CN111141775A - 观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品及方法 - Google Patents

观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111141775A
CN111141775A CN201911350855.6A CN201911350855A CN111141775A CN 111141775 A CN111141775 A CN 111141775A CN 201911350855 A CN201911350855 A CN 201911350855A CN 111141775 A CN111141775 A CN 111141775A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sample
junction
area
semiconductor device
ebic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911350855.6A
Other languages
English (en)
Inventor
孙祥乐
太云见
秦勇
信思树
叶薇
白兰艳
袁俊
曾祥明
杜润来
杨文运
黄晖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yunnan Beifang Kunwu Photoelectric Technology Development Co ltd
Original Assignee
Yunnan Beifang Kunwu Photoelectric Technology Development Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yunnan Beifang Kunwu Photoelectric Technology Development Co ltd filed Critical Yunnan Beifang Kunwu Photoelectric Technology Development Co ltd
Priority to CN201911350855.6A priority Critical patent/CN111141775A/zh
Publication of CN111141775A publication Critical patent/CN111141775A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/2202—Preparing specimens therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2648—Characterising semiconductor materials
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
    • G01N2223/09—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission exo-electron emission
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60—Specific applications or type of materials
    • G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
    • G01N2223/6116—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices semiconductor wafer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

本发明涉及一种观察锑化铟半导体器件p‑n结微观结构的样品及方法，属于半导体技术领域。通过对InSb半导体器件表面结构进行加工，获得p‑n结所在的观察区域表面结构为“钝化膜覆盖区域+薄层钝化膜覆盖区域”的样品，使得EBIC法观察InSb半导体器件中的p‑n结时电子束可透过样品表面的钝化膜，透视到InSb半导体器件中的p‑n结区域并与未透视区域形成对比，这对于InSb半导体器件的制造方法及筛选检测都有指导意义：可检测出InSb半导体器件p‑n结成结工艺是否有效，即是否在InSb半导体材料中制成了p‑n结，也可检测出用于制造InSb半导体器件的材料是否有缺陷。

Description

观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品及方法
技术领域
本发明涉及一种观察锑化铟(InSb)半导体器件p-n结微观结构的样品及方法，属于半导体技术领域。
背景技术
InSb半导体器件的核心元件是通过扩散法、离子注入法等方法在InSb半导体衬底中形成的p-n结。当红外辐射入射到p-n结时，发生光电转换，从而实现红外探测。InSb半导体器件广泛应用于红外探测、制导、寻的和热成像。
InSb半导体器件主要是通过测试判断其电学性能，尤其是测量其p-n结的I-V特性来判断器件的性能。这种方法的优点是测试结果能直接反映器件性能的优劣，缺点是要等到器件制成了才能测试，对于器件制造工艺中存在的一些微观缺陷难以做出有效判断。
目前InSb半导体器件中，p区电极所在部分自下而上的结构依次为N型衬底、p-n结、P区、钝化膜和金属膜，p区电极中p-n结所在区域上方没有金属膜。
电子束诱生电流(Electron Beam Induced Current,EBIC)，被广泛应用于半导体材料或器件电学参数测定，缺陷电学复合特性分析，以及器件失效分析等(杨德仁.半导体材料测试与分析[M].北京：科学出版社，2010。YANG deren.Test and Analysis onSemiconductor Materials[M].Beijing:Science Press,2010.)，也有文献报道EBIC法用于n-InSb测试的实例(CHEN Beliang,ZHANG Yueqing,FANG Xiaoming,etal.Determination of hole diffusion length in n-InSb at 80K[J/OL].Proceedingsof SPIE,2001,4369:https://10.1117/12.445309.测定80K时n-InSb中空穴的扩散长度。SPIE论文集，2001,4369:https://10.1117/12.445309.)，其关注点在于测试80K时n-InSb中空穴的扩散长度。用EBIC法观察InSb半导体器件中p-n结微观结构尚未见报道。
发明内容
为克服现有技术存在的缺陷，本发明的目的在于提供一种观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品及方法。
为实现本发明的目的，提供以下技术方案。
一种观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品，所述样品采用如下方法制成：
InSb半导体器件中p-n结所在区域为观察区域，用光刻胶将p区电极的一部分进行掩膜，另一部分用离子束刻蚀法将其表面的钝化膜和金属膜刻蚀掉，使观察区域形成“钝化膜覆盖区域+薄层钝化膜覆盖区域”的表面结构，得到所述样品。采用EBIC法，用电子束透过所述样品表面观察区域的薄层钝化膜覆盖区域，可以透视观察到InSb半导体器件中的p-n结微观结构情况，并与钝化膜覆盖区域的透视情况作出对比。
薄层钝化膜的厚度150nm～250nm；优选薄层钝化膜的厚度180nm～220nm。
一种观察InSb半导体器件p-n结微观结构的方法，所述方法的样品为本发明所述的样品，步骤如下：
(1)将所述样品在一台配有EBIC测试系统和冷却样品台的扫描电子显微镜中进行观察，观察所需扫描电子显微镜的电子束能量为5kV～30kV，冷却样品台的冷却温度为80K，将连接所述样品中p-n结的p区电极和n区电极接到EBIC测试系统的输入端，不用区分输入端的极性，即完成测试前的准备工作。
(2)将连接好电极的所述样品放入扫描电子显微镜样品舱中的冷却样品台上，用EBIC测试系统的检测程序检测所述样品p-n结的两个电极与EBIC测试系统的电连接是否可靠，如果不可靠需要重新连接，直至确认连接可靠后合上扫描电子显微镜舱门，按照操作程序抽真空至观察所述样品微观结构形貌所需的真空度，不同型号的扫描电子显微镜观察样品形貌所需的真空度有所不同，电子显微镜可自动侦测扫描观察形貌所需的真空度，然后进入样品形貌的观察程序，确定样品的形貌图像和EBIC扫描图像的观察区域。
(3)将样品台冷却至80K，则放置在样品台上待观察的样品温度也随之下降到80K，用扫描电子显微镜电子束在所述样品待观察区域进行扫描，用EBIC测试系统记录并显示电子束诱生电流的强弱分布，将EBIC电流的强弱分布通过显示器显示出来。EBIC电流的强弱分布即为被观察区域的EBIC扫描图像，图像中明亮的区域表明该区域EBIC电流较强，该区域即为样品中有p-n结的区域，若这一区域亮度比较均匀，说明该区域的p-n结一致性比较好，反之如果该区域出现暗斑，则说明暗斑处p-n结一致性较差，原因可能是由于材料缺陷，或由于p-n结成结工艺的缺陷造成。通过这种方法，透视到InSb半导体器件中的p-n结区域，可以应用于InSb半导体器件的制造及筛选检测：可以检测出用于制造InSb半导体器件的材料是否有缺陷，也可检测出InSb半导体器件p-n结的成结方法是否有效，即是否在InSb半导体材料中制成了p-n结。
有益效果
本发明提供了一种观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品及方法，通过对表面结构进行加工，获得p-n结所在的观察区域表面结构为“钝化膜覆盖区域+薄层钝化膜覆盖区域”的样品，使得EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结时电子束可透过样品表面的钝化膜，透视到InSb半导体器件中的p-n结区域并与未透视区域形成对比，这对于InSb半导体器件的制造方法及筛选检测都有指导意义：可检测出InSb半导体器件p-n结成结工艺是否有效，即是否在InSb半导体材料中制成了p-n结，也可检测出用于制造InSb半导体器件的材料是否有缺陷。
附图说明
图1为实施例1中沿扫描电子显微镜(SEM)电子束入射方向观察的InSb半导体器件的表面结构。
图2为图1所述器件的剖面结构示意图。
图3为对图1所述器件表面掩膜和刻蚀的区域分布示意图。
图4为实施例1所述样品表面金属膜分布区域示意图。
图5为实施例1所述样品的剖面结构示意图。
图6为实施例1所述样品的SEM形貌图。
图7为实施例1所述样品在电子束加速电压9KV，样品台温度80K测试条件下的EBIC扫描图像。
图8为实施例1所述样品在电子束加速电压7KV，样品台温度80K测试条件下的EBIC扫描图像。
具体实施方式
为使本发明的目的、内容、和优点更加清楚，下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。
实施例1
一种观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品，所述样品采用如下方法制成：
本实施例中需要观察的单元InSb半导体器件沿扫描电子显微镜电子束入射方向的观察区域表面结构如图1所示，其中1区为p-n结的n区电极，只起到电连接作用，在后续观察中并不出现在观察视场或图像里；2区为样品中p-n结的p区电极，3区为待观察区域，为位于p区电极中p-n结的上方的环状区域，所述器件的钝化膜为二氧化硅膜，金属膜为金膜，钝化膜的厚度为600nm，金属膜的厚度700nm，所述器件的剖面结构示意图如图2所示，图2是图1的剖面示意图，对应图1中的环状区域，沿对称轴剖开。图2显示，p区电极所在部分自下而上的结构依次为N型衬底、p-n结、P区、钝化膜和金属膜，p区电极中p-n结所在区域为观察区域，上方没有金属膜，图2中的6区为欧姆孔，位于观察区域左侧的p区电极上。
用对p区电极进行掩膜和刻蚀，如图3所示，分界线将观察区域分成两部分，将图1中的2区分成了图3中的2区和5区，将图1中的3区分成了图3中的3区和4区；分界线左侧区域用光刻胶进行掩膜覆盖，分界线右侧区域用离子束刻蚀。刻蚀采用一台型号为LKJ-100型的氩离子刻蚀系统(北京埃德万斯公司)进行，刻蚀的氩离子束能量为400eV，该能量的氩离子束刻蚀金属膜的刻蚀速率为35nm/min；刻蚀钝化膜的刻蚀速率为20nm/min，以完全刻蚀掉图3中5区的金属膜，4区的薄层钝化膜210nm为止，得到观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品。
由于所述器件的钝化膜厚度大于金属膜，因此所述样品表面部分观察区域，即图3中的4区仍有一层薄层钝化膜，于是在样品观察区域就形成“钝化膜覆盖区域(即图3中的3区)+薄层钝化膜覆盖区域(即图3中的4区)”的表面结构。经过刻蚀后，所述样品表面的金属膜分布如图4所示，位于观察区域左侧的p区电极以及欧姆孔上。
图5是图3的剖面示意图，对应图3中的环状区域，沿对称轴剖开，与图2相比可见，刻蚀前，样品观察区域，即图1中的3区自下而上的结构依次为N型衬底、p-n结、P区和钝化膜”，刻蚀后，观察区域分为两部分，一部分为3区，由于有掩膜保护，未被刻蚀，仍保持刻蚀前的结构；另一部分为4区，没有掩膜保护，钝化膜被刻蚀掉一部分，自下而上的结构依次为N型衬底、p-n结、P区和薄层钝化膜。
这种样品表面结构使得可以采用EBIC法，用电子束透过所述样品表面观察区域的薄层钝化膜覆盖区域，观察到InSb半导体器件中的p-n结微观结构情况，并与钝化膜覆盖区域的透视情况作出对比。
一种观察InSb半导体器件p-n结微观结构的方法，所述方法采用的样品为本实施例所制得的样品，步骤如下：
本实施例中观察InSb半导体器件中p-n结微观结构观察的EBIC测试系统由一台扫描电子显微镜(Hitachi日立S-3400)、一套EBIC测试组件(Gatan DigiscanⅡ)和一台冷却样品台(Gatan Cryostage)组成，扫描电子显微镜的电子束加速电压为5KV～30KV连续可调，冷却样品台温度为80K～300K可调。
将待测样品放入扫描电子显微镜样品舱中的冷却样品台上，用EBIC测试系统的检测程序检测样品p-n结的两个电极与EBIC测试系统的电连接是否可靠，若不可靠，重新连接，直至连接可靠为止；合上扫描电子显微镜舱门，按照扫描电子显微镜的操作程序抽真空至观察样品形貌所需的真空度，扫描电子显微镜观察样品形貌所需的真空度由系统自行侦测，无需手动调节，接着进入样品形貌的观察程序，确定样品的形貌和EBIC扫描图像的观察区域。
将样品台冷却至80K，则放置在样品台上观察的样品温度也随之下降到80K，用扫描电子显微镜的电子束在样品观察区域进行扫描，用EBIC测试系统记录EBIC电流的强弱分布并通过显示器显示出来。显示图像中明亮的区域表明该区域EBIC电流较强，所述区域即为样品中有p-n结的区域。
图6为所述样品在扫描电子显微镜中观察到SEM形貌像，图中2区和6区(包括半环状区域和条形区域)为亮区，是所述器件的p区电极，6区为欧姆孔，2区和6区为金属膜覆盖区域；半圆形区域3区为钝化膜覆盖区域，半圆形区域4区为薄层钝化膜覆盖区域，半环状区域5区为无金属膜覆盖区。
图7为所述样品在电子束加速电压9KV，样品台温度80K测试条件下的EBIC扫描图像，图中7中的区域编号与图6中的区域编号一一对应，图7中的4区(月牙形亮区)即为样品中有p-n结的区域，所述区域亮度均匀，说明是区域p-n结一致性较好；另一方面，4区较亮，说明进行EBIC测试时电子束透过样品表面的钝化膜，透视到InSb半导体器件中的p-n结区域。
图8为所述样品在电子束加速电压7KV，样品台温度80K测试条件下的EBIC扫描图像。比较图7和图8可见，在电子束加速电压9KV，样品温度约80K时，可以得到较好的观察效果。

Claims (3)

1.一种观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品，其特征在于：所述样品采用如下方法制成：
InSb半导体器件中p-n结所在区域为观察区域，用光刻胶将p区电极的一部分进行掩膜，另一部分用离子束刻蚀法将其表面的钝化膜和金属膜刻蚀掉，使观察区域形成“钝化膜覆盖区域+薄层钝化膜覆盖区域”的表面结构，得到所述样品；
其中，薄层钝化膜的厚度150nm～250nm。
2.一种观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品，其特征在于：薄层钝化膜的厚度180nm～220nm。
3.一种观察InSb半导体器件p-n结微观结构的方法，其特征在于：所述方法采用的样品为如权利要求1或2所述一种观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品，步骤如下：
(1)将所述样品在一台配有EBIC测试系统和冷却样品台的扫描电子显微镜中进行观察，观察所需扫描电子显微镜的电子束能量为5kV～30kV，冷却样品台的冷却温度为80K，将连接所述样品中p-n结的p区电极和n区电极接到EBIC测试系统的输入端，不用区分输入端的极性；
(2)将连接好电极的所述样品放入扫描电子显微镜样品舱中的冷却样品台上，用EBIC测试系统的检测程序检测所述样品p-n结的两个电极与EBIC测试系统的电连接是否可靠，如果不可靠需要重新连接，直至确认连接可靠后合上扫描电子显微镜舱门，按照操作程序抽真空至观察所述样品微观结构形貌所需的真空度，电子显微镜可自动侦测扫描观察形貌所需的真空度，然后进入样品形貌的观察程序，确定样品的形貌图像和EBIC扫描图像的观察区域；
(3)将样品台冷却至80K，则放置在样品台上待观察的样品温度也随之下降到80K，用扫描电子显微镜电子束在所述样品待观察区域进行扫描，用EBIC测试系统记录并显示电子束诱生电流的强弱分布，将EBIC电流的强弱分布通过显示器显示出来；EBIC电流的强弱分布即为被观察区域的EBIC扫描图像，图像中明亮的区域表明该区域EBIC电流较强，该区域即为样品中有p-n结的区域，若这一区域亮度比较均匀，说明该区域的p-n结一致性比较好，反之如果该区域出现暗斑，则说明暗斑处p-n结一致性较差。
CN201911350855.6A 2019-12-24 2019-12-24 观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品及方法 Pending CN111141775A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911350855.6A CN111141775A (zh) 2019-12-24 2019-12-24 观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911350855.6A CN111141775A (zh) 2019-12-24 2019-12-24 观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111141775A true CN111141775A (zh) 2020-05-12

Family

ID=70519767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911350855.6A Pending CN111141775A (zh) 2019-12-24 2019-12-24 观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111141775A (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102495089A (zh) * 2011-12-14 2012-06-13 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法
CN110161063A (zh) * 2019-05-31 2019-08-23 南京大学 一种扫描透射电子束诱导电流分析系统及方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102495089A (zh) * 2011-12-14 2012-06-13 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法
CN110161063A (zh) * 2019-05-31 2019-08-23 南京大学 一种扫描透射电子束诱导电流分析系统及方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
孙祥乐等: "用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结", 《红外技术》 *
方晓明等: "用EBIC测量InSb多元探测器少子扩散长度", 《红外研究》 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Harvey et al. Sodium accumulation at potential-induced degradation shunted areas in polycrystalline silicon modules
US6444895B1 (en) Device and method for nondestructive inspection on semiconductor device
US7439084B2 (en) Predictions of leakage modes in integrated circuits
CN116298810B (zh) 一种高阶芯片的失效分析方法
CN111141775A (zh) 观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品及方法
JP2006319022A (ja) 半導体装置の検査方法及び検査装置
CN112461844A (zh) 电子元器件瑕疵定位方法及存储介质
US5976898A (en) Localization of defects of a metallic layer of a semiconductor circuit
TWI276818B (en) Defect detection method
JP3439332B2 (ja) 結晶欠陥の測定方法
Lorut et al. EBIC on TEM lamellae for improved failure localization and root cause understanding
JPH1187451A (ja) 半導体装置の検査方法および半導体装置検査器
JPH113923A (ja) 半導体のサブミクロンシリコン表面層の金属汚染物質の検出方法
Jastrzebski et al. Cosmetic defects in CCD imagers
Horbelt et al. Temperature dependence of void formation in PERC cells and their spatially resolved detection by combining scanning acoustic microscopy and electroluminescence measurements
EP0237406A2 (en) Electron beam testing of semiconductor wafers
CN114252680B (zh) 检测源漏间漏电的电压衬度方法
CN104297667A (zh) 检测晶格位错的方法
Papež et al. Microstructural investigation of defects in photovoltaic cells by the electron beam-induced current method
Strizich Electron Beam Induced Current Isolation Techniques
Boostandoost et al. Analysis of poly-Si thin film solar cells by IR-LBIC
Fan et al. Application of IBE etching process in EBAPS device
KR20100033085A (ko) 투과전자현미경용 시편 제작 방법
JPH09306961A (ja) 半導体装置の検査方法及び検査装置及び半導体装置
Rutz et al. Current developments for type-II superlattice imaging systems

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20200512