CN111171623B - 一种绝缘子用rtv有机硅涂层水基清洗剂 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,按照重量份数计,由以下组分制得:亲油润湿分散剂1~5份、阴离子表面活性剂1~5份、非离子表面活性剂10~20份、络合剂1~3份、缓蚀剂0.1~1份、酸碱调节剂0.1~5份、增溶剂5~10份、去离子水50~70份。有效解决各成分的相容性的问题,在清洗RTV有机硅涂层时具有优良的润湿、分散作用,有效提高常温清洗能力。

Description

一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂
技术领域
本发明涉及一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,属于RTV涂层清洗技术领域。
背景技术
绝缘子采用RTV(室温硫化硅橡胶)有机硅涂层用于防污闪,越来越普遍应用于输电线路和输配电站的新建和升级改造实践中。绝缘子在使用过程中不断积存泥、砂等无机硅酸盐类尘埃颗粒,同时也有机动车尾气排放、煤炭燃烧、雾霾等带来的有机高分子污染物的吸附沉降。由于有机硅涂层的卓越的憎水性以及憎水迁移性,使用RTV有机硅涂层的绝缘子防污闪能力较无RTV涂层绝缘子的防污闪能力大大提高。但长期使用,特别是环境污染严重的情况下,无机颗粒污染物和有机高分子污染物仍然会逐渐积累到绝缘子RTV涂层表面,降低绝缘子的防污闪能力,最终导致绝缘子憎水性丧失,失去防污闪能力而停用或者复涂RTV以恢复防污闪能力。采用清洗剂进行化学清洗是延长绝缘子用RTV涂层的使用年限或者提高复涂RTV涂层附着力的必要手段。
RTV涂层独特的憎水迁移性,使沉积到RTV表面的污秽物在很短时间内就被小分子硅油和聚硅氧烷自由端所覆盖。而最终绝缘子RTV憎水性丧失时,污秽物在RTV涂层上的积累可看做一部分污秽物被包裹在小分子硅油和聚硅氧烷自由端所构成的“憎水膜”内,而在“憎水膜”外又沉积了一部分污秽物。传统的溶剂型清洗剂,成分包括大比例的有机溶剂结合表面活性剂,能对绝缘子RTV涂层表面的污秽物有效地清洗,但有机溶剂,如溶剂油、卤代烃等对环境的污染显著,同时易燃易爆也存在安全方面的风险,另外有机溶剂对RTV涂层的溶胀作用也影响复涂RTV的附着力。而一般的水基清洗剂成分,包括阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、络合剂、防锈剂、酸碱调节剂和其他助剂,对普通的机械油脂、无机硅酸盐类尘埃能起到较好的润湿清洗作用,但对于有机硅涂层表面的污秽物则很难润湿和清理。
为解决有机硅涂层表面的污秽物的清洗问题,水基清洗剂需要有疏水性更强的表面活性剂成分以及亲水性更强的表面活性剂的组合,但二者同时存在于同一清洗剂配方中,就需要解决其相容性问题,而普通的醇类增容剂并不能很好解决。
发明内容
本发明的目的是提供一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,有效解决各成分的相容性的问题,在清洗RTV有机硅涂层时具有优良的润湿、分散作用,有效提高常温清洗能力。
为了实现上述目标,本发明采用如下的技术方案:
一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,按照重量份数计,由以下组分制得:亲油润湿分散剂1~5份、阴离子表面活性剂1~5份、非离子表面活性剂10~20份、络合剂1~3份、缓蚀剂0.1~1份、酸碱调节剂0.1~5份、增溶剂5~10份、去离子水50~70份。
优选的,前述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂中,所述的亲油润湿分散剂为聚异丁烯丁二酰亚胺、聚异丁烯胺、聚醚胺中的一种。
优选的,前述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂中,所述的阴离子表面活性剂为十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磺酸钠中的一种。
优选的,前述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂中,所述的非离子表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、尼纳尔6501中的一种或几种的混合物。
优选的,前述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂中,所述的烷基酚聚氧乙烯醚为OP-7、OP-9、OP-10、OP-15中的一种。
优选的,前述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂中,所述的脂肪醇聚氧乙烯醚为AEO-7、AEO-9、O-20中的一种。
优选的,前述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂中,所述的络合剂为乙二胺四乙酸二钠、乙二胺四乙酸四钠、多聚磷酸钠、三聚磷酸钠、焦磷酸钠中的一种。
优选的,前述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂中,所述的缓蚀剂为苯并三氮唑、草酸钠、亚硝酸钠、羧乙基两性咪唑啉、十七烯基胺乙基咪唑啉中的一种。
优选的,前述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂中,所述的酸碱调节剂为碳酸钠、碳酸氢钠、三乙醇胺中的一种。
优选的,前述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂中,所述的增溶剂为为乙醇、异丙醇、乙二醇单丁醚中的一种或几种的混合物。
本发明的有益之处在于:本发明提供了一种复配了疏水性更强的表面活性剂成分以及亲水性更强的表面活性剂的清洗剂配方,很好地解决了相容性问题。本发明的水基清洗剂对于绝缘子用RTV有机硅涂层上的污秽物具有显著的润湿分散性,有效地提高了清洗效果,同时不影响RTV复涂的附着力,很好地替代了溶剂型清洗剂,大大降低了有机溶剂对环境的污染。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明作进一步的介绍。
实施例1
一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,按照重量份数计,由以下组分制得:聚异丁烯丁二酰亚胺1份、十二烷基苯磺酸钠2份、烷基酚聚氧乙烯醚OP-7 3份、脂肪醇聚氧乙烯醚AEO-9 5份、尼纳尔6501 7份、乙二胺四乙酸二钠2份、羧乙基两性咪唑啉0.1份、三乙醇胺3份、乙醇10份、去离子水50份。
实施例2
一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,按照重量份数计,由以下组分制得:聚异丁烯胺5份、十二烷基磺酸钠5份、烷基酚聚氧乙烯醚OP-9 6份、脂肪醇聚氧乙烯醚AEO-75份、尼纳尔6501 5份、三聚磷酸钠1份、苯并三氮唑0.2份、碳酸钠0.1份、异丙醇7份、去离子水70份。
实施例3
一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,按照重量份数计,由以下组分制得:聚醚胺3份、十二烷基硫酸钠2份、烷基酚聚氧乙烯醚OP-15 9份、脂肪醇聚氧乙烯醚O-20 11份、焦磷酸钠3份、草酸钠0.5份、碳酸氢钠5份、异丙醇3份、乙二醇单丁醚7份、去离子水60份。
实施例4
一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,按照重量份数计,由以下组分制得:聚醚胺4份、十二烷基磺酸钠1份、烷基酚聚氧乙烯醚OP-10 7份、尼纳尔3份、乙二胺四乙酸四钠2份、亚硝酸钠0.3份、三乙醇胺0.5份、乙醇3份、异丙醇3份、乙二醇单丁醚4份、去离子水65份。
实施例5
一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,按照重量份数计,由以下组分制得:聚异丁烯胺4份、十二烷基苯磺酸钠3份、脂肪醇聚氧乙烯醚O-20 10份、尼纳尔6501 2份、焦磷酸钠3份、苯并三氮唑1份、碳酸氢钠5份、异丙醇3份、乙二醇单丁醚7份、去离子水60份。
实施例6
一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,按照重量份数计,由以下组分制得:聚异丁烯丁二酰亚胺3.5份、十二烷基硫酸钠1份、烷基酚聚氧乙烯醚OP-10 5份、脂肪醇聚氧乙烯醚AEO-9 10份、尼纳尔6501 5份、多聚磷酸钠1份、十七烯基胺乙基咪唑啉0.8份、碳酸钠2份、异丙醇2份、乙二醇单丁醚3份、去离子水70份。
实施例7
一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,按照重量份数计,由以下组分制得:聚异丁烯丁二酰亚胺1份、十二烷基苯磺酸钠1份、烷基酚聚氧乙烯醚OP-10 17份、乙二胺四乙酸二钠2份、羧乙基两性咪唑啉0.8份、碳酸氢钠4份、乙醇6份、去离子水50份。
实施例8
一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,按照重量份数计,由以下组分制得:聚异丁烯胺5份、十二烷基磺酸钠3份、脂肪醇聚氧乙烯醚AEO-9 18份、三聚磷酸钠1份、苯并三氮唑0.7份、碳酸钠1份、异丙醇8份、去离子水70份。
实施例9
一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,按照重量份数计,由以下组分制得:聚醚胺3份、十二烷基硫酸钠2份、尼纳尔6501 11份、焦磷酸钠3份、亚硝酸钠0.4份、三乙醇胺3份、乙醇3份、乙二醇单丁醚6份、去离子水60份。
将实施例1~实施例9获得的清洗剂和一种市售洗洁精分别以自来水稀释至原液的3%溶液,参照中华人民共和国机械行业标准JB/T 4323.1-1999水基金属清洗剂以及JB/T4323.2-1999水基金属清洗剂试验方法测试清洗剂常温清洗能力(重量法)、pH值、防锈性、消泡性能。测试结果如下表1:
表1清洗剂性能测试结果
Figure BDA0001859673820000041
从表中可以看出,本发明的清洗剂性能明显优于市面上的产品,常温清洁能力是市面产品的2~3倍,并且还具有良好的防锈性能和抑泡性。
将实施例1~实施例9获得的清洗剂分别以自来水稀释至原液的3%溶液,按下述步骤清洗污秽绝缘子RTV有机硅涂层:(1)用喷雾器将3%清洗剂溶液喷洒到污秽绝缘子表面;(2)喷洒后1分钟内用湿布擦拭;(3)用清水冲洗擦洗过的绝缘子RTV有机硅涂层。清洗后的绝缘子RTV有机硅涂层在室外15℃以上,2小时能自然晾干,采用喷涂方式复涂RTV涂层,72小时后测试RTV粘接状态:试验时用手术刀片切开涂料与瓷或玻璃绝缘子粘接界面的任意3处,采用手工剥离的方式加载外力,施力方向与伞裙表面形成大于30°夹角,直至涂层撕裂为止。破坏形式为涂层撕坏判断为合格,新涂层与旧涂层界面处撕坏为不合格、涂层与瓷或玻璃绝缘子界面粘接处露出瓷或玻璃件的光面判断为不合格。测试结果如下表2:
表2清洗剂涂层影响测试结果
Figure BDA0001859673820000051
本发明的实施例1至实施例9仅用于说明本发明技术方案的可实施性和性能的优异性,由于本发明产品是采用多种物质进行的组合,不可能在本申请文件中逐一举例,本领域的技术人员在上述实施例的启发下按照本申请给出的各个组分及其含量范围,可以自由选择组合并得到本申请所提出的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,且其性能与实施例1至实施例9的性能没有本质区别。

Claims (8)

1.一种绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,其特征在于,按照重量份数计,由以下组分制得:亲油润湿分散剂1~5份、阴离子表面活性剂1~5份、非离子表面活性剂10~20份、络合剂1~3份、缓蚀剂0.1~1份、酸碱调节剂0.1~5份、增溶剂5~10份、去离子水50~70份;所述的络合剂为乙二胺四乙酸二钠、乙二胺四乙酸四钠、多聚磷酸钠、焦磷酸钠中的一种;所述的亲油润湿分散剂为聚异丁烯丁二酰亚胺、聚异丁烯胺、聚醚胺中的一种。
2.根据权利要求1所述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,其特征在于,所述的阴离子表面活性剂为十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磺酸钠中的一种。
3.根据权利要求1所述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,其特征在于,所述的非离子表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、尼纳尔6501中的一种或几种的混合物。
4.根据权利要求3所述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,其特征在于,所述的烷基酚聚氧乙烯醚为OP-7、OP-9、OP-10、OP-15中的一种。
5.根据权利要求3所述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,其特征在于,所述的脂肪醇聚氧乙烯醚为AEO-7、AEO-9、O-20中的一种。
6.根据权利要求1所述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,其特征在于,所述的缓蚀剂为苯并三氮唑、草酸钠、亚硝酸钠、羧乙基两性咪唑啉、十七烯基胺乙基咪唑啉中的一种。
7.根据权利要求1所述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,其特征在于,所述的酸碱调节剂为碳酸钠、碳酸氢钠、三乙醇胺中的一种。
8.根据权利要求1所述的绝缘子用RTV有机硅涂层水基清洗剂,其特征在于,所述的增溶剂为乙醇、异丙醇、乙二醇单丁醚中的一种或几种的混合物。
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