CN111148422A - 一种屏蔽膜及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种屏蔽膜及其制造方法，所述屏蔽膜包括一基材层、至少一层吸波导电层、至少一层屏蔽层以及至少一层吸波层，所述基材层具有至少两层凹槽平行凹槽层，每层所述凹槽层由若干凹槽组成，至少一层所述凹槽层中填充吸波导电材料形成所述吸波导电层，且至少一层所述凹槽层中填充屏蔽材料形成所述屏蔽层，所述吸波层至少覆盖所述屏蔽层。所述屏蔽膜透明特性好，屏蔽能力较强，且柔性好，便于贴附，适用范围广；所述双面屏蔽膜能有效的降低电磁辐射反射回空间，有利于减少电磁辐射的污染，同时屏蔽性能更佳，不易于被反射波探测到。

Description

一种屏蔽膜及其制造方法

技术领域

本发明涉及电磁屏蔽技术领域，更准确的说涉及一种屏蔽膜及其制造方法。

背景技术

随着科技的发展，射频设备广泛使用。常见的射频设备如工业用电气设备、广播电视发射塔、无线通信网络、高压输电线、家电等，在工作时会向外传送电磁波能量，产生电磁辐射，电磁辐射会对人体或机器产生影响，其程度与它的能量大小直接相关，电磁辐射所产生的能量大小取决于其频率的高低，可按其频率排成从低到高的若干个等级，频率愈高，电磁辐射所产生的能量就愈大，过大的电磁辐射能量会破坏人体的生理组织分子。如今，射频设备在人类活动的场所大量装备，且频谱范围不断展宽，强度成倍增加，如果电磁辐射超过了人体或机器所能够承受的限度，即形成电磁污染，不仅会对电子设备造成干扰，还会对人体健康产生威胁，是危害严重的“隐形杀手”，电磁污染已成为继大气污染、水污染、固体废弃物污染和噪声污染之后的第五大污染。针对电磁污染问题，最为有效的解决方法是采用电磁屏蔽技术，包括吸收式和反射式电磁屏蔽，均采用电磁屏蔽材料对电磁波进行屏蔽。不同的应用领域，对电磁屏蔽材料的要求也不同。在需要视觉观测的场合，需要采用透明电磁屏蔽材料，应用领域包括医用电磁隔离室观察窗、通讯设备透明电磁屏蔽元件、航空航天装备光窗、先进光学仪器光窗、保密设施防电磁泄露光窗、液晶显示屏、手机触屏、车载透明天线等。现有技术中，为了实现透明电磁屏蔽，一般使用透明电磁屏蔽膜。其中，屏蔽反射透明屏蔽膜会将电磁辐射反射回空间，对空间环境造成二次污染，无法彻底防治电磁污染。以氧化铟锡为主的透明金属氧化物薄膜，在可见光透明的场合应用广泛，但是其透光波段较窄，虽然微波屏蔽波段较宽，但是屏蔽能力不强，且材质较硬，柔性较差，无法较好地进行表面贴合。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种屏蔽膜，包括一基材层、至少一层吸波导电层、至少一层屏蔽层以及至少一层吸波层，所述基材层具有至少两层凹槽平行凹槽层，每层所述凹槽层由若干凹槽组成，至少一层所述凹槽层中填充吸波导电材料形成所述吸波导电层，且至少一层所述凹槽层中填充屏蔽材料形成所述屏蔽层，所述吸波层至少覆盖所述屏蔽层。

根据本发明的目的提出的一种屏蔽膜，包括基材层，所述基材层包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面具有若干凹槽；

吸波导电层，在所述基材层的第一表面的凹槽内填充吸波导电材料形成连通的网格构成所述吸波屏蔽层；

屏蔽层，在所述基材层的第二表面的凹槽内填充屏蔽材料形成连通的网格构成所述屏蔽层；

吸波层，至少部分覆盖所述屏蔽层，或至少部分覆盖所述屏蔽层和所述基材层的第二表面。

优选地，所述基材层的第一表面和/或基材层的第二表面进一步的设有聚合物层，所述聚合物层为透明热固化胶，或为光固化胶。

优选地，所述吸波导电层和屏蔽层的网格是周期性的或是非周期性的，所述吸波导电层的网格和所述屏蔽层的网格图案是相同的或是不同的。

优选地，所述基材层第一表面的凹槽和所述基材层第二表面的凹槽的宽度、高度、凹槽的间隔距离以及凹槽的截面是相同的或存在至少一个不同。

优选地，所述凹槽的高度范围为500nm至10μm，所述凹槽的宽度范围为500nm至10μm，所述凹槽的间隔距离范围为500nm至500μm。

优选地，所述凹槽的截面为正方形、长方形或梯形。

优选地，所述网格的一面为平面、凸面或凹面。

优选地，所述基材层采用透明的热固化胶、光固化胶或PET、PC等柔性高分子材料，所述吸波导电层采用金属或石墨烯中掺杂碳化炭的材料。

优选地，所述屏蔽膜包括一保护层，所述保护层至少覆盖所述吸波导电层，或所述吸波导电层和所述基材层的第一表面，或所述吸波层，或所述吸波层和所述基材层的第二表面。

一种屏蔽膜的制造方法，包括步骤：

(A)通过激光直写技术，在基板上制作图形化网格沟槽；

(B)把基板置于电铸槽中，通过电铸技术制作模板；

(C)以金属模板为母版，利用纳米压印技术，在柔性衬底相对的两面上直接压印形成图形化网格沟槽，或在柔性衬底相对的两面上涂布固化胶层，压印，固化后上形成图形化网格沟槽；

(D)采用刮涂技术把导电浆料填充至一面的沟槽中，再通过二次刮涂或转移技术把吸波材料填充至沟槽中制成屏蔽层和吸波层，采用刮涂技术，把吸波导电浆料填充至另一面的沟槽中制成吸波导电层，形成屏蔽膜。

优选地，所述步骤(D)为采用刮涂技术把导电浆料填充至一面的沟槽中，进一步为提高导电性，把其置于电沉积槽中，在此面的沟槽中继续沉积金属，之后通过刮涂或者转移技术把吸波层置于导电网格层上。

一种屏蔽膜的制造方法，包括步骤：

(A)采用激光直写技术制作掩模版；

B)在导电基板上涂布光刻胶，通过掩模曝光技术在光刻胶层中形成图形化网格沟槽，并充分显影，显露出导电基底；

(C)采用选择性电沉积技术，在导电基板一面显露的沟槽处实现金属沉积，其他光刻胶覆盖区域无金属沉积；

(D)去除导电基材光刻胶，然后将金属基板上分别涂布一层固化胶，再将柔性衬底覆盖于固化胶上，经过固化后脱模，形成一层图形化导电层；

(E)通过刮涂或转移技术，把吸波材料填充至沟槽中，形成吸波层，在柔性衬底的另一面直接压印图形化网格沟槽，或涂布固化胶，在固化胶上压印，固化后形成图形化网格沟槽，采用刮涂技术，把吸波导电浆料填充至另一面的图形化网格沟槽中制成吸波导电层，形成屏蔽膜。

与现有技术相比，本发明公开的一种屏蔽膜的优点在于：所述屏蔽膜透明特性好，屏蔽能力较强，且柔性好，便于贴附，适用范围广；所述双面屏蔽膜减少将电磁辐射反射回空间，有助于防治电磁辐污染。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一种屏蔽膜第一个较佳实施例的截面示意图。

图2为本发明一种屏蔽膜第一个较佳实施例第一种变体的截面示意图。

图3为本发明一种屏蔽膜第一个较佳实施例第二种变体的截面示意图。

图4为本发明一种屏蔽膜第一个较佳实施例第三种变体的截面示意图。

图5为本发明一种屏蔽膜第二个较佳实施例的截面示意图。

图6为本发明一种屏蔽膜第二个较佳实施例第一种变体的截面示意图。

图7为本发明一种屏蔽膜第三个较佳实施例的截面示意图。

图8为本发明一种屏蔽膜第四个较佳实施例的截面示意图。

具体实施方式

如图1所示为本发明一种屏蔽膜的第一个较佳实施例，所述屏蔽膜包括一基材层10、一屏蔽层20、一吸波层30以及一吸波导电层50。所述基材层10具有相对的一第一表面11和一第二表面12。所述第一表面11上具有若干第一凹槽111，所述第一凹槽111在所述第一表面11上均匀分布；所述第二表面12上具有若干第二凹槽121，所述第二凹槽121在所述第二表面12上均匀分布。所述第一凹槽111在所述第一表面11上形成相互连通的网格，所述第二凹槽121在所述第二表面12上形成相互连通的网格，所述网格可以是具有周期性的或是非周期性的。图1中凹槽的截面为长方形，但是需要注意的是，凹槽的截面还可以设置为正方形或梯形等。所述第一凹槽121共同形成一第一凹槽层，所述第二凹槽121共同形成一第二凹槽层，所述第一凹槽层与所述第二凹槽层平行且凹槽朝向相反。

值得注意的是，在凹槽的间隔距离相同的情况下，凹槽宽度为500nm时，所述屏蔽膜透光率较好，屏蔽性能较差，宽度为10um时透光率较差，屏蔽性能较好，优选凹槽宽度为5μm，以实现透光率和屏蔽性能的平衡。凹槽宽度相同时，凹槽的间隔越大，透光率越好，屏蔽性能越差，凹槽的间隔越小，透光率越差，屏蔽性越好，设定凹槽的间隔距离范围为500nm至500μm，优选250μm。

所述吸波导电层50由填充在所述第一凹槽111中的吸波导电材料共同构成，具体的，所述吸波导电层50包括若干吸波导电条51，所述吸波导电条51与所述第一凹槽111的数量相同，所述吸波导电条51分别设置于所述第一凹槽111内部，且所述吸波导电条51的高度小于所述第一凹槽111的深度。所述屏蔽膜进一步包括一第一保护层41，所述第一保护层41包括若干第一保护条411，所述第一保护条411与所述吸波导电条51的数量相同，所述第一保护条411分别覆盖所述吸波导电条51，所述第一保护条411分别对所述吸波导电条51形成保护。如图1所示，所述吸波导电条51远离所述第二表面12的一面为平面，但是该面不限于设置为平面，还可以设置为凸面或凹面。

所述屏蔽层22由填充在所述第二凹槽121中的屏蔽材料共同构成。所述屏蔽层22包括若干屏蔽条221，所述第二屏蔽条221与所述第二凹槽121的数量相同，所述屏蔽条221分别设置于所述第二凹槽121内部，且所述屏蔽条221的高度小于所述第二凹槽121的深度。如图1所示，所述屏蔽条221远离所述第一表面11的一面为平面，但是该面不限于设置为平面还可以为凸面或凹面。所述吸波层32包括若干吸波条321，所述吸波条321与所述屏蔽条221的数量相同，所述吸波条321分别覆盖所述屏蔽条221，且所述吸波条321分别设置在所述第二凹槽121内。所述屏蔽膜进一步包括一第二保护层42，所述第二保护层42包括若干第二保护条421，所述第二保护条421与所述吸波条321的数量相同，所述第二保护条421分别覆盖所述吸波条321，所述第二保护条421分别对所述吸波条321形成保护。

优选地，所述基材层10采用透明的热固化胶、光固化胶或PET、PC等透明柔性高分子材料制成，透光率好，且柔性较强。所述屏蔽层20采用金属、石墨烯或钛纳米管。所述吸波层30采用碳化钛或石墨烯。所述吸波导电层20为导电材质和吸波材质的融合，例如金属或石墨烯中掺杂有碳化炭等。

如图2所示为所述复合型蔽膜的第一个较佳实施例第一种变体，区别点在于吸波层，该变体中的吸波层32A覆盖在所述第二表面12，且所述吸波层32A与所述基材层10接触的一面具有若干凸起321A，所述凸起321A与所述第二凹槽121数量相同，且所述凸起321A与所述第二凹槽121分别对应设置，填充所述第二凹槽121中的剩余空间，同时所述凸起321A分别与所述屏蔽条221接触连接。所述第二保护层42A设置在所述吸波层32A远离所述基材层10的一侧与所述吸波层32A连接。

如图3所示为所述屏蔽膜的第一个较佳实施例第二种变体，与第一个较佳实施例的区别点在于屏蔽层和吸波层，该变体中的屏蔽层22B包括若干屏蔽条221B，所述屏蔽条221B与所述第二凹槽121的数量相同，所述屏蔽条221B分别设置于所述第二凹槽121内部，且所述屏蔽条221B的高度等于所述第二凹槽121的深度。所述吸波层32B设置在所述第二表面12上，且所述吸波层32B与所述基材层10及所述屏蔽层22B结合连接在一起。所述保护层42B设置在所述吸波层32B远离所述基材层10的一侧与所述吸波层32B连接。

如图4所示为所述屏蔽膜的第一个较佳实施例第三种变体，与第一个较佳实施例的区别点在于屏蔽层和吸波层，该变体中的屏蔽层22C包括若干屏蔽条221C，所述屏蔽条221C与所述第二凹槽121的数量相同，所述屏蔽条221C分别设置于所述第二凹槽121内部，且所述屏蔽条221C的高度大于所述第二凹槽121的深度，所述屏蔽条221C伸出所述第二凹槽121的部分为一突出部2211C。所述吸波层32C覆盖在所述第二表面12上，且所述吸波层32C与所述基材层10接触的一面具有若干凹陷321C，所述凹陷321C与所述突出部2211C数量相同，且所述凹陷321C与所述突出部2211C分别对应紧密结合。所述保护层42C设置在所述吸波层32C远离所述第二表面12一侧与所述吸波层32C连接。

如图5所示为所述屏蔽膜的第二个较佳实施例，所述强化屏蔽膜包括一基材层10D、一聚合物层20D，所述基材层10D和所述聚合物层20D共同构成一混合基材层，所述强化屏蔽膜还包括一屏蔽层30D、一吸波层40D以及一吸波导电层50D。所述基材层10D具有相对的一第一表面11D和一第二表面12D，所述第一表面11D具有若干第一凹槽111D；所述聚合物层20D具有相对的第一表面21D和第二表面22D，所述第一表面21D具有若干第二凹槽211D。所述第一凹槽111D在所述第一表面11D上均匀分布，所述第一凹槽111D在所述第一表面11D上形成相互连通的网格；所述第二凹槽211D在所述第一表面21D上均匀分布，所述第二凹槽211D在所述第一表面21D上形成相互连通的网格。所述基材层10D通过所述第一表面11D与所述聚合物层20D的所述第二表面22D连接。

所述吸波导电层50D由填充在所述第二凹槽211D中的吸波导电材料共同构成，具体的，所述吸波导电层50D包括若干吸波导电条51D，所述吸波导电条51D与所述第二凹槽211D的数量相同，所述吸波导电条51D分别设置于所述第二凹槽211D内部，且所述吸波导电条51D的高度小于所述第二凹槽211D的深度。所述屏蔽膜进一步包括一保护层62D，所述保护层62D包括若干保护条621D，所述保护条621D与所述吸波导电条51D的数量相同，所述保护条621D分别覆盖所述吸波导电条51D，所述保护条621D分别对所述吸波导电条51D形成保护。

所述屏蔽层31D由填充在所述第一凹槽111D中的屏蔽材料共同构成，所述屏蔽层31D包括若干屏蔽条311D，所述屏蔽条311D与所述第一凹槽111D的数量相同，所述屏蔽条311D分别设置于所述第一凹槽111D内部，且所述屏蔽条311D的高度小于所述第一凹槽111D的深度。所述吸波层41D包括若干吸波条411D，所述吸波条411D与所述屏蔽条311D的数量相同，所述吸波条411D分别覆盖所述屏蔽条311D，且所述吸波条411D分别设置在所述第一凹槽111D内，所述吸波条411D与所述屏蔽条311D紧密结合，所述吸波条411D同时与所述第二表面22D接触。

如图6所示为所述屏蔽膜的第二个较佳实施例第一种变体，与第二个较佳实施例的区别点在于所述第一凹槽111D和所述第二凹槽211D中填充的材料不同，即将第二个较佳实施例中的所述吸波导电层50D与所述屏蔽层31D及所述吸波层41D进行对调。值得注意的是，第二个较佳实施例还能够通过对屏蔽层及导电层进行改变来产生更多的变体。

如图7所示为所述屏蔽膜的第三个较佳实施例，与第一个较佳实施例的区别点在于，该实施例中的基材层10E包括一基材层101E以及设置在所述基材层101E两面的两个聚合物层102E，所述基材层101E与两个所述聚合物层102E结合处形成两个结合面，两个所述聚合物层102E远离聚合面的一面分别形成一第一表面11E和一第二表面12E，所述第一表面11E具有若干第一凹槽111E，所述第一凹槽111E在所述第一表面11E上均匀分布，所述第二表面12E具有若干第二凹槽121E，所述第二凹槽121E在所述第二表面12E上均匀分布。所述吸波导电层50E与所述第一凹槽111E结合设置，所述屏蔽层22E及所述吸波层32E与所述第二凹槽121E结合设置。

如图8所示为所述屏蔽膜的第四个较佳实施例，与第二个较佳实施例的区别点在于，该实施例中的基材层10F包括一第一基材层101F和一第一聚合物层102F，所述第一基材层101F与所述第一聚合物层102F紧密结合形成一结合面，所述第一聚合物层102F远离所述结合面一侧为一第一表面11F，所述第一基材层101F远离所述结合面一侧为一第二表面12F，所述第一表面11F上具有若干第一凹槽111F，且所述第一表面11F与所述第二表面22F连接。所述屏蔽层31F、所述吸波层41F与所述第一聚合物层102F结合设置。

本发明还公开了一种屏蔽膜的制造方法，具体可以分为以下四种方式。

方式一，刮涂技术制造屏蔽膜，包括步骤：

(A)通过激光直写技术，在基板上制作图形化网格沟槽；

(B)把光刻胶基板置于电铸槽中，通过电铸技术制作金属模板；

(C)以金属模板为母版，利用纳米压印技术，在柔性衬底相对的两面上直接压印形成图形化网格沟槽，或在柔性衬底相对的两面上涂布固化胶层，压印，固化后上形成图形化网格沟槽；

(D)采用刮涂技术把导电浆料填充至一面的沟槽中，再通过二次刮涂把吸波材料填充至沟槽中制成屏蔽层和吸波层，采用刮涂技术，把吸波导电浆料填充至另一面的沟槽中制成吸波导电层，形成屏蔽膜。

其中步骤(D)中的导电浆料和吸波材料的刮涂填充动作可交替进行，制作多层结构叠加的屏蔽层和吸波层。

方式二，刮涂技术加转移技术制造屏蔽膜，包括步骤：

(A)通过激光直写技术，在基板上制作图形化网格沟槽；

(B)把基板置于电铸槽中，通过电铸技术制作金属模板；

(C)以金属模板为母版，利用纳米压印技术，在柔性衬底相对的两面上直接压印形成图形化网格沟槽，或在柔性衬底相对的两面上涂布固化胶层，压印，固化后上形成图形化网格沟槽；

(D)采用刮涂技术把导电浆料填充至一面的沟槽中，然后通过转移技术，把吸波材料转移至沟槽中制成屏蔽层和吸波层，采用刮涂技术，把吸波导电浆料填充至另一面的沟槽中制成吸波导电层，形成屏蔽膜。

方式三，金属沉积生长技术加转移技术制造屏蔽膜，包括步骤：

(A)采用激光直写技术制作掩模版；

(B)在导电基板上涂布光刻胶，通过掩模曝光技术在光刻胶层中形成图形化网格沟槽，并充分显影，显露出导电基底；

(C)采用选择性电沉积技术，在导电基板一面显露的沟槽处实现金属沉积，其他光刻胶覆盖区域无金属沉积；

(D)去除导电基材光刻胶，然后将金属基板上分别涂布一层固化胶，再将柔性衬底覆盖于固化胶上，经过固化后脱模，形成一层图形化导电层；

(E)通过刮涂或转移技术，把吸波材料填充至沟槽中，形成吸波层，在柔性衬底的另一面直接压印图形化网格沟槽，或涂布固化胶，在固化胶上压印，固化后形成图形化网格沟槽，采用刮涂技术，把吸波导电浆料填充至另一面的图形化网格沟槽中制成吸波导电层，形成屏蔽膜。

方式四，填充技术、生长技术相结合制造屏蔽膜，包括步骤：

(A)通过激光直写技术，在基板上制作图形化网格沟槽；

(B)把基板置于电铸槽中，通过电铸技术制作金属模板；

(C)以金属模板为母版，利用纳米压印技术，在柔性衬底相对的两面上直接压印形成图形化网格沟槽，或在柔性衬底相对的两面上涂布固化胶层，压印，固化后上形成图形化网格沟槽；

(D)采用刮涂技术把导电浆料填充至一面的沟槽中，为进一步提高导电性，把其置于电沉积槽中，在该面的沟槽中继续沉积金属；

(E)通过刮涂或者转移技术把一层吸波层转移至导电层上，制成屏蔽层和吸波层，采用刮涂技术，把吸波导电浆料填充至另一面的图形化沟槽中制成吸波导电层，形成屏蔽膜。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (12)

1.一种屏蔽膜，其特征在于，包括

基材层，所述基材层包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面具有若干凹槽；

吸波导电层，在所述基材层的第一表面的凹槽内填充吸波导电材料形成连通的网格构成所述吸波屏蔽层；

屏蔽层，在所述基材层的第二表面的凹槽内填充屏蔽材料形成连通的网格构成所述屏蔽层；

吸波层，至少部分覆盖所述屏蔽层，或至少部分覆盖所述屏蔽层和所述基材层的第二表面。

2.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述基材层的第一表面和/或基材层的第二表面进一步的设有聚合物层，所述聚合物层为透明热固化胶，或为光固化胶。

3.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述吸波导电层和屏蔽层的网格是周期性的或是非周期性的，所述吸波导电层的网格和所述屏蔽层的网格图案是相同的或是不同的。

4.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述基材层第一表面的凹槽和所述基材层第二表面的凹槽的宽度、高度、凹槽的间隔距离以及凹槽的截面是相同的或存在至少一个不同。

5.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述凹槽的高度范围为500nm至10μm，所述凹槽的宽度范围为500nm至10μm，所述凹槽的间隔距离范围为500nm至500μm。

6.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述凹槽的截面为正方形、长方形或梯形。

7.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述网格的一面为平面、凸面或凹面。

8.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述基材层采用透明的热固化胶、光固化胶或PET、PC等柔性高分子材料，所述吸波导电层采用金属或石墨烯中掺杂碳化炭的材料。

9.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽膜包括一保护层，所述保护层至少覆盖所述吸波导电层，或所述吸波导电层和所述基材层的第一表面，或所述吸波层，或所述吸波层和所述基材层的第二表面。

10.一种屏蔽膜的制造方法，其特征在于，包括步骤：

(A)通过激光直写技术，在基板上制作图形化网格沟槽；

(B)把基板置于电铸槽中，通过电铸技术制作金属模板；

(C)以金属模板为母版，利用纳米压印技术，在柔性衬底相对的两面上直接压印形成图形化网格沟槽，或在柔性衬底相对的两面上涂布固化胶层，压印，固化后上形成图形化网格沟槽；

(D)采用刮涂技术把导电浆料填充至一面的沟槽中，再通过二次刮涂或转移技术把吸波材料填充至沟槽中制成屏蔽层和吸波层，采用刮涂技术，把吸波导电浆料填充至另一面的沟槽中制成吸波导电层，形成屏蔽膜。

11.如权利要求10所述的屏蔽膜的制造方法，其特征在于，所述步骤(D)为采用刮涂技术把导电浆料填充至一面的沟槽中，进一步为提高导电性，把其置于电沉积槽中，在此面的沟槽中继续沉积金属，之后通过刮涂或者转移技术把吸波层置于导电网格层上。

12.一种屏蔽膜的制造方法，其特征在于，包括步骤：

(A)采用激光直写技术制作掩模版；

(B)在导电基板上涂布光刻胶，通过掩模曝光技术在光刻胶层中形成图形化网格沟槽，并充分显影，显露出导电基底；

(C)采用选择性电沉积技术，在导电基板一面显露的沟槽处实现金属沉积，其他光刻胶覆盖区域无金属沉积；

(D)去除导电基材光刻胶，然后将金属基板上分别涂布一层固化胶，再将柔性衬底覆盖于固化胶上，经过固化后脱模，形成一层图形化导电层；

(E)通过刮涂或转移技术，把吸波材料填充至沟槽中，形成吸波层，在柔性衬底的另一面直接压印图形化网格沟槽，或涂布固化胶，在固化胶上压印，固化后形成图形化网格沟槽，采用刮涂技术，把吸波导电浆料填充至另一面的图形化网格沟槽中制成吸波导电层，形成屏蔽膜。

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