CN111153429B - 一种Cu2ZnBi2S3纳米棒及其应用 - Google Patents

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Abstract

本发明属于四元硫族半导体材料技术领域，具体公开了一种Cu2ZnBi2S3纳米棒，制备如下：在惰性气氛下，按照化学计量比混合乙酰丙酮铜、乙酸锌、硝酸铋和三辛基膦氧化物形成络合物，然后加入硫前体十二烷硫醇和叔十二烷基硫醇，反应1～3小时，分离得到所述Cu2ZnBi2S3纳米棒。相比较现有的四元硫族半导体材料，本发明纳米棒的光催化性能得到提升。本发明提供了一种全新的Cu2ZnBi2S3纳米棒，可应用在光催化，光伏，光电二极管传感器材料中，在LED，集成电路，晶体管及半导体激光器制造中应用前景好。

Description

一种Cu2ZnBi2S3纳米棒及其应用
技术领域
本发明属于四元硫族半导体材料技术领域，更具体地，涉及一种Cu2ZnBi2S3硫族化合物纳米棒及其应用。
技术背景
功能纳米材料作为一种新兴产品，受到了广泛关注，因而对其功能的需求也越来越多，在单一的纳米材料和制备工艺基础上，需要开发更多的产品适应以上需要。
异质纳米结构的纳米材料以及非传统的多元材料受到广泛关注和应用。由于其独特的性能，过去几十年里人们对胶体半导体纳米晶体的研究日益增加。已有相关报道利用这些纳米晶体应用于光催化和光伏产业。目前在光伏薄膜中广泛应用的CdTe和CuIn1- xGaxSe2材料中的 Te,Ga,和In这些稀有元素限制了其成本，因而推广受到阻碍,因此用地球上含量比较丰富的元素替代这些元素合成新的材料成为了趋势。CuInS2(CIS),CuInxGa1- xSe2(CIGS),和 Cu2ZnSnS4(CZTS)等三元、四元铜基化合物是由地球上含量丰富的元素组成的具有高吸收系数，低毒性并且具有合适带隙的可用于太阳能转化和光降解环境污染物的材料。
尽管已经在CIS,CIGS和CZTS等胶体的合成及尺寸控制上已经有许多进展，目前对于 Bi复合材料而言，仍然是空白。Bi在6s轨道中良好的分散性已被证明能有效提升光生载流子的迁移率并能有效减小带隙。虽然已有文献报道合成了含有Cu(铜)，Zn(锌)，In(铟)，Ga(镓)或Sn(锡)的胶体四元硫族化合物，但含有Bi(铋)的四元硫族半导体至今还没被报道过。并且，现有的可用于光催化的四元半导体受光电子空穴-载流子复合快，稳定性差等因素的限制。因此，亟待没有被报道过的新的性能优良化合物的出现。
发明内容
本发明的目的之一在于克服现有技术中四元半导体材料中的不足，提供了一种Cu2ZnBi2S3纳米棒。
本发明的另一目的在于提供上述Cu2ZnBi2S3纳米棒的应用。
本发明的目的是通过以下技术方案予以实现的：
一种Cu2ZnBi2S3纳米棒，在惰性气氛下，按照化学计量比混合乙酰丙酮铜、乙酸锌、硝酸铋和三辛基膦氧化物形成络合物，然后加入硫前体十二万硫醇和叔十二烷基硫醇，反应1～3 小时，分离得到所述Cu2ZnBi2S3纳米棒。反应流程如下：
Figure BDA0002350295290000021
即在高温惰性环境下按照化学计量比：混合乙酰丙酮铜，乙酸锌，硝酸铋和三辛基膦氧化物(TOPO)使其形成金属络合物。然后在较低温度下向金属络合物中注入硫前体十二万硫醇(DDT)和叔十二烷基硫醇(t-DDM)反应混合1-3小时后，进行处理后分离出纳米晶体。
优选地，形成络合物的反应温度是150～200℃。
优选地，加入硫前体十二万硫醇和叔十二烷基硫醇，在125～140℃反应1～3小时。超过该温度，得到的纳米棒形貌性能会受到不利影响。
优选地，惰性气氛为氮气或氩气中的一种或多种。
优选地，乙酰丙酮铜、乙酸锌、硝酸铋的反应摩尔比为2:1:1。
优选地，十二烷硫醇和叔十二烷基硫醇的质量比为1:4～6。
更优选地，十二烷硫醇和叔十二烷基硫醇的质量比为1:5。
本发明首次合成得到铋，铜锌的四元硫属化合物胶体纳米棒。通过一系列的性能测试，与Cu2ZnSnS3相比，胶体Cu2ZnBi2S3(CZBS)纳米棒的光催化性能有所提升。且可以利用本发明提供的纳米棒以溶液的形式或通过一系列的加工将其制备成薄膜的形式用于光化学或光物理应用中，如光降解污染物，太阳能燃料，太阳能电池和传感器的光吸收层，传统的半导体应用，如LED，集成电路，晶体管和半导体激光器等。该全新材料与现有的四元铵硫属化合物纳米晶体相比，具有更好的光催化活性。
本发明同时保护所述Cu2ZnBi2S3纳米棒在光电材料中的应用。
本发明提供的四元化合物CZBS能在光催化应用中起到很好的效果。CZBS胶体纳米晶体可以通过旋转浇铸，喷涂，或者印刷等方式制备成薄膜吸收层，这与真空制备方法相比成本大大降低。因此，本发明可替代用于光物理和光化学应用的传统半导体，如：光催化，光伏，光电二极管传感器，潜在的还包括LED，集成电路，晶体管及半导体激光器。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
相比较现有的四元硫族半导体材料，本发明纳米棒的光催化性能得到提升。本发明提供了一种全新的Cu2ZnBi2S3纳米棒，可应用在光催化，光伏，光电二极管传感器材料中，在LED，集成电路，晶体管及半导体激光器制造中应用前景好。
附图说明
图1是实施例1的CZBS纳米棒的SEM图像(a)和尺寸分布直方图(b)。
图2是实施例1的CZBS纳米棒EDS谱图。
图3是实施例1的CZBS纳米棒的XPS谱图。
图4是实施例1的纳米晶体分别在溶液和固体薄膜的吸收光谱(a)和光学带隙图(b)。
图5是在可见光照射下，实施例1的CZBS纳米棒光降解罗丹明B时，不同降解时间下的 UV-vis谱图。
图6是实施例1的CZBS纳米棒对罗丹明B的光催化活性。
图7是本发明实施例1中纳米棒的制备过程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合具体实施例和对比例将对本发明的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本发明所保护的范围。
除特殊说明，本实施例、对比例以及实验例中所用的设备均为常规实验设备，所用的材料、试剂无特殊说明均为市售得到，无特殊说明的实验方法也为常规实验方法。
实施例1：
首先，在150-200℃的惰性环境下按照化学计量比即：2：1：1的摩尔比混合乙酰丙酮铜，乙酸锌，硝酸铋和三辛基膦氧化物(TOPO)使其形成金属络合物。
然后，在125-140℃下，按照1：5的质量比将硫前体十二万硫醇(DDT)和叔十二烷基硫醇(t-DDM)混合加入反应器，静置1-3h后，进行离心处理。
最后，控制异丙醇和氯仿体积比为1:1进行分散，分离得到纳米晶体。
对比例1
首先，在150-200℃的惰性环境下按照化学计量比即：2：1：1的摩尔比混合乙酰丙酮铜，乙酸锌，硝酸铋和三辛基膦氧化物(TOPO)使其形成金属络合物。
然后，在150℃下，按照1：5的质量比将硫前体十二万硫醇(DDT)和叔十二烷基硫醇(t-DDM)混合加入烧瓶反应器，静置1-3h后，进行离心处理。
最后，通过与实施例1相同的异丙醇和氯仿分散处理方法以分离出纳米晶体。
对比例与实施例1相比，硫前体加入过程中的温度稍高，形成的纳米材料不规则，为不均匀聚集的纳米球簇，性能不佳。
以下对实施例1中制备得到Cu2ZnBi2S3纳米棒(CZBS纳米棒)进行测试：
通过纳米棒晶体的扫描电子显微镜图片(图1)分析得：单分散纳米棒的平均粒径为59nm。能量色散x射线光谱(EDS)谱图(图2)显示了制备的纳米棒中相应元素的存在。EDS谱图中硅元素的存在是因为测量时使用硅片作为基板。
通过x射线光电子能谱(XPS)测试分析确认四种元素均是以各自的氧化态存在(图3)。
图3是CZBS中各元素的XPS谱图。Cu的2p图谱中，分别在932.2eV(2p3/2)和951.9eV(2p1/2)出现特征峰峰，两峰间距为19.7eV，这表明CZBS中铜的存在形式是Cu(I)[19]。 Zn的2p图谱中在结合能为1021.7eV和1044.7eV处显示出特征峰，其峰间距为23eV证明是 Zn(II)[20]。在Bi的4f谱图中，在158.9eV(4f5/2)和164.2eV(4f7/2)出显示出Bi(III) 的特征峰[21]。S的2p谱图中在159.1eV和164.2eV观察到了特征峰，表明了硫化物的存在。
图4是纳米晶体分别在溶液中和固体薄膜的紫外-可见(UV-Vis)光吸收特性谱图。通过计算吸收系数α与光子能量hν乘积的平方绘出了(αhv)2-hv谱图，如图4所示，从该图中可以得到：材料的带隙为1.62eV。该带隙是能用于单个器件光伏太阳能转换器件的最佳值。
为了证实这一点，以罗丹明B为例，测试了异质结构纳米晶体对含有有机污染物的溶液的光催化降解作用。
在光降解性能测试实验中，将25mg CZBS纳米晶体悬浮在100mL 10ppm罗丹明B水溶液中，在黑暗条件下搅拌24小时以达到平衡吸附。然后用300W氙(Xe)灯照射溶液，每隔30min 测量一次550nm处的光吸收度以检测罗丹明B浓度的变化。在光降解过程中，通过分析测量光吸收度的结果可以得到，罗丹明B在550nm处光吸收强度随光催化反应时间的增加而降低 (图5)，这表明纳米晶体棒具有光催化活性，照射三小时后，有效降解了91％的污染物(图 5)。图6b为拟一级反应动力学方程得到的曲线，图6a是本发明的材料的光降解曲线。
将光降解曲线用拟一级朗格缪尔-欣谢尔伍德(L-H)动力学方程(方程1)进行拟合，
In(C0/C)＝Kappt (1)
kapp是表观伪一阶速率常数(min-1)，C0是罗丹明B的初始浓度(mg L-1)，C是在t时间时罗丹明B的浓度(mg L-1)。可以观察到光降解曲线与拟一级反应动力学方程具有良好的相关性(R>0.95)，其表观速率常数为0.006min-1。
通过光降解罗丹明G实验，如图6所示，可以得出，本发明中的胶体Cu2ZnBi2S3(CZBS)纳米棒光催化降解罗丹明G的效率高达91％，而文献中提到的Cu2ZnSnS3的效率只有60％左右。本发明中的胶体Cu2ZnBi2S3(CZBS)纳米棒的光催化性能有显著提升。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，对于本领域的普通技术人员来说，在上述说明及思路的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种Cu2ZnBi2S3纳米棒，其特征在于，在惰性气氛下，按照化学计量比混合乙酰丙酮铜、乙酸锌、硝酸铋和三辛基膦氧化物形成络合物，形成络合物的反应温度是150~200℃，然后加入硫前体十二烷硫醇和叔十二烷基硫醇，在125~140℃反应1~3小时，分离得到所述Cu2ZnBi2S3纳米棒；
所述十二烷硫醇和叔十二烷基硫醇的质量比为1:4~6。
2.根据权利要求1所述Cu2ZnBi2S3纳米棒，其特征在于，惰性气氛为氮气或氩气中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述Cu2ZnBi2S3纳米棒，其特征在于，其中乙酰丙酮铜、乙酸锌、硝酸铋的反应摩尔比为2:1:1。
4.权利要求1所述Cu2ZnBi2S3纳米棒在光电材料中的应用。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111153429B (zh) * 2019-12-31 2021-08-03 肇庆市华师大光电产业研究院 一种Cu2ZnBi2S3纳米棒及其应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105197985A (zh) * 2015-09-17 2015-12-30 上海大学 溶剂热法一步合成超长纤锌矿结构Cu2ZnSnS4纳米棒的制备方法
CN106277038A (zh) * 2016-07-27 2017-01-04 昆明理工大学 一种微纳复合结构纤锌矿铜锌锡硫微粒的制备方法
CN106395886A (zh) * 2016-09-13 2017-02-15 昆明理工大学 一种纤锌矿Cu2ZnSnS4纳米晶的大规模制备方法
KR20190129507A (ko) * 2018-05-11 2019-11-20 재단법인대구경북과학기술원 비귀금속-하이브리드 z형 광촉매, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 co2의 ch4 전환 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101792869A (zh) * 2010-01-29 2010-08-04 刘文祥 簇体
US20140051242A1 (en) * 2012-08-16 2014-02-20 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Conductive Metallic and Semiconductor Ink Composition
CN103094422A (zh) * 2013-01-29 2013-05-08 电子科技大学 铜锌锡硫硒薄膜制备中的掺杂工艺
AU2014222513A1 (en) * 2013-03-01 2015-09-24 Oxford University Innovation Limited Semiconducting layer production process
JP6293710B2 (ja) * 2015-07-22 2018-03-14 国立大学法人名古屋大学 半導体ナノ粒子およびその製造方法
CN107297213A (zh) * 2017-05-31 2017-10-27 盐城工学院 一种制备四元硫化物量子点光催化剂的方法
CN111153429B (zh) * 2019-12-31 2021-08-03 肇庆市华师大光电产业研究院 一种Cu2ZnBi2S3纳米棒及其应用

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105197985A (zh) * 2015-09-17 2015-12-30 上海大学 溶剂热法一步合成超长纤锌矿结构Cu2ZnSnS4纳米棒的制备方法
CN106277038A (zh) * 2016-07-27 2017-01-04 昆明理工大学 一种微纳复合结构纤锌矿铜锌锡硫微粒的制备方法
CN106395886A (zh) * 2016-09-13 2017-02-15 昆明理工大学 一种纤锌矿Cu2ZnSnS4纳米晶的大规模制备方法
KR20190129507A (ko) * 2018-05-11 2019-11-20 재단법인대구경북과학기술원 비귀금속-하이브리드 z형 광촉매, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 co2의 ch4 전환 방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Colloidal Synthesis of Wurtzite Cu2ZnSnS4 Nanorods and Their Perpendicular Assembly;Ajay Singh et al.;《JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY》;20120130;第134卷(第6期);第2910-2913页 *
Flower-like Cu2ZnSnS4 architectures synthetize and their visible-light catalytic properties;Qing-Bo Wei et al.;《Journal of Alloys and Compounds》;20180818;第770卷;第424-432页 *

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