CN210641253U - 电磁屏蔽膜 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种电磁屏蔽膜，其包括屏蔽层；所述屏蔽层内嵌有至少三层导电网格，每层导电网格均为随机网格且任意两层所述导电网格在平行于所述屏蔽层的投影面上不完全重叠；其中，所述屏蔽层中至少有三层所述导电网格为具有不同导电材料的导电网格。不同层具有不同的导电材料从而具有不同的屏蔽波段，从而加长了电磁屏蔽膜的屏蔽波段，更能满足市场需求。

Description

电磁屏蔽膜

技术领域

本实用新型涉及电子技术，更具体地讲，本实用新型涉及一种电磁屏蔽膜。

背景技术

近年来，伴随着信息化社会的快速发展，与信息相关联的电子设备急速发展，对航天航空设备、先进光学仪器、通讯设备、医疗诊断仪器等的电磁屏蔽要求越来越高。然而，现有的电磁屏蔽膜的屏蔽波段窄，随着电磁干扰技术的不断更新，容易被干扰信号击透而失去屏蔽效果。

鉴于此，本实用新型通过改善电磁屏蔽膜以解决所存在的技术问题。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种电磁屏蔽膜以解决上述的技术问题。

本实用新型的一个技术方案是：

一种电磁屏蔽膜，其包括：

屏蔽层，所述屏蔽层内嵌有至少三层导电网格，每层导电网格均为随机网格且任意两层所述导电网格在平行于所述屏蔽层的投影面上不完全重叠；

其中，所述屏蔽层中至少有三层所述导电网格为具有不同导电材料的导电网格。

在其中一实施例中，每层所述导电网格的导电材料均不同。

在其中一实施例中，所述屏蔽层包括多层导电层，每层所述导电层具有一层所述导电网格，所述导电层包括在聚合物上形成的网格状沟槽及填充于所述沟槽内的导电材料以形成所述导电网格，相邻两层所述导电层的聚合物之间具有融合部分。

在其中一实施例中，所述聚合物为UV胶，所述网格状沟槽为在所述UV胶上压印成型的沟槽。

在其中一实施例中，所述沟槽的截面形状为矩形或倒梯形。

在其中一实施例中，所述沟槽的至少一侧壁为倾斜的弧形侧壁。

在其中一实施例中，所述沟槽的深宽比≥1。

在其中一实施例中，所述屏蔽层包括的导电网格层数范围为3-20。

在其中一实施例中，还包括承载层，所述屏蔽层设置于所述承载层上，所述电磁屏蔽膜的厚度范围为80-150μm。

在其中一实施例中，所述承载层的两侧均设置有所述屏蔽层。

本实用新型的有益效果：不同层具有不同的导电材料从而具有不同的屏蔽波段，从而加长了电磁屏蔽膜的屏蔽波段，更能满足市场需求。

附图说明

图1为本实用新型电磁屏蔽膜的截面示意图；

图2为图1所示电磁屏蔽膜的第一导电层的平面示意图；

图3为图1所示电磁屏蔽膜的第二导电层的平面示意图；

图4为图1所示电磁屏蔽膜的第三导电层的平面示意图；

图5为图1所示电磁屏蔽膜的平面示意图；

图6为本实用新型电磁屏蔽膜的原理示意图；

图7为本实用新型电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；

图8为本实用新型电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；

图9为本实用新型电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；

图10为本实用新型电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；

图11为本实用新型电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；

图12为本实用新型电磁屏蔽膜的另一种平面示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施方式。但是，本实用新型可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本实用新型揭示一种电磁屏蔽膜，其包括屏蔽层。屏蔽层内嵌有至少三层导电网格，每层导电网格均为随机网格且任意两层导电网格在平行于屏蔽层的投影面上不完全重叠；其中，屏蔽层中至少有三层导电网格为具有不同导电材料的导电网格。不同导电材料对于不同波段的吸收率不同，此处不同，是指一种导电材料对于一波段的吸收率大于其他波段，则两种导电材料对于吸收率大的波段范围不同，则认为电磁屏蔽膜的有效屏蔽波段就是这两种导电材料的屏蔽波段的叠加，从而加宽了电磁屏蔽膜的屏蔽波段，更能满足市场需求。

其中一个实施例中，每层导电网格的导电材料均不同。

其中一个实施例中，屏蔽层包括多层导电层，每层导电层具有一层导电网格，导电层包括在聚合物上形成的网格状沟槽及填充于沟槽内的导电材料以形成导电网格，相邻两层导电层的聚合物之间具有融合部分。屏蔽层为一体结构，从而性能稳定，保证屏蔽效果。

其中一个实施例中，聚合物为UV胶，网格状沟槽为在UV胶上压印成型的沟槽。当然，也可以用其他成型方式形成沟槽。

其中一个实施例中，沟槽的截面形状为矩形或倒梯形，进一步的，沟槽的至少一侧壁为倾斜的弧形侧壁，可方便压印模具的脱模，保证沟槽成型质量。

其中一个实施例中，沟槽的深宽比≥1，保证导电网格的导电性能，屏蔽性能更加优秀。

其中一个实施例中，屏蔽层包括的导电网格层数范围为3-20。

其中一个实施例中，还包括承载层，屏蔽层设置于所述承载层上，电磁屏蔽膜的厚度范围为80-150μm。

其中一个实施例中，承载层的两侧均设置有屏蔽层。承载层可包括第一侧面和相对设置的第二侧面，屏蔽层可设置于第一侧面和第二侧面。

其中一个实施例中，每一层填充的导电材料可以完全不同，也可以部分不同，导电材料包括金属、金属氧化物、化合物导电材料或有机导电材料中的一种或几种的组合。金属比如为Ag、Gu、Al、Zn、Ni、Fe，金属氧化物比如为Al₂O₃，化合物导电材料比如为ITO，有机导电材料比如为PEDOT。

其中一个实施例中，至少两层导电层的导电层材料的种类和/或含量不同。导电材料的种类不同可以屏蔽的波段不同，导电材料的种类相同但各组份的含量不同也可以屏蔽不同的波段。

其中一个实施例中，承载层为玻璃、有机玻璃、PET、PC、PMMA或复合板材，所述承载层为透明基材。

其中一个实施例中，N层导电层中每一层导电层分别设有外接导电部，可通过外接FPC软板或另设的搭接部实现电性连接。搭接部通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀等方式形成。

其中一个实施例中，沟槽中填充有两层或以上填充材料，其中至少一层为导电材料。比如，沟槽中依次填充活性聚合物和导电金属材料。

其中一个实施例，沟槽的深度范围为1-20μm，所述沟槽的宽度范围为1-20μm，导电层的厚度范围为3-50μm。各层的厚度和沟槽大小可相同或不同，例如，每一层导电层的厚度为3μm，沟槽宽度为1μm，深度为2μm。

以下，请参图示，举例描述本实用新型的电磁屏蔽膜。

请参图1-6，电磁屏蔽膜100包括承载层1、第一导电层2、第二导电层3和第三导电层4。承载层1包括相对设置的第一侧面11和第二侧面12，第一导电层2、第二导电层3和第三导电层4层叠设置于第一侧面11。第一导电层2包括网格状第一沟槽21及填充于第一沟槽21内的第一导电材料22，从而形成第一导电网格23(请参图2)。第二导电层3层叠于第一导电层2上，第二导电层3包括网格状第二沟槽31及填充于第二沟槽31内的第二导电材料32，从而形成第二导电网格33(请参图3)。第三导电层4层叠于第二导电层3上，第三导电层4包括网格状第三沟槽41及填充于第三沟槽41内的第三导电材42，从而形成第三导电网格43(请参图4)。第一导电网格23为随机网格、第二导电网格33为随机网格，第三导电网格43为随机网格，叠加后的随机网格请参图5所示。第一导电材料22为Ag，第二导电材料32为Gu，第三导电材料42为Al。第一导电层2、第二导电层3和第三导电层4的屏蔽波段不同，从而可增加电磁屏蔽膜100的屏蔽波段。

优选的，第一沟槽21的深度h，宽度为w，则第一沟槽21的深宽比为1。第二沟槽31的深宽比也为1。较大的深宽比能保证导电性、高透过率和低电阻。

优选的，承载层1为PET，在PET上涂布UV胶，压印固化脱模后形成第一沟槽21，在第一沟槽21中填充第一导电材料22，形成具有第一导电网格23的第一导电层2；在第一导电层2上涂布UV胶，压印固化脱模后形成第二沟槽31,在第二沟槽31中填充第二导电材料32，形成具有第二导电网格33的第二导电层3；在第二导电层3上涂布UV胶，压印固化脱模后形成第三沟槽41，在第三沟槽41中填充第三导电材料42，形成具有第三导电网格43的第三导电层4。第一导电层2和第二导电层3的层叠处、第二导电层3和第三导电层4的层叠处，交界处的UV胶相互融合，也即两层层叠处之间可能没有特别明显的截面，从而第一导电层2、第二导电层3和第三导电层4为一体结构。

其原理说明，请参图6所示的示意图，第一导电层2采用第一导电材料22形成第一导电网格23，对波段的吸收率如图c1线所示，其中在L1所示范围内吸收率大于其他波段，可以设定第一导电层2的屏蔽波段为L1；第二导电层3采用第二导电材料32形成第二导电网格，对波段的吸收率如图c2线所示，其中在L2所示范围内的吸收率大于其他波段，可以设定第二导电层3的屏蔽波段为L2；第三导电层4采用第三导电材料42形成第三导电网格，对波段的吸收率如图c3线所示，其中在L3所示范围内的吸收率大于其他波段，可以设定第三导电层4的屏蔽波段为L3。而电磁屏蔽膜100对波段吸收率可以认为是叠加后的c4线，电磁屏蔽膜100的屏蔽波段可以认为是L4，通过导电层的分层且采用不同的导电材料能加强电磁屏蔽膜100的屏蔽效果。

请参图7，电磁屏蔽膜102的沟槽截面为倒梯形，具有倾斜侧壁，有利于压印时的脱模，保证良率。

请参图8，电磁屏蔽膜103的沟槽中填充的导电材料不超过沟槽的4/5。

请参图9，电磁屏蔽膜201包括承载层51及位于承载层51上的N层导电层52，其中N＝6，且N层导电层52位于承载层51的一侧。优选的，6层导电层52填充有不同的导电材料。

请参图10，电磁屏蔽膜202包括承载层61及位于承载层61上的N层导电层62，其中N＝12，且N层导电层62位于承载层61的一侧。

请参图11，电磁屏蔽膜203包括承载层71及位于承载层71上的N层导电层72，其中N＝12，其中6层导电层72位于承载层71的一侧，另6层导电层72位于承载层71的另一侧。

请参图12，电磁屏蔽膜300包括6层导电层81、82、83、84、85、86，每层导电层的导电网格均包括复数圆形网格，复数圆形网格分布于正六边形的各顶点，各导电层具有1-6的圆形网格。6层导电层叠加后在投影面形成蜂窝状的导电网格。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，上面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在上面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于上面描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受上面公开的具体实施例的限制。并且，以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，其包括：

屏蔽层，所述屏蔽层内嵌有至少三层导电网格，每层导电网格均为随机网格且任意两层所述导电网格在平行于所述屏蔽层的投影面上不完全重叠；

其中，所述屏蔽层中至少有三层所述导电网格为具有不同导电材料的导电网格。

2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，每层所述导电网格的导电材料均不同。

3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层包括多层导电层，每层所述导电层具有一层所述导电网格，所述导电层包括在聚合物上形成的网格状沟槽及填充于所述沟槽内的导电材料以形成所述导电网格，相邻两层所述导电层的聚合物之间具有融合部分。

4.根据权利要求3所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述聚合物为UV胶，所述网格状沟槽为在所述UV胶上压印成型的沟槽。

5.根据权利要求3所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述沟槽的截面形状为矩形或倒梯形。

6.根据权利要求3所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述沟槽的至少一侧壁为倾斜的弧形侧壁。

7.根据权利要求3所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述沟槽的深宽比≥1。

8.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层包括的导电网格层数范围为3-20。

9.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，还包括承载层，所述屏蔽层设置于所述承载层上，所述电磁屏蔽膜的厚度范围为80-150μm。

10.根据权利要求9所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述承载层的两侧均设置有所述屏蔽层。

Images