CN210986878U - 电磁屏蔽膜 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种电磁屏蔽膜，其包括承载层、第一导电层和第二导电层；第一导电层具有第一导电网格，所述第一导电网格包括网格状第一沟槽及填充于所述第一沟槽内的第一导电材料；所述第二导电层具有第二导电网格，所述第二导电网格包括网格状第二沟槽及填充于所述第二沟槽内的第二导电材料；其中所述第一沟槽的深宽比大于等于2，所述第二沟槽的深宽比大于等于2；所述第一导电材料不同于所述第二导电材料，所述第一导电网格与所述第二导电网格在平行于所述承载层的投影面上不完全重叠。不同层具有不同的导电材料从而具有不同的屏蔽波段，从而加长了电磁屏蔽膜的屏蔽波段，更能满足市场需求。

Description

电磁屏蔽膜

技术领域

本实用新型涉及电子技术，更具体地讲，本实用新型涉及一种电磁屏蔽膜。

背景技术

近年来，伴随着信息化社会的快速发展，与信息相关联的电子设备急速发展，对航天航空设备、先进光学仪器、通讯设备、医疗诊断仪器等的电磁屏蔽要求越来越高。然而，现有的电磁屏蔽膜的屏蔽波段窄，随着电磁干扰技术的不断更新，容易被干扰信号击透而失去屏蔽效果。

鉴于此，本实用新型通过改善电磁屏蔽膜以解决所存在的技术问题。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种电磁屏蔽膜以解决上述的技术问题。

本实用新型的一个技术方案是：

一种电磁屏蔽膜，其包括：

承载层，其包括相对设置的第一侧面和第二侧面；

第一导电层，位于所述第一侧面，所述第一导电层具有第一导电网格，所述第一导电网格包括网格状第一沟槽及填充于所述第一沟槽内的第一导电材料；

第二导电层，层叠于所述第一导电层远离所述承载层的一侧或位于所述第二侧面，所述第二导电层具有第二导电网格，所述第二导电网格包括网格状第二沟槽及填充于所述第二沟槽内的第二导电材料；

其中所述第一沟槽的深宽比大于等于2，所述第二沟槽的深宽比大于等于2；所述第一导电材料不同于所述第二导电材料，所述第一导电网格与所述第二导电网格在平行于所述承载层的投影面上不完全重叠。

在其中一实施例中，所述第一导电网格为随机网格，所述第二导电网格为随机网格，所述第一导电网格和所述第二导电网格在投影面上不重叠。

在其中一实施例中，所述第一导电网格包括复数圆形格或椭圆形格，所述第二导电网格包括复数圆形格或椭圆形格。

在其中一实施例中，所述第一导电材料与所述第二导电材料的种类和/或含量不同。

在其中一实施例中，所述第一导电网格与所述第二导电网格的平均孔径不同。

在其中一实施例中，所述第一沟槽的截面形状为矩形、倒梯形或三角形，所述第二沟槽的截面形状为矩形、倒梯形或三角形。

在其中一实施例中，所述第一沟槽的侧壁为倾斜弧形侧壁，所述第二沟槽的侧壁为倾斜弧形侧壁。

在其中一实施例中，所述第一导电材料在所述第一沟槽的填充深度不超过所述第一沟槽深度的4/5；所述第二导电材料在所述第二沟槽的填充深度不超过所述第二沟槽深度的4/5。

在其中一实施例中，所述第一沟槽的深宽比大于等于3,所述第二沟槽的深宽比大于等于3。

在其中一实施例中，所述承载层为玻璃、有机玻璃、PET、PC、PMMA或复合板材。

本实用新型的有益效果：第一导电层的第一导电材料不同于第二导电层的第二导电材料，不同层具有不同的导电材料从而具有不同的屏蔽波段，从而加宽了电磁屏蔽膜的屏蔽波段，更能满足市场需求。

附图说明

图1为本实用新型电磁屏蔽膜的截面示意图；

图2为图1所示电磁屏蔽膜的第一导电层的平面示意图；

图3为图1所示电磁屏蔽膜的第二导电层的平面示意图；

图4为图1所示电磁屏蔽膜的平面示意图；

图5为本实用新型电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；

图6为本实用新型电磁屏蔽膜的另一种平面示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施方式。但是，本实用新型可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本实用新型揭示一种电磁屏蔽膜，其包括承载层、第一导电层和第二导电层。承载层包括相对设置的第一侧面和第二侧面；第一导电层位于第一侧面，第一导电层具有第一导电网格，第一导电网格包括网格状第一沟槽及填充于第一沟槽内的第一导电材料；第二导电层层叠于第一导电层远离承载层的一侧或位于第二侧面，第二导电层具有第二导电网格，第二导电网格包括网格状第二沟槽及填充于第二沟槽内的第二导电材料；其中第一沟槽的深宽比大于等于2，第二沟槽的深宽比大于等于2；第一导电材料不同于第二导电材料，第一导电网格与第二导电网格在平行于承载层的投影面上不完全重叠。第一导电层与第二导电层具有不同的导电材料，不同导电材料对于不同波段的吸收率不同，此处不同，知识一种导电材料对于一波段的吸收率大于其他波段，则两种导电材料对于吸收率大的波段范围不同，也即第一导电材料相对于吸收率较大的波段范围不同于第二导电材料相对于吸收率较大的波段范围，则认为电磁屏蔽膜的有效屏蔽波段就是这两种导电材料的屏蔽波段的叠加，从而加宽了电磁屏蔽膜的屏蔽波段，更能满足市场需求。

其中一个实施例中，第一导电网格为随机网格，第二导电网格为随机网格，第一导电网格和第二导电网格在投影面上不重叠。两个不同的随机网格叠加后形成新的随机网格，工艺简单，保证每层的透过率。

其中一个实施例中，第一导电网格包括复数圆形格和/或椭圆形格，第二导电网格包括复数圆形格和/或椭圆形格。圆形格或椭圆形格使得第一导电层或第二导电层具有较高的透过率。比如，第一导电网格和第二导电网格分别包括复数圆形格，各圆形格按照正三角形、正四边形或正六边形排布；各圆形格分布于正三角形、正四边形或正六边形的各顶点，可以占满各顶点，也可以不占满各顶点，层叠的第一导电层和第二导电层的圆形格不重合、部分重合或完全重合；优选的，各层的圆形格互补式分布于各顶点，也即叠加后的复数圆形格规则排布。又比如，导电网格包括复数椭圆形格，每层导电层的导电网格包括间隔交替设置的大椭圆和小椭圆，层叠的导电层的椭圆形格不重合、部分重合或完全重合。

其中一个实施例中，第一导电材料与第二导电材料的种类和/或含量不同。种类不同，比如，第一导电材料为Gu，第二导电材料为Ag。含量不同，比如，第一导电材料和第二导电材料均为含有Ag的金属混合物，其中Ag的含量不同。

其中一个实施例中，第一导电网格与所述第二导电网格的平均孔径不同。比如，随机网格、蜂窝网格、圆形网格等等，平均孔径不同，可影响各层的屏蔽波段。

其中一个实施例中，第一沟槽的截面形状为矩形、倒梯形或三角形，第二沟槽的截面形状为矩形、倒梯形或三角形，可方便压印后的脱模。

其中一个实施例中，第一沟槽的侧壁为倾斜弧形侧壁，所述第二沟槽的侧壁为倾斜弧形侧壁，使得脱模更加顺畅。

其中一个实施例中，第一导电材料在所述第一沟槽的填充深度不超过第一沟槽深度的4/5；第二导电材料在所述第二沟槽的填充深度不超过所述第二沟槽深度的4/5，使得第一导电层和第二导电层的性能更加稳定。

其中一个实施例中，第一沟槽的深宽比大于等于3,第二沟槽的深宽比大于等于3，合适的深宽比保证脱模的同时具有较好的屏蔽性能和透过率。

其中一个实施例中，承载层为玻璃、有机玻璃、PET、PC、PMMA或复合板材。

以下，请参图示，举例描述本实用新型的电磁屏蔽膜。

请参图1-图4，电磁屏蔽膜100包括承载层1、第一导电层2和第二导电层3。承载层1包括相对设置的第一侧面11和第二侧面12，第一导电层2和第二导电层3层叠设置于第一侧面11。第一导电层2包括网格状第一沟槽21及填充于第一沟槽21内的第一导电材料22，从而形成第一导电网格23(请参图2)。第二导电层3包括网格状第二沟槽31及填充于第二沟槽31内的第二导电材料32，从而形成第二导电网格33(请参图3)。第一导电网格23为随机网格，第二导电网格33为随机网格，第一导电网格23和第二导电网格33叠加后的随机网格请参图4所示。第一导电材料22为Ag，第二导电材料为Gu。第一导电层2的屏蔽波段不同于第二导电层3的屏蔽波段，电磁屏蔽膜100的屏蔽波段为第一导电层2和第二导电层3的屏蔽波段的叠加。从而可增加电磁屏蔽膜100的有效屏蔽波段，电磁屏蔽膜100更具市场价值。

优选的，第一沟槽21的深度为h，宽度为w，则第一沟槽21的深宽比为2。第二沟槽32的深宽比也为2。较大的深宽比能保证导电性、高透过率和低电阻。

优选的，承载层1为PET，在PET上涂布UV胶，压印固化脱模后形成第一沟槽21，在第一沟槽21中填充第一导电材料22，形成具有第一导电网格23的第一导电层2；在第一导电层2上涂布UV胶，压印固化脱模后形成第二沟槽31，在第二沟槽31中填充第二导电材料32，形成具有第二导电网格33的第二导电层3。第一导电层2和第二导电层3的层叠处的UV胶相互融合，也即第一导电层2和第二导电层3之间可能没有特别明显的界面，从而第一导电层2和第二导电层3为一体结构，第一导电网格23嵌设于UV胶内部。

其原理说明，请参图5所示的示意图，第一导电层2采用第一导电材料22形成第一导电网格23，对波段的吸收率如图c1线所示，其中在L1所示范围内吸收率大于其他波段，可以认为第一导电层2的屏蔽波段为L1；第二导电层3采用第二导电材料32形成第二导电网格，对波段的吸收率如图c2线所示，其中在L2所示范围内的吸收率大于其他波段，可以认为第二导弹层3的屏蔽波段为L2。而电磁屏蔽膜100对波段吸收率可以认为是叠加后的c3线，电磁屏蔽膜100的屏蔽波段可以认为是L3，通过导电层的分层且采用不同的导电材料能加强电磁屏蔽膜100的屏蔽效果。

优选的，第一导电网格23的平均孔径等于第二导电网格33的平均孔径。

请参图5，电磁屏蔽膜101包括承载层1’、第一导电层2’和第二导电层3’，其中第一导电层2’和第二导电层3’分别位于承载层1’的两侧。

请参图6，电磁屏蔽膜200包括第一导电层4和第二导电层5，每层导电层的导电网格均包括复数圆形网格，复数圆形网格分布于正六边形的各顶点，各导电层具有1-6的圆形网格。第一导电层4和第二导电层5叠加后在投影面形成蜂窝状的导电网格。第一导电层4和第二导电层5的位置偏移量10-80μm。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，上面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在上面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于上面描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受上面公开的具体实施例的限制。并且，以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，其包括：

承载层，其包括相对设置的第一侧面和第二侧面；

第一导电层，位于所述第一侧面，所述第一导电层具有第一导电网格，所述第一导电网格包括网格状第一沟槽及填充于所述第一沟槽内的第一导电材料；

第二导电层，层叠于所述第一导电层远离所述承载层的一侧或位于所述第二侧面，所述第二导电层具有第二导电网格，所述第二导电网格包括网格状第二沟槽及填充于所述第二沟槽内的第二导电材料；

其中所述第一沟槽的深宽比大于等于2，所述第二沟槽的深宽比大于等于2；所述第一导电材料不同于所述第二导电材料，所述第一导电网格与所述第二导电网格在平行于所述承载层的投影面上不完全重叠。

2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一导电网格为随机网格，所述第二导电网格为随机网格，所述第一导电网格和所述第二导电网格在投影面上不重叠。

3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一导电网格包括复数圆形格或椭圆形格，所述第二导电网格包括复数圆形格或椭圆形格。

4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一导电材料与所述第二导电材料的种类和/或含量不同。

5.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一导电网格与所述第二导电网格的平均孔径不同。

6.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一沟槽的截面形状为矩形、倒梯形或三角形，所述第二沟槽的截面形状为矩形、倒梯形或三角形。

7.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一沟槽的侧壁为倾斜弧形侧壁，所述第二沟槽的侧壁为倾斜弧形侧壁。

8.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一导电材料在所述第一沟槽的填充深度不超过所述第一沟槽深度的4/5；所述第二导电材料在所述第二沟槽的填充深度不超过所述第二沟槽深度的4/5。

9.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一沟槽的深宽比大于等于3,所述第二沟槽的深宽比大于等于3。

10.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述承载层为玻璃、有机玻璃、PET、PC、PMMA或复合板材。

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