各层经纱对应的第一待减列，并将第一待减行中的各个第一待减列的像素点的像素值均设置为第一像素值或者第二像素值。
沿用上例，将第7列经纱第15列纬纱在初始纹织图中的像素点中，第1行～第4行像素点的像素值设置为第一像素值或者第二像素值。
在本发明实施例中，为了简化最终生成的待制备预制体的纹织图，可以将待减纬纱列在纹织图中所占的行数设置为待减纬纱列与各个待减经纱列的交织点处的实际纬纱层数中的最大值，则相应的，在该步骤中，将纹织图中与待减纬纱列所对应的行中多于待减纬纱列的实际纬纱层数的行的像素点的像素值均为第一像素值或者第二像素值。
沿用上例，第15列纬纱与各个待减经纱列(J1～J12)的交织点处的实际纬纱层数中的最大值为6，则如图10所示，待减交织点处在纹织图中对应的像素点为6行，在本发明实施例中，图10中同样以像素点的像素值为第一像素值时，像素点为黑色(为了方便显示像素点的边界，图10中均使用黑色圆点代替黑色色块进行示出)，像素点的像素值为第二像素值时，像素点为白色为例进行示出。
S903：根据实际经纱层数、初始基元组织的经纱层数以及经纱减纱起始位置信息确定待减交织点处的待减经纱层。
沿用上例，若待减经纱列为待制备预制体中的第7列经纱，待减纬纱列为待制备预制体中的第15列纬纱，则实际经纱层数为5层，而初始基元组织的纬纱层数为9层，且经纱减纱起始位置包括第二层经纱和倒数第二层纬纱两个经纱减纱起始位置进行对称减纱，因此，待减交织点处的待减经纱层为第2层经纱，第3层经纱，第7层经纱以及第8层经纱。
S904：获取初始纹织图中与待减经纱层相对应的第二待减列以及与待减纬纱列中的各层纬纱对应的第二待减行，并将第二待减列中的各个第二待减行的像素点的像素值均设置为第一像素值或者第二像素值。
沿用上例，将第2层经纱，第3层经纱提到所有纬纱上方，因此，图10中的第2列和第3列像素点的像素值均为第一像素值(像素点为黑色圆点)，图10中的第7列和第8列像素点的像素值均为第二像素值(像素点为白色)。
实施例2
图11示出了本发明实施例的一种预制体的纹织图生成装置的远离框图，该装置可以用于实现实施例1或者其任意可选实施方式所述的预制体的纹织图生成方法。如图11所示，该装置包括：结构信息获取模块10、初始纹织图生成模块20，减纱信息获取模块30和纹织图生成模块40。其中，
结构信息获取模块10用于获取待制备预制体的初始结构信息。在本发明实施例中，初始结构信息包括待制备预制体的经纱列数和纬纱列数，以及待制备预制体的初始基元组织的经纱列数、经纱层数、纬纱列数、纬纱层数以及经纱和纬纱的位置关系。
初始纹织图生成模块20用于根据初始结构信息生成待制备预制体的初始纹织图。在本发明实施例中，初始纹织图中的像素点的像素值包括第一像素值和第二像素值，当像素点对应的经纱在对应的纬纱的上方时，像素点的像素值为第一像素值，当像素点对应的经纱在对应的纬纱下方时，像素点的像素值为第二像素值。
减纱信息获取模块30用于获取待制备预制体的减纱信息。在本发明实施例中，减纱信息包括待制备预制体中各列经纱和各列纬纱的交织点处的实际经纱层数以及减纱位置信息。
纹织图生成模块40用于根据减纱信息对初始纹织图进行调整，得到待制备预制体的纹织图。
在本发明实施例中，通过执行上述模块对应的程序或者指令，能够实现对需要进行减纱的结构较为复杂的待制备预制体的纹织图的整体性自动生成，且无需获取各个交织点处的组织结构，实现难度较低，生成的纹织图的准确性较高。
实施例3
本发明实施例提供了一种电子设备，如图12所示，该电子设备可以包括处理器1201和存储器1202，其中处理器1201和存储器1202可以通过总线或者其他方式连接，图12中以通过总线连接为例。
处理器1201可以为中央处理器(Central Processing Unit，CPU)。处理器1201还可以为其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等芯片，或者上述各类芯片的组合。
存储器1202作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序、非暂态计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例中的纹织图生成方法对应的程序指令/模块。处理器1201通过运行存储在存储器1202中的非暂态软件程序、指令以及模块，从而执行处理器的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例中的纹织图生成方法。
存储器1202可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储处理器1201所创建的数据等。此外，存储器1202可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施例中，存储器1202可选包括相对于处理器1201远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至处理器1201。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
所述一个或者多个模块存储在所述存储器1202中，当被所述处理器1201执行时，执行如图1-图9所示实施例中的预制体的纹织图生成方法。
上述电子设备具体细节可以对应参阅图1至图9所示的实施例中对应的相关描述和效果进行理解，此处不再赘述。
本领域技术人员可以理解，实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)、随机存储记忆体(Random AccessMemory，RAM)、快闪存储器(Flash Memory)、硬盘(Hard Disk Drive，缩写：HDD)或固态硬盘(Solid-State Drive，SSD)等；所述存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (9)

1.一种预制体的纹织图生成方法，其特征在于，包括如下步骤：
获取待制备预制体的初始结构信息；所述待制备预制体包括至少一种初始基元组织；所述初始结构信息包括所述待制备预制体的经纱列数和纬纱列数，以及所述待制备预制体的初始基元组织的经纱列数、经纱层数、纬纱列数、纬纱层数以及经纱和纬纱的位置关系；
根据所述初始结构信息生成所述待制备预制体的初始纹织图；所述初始纹织图中的像素点的像素值包括第一像素值和第二像素值，当所述像素点对应的经纱在对应的纬纱的上方时，所述像素点的像素值为第一像素值，当所述像素点对应的经纱在对应的纬纱下方时，所述像素点的像素值为第二像素值；
获取所述待制备预制体的减纱信息；所述减纱信息包括所述待制备预制体中各列经纱和各列纬纱的交织点处的实际经纱层数以及减纱位置信息；
根据所述减纱信息对所述初始纹织图进行调整，得到所述待制备预制体的纹织图。
2.根据权利要求1所述的预制体的纹织图生成方法，其特征在于，所述待制备预制体包括至少两种初始基元组织；所述初始结构信息还包括所述待制备预制体的各列经纱与各列纬纱的交织点处的基元组织类型。
3.根据权利要求1或2所述的预制体的纹织图生成方法，其特征在于，所述根据所述减纱信息对所述初始纹织图进行调整，得到所述待制备预制体的纹织图的步骤，包括：
获取所述待制备预制体中的一待减经纱列和一待减纬纱列的待减交织点处的实际经纱层数；
根据所述实际经纱层数以及所述初始结构信息中的所述经纱和纬纱的位置关系确定所述交织点处的实际纬纱层数；
根据所述实际经纱层数、所述实际纬纱层数和所述减纱位置信息对所述初始纹织图进行调整，得到所述待制备预制体的纹织图。
4.根据权利要求1-3任一项所述的预制体的纹织图生成方法，其特征在于，所述减纱位置信息包括经纱减纱起始位置信息和纬纱减纱起始位置信息，所述经纱减纱起始位置为除第一层经纱和最后一层经纱以外的任意一层经纱，所述纬纱减纱起始位置为第一层纬纱或者最后一层纬纱。
5.根据权利要求4所述的预制体的纹织图生成方法，其特征在于，所述根据所述实际经纱层数、所述实际纬纱层数和所述减纱位置信息对所述初始纹织图进行调整，得到所述待制备预制体的纹织图的步骤，包括：
根据所述实际纬纱层数、所述初始基元组织的纬纱层数以及所述纬纱减纱起始位置信息确定所述待减交织点处的待减纬纱层；
获取所述初始纹织图中与所述待减纬纱层相对应的第一待减行以及与所述待减经纱列中的各层经纱对应的第一待减列，并将所述第一待减行中的各个所述第一待减列的像素点的像素值均设置为所述第一像素值或者所述第二像素值；
根据所述实际经纱层数、所述初始基元组织的经纱层数以及所述经纱减纱起始位置信息确定所述待减交织点处的待减经纱层；
获取所述初始纹织图中与所述待减经纱层相对应的第二待减列以及与所述待减纬纱列中的各层纬纱对应的第二待减行，并将所述第二待减列中的各个所述第二待减行的像素点的像素值均设置为所述第一像素值或者所述第二像素值。
6.根据权利要求5所述的预制体的纹织图生成，其特征在于，所述待减纬纱列在所述纹织图中所占的行数为所述待减纬纱列与各个待减经纱列的交织点处的实际纬纱层数中的最大值；所述根据所述实际经纱层数、所述实际纬纱层数和所述减纱位置信息对所述初始纹织图进行调整，得到所述待制备预制体的纹织图的步骤，还包括：
将所述纹织图中与所述待减纬纱列所对应的行中多于所述待减纬纱列的实际纬纱层数的行的像素点的像素值均为第一像素值或者第二像素值。
7.一种预制体的纹织图生成装置，其特征在于，包括：
结构信息获取模块，用于获取待制备预制体的初始结构信息；所述初始结构信息包括所述待制备预制体的经纱列数和纬纱列数，以及所述待制备预制体的初始基元组织的经纱列数、经纱层数、纬纱列数、纬纱层数以及经纱和纬纱的位置关系；
初始纹织图生成模块，用于根据所述初始结构信息生成所述待制备预制体的初始纹织图；所述初始纹织图中的像素点的像素值包括第一像素值和第二像素值，当所述像素点对应的经纱在对应的纬纱的上方时，所述像素点的像素值为第一像素值，当所述像素点对应的经纱在对应的纬纱下方时，所述像素点的像素值为第二像素值；
减纱信息获取模块，用于获取所述待制备预制体的减纱信息；所述减纱信息包括所述待制备预制体中各列经纱和各列纬纱的交织点处的实际经纱层数以及减纱位置信息；
纹织图生成模块，用于根据所述减纱信息对所述初始纹织图进行调整，得到所述待制备预制体的纹织图。
8.一种电子设备，其特征在于，包括：
存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行权利要求1-6任一项所述的预制体的纹织图生成方法。
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使所述计算机执行权利要求1-6任一项所述的预制体的纹织图生成方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112347661A (zh) * 2020-11-26 2021-02-09 南京玻璃纤维研究设计院有限公司 织物纹路优化方法、装置及电子设备

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111177809B (zh) * 2019-12-31 2021-09-21 南京玻璃纤维研究设计院有限公司 一种纹织图生成方法、装置、电子设备及可读存储介质
FR3142375A1 (fr) * 2022-11-30 2024-05-31 Safran Procede de determination d’une cartographie de tissage

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101503838A (zh) * 2008-11-26 2009-08-12 中材科技股份有限公司 2.5维整体编织多通管织物的编织方法
US20110277869A1 (en) * 2008-11-28 2011-11-17 Snecma Propulsion Solide Production of a fibrous structure with variable thickness by 3d weaving
CN102523366A (zh) * 2011-12-13 2012-06-27 上海工程技术大学 一种织物编织样式自动分析系统及方法
CN103952837A (zh) * 2014-05-19 2014-07-30 烟台宋和科技股份有限公司 一体化成型织物的织造方法及采用该方法织造的织物
HK1201671A2 (zh) * 2015-04-21 2015-09-04 藝能國際發展有限公司 產生三維針織紙樣的方法和系統
US20170370247A1 (en) * 2015-02-10 2017-12-28 Safran Nacelles Method for manufacturing a preform made of woven reinforcement fibers having a variable cross-section
CN109972271A (zh) * 2019-03-27 2019-07-05 中材科技股份有限公司 一种变厚度预制体、一种复合部件以及一种变厚度预制体的减纱方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7072733B2 (en) * 2002-01-22 2006-07-04 Milliken & Company Interactive system and method for design, customization and manufacture of decorative textile substrates
US20060180041A1 (en) * 2005-02-15 2006-08-17 Hiroshi Kadota Warp printer, weaving machine and weaving method
CN102517759B (zh) 2011-12-29 2013-12-25 山东岱银纺织集团股份有限公司 同幅异厚三维机织物的织造方法
KR101954481B1 (ko) * 2012-01-24 2019-03-05 나이키 이노베이트 씨.브이. 3차원 제직 시스템
DE102015109785A1 (de) * 2015-06-18 2016-12-22 Groz-Beckert Kg Zweidimensionales Gewebe und Verfahren zu dessen Herstellung
US11471736B2 (en) * 2016-03-04 2022-10-18 Bauer Hockey, Llc 3D braiding materials and 3D braiding methods for sporting implements
CN106777646B (zh) 2016-12-09 2019-12-06 浙江理工大学 一种织物的三维立体纹样设计方法
FR3062659B1 (fr) 2017-02-03 2019-03-22 Safran Aircraft Engines Appel de preforme dans un metier a tisser du type jacquard
WO2018224349A1 (en) * 2017-06-06 2018-12-13 Asml Netherlands B.V. Measurement method and apparatus
CN108717727B (zh) 2018-05-29 2022-10-04 南京航空航天大学 一种三维编织复合材料预制体结构的识别与建模方法
CN111177809B (zh) * 2019-12-31 2021-09-21 南京玻璃纤维研究设计院有限公司 一种纹织图生成方法、装置、电子设备及可读存储介质
US20210342495A1 (en) * 2020-04-29 2021-11-04 Galatea Inc. Garment Creation System, Method and Apparatus

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101503838A (zh) * 2008-11-26 2009-08-12 中材科技股份有限公司 2.5维整体编织多通管织物的编织方法
US20110277869A1 (en) * 2008-11-28 2011-11-17 Snecma Propulsion Solide Production of a fibrous structure with variable thickness by 3d weaving
CN102523366A (zh) * 2011-12-13 2012-06-27 上海工程技术大学 一种织物编织样式自动分析系统及方法
CN103952837A (zh) * 2014-05-19 2014-07-30 烟台宋和科技股份有限公司 一体化成型织物的织造方法及采用该方法织造的织物
US20170370247A1 (en) * 2015-02-10 2017-12-28 Safran Nacelles Method for manufacturing a preform made of woven reinforcement fibers having a variable cross-section
HK1201671A2 (zh) * 2015-04-21 2015-09-04 藝能國際發展有限公司 產生三維針織紙樣的方法和系統
CN109972271A (zh) * 2019-03-27 2019-07-05 中材科技股份有限公司 一种变厚度预制体、一种复合部件以及一种变厚度预制体的减纱方法

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NA ZHANG 等: "Axial impact compressive behaviors of a novel 3-D integrated multilayer fabric reinforced composite", 《THIN-WALLED STRUCTURES》 *
周亦清: "多层织物结构研究及其CAD软件开发", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库 (硕士)工程科技Ⅰ辑（月刊）》 *
屈红民: "织物组织及其上机图的计算机辅助设计", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库工程科技Ⅰ辑（月刊）》 *
朱建勋: "三维编织锥体织物的减纱技术", 《中国工程科学》 *
汤丹芬: "基于工业 CT 扫描的编织预制体内部质量检测应用技术研究", 《玻璃纤维》 *
程灿灿: "变截面三维编织复合材料的减纱工艺及弯曲性能研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库工程科技Ⅰ辑（月刊 ）》 *
荆云娟等: "变截面三维编织预制件增减纱技术与力学性能研究概述", 《高科技纤维与应用》 *
马明等: "基于预制体边界反射方法的三维四向编织复合材料几何建模", 《复合材料学报》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112347661A (zh) * 2020-11-26 2021-02-09 南京玻璃纤维研究设计院有限公司 织物纹路优化方法、装置及电子设备
CN112347661B (zh) * 2020-11-26 2024-05-03 南京玻璃纤维研究设计院有限公司 织物纹路优化方法、装置及电子设备

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