CN111148421A - 一种屏蔽膜及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种屏蔽膜及其制造方法，所述屏蔽膜包括一基材层、分别设置在所述基材层两面的两屏蔽层及两吸波层，所述基材层两面均设有若干凹槽，所述凹槽中填充屏蔽材料形成所述屏蔽层，所述吸波层至少覆盖所述屏蔽层，或至少覆盖所述吸屏蔽层及所述基材层具有所述凹槽的一面。所述屏蔽膜透明特性好，屏蔽能力较强，且柔性好，便于贴附，适用范围广；所述屏蔽膜能有效的降低电磁辐射反射回空间，有利于减少电磁辐射的污染，同时屏蔽性能更佳，不易于被反射波探测到；所述屏蔽膜贴附时无需辨别方向，使用方便。

Description

一种屏蔽膜及其制造方法

技术领域

本发明涉及电磁屏蔽技术领域，更准确的说涉及一种屏蔽膜及其制造方法。

背景技术

随着科技的发展，射频设备广泛使用。常见的射频设备如工业用电气设备、广播电视发射塔、无线通信网络、高压输电线、家电等，在工作时会向外传送电磁波能量，产生电磁辐射，电磁辐射会对人体或机器产生影响，其程度与它的能量大小直接相关，电磁辐射所产生的能量大小取决于其频率的高低，可按其频率排成从低到高的若干个等级，频率愈高，电磁辐射所产生的能量就愈大，过大的电磁辐射能量会破坏人体的生理组织分子。如今，射频设备在人类活动的场所大量装备，且频谱范围不断展宽，强度成倍增加，如果电磁辐射超过了人体或机器所能够承受的限度，即形成电磁污染，不仅会对电子设备造成干扰，还会对人体健康产生威胁，是危害严重的“隐形杀手”，电磁污染已成为继大气污染、水污染、固体废弃物污染和噪声污染之后的第五大污染。针对电磁污染问题，最为有效的解决方法是采用电磁屏蔽技术，包括吸收式和反射式电磁屏蔽，均采用电磁屏蔽材料对电磁波进行屏蔽。不同的应用领域，对电磁屏蔽材料的要求也不同。在需要视觉观测的场合，需要采用透明电磁屏蔽材料，应用领域包括医用电磁隔离室观察窗、通讯设备透明电磁屏蔽元件、航空航天装备光窗、先进光学仪器光窗、保密设施防电磁泄露光窗、液晶显示屏、手机触屏、车载透明天线等。现有技术中，为了实现透明电磁屏蔽，一般使用透明电磁屏蔽膜。其中，屏蔽反射透明屏蔽膜会将电磁辐射反射回空间，对空间环境造成二次污染，无法彻底防治电磁污染。以氧化铟锡为主的透明金属氧化物薄膜，在可见光透明的场合应用广泛，但是其透光波段较窄，虽然微波屏蔽波段较宽，但是屏蔽能力不强，且材质较硬，柔性较差，无法较好地进行表面贴合。现有的屏蔽膜通常为单向结构，在贴附使用时需要进行方向辨别，辨别失误会影响屏蔽效果及屏蔽膜寿命，不方便使用。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种屏蔽膜，包括一基材层、分别设置在所述基材层两面的两屏蔽层及两吸波层，所述基材层两面均设有若干凹槽，所述凹槽中填充屏蔽材料形成所述屏蔽层，所述吸波层至少覆盖所述屏蔽层，或至少覆盖所述吸屏蔽层及所述基材层具有所述凹槽的一面。

根据本发明的目的提出的一种屏蔽膜，包括：

一种屏蔽膜，其特征在于，包括：

基材层，所述基材层具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面分别具有若干凹槽；

第一屏蔽层，在所述第一表面凹槽内填充屏蔽材料形成连通的导电网格构成所述第一屏蔽层；

第一吸波层，所述第一吸波层至少部分覆盖所述第一屏蔽层，或至少部分覆盖所述第一屏蔽层及所述基材层第一表面；

第二屏蔽层，在所述第二表面凹槽内填充屏蔽材料形成相互连通的网格构成所述第二屏蔽层；

第二吸波层，所述第二吸波层至少部分覆盖所述第二屏蔽层，或至少部分覆盖所述第二屏蔽层及所述基材层第二表面。

优选地，所述网格是周期性的、随机的或是非周期性的，所述第一屏蔽层的网格和第二屏蔽层的网格的图案是相同的或是不同的，所述第一表面的凹槽和所述第二表面的凹槽的宽度、高度、凹槽的间隔距离以及凹槽的截面是相同的或至少存在一个不同。

优选地，所述凹槽的高度范围为500nm至10μm，所述凹槽的宽度范围为500nm至10μm，所述凹槽的间隔距离范围为500nm至500μm。

优选地，所述凹槽的截面为正方形、长方形或梯形。

优选地，所述网格的一面为平面、凸面或凹面。

优选地，所述屏蔽层的高度小于所述凹槽的深度，或等于所述凹槽的深度，或大于所述凹槽的深度。

优选地，所述基材层第一表面和/或第二表面进一步的设有聚合物层。

优选地，所述聚合物层为透明热固化胶，或为光固化胶。

优选地，所述基材层采用透明的热固化胶、光固化胶或PET、PC等柔性高分子材料，所述屏蔽层采用金属、石墨烯或碳纳米管材料，所述吸波层采用碳化钛、碳纳米管或石墨烯材料。

优选地，所述屏蔽膜包括至少一层保护层，所述保护层设置在所述第一表面侧和/或所述第二表面侧，所述保护层至少部分覆盖所述吸波层和所述基材层的第一表面和/或至少部分覆盖所述吸波层和所述基材层的第二表面。

本发明还公开了一种屏蔽膜的制造方法，包括步骤：

(A)通过激光直写技术，在基板上制作图形化网格沟槽；

(B)把基板置于电铸槽中，通过电铸技术制作金属模板；

(C)以金属模板为母版，利用纳米压印技术，直接在在柔性衬底的相对两面进行压印，形成图形化网格沟槽，或在柔性衬底相对的两面涂布固化胶层，在固化胶层上压印，固化后形成图形化网格沟槽；

(D)采用刮涂技术把导电浆料分别填充至两面的图形化网格沟槽中，再通过二次刮涂或转移技术把吸波材料分别填充至两面的图形化网格沟槽中制作屏蔽膜。

优选地，所述步骤(D)为采用刮涂技术把导电浆料分别填充至两面的图形化网格沟槽中，进一步为提高导电性，把其置于电沉积槽中，在两面的图形化网格沟槽中继续沉积金属，之后通过刮涂或者转移技术把吸波材料分别填充至两面的图形化网格沟槽中置于导电网格层上。

一种屏蔽膜的制造方法，包括步骤：

(A)采用激光直写技术制作掩模版；

(B)在导电基板上涂布光刻胶，通过掩模曝光技术在光刻胶层中形成图形化网格沟槽，并充分显影，显露出导电基底；

(C)采用选择性电沉积技术，在导电基板两面显露的沟槽处实现金属沉积，其他光刻胶覆盖区域无金属沉积；

(D)去除导电基材上的光刻胶，然后将金属基板上分别涂布一层固化胶，再将柔性衬底覆盖于固化胶上，经过固化后脱模，形成图形化导电层；

(E)重复步骤(A)-(C)，去除导电基材上的光刻胶，然后将金属基板上分别涂布一层固化胶，再将之前的柔性衬底无图形化导电层的一面覆盖于固化胶上，进过固化后脱模，形成另一面的图形化导电层；

(F)通过涂布或转移技术，把吸波材料分别转移至柔性衬底两侧的导电层上，制作屏蔽膜。

与现有技术相比，本发明公开的一种屏蔽膜的优点在于：所述屏蔽膜比双层的屏蔽膜结构，膜的厚度减少，透明度和柔性好，易于曲面的贴合，同时又比单面的结构的屏蔽性能，吸波性能更好。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一种屏蔽膜的第一个较佳实施例的截面示意图。

图2为本发明一种屏蔽膜的第一个较佳实施例第一种变体的截面示意图。

图3为本发明一种屏蔽膜的第一个较佳实施例第二种变体的截面示意图。

图4为本发明一种屏蔽膜的第一个较佳实施例第三种变体的截面示意图。

图5为本发明一种屏蔽膜的第一个较佳实施例第四种变体的截面示意图。

图6为本发明一种屏蔽膜的第一个较佳实施例第五种变体的截面示意图。

图7为本发明一种屏蔽膜的第一个较佳实施例第六种变体的截面示意图。

图8为本发明一种屏蔽膜的第一个较佳实施例第七种变体的截面示意图。

图9为本发明一种屏蔽膜的第一个较佳实施例第八种变体的截面示意图。

图10为本发明一种屏蔽膜的第一个较佳实施例第九种变体的截面示意图。

图11为本发明一种屏蔽膜的第二个较佳实施例的截面示意图。

具体实施方式

如图1所示为本发明一种屏蔽膜的第一个较佳实施例，所述屏蔽膜包括一基材层10、分别设置在所述基材层10两面的一第一屏蔽层21和一第二屏蔽层22、分别设置在所述基材层10两面的一第一吸波层31和一第二吸波层32。所述基材层10具有相对的一第一表面11和一第二表面12。所述第一表面11上具有若干第一凹槽111，所述第一凹槽111在所述第一表面11上均匀分布；所述第二表面12上具有若干第二凹槽121，所述第二凹槽121在所述第二表面12上均匀分布。所述第一凹槽111在所述第一表面11上形成相互连通的网格，所述第二凹槽121在所述第二表面12上形成相互连通的网格，所述网格可以是具有周期性的或是非周期性的。图1中凹槽的截面为长方形，但是需要注意的是，凹槽的截面还可以设置为正方形或梯形等。

值得注意的是，在所述凹槽111的间隔距离相同的情况下，所述凹槽111宽度为500nm时，所述屏蔽膜透光率较好，屏蔽性能较差，宽度为10um时透光率较差，屏蔽性能较好，优选所述凹槽111宽度为5μm，以实现透光率和屏蔽性能的平衡。所述凹槽111宽度相同时，凹槽111的间隔越大，透光率越好，屏蔽性能越差，所述凹槽111的间隔越小，透光率越差，屏蔽性越好，设定所述凹槽111的间隔距离范围为500nm至500μm，优选250μm。

所述第一屏蔽层21由填充在所述第一凹槽111中的屏蔽材料共同构成，所述第二屏蔽层22由填充在所述第二凹槽121中的屏蔽材料共同构成。具体的，所述第一屏蔽层21包括若干第一屏蔽条211，所述第一屏蔽条211与所述第一凹槽111的数量相同，所述第一屏蔽条211分别设置于所述第一凹槽111内部，且所述第一屏蔽条211的高度小于所述第一凹槽111的深度；所述第二屏蔽层22包括若干第二屏蔽条221，所述第二屏蔽条221与所述第二凹槽121的数量相同，所述第二屏蔽条221分别设置于所述第二凹槽121内部，且所述第二屏蔽条221的高度小于所述第二凹槽121的深度。如图1所示，屏蔽条远离所述所述基材层10的一面为平面，但是该面不限于设置为平面，屏蔽条远离所述基材层10的一面可以为凸面或凹面。

所述第一吸波层31包括若干第一吸波条311，所述第一吸波条311与所述第一屏蔽条211的数量相同，所述第一吸波条311分别覆盖所述第一屏蔽条211，且所述第一吸波条311分别设置在所述第一凹槽111内；所述第二吸波层32包括若干第二吸波条321，所述第二吸波条321与所述第二屏蔽条221的数量相同，所述第二吸波条321分别覆盖所述第二屏蔽条221，且所述第二吸波条321分别设置在所述第二凹槽121内。所述第一吸波条311与所述第一屏蔽条211紧密结合，所述第二吸波条321与第二屏蔽条221紧密结合，能够在保证透光率的同时提高电磁辐射吸收率。

进一步的，所述屏蔽膜还包括分别设置在所述基材层10两面的一第一保护层41和一第二保护层42。所述第一保护层41包括若干第一保护条411，所述第一保护条411与所述第一吸波条311的数量相同，所述第一保护条411分别覆盖所述第一吸波条311，所述第一保护条411分别对所述第一吸波条311形成保护；所述第二保护层42包括若干第二保护条421，所述第二保护条421与所述第二吸波条321的数量相同，所述第二保护条421分别覆盖所述第二吸波条321，所述第二保护条421分别对所述第二吸波条321形成保护。

优选地，所述基材层10采用透明的热固化胶、光固化胶或PET、PC等透明柔性高分子材料制成，透光率好，且柔性较强。所述第一屏蔽层21和所述第二屏蔽层22采用金属、石墨烯或钛纳米管。所述第一吸波层31和所述第二吸波层32采用碳化钛或石墨烯。

如图2所示为所述屏蔽膜的第一个较佳实施例第一种变体，区别点在于第一吸波层，该变体中的第一吸波层31A覆盖在所述第一表面11，且所述第一吸波层31A与所述基材层10接触的一面具有若干第一凸起311A，所述第一凸起311A与所述第一凹槽111数量相同，且所述第一凸起311A与所述第一凹槽111分别对应设置，填充所述第一凹槽111中的剩余空间，同时所述第一凸起311A分别与所述第一屏蔽条211接触连接。所述第一保护层41A设置在所述第一吸波层31A远离所述基材层10的一侧与所述第一吸波层31A连接。所述第一吸波层31A完全覆盖所述第一表面11，能够更加全面有效地实现电磁波吸收，提高屏蔽效果。

如图3所示为所述屏蔽膜的第一个较佳实施例第二种变体，区别点在于第一屏蔽层和第一吸波层，该变体中的第一屏蔽层21B包括若干第一屏蔽条211B，所述第一屏蔽条211B与所述第一凹槽111的数量相同，所述第一屏蔽条211B分别设置于所述第一凹槽111内部，且所述第一屏蔽条211B的高度等于所述第一凹槽111的深度。所述第一吸波层31B设置在所述第一表面11，且所述第一吸波层31B与所述基材层10及所述第一屏蔽层21B结合连接在一起。所述第一保护层41B设置在所述第一吸波层31B远离所述基材层10的一侧与所述第一吸波层31B连接。所述第一表面11平整，简化所述第一吸波层31B的结构，有利于简化所述屏蔽膜的制作工艺，降低制造成本，提高制造效率。

如图4所示为所述屏蔽膜的第一个较佳实施例第三种变体，区别点在于第一屏蔽层和第一吸波层，该变体中的第一屏蔽层21C包括若干第一屏蔽条211C，所述第一屏蔽条211C与所述第一凹槽111的数量相同，所述第一屏蔽条211C分别设置于所述第一凹槽111内部，且所述第一屏蔽条211C的高度大于所述第一凹槽111的深度，所述第一屏蔽条211C伸出所述第一凹槽111的部分为一第一突出部2111C。所述第一吸波层31C覆盖在所述第一表面11，且所述第一吸波层31C与所述基材层10接触的一面具有若干第一凹陷311C，所述第一凹陷311C与所述第一突出部2111C数量相同，且所述第一凹陷311C与所述第一突出部2111C分别对应紧密结合。所述第一保护层41C设置在所述第一吸波层31C远离所述第一表面11一侧与所述第一吸波层31C连接。

如图5所示为所述屏蔽膜的第一个较佳实施例第四种变体，与第一种变体的区别点在于第二吸波层，该变体中的第二吸波层32A覆盖在所述第二表面12，且所述第二吸波层32A与所述基材层10接触的一面具有若干第二凸起321A，所述第二凸起321A与所述第二凹槽121数量相同，且所述第二凸起321A与所述第二凹槽121分别对应设置，填充所述第二凹槽121中的剩余空间，同时所述第二凸起321A分别与所述第二屏蔽条221接触连接。所述第二保护层42A设置在所述第二吸波层32A远离所述基材层10的一侧与所述第二吸波层32A连接。

如图6所示为所述屏蔽膜的第一个较佳实施例第五种变体，与第二种变体的区别点在于第二吸波层，该变体中的第二吸波层32A覆盖在所述第二表面12，且所述第二吸波层32A与所述基材层10接触的一面具有若干第二凸起321A，所述第二凸起321A与所述第二凹槽121数量相同，且所述第二凸起321A与所述第二凹槽121分别对应设置，填充所述第二凹槽121中的剩余空间，同时所述第二凸起321A分别与所述第二屏蔽条221接触连接。所述第二保护层42A设置在所述第二吸波层32A远离所述基材层10的一侧与所述第二吸波层32A连接。

如图7所示为所述屏蔽膜的第一个较佳实施例第六种变体，与第三种变体的区别点在于第二吸波层，该变体中的第二吸波层32A覆盖在所述第二表面12，且所述第二吸波层32A与所述基材层10接触的一面具有若干第二凸起321A，所述第二凸起321A与所述第二凹槽121数量相同，且所述第二凸起321A与所述第二凹槽121分别对应设置，填充所述第二凹槽121中的剩余空间，同时所述第二凸起321A分别与所述第二屏蔽条221接触连接。所述第二保护层42A设置在所述第二吸波层32A远离所述基材层10的一侧与所述第二吸波层32A连接。

如图8所示为所述屏蔽膜的第一个较佳实施例第七种变体，与第二种变体的区别点在于第二屏蔽层和第二吸波层，该变体中的第二屏蔽层22B包括若干第二屏蔽条221B，所述第二屏蔽条221B与所述第二凹槽121的数量相同，所述第二屏蔽条221B分别设置于所述第二凹槽121内部，且所述第二屏蔽条221B的高度等于所述第二凹槽121的深度。所述第二吸波层32B设置在所述第二表面12，且所述第二吸波层32B与所述基材层10及所述第二屏蔽层22B结合连接在一起。所述第二保护层42B设置在所述第二吸波层32B远离所述基材层10的一侧与所述第二吸波层32B连接。

如图9所示为所述屏蔽膜的第一个较佳实施例第八种变体，与第三种变体的区别点在于第二屏蔽层和第二吸波层，该变体中的第二屏蔽层22B包括若干第二屏蔽条221B，所述第二屏蔽条221B与所述第二凹槽121的数量相同，所述第二屏蔽条221B分别设置于所述第二凹槽121内部，且所述第二屏蔽条221B的高度等于所述第二凹槽121的深度。所述第二吸波层32B设置在所述第二表面12，且所述第二吸波层32B与所述基材层10及所述第二屏蔽层22B结合连接在一起。所述第二保护层42B设置在所述第二吸波层32B远离所述基材层10的一侧与所述第二吸波层32B连接。

如图10所示为所述屏蔽膜的第一个较佳实施例第九种变体，与第三种变体的区别点在于第二屏蔽层和第二吸波层，该变体中的第二屏蔽层22C包括若干第二屏蔽条221C，所述第二屏蔽条221C与所述第二凹槽121的数量相同，所述第二屏蔽条221C分别设置于所述第二凹槽121内部，且所述第二屏蔽条221C的高度大于所述第二凹槽121的深度，所述第二屏蔽条221C伸出所述第二凹槽121的部分为一第二突出部2211C。所述第二吸波层32C覆盖在所述第二表面12，且所述第二吸波层32C与所述基材层10接触的一面具有若干第二凹陷321C，所述第二凹陷321C与所述第二突出部2211C数量相同，且所述第二凹陷321C与所述第二突出部2211C分别对应紧密结合。所述第二保护层42C设置在所述第二吸波层32C远离所述第二表面12一侧与所述第二吸波层32C连接。

如图11所示为所述屏蔽膜的第二个较佳实施例，与第一个较佳实施例的区别点在于，所述基材层包括一基材层10A以及设置在所述基材层10A两面的一第一聚合物层50和一第二聚合物层60，所述基材层10A具有相对的一第一表面11A和一第二表面12A。所述第一聚合物层50A具有相对的一第一表面51A和一第二表面52A，所述第一表面11A与所述第二表面52A紧密连接，所述第一表面51A具有若干第一凹槽511A，所述第一凹槽511A在所述第一表面11A上均匀分布；所述第二聚合物层60A具有相对的一第一表面61A和一第二表面62A，所述第二表面12A与所述第二表面62A紧密连接，所述第一表面61A具有若干第二凹槽6111A，所述第二凹槽611A在所述第一表面61A上均匀分布。所述第一屏蔽层21、所述第一吸波层31、所述第一保护层41与所述第一聚合物层50A结合设置；所述第二屏蔽层22、所述第二吸波层32、所述第二保护层42与所述第二聚合物层60A结合设置。所述第一聚合物层50和所述第二聚合物层60为透明热固化胶，或为光固化胶。在第二较佳实施例的基础上可以采用上述一至九的变体形式。

本发明还公开了一种屏蔽膜的制造方法，具体可以分为以下四种方式。

方式一，刮涂技术制造屏蔽膜，包括步骤：

(A)通过激光直写技术，在基板上制作图形化网格沟槽；

(B)把基板置于电铸槽中，通过电铸技术制作金属模板；

(C)以金属模板为母版，利用纳米压印技术，直接在在柔性衬底的相对两面进行压印，形成图形化网格沟槽，或在柔性衬底相对的两面涂布固化胶层，在固化胶层上压印，固化后形成图形化网格沟槽；

(D)采用刮涂技术把导电浆料分别填充至两面的图形化网格沟槽中，再通过二次刮涂或转移技术把吸波材料分别填充至两面的图形化网格沟槽中制作屏蔽膜。

其中步骤(D)中的导电浆料和吸波材料的刮涂填充动作可交替进行，制作多层结构的屏蔽膜。

方式二，刮涂技术加转移技术制造屏蔽膜，包括步骤：

(A)通过激光直写技术，在基板上制作图形化网格沟槽；

(B)把基板置于电铸槽中，通过电铸技术制作金属模板；

(C)以金属模板为母版，利用纳米压印技术，直接在在柔性衬底的相对两面进行压印，形成图形化网格沟槽，或在柔性衬底相对的两面涂布固化胶层，在固化胶层上压印，固化后形成图形化网格沟槽；

(D)采用刮涂技术把导电浆料分别填充至两面的图形化网格沟槽中，再通过转移技术把吸波材料转移至导电层之上制作屏蔽膜。

方式三，金属沉积生长技术加转移技术制造屏蔽膜，包括步骤：

(A)采用激光直写技术制作掩模版；

(B)在导电基板相对两面上涂布光刻胶，通过掩模曝光技术在两面的光刻胶层中分别形成图形化网格沟槽，并充分显影，显露出导电基底；

(C)采用选择性电沉积技术，在导电基板两面显露的沟槽处实

(A)采用激光直写技术制作掩模版；

(B)在导电基板上涂布光刻胶，通过掩模曝光技术在光刻胶层中形成图形化网格沟槽，并充分显影，显露出导电基底；

(C)采用选择性电沉积技术，在导电基板两面显露的沟槽处实现金属沉积，其他光刻胶覆盖区域无金属沉积；

(D)去除导电基材上的光刻胶，然后将金属基板上分别涂布一层固化胶，再将柔性衬底覆盖于固化胶上，经过固化后脱模，形成图形化导电层；

(E)重复步骤(A)-(C)，去除导电基材上的光刻胶，然后将金属基板上分别涂布一层固化胶，再将之前的柔性衬底无图形化导电层的一面覆盖于固化胶上，进过固化后脱模，形成另一面的图形化导电层；

(F)通过涂布或转移技术，把吸波材料分别转移至柔性衬底两侧的导电层上，制作屏蔽膜。

方式四，填充技术、生长技术相结合制造屏蔽膜，包括步骤：

(A)通过激光直写技术，在光刻胶基板上制作图形化网格沟槽；

(B)把光刻胶基板置于电铸槽中，通过电铸技术制作金属模板；

(C)以金属模板为母版，利用纳米压印技术，在固化胶层相对的两面分别形成图形化网沟槽；

(D)采用刮涂技术把导电浆料分别填充至两面的图形化网格沟槽中，为进一步提高导电性，把其置于电沉积槽中，在沟槽中继续沉积金属；

(E)通过刮涂或者转移技术把吸波材料分别填充至两面的图形化网格沟槽中制作屏蔽膜。

其中所述的固化方式可以是光固化，例如紫外固化，也可以是热固化，根据固化的方式不同，固化胶层也相应的选择不同的材质。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (13)

1.一种屏蔽膜，其特征在于，包括：

基材层，所述基材层具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面分别具有若干凹槽；

第一屏蔽层，在所述第一表面凹槽内填充屏蔽材料形成连通的导电网格构成所述第一屏蔽层；

第一吸波层，所述第一吸波层至少部分覆盖所述第一屏蔽层，或至少部分覆盖所述第一屏蔽层及所述基材层第一表面；

第二屏蔽层，在所述第二表面凹槽内填充屏蔽材料形成相互连通的网格构成所述第二屏蔽层；

第二吸波层，所述第二吸波层至少部分覆盖所述第二屏蔽层，或至少部分覆盖所述第二屏蔽层及所述基材层第二表面。

2.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述网格是周期性的、随机的或是非周期性的，所述第一屏蔽层的网格和第二屏蔽层的网格的图案是相同的或是不同的，所述第一表面的凹槽和所述第二表面的凹槽的宽度、高度、凹槽的间隔距离以及凹槽的截面是相同的或至少存在一个不同。

3.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述凹槽的高度范围为500nm至10μm，所述凹槽的宽度范围为500nm至10μm，所述凹槽的间隔距离范围为500nm至500μm。

4.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述凹槽的截面为正方形、长方形或梯形。

5.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述网格的一面为平面、凸面或凹面。

6.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层的高度小于所述凹槽的深度，或等于所述凹槽的深度，或大于所述凹槽的深度。

7.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述基材层第一表面和/或第二表面进一步的设有聚合物层。

8.如权利要求7所述的屏蔽膜，其特征在于，所述聚合物层为透明热固化胶，或为光固化胶。

9.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述基材层采用透明的热固化胶、光固化胶或PET、PC等柔性高分子材料，所述屏蔽层采用金属、石墨烯或碳纳米管材料，所述吸波层采用碳化钛或石墨烯材料。

10.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽膜包括至少一层保护层，所述保护层设置在所述第一表面侧和/或所述第二表面侧，所述保护层至少部分覆盖所述吸波层和所述基材层的第一表面和/或至少部分覆盖所述吸波层和所述基材层的第二表面。

11.一种屏蔽膜的制造方法，其特征在于，包括步骤：

(A)通过激光直写技术，在基板上制作图形化网格沟槽；

(B)把基板置于电铸槽中，通过电铸技术制作金属模板；

(C)以金属模板为母版，利用纳米压印技术，直接在在柔性衬底的相对两面进行压印，形成图形化网格沟槽，或在柔性衬底相对的两面涂布固化胶层，在固化胶层上压印，固化后形成图形化网格沟槽；

(D)采用刮涂技术把导电浆料分别填充至两面的图形化网格沟槽中，再通过二次刮涂或转移技术把吸波材料分别填充至两面的图形化网格沟槽中制作屏蔽膜。

12.如权利要求11所述的屏蔽膜的制造方法，其特征在于，所述步骤(D)为采用刮涂技术把导电浆料分别填充至两面的图形化网格沟槽中，进一步为提高导电性，把其置于电沉积槽中，在两面的图形化网格沟槽中继续沉积金属，之后通过刮涂或者转移技术把吸波材料分别填充至两面的图形化网格沟槽中置于导电网格层上。

13.一种屏蔽膜的制造方法，其特征在于，包括步骤：

(A)采用激光直写技术制作掩模版；

(B)在导电基板上涂布光刻胶，通过掩模曝光技术在光刻胶层中形成图形化网格沟槽，并充分显影，显露出导电基底；

(C)采用选择性电沉积技术，在导电基板两面显露的沟槽处实现金属沉积，其他光刻胶覆盖区域无金属沉积；

(D)去除导电基材上的光刻胶，然后将金属基板上分别涂布一层固化胶，再将柔性衬底覆盖于固化胶上，经过固化后脱模，形成图形化导电层；

(E)重复步骤(A)-(C)，去除导电基材上的光刻胶，然后将金属基板上分别涂布一层固化胶，再将之前的柔性衬底无图形化导电层的一面覆盖于固化胶上，进过固化后脱模，形成另一面的图形化导电层；

(F)通过涂布或转移技术，把吸波材料分别转移至柔性衬底两侧的导电层上，制作屏蔽膜。

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