CN111129323B - 显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法，所述锡基钙钛矿发光器件包括阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，所述空穴传输层设置于所述阳极层上，所述发光层设置于所述空穴传输层上，所述发光层包括钙钛矿薄膜，所述电子传输层设置于所述发光层上，所述阴极层设置于所述电子传输层上，所述钙钛矿薄膜中包括抗氧化剂，所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂。通过将仲胺类抗氧化剂引入发光层中，进而将仲胺类抗氧化剂应用于锡基钙钛矿发光器件中。

Description

显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法。
背景技术
因含铅元素的钙钛矿材料含有毒性，目前，通常采用含有锡元素的钙钛矿材料作为活性层，但锡基钙钛矿中的二价锡容易被氧化成四价锡，导致过度P型自掺杂，进而影响了锡基钙钛矿发光器件的稳定性及性能，且生产成本高。
发明内容
本申请提供一种显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法，以提高锡基钙钛矿发光器件的稳定性及性能。
本申请提供一种锡基钙钛矿发光器件，包括：
阳极层；
空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述阳极层上；
发光层，所述发光层设置于所述空穴传输层上，所述发光层包括钙钛矿薄膜；
电子传输层，所述电子传输层设置于所述发光层上；
阴极层，所述阴极层设置于所述电子传输层上；
所述钙钛矿薄膜中包括抗氧化剂，所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件中，所述抗氧化剂在所述钙钛矿薄膜中的质量分数为3％-35％。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件中，所述仲胺类抗氧化剂的结构式为
Figure BDA0002299882610000011
所述A1基团和所述A2基团选自芳香烃衍生物基团和杂环类衍生物基团中的一种。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件中，所述仲胺类抗氧化剂的结构式为
Figure BDA0002299882610000012
所述A1基团和A2基团选自
Figure BDA0002299882610000013
Figure BDA0002299882610000021
Figure BDA0002299882610000022
中的一种。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件中，
所述仲胺类抗氧化剂的结构式包括
Figure BDA0002299882610000023
Figure BDA0002299882610000024
Figure BDA0002299882610000031
中的一种。
本申请提供一种显示面板，包括所述的锡基钙钛矿发光器件。
本申请提供一种锡基钙钛矿发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供一衬底基板层，在所述衬底基板层上形成阳极层；
在所述阳极层上依次设置空穴传输层；
在所述空穴传输层上形成发光层，形成发光层的步骤包括涂覆锡基钙钛矿溶液，对所述涂覆锡基钙钛矿溶液进行热处理形成钙钛矿薄膜，所述钙钛矿薄膜中含有抗氧化剂，所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂；
在所述发光层上依次层叠设置电子传输层及阴极层。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件的制备方法中，所述抗氧化剂在所述钙钛矿薄膜中的质量分数为3％-35％。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件的制备方法中，所述仲胺类抗氧化剂的结构式为
Figure BDA0002299882610000032
所述A1和所述A2选自
Figure BDA0002299882610000033
Figure BDA0002299882610000034
Figure BDA0002299882610000041
中的一种。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件的制备方法中，
所述仲胺类抗氧化剂的结构式包括
Figure BDA0002299882610000042
Figure BDA0002299882610000043
Figure BDA0002299882610000051
中的一种。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件的制备方法中，所述热处理的温度为40摄氏度-160摄氏度。
本申请提供的一种显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法，所述锡基钙钛矿发光器件的制备方法包括通过将仲胺类抗氧化剂引入锡基钙钛矿发光器件中，因仲胺类抗氧化剂的具有价格低廉、易制备和抗氧化性强等特点，进而降低了生产成本，且本申请中的钙钛矿是含锡元素，对人体无害，所制备出的锡基钙钛矿发光器件和显示面板，提高了锡基钙钛矿发光器件和显示面板的性能和稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件剖视图。
图2为本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件的制备方法流程图。
图3是本申请所提供的显示面板的剖视图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
本申请提供一种锡基钙钛矿发光器件。请参阅图1，图1为本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件的剖视图。所述锡基钙钛矿发光器件10包括阳极层100、空穴传输层200、发光层300、电子传输层400和阴极层500。
所述阳极层材料包括金、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟和氧化锌铝中的一种或多种组合。
所述空穴传输层200设置于所述阳极层100上。所述空穴传输层材料包括聚对苯撑乙烯类、聚噻吩类、聚硅烷类、三苯甲烷类、三芳胺类、腙类、吡唑啉类、嚼唑类、咔唑类和丁二烯类中的一种。具体地，所述空穴传输层材料包括聚噻吩乙酸、1，3-丁二烯和、聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐中的一种或多种。
所述发光层300设置于所述空穴传输层200上。所述钙钛矿薄膜300中包括抗氧化剂。所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂。所述仲胺类抗氧化剂的结构式为
Figure BDA0002299882610000061
所述A1基团和所述A2基团选自芳香烃衍生物基团和杂环类衍生物基团中的一种。所述抗氧化剂在所述钙钛矿薄膜中的含量为3％-35％。
在另一实施例中，所述A1基团和A2基团选自
Figure BDA0002299882610000062
Figure BDA0002299882610000063
Figure BDA0002299882610000064
中的一种。
在另一实施中，所述仲胺类抗氧化剂的结构式包括
Figure BDA0002299882610000065
Figure BDA0002299882610000071
Figure BDA0002299882610000072
中的一种。
所述电子传输层400设置于所述发光层300上。所述电子传输层400的材料包括三(8-羟基喹啉)铝、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯和邻二氮菲中的一种或多种。
所述阴极层500设置于所述电子传输层400上。所述阴极层500的材料包括铝、钙、镁、金、氧化铟锡、氧化铟锌和银中的一种或多种。
在另一实施例中，所述电子传输层400与阴极层500之间还加入修饰层，修饰层材料为LiF、Li2CO3或空穴阻挡材料等，加入修饰层有利于载流子的注入或提取。
本实施例中，因仲胺类抗氧化剂的价格低廉、易制备和抗氧化性强等特点，在制备所述锡基钙钛矿发光器件中引入仲胺类抗氧化剂，进而提高了锡基钙钛矿发光器件的稳定性和性能。
请参阅图2，图2为本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件的制备方法的流程图。本申请还提供一种锡基钙钛矿发光器件的制备方法。所述锡基钙钛矿发光器件的制备方法包括：
S11、提供一衬底基板层，在所述衬底基板层上形成阳极层100。
具体地，在所述衬底基板层上涂覆阳极层材料形成阳极层100。所述阳极层材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟和氧化锌铝中的一种或多种。所述采用的阳极层材料具有导电性强、逸出功大、化学稳定性好及能将空穴注入到空穴传输层200优势。
S12、在所述阳极100上形成空穴传输层200。
具体地，在所述阳极层100上旋涂空穴传输层材料形成空穴传输层200。以3000rpm/min旋涂60秒。在120摄氏度条件下退火20分钟。之后，置于烘箱中，在120摄氏度下烘干。所述空穴传输层材料包括聚对苯撑乙烯类、聚噻吩类、聚硅烷类、三苯甲烷类、三芳胺类、腙类、吡唑啉类、嚼唑类、咔唑类和丁二烯类中的一种。具体地，所述空穴传输层材料包括聚噻吩乙酸、1，3-丁二烯和聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐中的一种或多种。
S13、在所述空穴传输层200上形成发光层300。
具体地，在所述空穴传输层200上旋涂锡基钙钛矿溶液。对所述锡基钙钛矿溶液进行热处理形成发光层300。旋涂转速为2500-5000tpm。旋涂时间为40秒-60秒，热处理的温度为40摄氏度-140摄氏度。所述热处理的时间为5分钟-120分钟。所述钙钛矿薄膜中含有抗氧化剂，所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂。所述仲胺抗氧化剂的结构式为
Figure BDA0002299882610000081
所述A1基团和所述A2基团选自芳香烃衍生物基团和杂环类衍生物基团中的一种。所述抗氧化剂在所述钙钛矿薄膜中的质量分数为3％-35％。
在另一实施例中，所述A1和所述A2选自
Figure BDA0002299882610000082
Figure BDA0002299882610000083
Figure BDA0002299882610000091
Figure BDA0002299882610000092
中的一种。
在另一实施例中，所述仲胺类抗氧化剂的结构式包括
Figure BDA0002299882610000093
Figure BDA0002299882610000101
中的一种。
所述锡基钙钛矿溶液由锡基钙钛矿前驱液制备得到，所述锡基钙钛矿前驱液包括CsSnAxB3-x和磷酸酯类，其中A、B＝Cl、Br或I，磷酸酯类包括磷酸三甲苯酯、磷酸三苯酯和磷酸二苯一辛酯中的一种，将仲胺类抗氧化剂加入锡基钙钛矿前驱液中，将所述锡基钙钛矿前驱液置于40摄氏度-60摄氏度的条件下搅拌12小时-24小时，形成锡基钙钛矿溶液。
仲胺类抗氧化剂的具有种类繁多、容易制备、价格低廉、且抗氧效果优良的优点，通过将仲胺类化合物以添加剂的形式引入到锡基钙钛矿发光器件中，降低了生产成本，并提高了器件的性能和稳定性。
S14、在所述发光层300上依次形成电子传输层400及阴极层500。
在所述发光层300上采用真空蒸镀技术蒸镀电子传输层材料，形成电子传输层400。所述电子传输层材料包括三(8-羟基喹啉)铝、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯和邻二氮菲中的一种或多种。
在所述电子传输层400上采用采用真空蒸镀技术蒸镀阴极层材料，形成阴极层500。所述阴极层材料包括铝、钙、镁、金、氧化铟锡、铟锌氧化物和银中的一种或多种。
在另一实施例中，所述电子传输层400与阴极层500之间还加入修饰层，修饰层材料为LiF、Li2CO3或空穴阻挡材料等，加入修饰层有利于载流子的注入或提取。
请参阅图3，图3为本申请提供的显示面板的剖视图。本申请还提供一种显示面板1，所述显示面板1包括本申请实施例提供的锡基钙钛矿发光器件10。所述显示面板1包括基板7、薄膜晶体管层8、像素定义层9和锡基钙钛矿发光器件层10。
所述薄膜晶体管层8设置于所述基板7上。所述像素定义层9设置于所述膜晶体管层8上。所述像素定义层9中设置有所述锡基钙钛矿发光器件层10。
所述显示面板1的锡基钙钛矿发光器件10具有本申请的锡基钙钛矿发光器件10的所有特点。所述显示面板1除了图3所示出的结构，还可以具有其他现有技术中的有机发光二极管显示面板结构，此处不一一列出。
本申请提供的一种显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法，在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件的制备方法中，通过将仲胺类抗氧化剂引入锡基钙钛矿发光器件中，因仲胺类抗氧化剂的价格低廉、易制备和抗氧化性强等特点，在提高锡基钙钛矿发光器件稳定性的同时，降低了生产成本，将锡基钙钛矿发光器件应用于显示面板中，进而提高了显示面板的性能和稳定性。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (5)

1.一种锡基钙钛矿发光器件，其特征在于，包括：
阳极层；
空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述阳极层上；
发光层，所述发光层设置于所述空穴传输层上，所述发光层包括钙钛矿薄膜；所述钙钛矿薄膜为锡基钙钛矿薄膜；
电子传输层，所述电子传输层设置于所述发光层上；
阴极层，所述阴极层设置于所述电子传输层上；
所述锡基钙钛矿薄膜中包括抗氧化剂，所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂；
所述仲胺类抗氧化剂的结构式包括
Figure FDA0003697059070000011
Figure FDA0003697059070000012
Figure FDA0003697059070000021
中的一种。
2.如权利要求1所述的锡基钙钛矿发光器件，其特征在于，所述抗氧化剂在所述钙钛矿薄膜中的质量分数为3％-35％。
3.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-2任一项所述的锡基钙钛矿发光器件。
4.一种锡基钙钛矿发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底基板层，在所述衬底基板层上形成阳极层；
在所述阳极层上形成空穴传输层；
在所述空穴传输层上形成发光层，形成所述发光层的步骤包括涂覆锡基钙钛矿溶液，对所述锡基钙钛矿溶液进行热处理形成钙钛矿薄膜，所述钙钛矿薄膜为锡基钙钛矿薄膜；所述锡基钙钛矿薄膜中含有抗氧化剂，所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂；
在所述发光层上依次层叠设置电子传输层及阴极层；
所述仲胺类抗氧化剂的结构式包括
Figure FDA0003697059070000022
Figure FDA0003697059070000023
Figure FDA0003697059070000031
Figure FDA0003697059070000032
中的一种。
5.如权利要求4所述锡基钙钛矿发光器件的制备方法，其特征在于，所述抗氧化剂在所述钙钛矿薄膜中的质量分数为3％-35％。
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