CN111146308A - 一种用于降低perc双面电池效率衰减的光源再生炉及方法 - Google Patents

一种用于降低perc双面电池效率衰减的光源再生炉及方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于降低PERC双面电池效率衰减的光源再生炉及方法,所述光源再生炉包括炉体、设于炉体内的炉带、以及光源,所述炉体包括第一温区、第二温区和第三温区,所述炉带穿过第一温区、第二温区和第三温区,所述光源包括上光源和下光源,所述上光源设置在炉带的上方,所述下光源设置在炉带的下方;炉体内位于炉带上方的区域为上温区,位于炉带下方的区域为下温区,下温区的光照密度小于上温区的光照密度;其中,PERC双面电池放置在炉带上,并依次经过第一温区、第二温区和第三温区,所述光源对PERC双面电池的双面进行照射,以使PERC双面电池的双面氢介质膜被激活,并将PERC双面电池内的缺陷及杂质钝化,有效降低PERC双面电池效率衰减。

Description

一种用于降低PERC双面电池效率衰减的光源再生炉及方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池生产设备技术领域,尤其涉及一种用于降低PERC双面电池效率衰减的光源再生炉及方法。
背景技术
掺P型PERC电池是目前光伏行业主流的高效电池,PERC双面电池以其更高的转换效率、稳定的性能及适中的成本得到更加广泛的关注及应用。PERC双面电池作为P型太阳能电池的一种,其主要缺陷就是在使用过程中会发生严重的效率衰减,主要包括光致衰减(LID)、光热衰减(LETID)及电致衰减(CID)等,电致衰减用于验证电池衰减可靠性。
现有的方法主要从降低介质膜损伤、减少金属杂质及初始衰减B-O缺陷体等方面来降低太阳能电池的效率衰减。针对于初始衰减B-O缺陷体,主要通过光致再生技术(Lightinduced regeneration,LIR)解决,通过介质膜内的氢激发并钝化电池体内的B-O缺陷体或其他杂质。
具体的,PERC双面电池烧结结束后,经过光源再生炉,用光致再生技术钝化PERC双面电池体内的缺陷及杂质等。
现有的光源再生炉只能对PERC双面电池的单面进行照射,并不能很好地降低PERC双面电池的效率衰减。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种用于降低PERC双面电池效率衰减的光源再生炉,有效降低PERC双面电池的电致衰减。
本发明还要解决的技术问题在于,提供一种降低PERC双面电池效率衰减的方法,操作简单,易于产业化。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种用于降低PERC双面电池效率衰减的光源再生炉,包括炉体、设于炉体内的炉带、以及光源,所述炉体包括第一温区、第二温区和第三温区,所述炉带穿过第一温区、第二温区和第三温区,所述光源包括上光源和下光源,所述上光源设置在炉带的上方,所述下光源设置在炉带的下方;
炉体内位于炉带上方的区域为上温区,位于炉带下方的区域为下温区,下温区的光照密度小于上温区的光照密度;
其中,PERC双面电池放置在炉带上,并依次经过第一温区、第二温区和第三温区,所述光源对PERC双面电池的双面进行照射,以使PERC双面电池的双面氢介质膜被激活,并将PERC双面电池内的缺陷及杂质钝化。
作为上述方案的改进,上温区的光强密度为16-20kw/m2,下温区的光强密度为5-15kw/m2
作为上述方案的改进,第一温区的温度为250-300℃,第二温区的温度为210-270℃,第三温区的温度为210-270℃。
作为上述方案的改进,第一温区不设置下光源,第一温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第二温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第二温区下温区的光强密度为5-15kw/m2,第三温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第三温区下温区的光强密度为5-15kw/m2
作为上述方案的改进,每个温区的长度为0.5-1.5m,所述炉带的带速为5-9m/min。
作为上述方案的改进,所述光源为LED灯,其波长范围为300-1100nm。
作为上述方案的改进,还包括冷却系统,所述冷却系统包括进风管和排风管,进风管的出风口位于上温区,排风管的进风口位于下温区,冷气从进风管通入到炉体内,以对炉体内的PERC双面电池进行降温。
相应地,本发明还提供了一种降低PERC双面电池效率衰减的方法,PERC双面电池烧结结束后,将其放置在本发明的光源再生炉内;
调整第一温区的温度为250-300℃,第二温区的温度为210-270℃,第三温区的温度为210-270℃;
调整第一温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第二温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第二温区下温区的光强密度为5-15kw/m2,第三温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第三温区下温区的光强密度为5-15kw/m2
其中,PERC双面电池依次经过第一温区、第二温区和第三温区,PERC双面电池的双面氢介质膜被激活,且PERC双面电池内缺陷及杂质被钝化。
作为上述方案的改进,调整炉带的带速为5-9m/min。
作为上述方案的改进,PERC双面电池经过再生炉光照处理后,冷却至室温,以将钝化效果冻结,达到稳定。
实施本发明,具有如下有益效果:
本发明通过在炉带的上下方分别设置上光源和下光源,以使PERC双面电池的上下两面都可以经过高强光处理,从而激发PERC双面电池两面的氢介质膜,进而钝化PERC双面电池体内缺陷及杂质,降低PERC双面电池的电致衰减。
进一步地,本发明通过调整上温区和下温区的光强密度,使得下温区的光照密度低于上温区的光照密度,有效地钝化PERC双面电池体内缺陷及杂质,降低PERC双面电池的电致衰减。
本发明通过控制不同光强密度及带速,更有效的钝化电池体内缺陷及杂质,使PERC双面电池的电致衰减由1.5-2.5%降至1-1.5%左右,有效改善PERC双面电池的可靠性,提高太阳能电池的转换效率及光利用率。
附图说明
图1是本发明光源再生炉的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
参见图1,本发明提供的一种用于降低PERC双面电池效率衰减的光源再生炉,包括炉体1、设于炉体1内的炉带2、以及光源,所述炉体1包括第一温区11、第二温区12和第三温区13,所述炉带2穿过第一温区11、第二温区12和第三温区13,所述光源包括上光源31和下光源32,所述上光源31设置在炉带2的上方,所述下光源32设置在炉带2的下方。
具体的,炉体1内位于炉带2上方的区域为上温区,位于炉带下方的区域为下温区,下温区的光照密度小于上温区的光照密度。
其中,PERC双面电池4放置在炉带2上,并依次经过第一温区11、第二温区12和第三温区13,所述光源对PERC双面电池4的双面进行照射,以使PERC双面电池的双面氢介质膜被激活,并将PERC双面电池内缺陷及杂质钝化。
本发明的光源再生炉还包括冷却系统,所述冷却系统包括进风管51和排风管52,进风管51的出风口位于上温区,排风管52的进风口位于下温区,冷气从进风管51通入到炉体内,以对炉体内的PERC双面电池进行降温。
需要说明的是,本发明的光源再生炉还包括加热系统,所述加热系统为现有光源再生炉的现有结构,本发明不作具体限定。本发明通过加热系统和冷却系统的相互配合,可对不同温区进行精准的温度控制。优选的,第一温区的温度为250-300℃,第二温区的温度为210-270℃,第三温区的温度为210-270℃。
本发明通过在炉带的上下方分别设置上光源和下光源,以使PERC双面电池的上下两面都可以经过高强光处理,从而激发PERC双面电池两面的氢介质膜,进而钝化PERC双面电池体内缺陷及杂质,降低PERC双面电池的电致衰减。
进一步地,本发明通过调整上温区和下温区的光强密度,使得下温区的光照密度低于上温区的光照密度,有效地钝化PERC双面电池体内缺陷及杂质,降低PERC双面电池的电致衰减。
优选的,上温区的光强密度为16-20kw/m2,下温区的光强密度为5-15kw/m2
为了节省能用,降低成本,本发明的第一温区可以不设置下光源。第二温区和第三温区的光强密度足以钝化PERC双面电池体内缺陷及杂质。
优选的,第一温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第二温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第二温区下温区的光强密度为5-15kw/m2,第三温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第三温区下温区的光强密度为5-15kw/m2
为了能够精准地控制每个温区的温度,保证PERC双面电池在炉体内能够充分地完成光致再生技术,每个温区的长度为0.5-1.5m。为了便于设置参数和调整工艺,每个温区的长度相同。
需要说明的是,炉带的速度对PERC双面电池能否充分地钝化内部的缺陷及杂质起着重要的速度。优选的,所述炉带的带速为5-9m/min。若炉带的速度过快,则光照不充分,不能有效降低PERC双面电池的电致衰减;若炉带速度过慢,在PERC双面电池在炉体内的时间过长,影响PERC双面电池的光电转换效率。
优选的,所述光源为LED灯,其波长范围为300-1100nm。
进一步的,本发明通过控制不同光强密度及带速,更有效的钝化电池体内缺陷及杂质,使PERC双面电池的电致衰减由1.5-2.5%降至1-1.5%左右,有效改善PERC双面电池的可靠性,提高太阳能电池的转换效率及光利用率。
相应地,本发明还提供了一种降低PERC双面电池效率衰减的方法,PERC双面电池烧结结束后,将其放置在本发明的光源再生炉内;
调整第一温区的温度为250-300℃,第二温区的温度为210-270℃,第三温区的温度为210-270℃;
调整第一温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第二温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第二温区下温区的光强密度为5-15kw/m2,第三温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第三温区下温区的光强密度为5-15kw/m2
其中,PERC双面电池依次经过第一温区、第二温区和第三温区,PERC双面电池的双面氢介质膜被激活,且PERC双面电池内缺陷及杂质被钝化。
优选的,调整炉带的带速为5-9m/min。
需要说明的是,PERC双面电池经过再生炉光照处理后,冷却至室温,以将钝化效果冻结,达到稳定。
本发明通过控制不同光强密度及带速,更有效的钝化电池体内缺陷及杂质,使PERC双面电池的电致衰减由1.5-2.5%降至1-1.5%左右,有效改善PERC双面电池的可靠性,提高太阳能电池的转换效率及光利用率。
优选的,本发明PERC双面电池的制作方法如下:
将P型单晶硅片进行双面制绒,正面扩散成磷源形成N型发射极,背面刻蚀背结及边缘结;
对P型单晶硅片进行退火,形成SiO2层;
在背面镀Al2O3/SiNx形成钝化层,在正面镀SiNx形成减反射层;
对背面激光开槽,通过印刷及烧结,制备出具有背面铝栅线的PERC双面电池。
下面将以具体实施例来进一步阐述本发明
实施例1
将烧结完的PERC双面电池放置在本发明的光源再生炉内,每个温区的长度均为1m,炉带速度为8m/min;
调整第一温区的温度为260℃,第二温区的温度为260℃,第三温区的温度为260℃;
调整第一温区上温区的光强密度为18kw/m2,第二温区上温区的光强密度为18kw/m2,第二温区下温区的光强密度为10kw/m2,第三温区上温区的光强密度为18kw/m2,第三温区下温区的光强密度为10kw/m2
实施例2
将烧结完的PERC双面电池放置在本发明的光源再生炉内,每个温区的长度均为1.5m,炉带速度为8m/min;
调整第一温区的温度为250℃,第二温区的温度为230℃,第三温区的温度为230℃;
调整第一温区上温区的光强密度为18kw/m2,第二温区上温区的光强密度为18kw/m2,第二温区下温区的光强密度为10kw/m2,第三温区上温区的光强密度为18kw/m2,第三温区下温区的光强密度为10kw/m2
对比例1
将烧结完的PERC双面电池放置在现有的光源再生炉内,炉带速度为6m/min,炉内温度为260℃,上温区的光强密度为18kw/m2
对比例2
将烧结完的PERC双面电池放置在现有的光源再生炉内,炉带速度为6m/min,炉内温度为250℃,上温区的光强密度为18kw/m2
将实施例1和对比例1经过钝化处理后PERC双面电池进行电致衰减检测,检测条件:1A电流,150℃条件下,处理10小时。具体结果如下:
Figure BDA0002318819660000061
将实施例2和对比例2经过钝化处理后PERC双面电池进行光致衰减检测,检测条件:1000w/m2光照下,65℃条件下,处理5小时。具体结果如下:
Figure BDA0002318819660000062
Figure BDA0002318819660000071
由此可知,与现有的方法相比,实施例1的PERC双面电池电致衰减(CID)从1.8%降低至1.5%,离散性良好,可靠性高;实施例2的PERC双面电池光致衰减(LID)从0.65%降低至0.21%,离散性良好,可靠性高。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围,因此依本发明权利要求所作的等同变化,仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种用于降低PERC双面电池效率衰减的光源再生炉,其特征在于,包括炉体、设于炉体内的炉带、以及光源,所述炉体包括第一温区、第二温区和第三温区,所述炉带穿过第一温区、第二温区和第三温区,所述光源包括上光源和下光源,所述上光源设置在炉带的上方,所述下光源设置在炉带的下方;
炉体内位于炉带上方的区域为上温区,位于炉带下方的区域为下温区,下温区的光照密度小于上温区的光照密度;
其中,PERC双面电池放置在炉带上,并依次经过第一温区、第二温区和第三温区,所述光源对PERC双面电池的双面进行照射,以使PERC双面电池的双面氢介质膜被激活,并将PERC双面电池内的缺陷及杂质钝化。
2.如权利要求1所述的用于降低PERC双面电池效率衰减的光源再生炉,其特征在于,上温区的光强密度为16-20kw/m2,下温区的光强密度为5-15kw/m2
3.如权利要求2所述的用于降低PERC双面电池效率衰减的光源再生炉,其特征在于,第一温区的温度为250-300℃,第二温区的温度为210-270℃,第三温区的温度为210-270℃。
4.如权利要求1所述的用于降低PERC双面电池效率衰减的光源再生炉,其特征在于,第一温区不设置下光源,第一温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第二温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第二温区下温区的光强密度为5-15kw/m2,第三温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第三温区下温区的光强密度为5-15kw/m2
5.如权利要求1所述的用于降低PERC双面电池效率衰减的光源再生炉,其特征在于,每个温区的长度为0.5-1.5m,所述炉带的带速为5-9m/min。
6.如权利要求5所述的用于降低PERC双面电池效率衰减的光源再生炉,其特征在于,所述光源为LED灯,其波长范围为300-1100nm。
7.如权利要求1所述的用于降低PERC双面电池效率衰减的光源再生炉,其特征在于,还包括冷却系统,所述冷却系统包括进风管和排风管,进风管的出风口位于上温区,排风管的进风口位于下温区,冷气从进风管通入到炉体内,以对炉体内的PERC双面电池进行降温。
8.一种降低PERC双面电池效率衰减的方法,其特征在于,PERC双面电池烧结结束后,将其放置在如权利要求1~7中任一项所述的光源再生炉内;
调整第一温区的温度为250-300℃,第二温区的温度为210-270℃,第三温区的温度为210-270℃;
调整第一温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第二温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第二温区下温区的光强密度为5-15kw/m2,第三温区上温区的光强密度为16-20kw/m2,第三温区下温区的光强密度为5-15kw/m2
其中,PERC双面电池依次经过第一温区、第二温区和第三温区,PERC双面电池的双面氢介质膜被激活,且PERC双面电池内缺陷及杂质被钝化。
9.如权利要求8所述的降低PERC双面电池效率衰减的方法,其特征在于,调整炉带的带速为5-9m/min。
10.如权利要求8所述的降低PERC双面电池效率衰减的方法,其特征在于,PERC双面电池经过再生炉光照处理后,冷却至室温,以将钝化效果冻结,达到稳定。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114050206A (zh) * 2022-01-13 2022-02-15 海宁正泰新能源科技有限公司 一种太阳能电池及其氢钝化方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016156592A1 (fr) * 2015-04-01 2016-10-06 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif et procédé de régénération des performances d'un module photovoltaïque
US20170117197A1 (en) * 2015-10-23 2017-04-27 Motech Industries Inc. Method for reducing light-induced-degradation in manufacturing solar cell
CN107408497A (zh) * 2015-03-13 2017-11-28 新南创新私人有限公司 用于处理硅材料的方法
CN108767070A (zh) * 2018-06-27 2018-11-06 晶科能源科技(海宁)有限公司 一种光伏双面电池的新型退火方法
CN109065669A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 浙江晶科能源有限公司 一种双面电池抗光衰设备
CN110335918A (zh) * 2019-05-29 2019-10-15 浙江爱旭太阳能科技有限公司 Perc太阳能电池的光致再生工艺及设备
US20190334053A1 (en) * 2018-04-27 2019-10-31 Illinois Tool Works Inc. Methods and apparatus to control zone temperatures of a solar cell production system
CN110556449A (zh) * 2018-05-30 2019-12-10 福建钜能电力有限公司 一种长期保持异质结太阳电池和组件性能的装置及方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107408497A (zh) * 2015-03-13 2017-11-28 新南创新私人有限公司 用于处理硅材料的方法
WO2016156592A1 (fr) * 2015-04-01 2016-10-06 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif et procédé de régénération des performances d'un module photovoltaïque
US20170117197A1 (en) * 2015-10-23 2017-04-27 Motech Industries Inc. Method for reducing light-induced-degradation in manufacturing solar cell
US20190334053A1 (en) * 2018-04-27 2019-10-31 Illinois Tool Works Inc. Methods and apparatus to control zone temperatures of a solar cell production system
CN110556449A (zh) * 2018-05-30 2019-12-10 福建钜能电力有限公司 一种长期保持异质结太阳电池和组件性能的装置及方法
CN108767070A (zh) * 2018-06-27 2018-11-06 晶科能源科技(海宁)有限公司 一种光伏双面电池的新型退火方法
CN109065669A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 浙江晶科能源有限公司 一种双面电池抗光衰设备
CN110335918A (zh) * 2019-05-29 2019-10-15 浙江爱旭太阳能科技有限公司 Perc太阳能电池的光致再生工艺及设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN114050206A (zh) * 2022-01-13 2022-02-15 海宁正泰新能源科技有限公司 一种太阳能电池及其氢钝化方法

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