CN111129079A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示设备。该显示设备包括：基底；第一像素，位于基底上；第一数据线，向第一像素施加第一数据信号；第二像素，位于基底上并且与第一像素相邻；第二数据线，向第二像素施加第二数据信号；以及屏蔽层，处于第一数据线与第二数据线之间。第一数据线和第二数据线彼此平行并设置在不同的高度处，并且屏蔽层包括金属层。

Description

显示设备
本申请要求于2018年10月31日提交的第10-2018-0132556号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个示例性实施例涉及一种显示设备。
背景技术
随着在视觉上表示各种电信号信息的显示领域已得到快速发展，已经引入了具有诸如纤薄性、轻重量和低耗电的优异特性的各种平板显示设备，并且其分辨率也正在增大。
显示设备的分辨率的增大意味着每单位面积的显示设备中的像素数量的增多。因此，随着显示设备的分辨率正在增大，显示设备中用于向像素施加电信号的布线的数量也正在增多。结果，布线之间的距离减小，从而发生布线之间的信号干扰，并且会降低显示设备的图像的质量。
发明内容
一个或更多个示例性实施例包括可以防止发生布线之间的信号干扰的显示设备。
附加的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而是明显的，或者可以通过所提出的示例性实施例的实践而明了。
根据一个或更多个示例性实施例，显示设备包括：基底；第一像素，位于基底上；第一数据线，向第一像素施加第一数据信号；第二像素，位于基底上，并且与第一像素相邻；第二数据线，向第二像素施加第二数据信号；以及屏蔽层，处于第一数据线与第二数据线之间。第一数据线和第二数据线彼此平行且位于不同的高度处，并且屏蔽层包括金属层。
屏蔽层还可以包括处于金属层上的金属氧化物层。
金属氧化物层中的金属氧化物可以是金属层中的金属的氧化物。
金属氧化物层中包括的氧的浓度可以从金属氧化物层的下部到上部逐渐增大。
显示设备还可以包括处于第一数据线与第二数据线之间并且分别设置在屏蔽层的下部和上部处的第一绝缘层和第二绝缘层。
第一像素和第二像素中的每个可以包括有机发光二极管(“OLED”)(包括像素电极)以及用于驱动OLED的电路单元，并且电路单元可以包括具有电连接到像素电极的漏电极的薄膜晶体管(“TFT”)，第一数据线可以与漏电极处于同一层上，并且有机绝缘层可以位于第二数据线与像素电极之间。
像素电极可以经由处于有机绝缘层、第二绝缘层、屏蔽层和第一绝缘层中的接触孔电连接到漏电极，并且第二绝缘层可以在接触孔的内侧表面处覆盖屏蔽层的侧表面和第一绝缘层的侧表面。
屏蔽层可以公共地形成为一体，以与第一像素和第二像素对应。
屏蔽层可以处于浮置状态。
位于屏蔽层上的第二数据线的宽度可以比位于屏蔽层下的第一数据线的宽度大。
根据一个或更多个示例性实施例，显示设备包括：像素单元，包括多个像素以及向多个像素施加数据信号并且布置为彼此平行的多条数据线；数据驱动单元，产生数据信号，并且连接到所述多条数据线；以及屏蔽层，阻挡所述多条数据线之中的两条相邻的数据线之间的信号干扰，位于这两条相邻的数据线之间，并且被共同地设置为一体以与所述多个像素对应。这两条相邻的数据线处于不同的高度。
屏蔽层可以包括金属层和位于金属层上的金属氧化物层。
金属氧化物层中的金属氧化物可以是金属层中的金属的氧化物
金属氧化物层中的氧的浓度可以从金属氧化物层的下部到上部逐渐增大。
屏蔽层可以处于浮置状态。
所述多条数据线之中的位于屏蔽层的下部处的第一数据线和所述多条数据线之中的位于屏蔽层的上部处的第二数据线可以沿第一方向交替布置。
显示设备还可以包括处于第一数据线与第二数据线之间并且分别位于屏蔽层的下部和上部处的第一绝缘层和第二绝缘层。
所述多个像素中的每个可以包括有机发光二极管(OLED)(包括像素电极)以及用于驱动OLED的电路单元，并且电路单元可以包括具有电连接到像素电极的漏电极的薄膜晶体管(TFT)，并且第一数据线可以与漏电极位于同一层上，并且有机绝缘层可以位于第二数据线上，并且像素电极可以位于有机绝缘层上。
像素电极可以经由处于有机绝缘层、第二绝缘层、屏蔽层和第一绝缘层中的接触孔电连接到漏电极，并且第二绝缘层可以在接触孔的内侧表面处覆盖屏蔽层的侧表面和第一绝缘层的侧表面。
第二数据线的宽度可以比第一数据线的宽度大。
附图说明
通过结合附图对示例性实施例的以下描述，这些和/或其他方面将变得明显且更容易理解，在附图中：
图1是示意性地示出根据示例性实施例的显示设备的平面图；
图2是图1的显示设备的像素的示例性等效电路图；
图3是示意性地示出在图1的显示设备的像素中布置的薄膜晶体管(“TFT”)和电容器的示例性位置的布置图；
图4至图8是按照层示意性地示出图3的诸如多个TFT和电容器的组件的布置图；
图9是示意性地示出图1的显示设备的一部分的剖视图；
图10是示意性地示出图9的屏蔽层的示例的剖视图；
图11是示意性地示出图9的屏蔽层的另一示例的剖视图；以及
图12是示意性地示出制造图1的显示设备的方法的剖视图。
具体实施方式
现在将详细地参照示例性实施例，其示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。在这方面，本示例性实施例可以具有不同的形式，并且不应该解释为限于在这里所阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述示例性实施例，以解释本说明书的各方面。如在这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一种或更多种的任何组合和所有组合。
由于本公开允许各种改变和许多示例性实施例，因此具体的示例性实施例将在附图中示出并且在书面描述中进行详细描述。通过参照稍后将参照附图详细描述的示例性实施例，本公开的效果和特征以及实现它们的方式将变得明显。然而，发明不限于下面的示例性实施例，而是可以以各种形式实现。
将理解的是，虽然在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些组件仅用于区分一个组件与另一组件。
如在这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
还将理解的是，在这里使用的术语“包括”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他的特征或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上/下”时，该层、区域或组件可以直接地或间接地设置在所述另一层、区域或组件上/下。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了便于解释，可以夸大附图中元件的尺寸。换言之，因为附图中的组件的尺寸和厚度是为了便于解释而任意地示出的，所以发明不限于此。
当可以不同地实施某示例性实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。
在下文中，将参照附图在下面更详细地描述本公开的示例性实施例。相同的附图标记用于相同或相对应的组件，并且将省略其详细的描述。
图1是示意性地示出根据示例性实施例的显示设备的平面图。
参照图1，根据示例性实施例的显示设备10可以包括像素单元11、数据驱动单元13、扫描驱动单元15以及控制器17。
像素单元11可以包括多条扫描线SL1至SLn、多条数据线DL11至DL2m、多条发射控制线EL1至ELn以及多个像素PX。多个像素PX中的每个可以包括发光器件和用于驱动发光器件的电路单元。在示例性实施例中，发光器件可以是有机发光器件，电路单元可以包括多个晶体管和一个电容器。
多条扫描线SL1至SLn可以按行布置。例如，扫描线SL1至SLn可以连接到扫描驱动单元15，并且可以将由扫描驱动单元15产生的扫描信号传输到像素PX。
扫描驱动单元15响应于控制器17的控制信号而产生扫描信号，并且将扫描信号供应到扫描线SL1至SLn。此外，扫描驱动单元15可以连接到多条发射控制线EL1至ELn，可以响应于控制器17的控制信号而产生发射控制信号，并且可以将发射控制信号供应到发射控制线EL1至ELn。多条发射控制线EL1至ELn中的每条将发射控制信号传输到像素单元11。在另一示例性实施例中，发射控制信号可以通过单独的发射控制驱动单元而产生，并且也可以施加到像素单元11。驱动电压ELVDD和共电压ELVSS被施加到像素单元11的每个像素PX。共电压ELVSS可以是比驱动电压ELVDD低的电压。
多条数据线DL11至DL2m按列布置，例如，并且将数据信号传输到像素PX。每个像素PX可以位于其中多条扫描线SL1至SLn和多条数据线DL11至DL2m彼此相交的部分中。
数据驱动单元13连接到多条数据线DL11至DL2m。数据驱动单元13响应于控制器17的控制信号而将视频信号转换成具有电压或电流的形式的数据信号。数据驱动单元13将数据信号施加到多条数据线DL11至DL2m。
控制器17响应于从外部供应的同步信号而产生多个控制信号。控制器17将用于控制数据驱动单元13的控制信号输出到数据驱动单元13，并且将用于控制扫描驱动单元15的控制信号输出到扫描驱动单元15。
随着显示设备10的分辨率增大，像素PX的数量增多，因此像素单元11中的每个像素PX的尺寸减小。因此，用于向像素施加电信号的扫描线SL1至SLn、数据线DL11至DL2m和发射控制线EL1至ELn的数量增多。结果，它们之间的距离减小。具体地，由于多条数据线DL11至DL2m之间的距离(例如，两条相邻的数据线之间的距离)减小，在多条数据线DL11至DL2m之间发生电干扰(例如，在两条相邻的数据线之间发生电干扰)，并且由于串扰，会将非预期的数据信号施加到像素PX(例如，接收失真数据信号的像素PX)。然而，如稍后将描述的，根据示例性实施例，数据线DL11至DL2m之中的两条相邻的数据线可以处于不同的高度，并且用于切断电信号的传输的屏蔽层位于两条相邻的数据线之间，使得可以有效地防止在两条相邻的数据线之间发生干扰。稍后将参照图3至图11对此进行描述。
图2是图1的显示设备10的像素的示例性等效电路图。
如图2中所示，一个像素PX可以包括多个TFT(例如，驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6和旁路TFT T7)、一个电容器Cst以及一个有机发光二极管(“OLED”)。将理解的是，驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6和旁路TFT T7或者电容器Cst可以是像素PX的像素电路中的组件。电路单元电连接到多条信号线，例如，扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123、初始化电压线124、数据线171以及电源线172和178。
扫描线121可以传输扫描信号Sn，前一扫描线122可以将前一扫描信号Sn-1传输到初始化TFT T4和旁路TFT T7。发射控制线123可以将发射控制信号En传输到操作控制TFTT5和发射控制TFT T6。与扫描线121相交的数据线171可以传输数据信号Dm。初始化电压线124可以将初始化电压Vint传输到驱动TFT T1以使驱动TFT T1初始化。
驱动TFT T1根据开关TFT T2的开关操作而接收数据信号Dm，并且向OLED供应驱动电流IOLED。驱动TFT T1的栅电极G1连接到电容器Cst的下电极Cst1，驱动TFT T1的源电极S1经由操作控制TFT T5连接到电源线172，驱动TFT T1的漏电极D1经由发射控制TFT T6电连接到OLED的像素电极。
开关TFT T2的栅电极G2连接到扫描线121，开关TFT T2的源电极S2连接到数据线171。开关TFT T2的漏电极D2连接到驱动TFT T1的源电极S1，并且经由操作控制TFT T5连接到电源线172。开关TFT T2根据通过扫描线121传输的扫描信号Sn而导通，并且执行将经由数据线171传输的数据信号Dm传输到驱动TFT T1的源电极S1的开关操作。
补偿TFT T3的栅电极G3连接到扫描线121，补偿TFT T3的源电极S3连接到驱动TFTT1的漏电极D1，并且经由发射控制TFT T6连接到OLED的像素电极。补偿TFT T3的漏电极D3连接到电容器Cst的下电极Cst1、初始化TFT T4的漏电极D4以及驱动TFT T1的栅电极G1。补偿TFT T3根据通过扫描线121传输的扫描信号Sn而导通，并且使驱动TFT T1的栅电极G1和漏电极D1彼此电连接以使驱动TFT T1二极管连接。
初始化TFT T4的栅电极G4连接到前一扫描线122，初始化TFT T4的源电极S4连接到旁路TFT T7的漏电极D7和初始化电压线124。初始化TFT T4的漏电极D4连接到电容器Cst的下电极Cst1、补偿TFT T3的漏电极D3以及驱动TFT T1的栅电极G1。初始化TFT T4根据通过前一扫描线122传输的前一扫描信号Sn-1而导通，将初始化电压Vint传输到驱动TFT T1的栅电极G1，以执行用于使驱动TFT T1的栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
操作控制TFT T5的栅电极G5连接到发射控制线123，操作控制TFT T5的源电极S5连接到电源线172，操作控制TFT T5的漏电极D5连接到驱动TFT T1的源电极S1和开关TFTT2的漏电极D2。
发射控制TFT T6的栅电极G6连接到发射控制线123，发射控制TFT T6的源电极S6连接到驱动TFT T1的漏电极D1和补偿TFT T3的源电极S3。发射控制TFT T6的漏电极D6电连接到旁路TFT T7的源电极S7和OLED的像素电极。操作控制TFT T5和发射控制TFT T6根据通过发射控制线123传输的发射控制信号En而同时导通。驱动电压ELVDD被传输到OLED，使得当操作控制TFT T5和发射控制TFT T6同时导通时，驱动电流IOLED可以流经OLED。
旁路TFT T7的栅电极G7连接到前一扫描线122，旁路TFT T7的源电极S7连接到发射控制TFT T6的漏电极D6和OLED的像素电极，旁路TFT T7的漏电极D7连接到初始化TFT T4的源电极S4和初始化电压线124。旁路TFT T7的栅电极G7接收经由前一扫描线122传输的前一扫描信号Sn-1。当从前一扫描线122施加旁路TFT T7可以被截止的预定电平处的电压的电信号时，旁路TFT T7被截止，使得驱动电流Id的一部分(即，旁路电流Ibp)可以通过旁路TFT T7逸出。
如果OLED即使在用于显示黑色图像的驱动TFT T1的最小电流作为驱动电流流动时也发光，则没有正确地显示黑色图像。这里，驱动TFT T1的最小电流是指在驱动TFT T1的栅-源电压VGS小于阈值电压Vth并且驱动TFT T1截止的条件下的电流。因此，为了防止OLED在最小电流作为驱动电流流动时发光，旁路TFT T7可以将从驱动TFT T1流动的电流Id的一部分(即，旁路电流Ibp)分散到除了朝向OLED的电流路径之外的不同的电流路径。通过该特征，在驱动TFT T1截止的条件下，比最小的驱动电流小的电流(例如，等于或小于10微微安(pA)的电流)被传输到OLED，因此OLED不发光，或者发射程度被最小化，因此可以实现黑色图像。
在图2中，初始化TFT T4和旁路TFT T7连接到前一扫描线122。然而，发明不限于此。在另一示例性实施例中，初始化TFT T4连接到前一扫描线122，并且根据前一扫描信号Sn-1而被驱动，旁路TFT T7可以连接到单独的布线，并且可以根据传输到该布线的信号而被驱动。
电容器Cst的上电极Cst2连接到电源线172，OLED的对电极连接到共电压ELVSS。因此，OLED可以通过从驱动TFT T1接收驱动电流IOLED来发光。
在图2中，补偿TFT T3和初始化TFT T4具有一个双栅电极。然而，发明不限于此。在另一示例性实施例中，例如，补偿TFT T3和初始化TFT T4可以具有一个栅电极。此外，各种修改是可以的。在另一示例性实施例中，除了补偿TFT T3和初始化TFT T4之外，TFT T1、T2、T5、T6和T7中的至少一个可以具有一个双栅电极。
在下文中，将参照图3至图9描述图1的显示设备10的详细的结构。
图3示出了两个相邻的像素PX1和PX2的TFT和电容器的示例性位置，图4至图8按照层示出了在两个像素PX1和PX2中的诸如TFT和电容器的组件。在下文中，在第一像素PX1和第二像素PX2的部分具有相同的形状的情况下，将不单独地描述该部分。
此外，图9是示意性地示出图1的显示设备10的一部分的剖视图，其中，为了方便，两个像素PX1和PX2的几个部分的剖面被示出为彼此连接。也就是说，图9中示出的部分不必彼此相邻。例如，不同于图9，其中示出第一像素PX1的发射控制TFT T6和OLED 190a的部分、其中示出电容器Cst的部分以及其中示出第一数据线171n的部分可以不彼此相邻。当然，它们的相对位置不必是图9中示出的顺序。也就是说，在另一示例性实施例中，第一数据线171n可以设置在除了其中示出第一像素PX1中的发射控制TFT T6和OLED 190a的部分与其中示出电容器Cst的部分之间以外的部分中。
如图9中所示，显示设备10包括基底110。基底110可以包括各种材料，诸如玻璃材料、金属材料或塑料材料。包括第一像素PX1和第二像素PX2的多个像素PX可以设置在基底110上。缓冲层111可以位于基底110上。缓冲层111可以使基底110的表面平坦化，或者可以防止杂质渗入到缓冲层111上的半导体层中。在示例性实施例中，缓冲层111可以具有包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料的单层/多层结构。
半导体层可以位于缓冲层111上。如图4中所示，半导体层可以具有各种不均匀的形状，第一像素PX1和第二像素PX2可以包括具有相同形状的半导体层。在下文中，在第一像素PX1和第二像素PX2的层具有相同的形状的情况下，将不单独地描述这些层。
半导体层可以包括与驱动TFT T1对应的驱动沟道区131a、与开关TFT T2对应的开关沟道区131b、与补偿TFT T3对应的补偿沟道区131c1、131c2和131c3、与初始化TFT T4对应的初始化沟道区131d1、131d2和131d3、与操作控制TFT T5对应的操作控制沟道区131e、与发射控制TFT T6对应的发射控制沟道区131f以及与旁路TFT T7对应的旁路沟道区131g(见图4)。也就是说，将理解的是，驱动沟道区131a、开关沟道区131b、补偿沟道区131c1、131c2和131c3、初始化沟道区131d1、131d2和131d3、操作控制沟道区131e、发射控制沟道区131f以及旁路沟道区131g可以是图4中示出的半导体层的部分区域。
半导体层可以包括多晶硅。半导体层可以包括例如上述其中未掺杂杂质的沟道区以及其中在沟道区的两侧掺杂杂质的源区和漏区。这里，杂质可以根据TFT的类型变化，并且可以包括N型杂质或P型杂质。沟道区、在沟道区的一侧处的源区以及在沟道区的另一侧处的漏区可以被称为有源层。也就是说，将理解的是，TFT具有有源层，并且有源层包括沟道区、源区和漏区。
根据情况，掺杂的源区和漏区可以被分别解释为TFT的源电极和漏电极。也就是说，例如，驱动源电极可以与图4中示出的半导体层中的驱动沟道区131a附近的其中掺杂有杂质的驱动源区176a对应，驱动漏电极可以与图4中示出的半导体层中的驱动沟道区131a附近的其中掺杂有杂质的驱动漏区177a对应。
在示例性实施例中，包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料的第一栅极绝缘层141可以位于半导体层的上部处(见图9)。
诸如栅电极125f和下电极125a的导电层位于第一栅极绝缘层141上。当然，各种导电层可以位于第一栅极绝缘层141上。位于第一栅极绝缘层141上的包括栅电极125f和下电极125a的各种导电层可以被称为第一栅极布线。如图5中所示，第一栅极布线可以包括扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和下电极125a。
如图5中所示，将理解的是，开关栅电极125b与补偿栅电极125c1和125c2可以是扫描线121的部分或者可以是从扫描线121突出的部分，初始化栅电极125d1和125d2以及旁路栅电极125g可以是前一扫描线122的部分或者可以是从前一扫描线122突出的部分，操作控制栅电极125e和栅电极125f可以是发射控制线123的部分或者可以是从发射控制线123突出的部分。扫描线121、前一扫描线122和发射控制线123与半导体层相交。
第二栅极绝缘层142可以覆盖第一栅极布线。在示例性实施例中，第二栅极绝缘层142可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。
电容器Cst的上电极127可以位于第二栅极绝缘层142上。当然，如图6中所示，初始化电压线124可以位于第二栅极绝缘层142上，即，与上电极127位于同一层上。位于第二栅极绝缘层142上的各种导电层可以被称为第二栅极布线。
如图6中所示，开口27可以被限定在上电极127中。下电极125a和补偿TFT T3的补偿漏区177c可以通过连接构件174彼此电连接。连接构件174可以穿过开口27，稍后将描述该种情况。
层间绝缘层143位于第二栅极布线上(见图9)。在示例性实施例中，层间绝缘层143可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。
经由限定在第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142中的接触孔而连接到半导体层的漏电极175可以位于层间绝缘层143上。这里，漏电极175可以被称为中间连接层。作为中间连接层的漏电极175可以经由接触孔163连接到漏区177f。当然，除了包括漏电极175之外，包括源电极的各种导电层可以位于层间绝缘层143上。在示例性实施例中，例如，如图7中所示，电源线172、初始化连接线173以及连接构件174可以设置在层间绝缘层143上。
电源线172可以经由限定在层间绝缘层143中的接触孔168而连接到上电极127，并且可以经由限定在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143中的接触孔165和169而连接到下半导体层(见图3)。
初始化连接线173的一端可以经由限定在第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143中的接触孔161而连接到初始化电压线124，并且初始化连接线173的另一端可以经由限定在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143中的接触孔162而连接到初始化源区176d(见图3)。初始化漏区177d是半导体层的其中掺杂有杂质的部分，并且是相对于初始化沟道区131d与初始化源区176d相对的侧部(见图4)。
连接构件174的一端经由限定在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143中的接触孔166连接到补偿漏区177c和初始化漏区177d，并且连接构件174的另一端经由限定在第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143中的接触孔167连接到下电极125a。在这种情况下，连接构件174的另一端经由限定在上电极127中的开口27连接到下电极125a(见图3)。
第一像素PX1包括直接位于层间绝缘层143上的第一数据线171n。第一数据线171n可以经由限定在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143中的接触孔164连接到开关源区176b。另一方面，第二像素PX2的第二数据线171n+1不直接设置在层间绝缘层143上(见图9)。
如图9中所示，第一绝缘层151、屏蔽层152和第二绝缘层153顺序地位于漏电极175和第一数据线171n上，并且第二像素PX2的第二数据线171n+1位于第二绝缘层153上。也就是说，第一像素PX1的第一数据线171n和第二像素PX2的第二数据线171n+1在不同的高度处。第二数据线171n+1可以经由限定在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142、层间绝缘层143、第一绝缘层151、屏蔽层152和第二绝缘层153中的接触孔164连接到第二像素PX2的开关源区176b。在这种情况下，即使未在图9中示出，第二绝缘层153也被设置为覆盖接触孔164的内侧表面并防止屏蔽层152中包括的金属层的侧面被暴露，从而可以防止第二数据线171n+1电连接到屏蔽层152中包括的金属层。
在示例性实施例中，第一绝缘层151和第二绝缘层153可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。屏蔽层152包括金属层，从而可以有效地防止在第一数据线171n和第二数据线171n+1之间发生干扰。
如以上所述，随着显示设备10的分辨率增大，用于向第一像素PX1和第二像素PX2施加数据信号的第一数据线171n和第二数据线171n+1之间的距离减小。因此，在第一数据线171n和第二数据线171n+1之间可能发生电干扰的可能性增加。在这种情况下，如果第一数据线171n和第二数据线171n+1分别位于屏蔽层152的相对侧处(例如，一条数据线在屏蔽层152上，并且另一条数据线在屏蔽层152下)，那么由于屏蔽层152中包括的金属层而可以防止第一数据线171n和第二数据线171n+1中的一条受到施加到第一数据线171n和第二数据线171n+1中的另一条的数据信号的干扰。另外，由于第一数据线171n和第二数据线171n+1位于不同的层上，所以第一数据线171n的宽度W1和第二数据线171n+1的宽度W2可以增大。因此，可以减小第一数据线171n和第二数据线171n+1的电阻。因此，因为可以在实现高分辨率的同时减小RC延迟，所以显示设备10可以提供高质量图像。在可选的示例性实施例中，因为与位于屏蔽层152上的第二数据线171n+1位于同一层中的组件的数量比与第一数据线171n位于同一层中的组件的数量小，所以第二数据线171n+1的宽度W2可以比第一数据线171n的宽度W1大。
图9仅示出了两个像素PX1和PX2，并且示出了第一像素PX1的第一数据线171n和第二像素PX2的第二数据线171n+1在不同的高度处的情况。然而，这应该被解释为，在多个像素之中的两个相邻的像素中包括的数据线在不同的高度处。也就是说，与第二像素PX2相邻的第三像素中包括的第三数据线可以与第一数据线171n一样直接位于层间绝缘层143上，因此可以位于与第二数据线171n+1的高度不同的高度处。也就是说，即使在第一方向(x方向)上的相邻的两条数据线具有不同的高度，位于同一高度处的数据线也可以在第一方向(x方向)上交替地布置。
返回参照图9，第一有机绝缘层154位于发射控制TFT T6的上部处。第一有机绝缘层154包括有机材料，并且不管位于发射控制TFT T6的下部处的结构的顶表面的形状如何，第一有机绝缘层154的顶表面可以具有近似地平坦的形状。因此，第一有机绝缘层154也可以被称为平坦化层。在示例性实施例中，第一有机绝缘层154可以包括有机材料，诸如压克力(acryl)、苯并环丁烯(“BCB”)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)。
像素电极191(例如，第一像素PX1的像素电极191a和第二像素PX2的像素电极191b)可以位于第一有机绝缘层154上，并且可以连接到第一有机绝缘层154下方的漏电极175。详细地，像素电极191和漏电极175可以经由限定在第一有机绝缘层154、第一绝缘层151、屏蔽层152和第二绝缘层153中的接触孔连接到彼此。在这种情况下，因为屏蔽层152包括金属层，所以为了防止暴露于接触孔的侧面的金属层与像素电极191之间的短路，第二绝缘层153设置为在接触孔的内侧表面处覆盖屏蔽层152的侧面和第一绝缘层151的侧面。因此，可以防止像素电极191经由金属层电连接到诸如第二数据线171n+1的另一组件。
像素电极191可以是(半)透明电极或反射电极。在像素电极191是(半)透明电极的情况下，例如，像素电极191可以包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。在像素电极191是反射电极的情况下，例如，像素电极191可以具有包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物的反射层和由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO形成的层。当然，发明不限于此。可以进行各种修改，例如像素电极191可以包括除上述材料之外的各种材料，并且可以具有单层或多层结构。
作为包括有机材料的像素限定层的第二有机绝缘层192可以位于第一有机绝缘层154的上部处。第二有机绝缘层192限定与子像素对应的开口，即，通过其暴露像素电极191的至少中心的开口，从而第二有机绝缘层192限定像素。此外，第二有机绝缘层192增大了像素电极191的边缘与在像素电极191的上部处的对电极195的边缘之间的竖直距离，从而可以防止在像素电极191的边缘中出现电弧。在示例性实施例中，第二有机绝缘层192可以包括例如聚酰亚胺的有机材料。
OLED 190的中间层193(例如，第一像素PX1的中间层193a和第二像素PX2的中间层193b)可以包括小分子量材料或聚合物材料。在中间层193包括小分子量材料的情况下，中间层193可以具有其中空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、发射层(“EML”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)以单层或多层结构堆叠的结构。在中间层193包括聚合物材料的情况下，中间层193可以包括HTL和EML。当然，根据发明的中间层193不限于此。当然，根据发明的中间层193不限于此，而是可以具有各种结构。
对电极195(例如，第一像素PX1的对电极195a和第二像素PX2的对电极195b)可以位于显示区域的上部处以覆盖显示区域。这里，显示区域是指在显示装置中显示图像的区域。也就是说，对电极195可以在多个OLED 190(例如，第一像素PX1的OLED 190a和第二像素PX2的OLED 190b)中被公共地设置为一体，并且可以与多个像素电极191对应。对电极195可以是(半)透明电极或者反射电极。在对电极195是(半)透明电极的情况下，例如，对电极195可以具有包括具有小功函数的金属(即，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和它们的化合物)的层以及诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的(半)透明导电层。在对电极195是反射电极的情况下，例如，对电极195可以具有包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和它们的化合物的层。当然，根据发明的对电极195的构造和材料不限于此，而是可以进行各种修改。
图10和图11示出了图9的屏蔽层的示例，图12是示意性地示出制造图1的显示设备10的方法的剖视图，其示出了示意性地形成屏蔽层的方法。
首先，参照图10，屏蔽层152可以具有金属层152a和金属氧化物层152b的堆叠结构。在这种情况下，金属氧化物层152b位于金属层152a上。也就是说，根据示例性实施例，提供了第一绝缘层151、金属层152a、金属氧化物层152b和第二绝缘层153的堆叠顺序。
如上所述，金属层152a可以防止分别布置在屏蔽层152的上侧和下侧处的两条数据线之间的串扰。金属层152a可以处于浮置状态。
如果金属层152a阻挡电磁波，则根据发明的金属层152a的类型不受限制。在示例性实施例中，金属层152a可以包括铁(Fe)、Cu、Cr、Mn、Ni、Ti、Mo、Al或W。然而，为了防止数据线之间的串扰，金属层152a的厚度T1可以是
Figure BDA0002244176780000141
或更大。
金属层152a可以被设置为一体以与多个像素PX对应。因此，为了防止布置在金属层152a上的诸如像素电极的组件由于金属层152a而短路，在金属层152a上设置第二绝缘层153。可以通过化学气相沉积(“CVD”)形成第二绝缘层153。当通过CVD形成第二绝缘层153时，由于暴露在沉积工艺中的金属层152a，导致会出现电弧。因此，在第二绝缘层153中会出现诸如裂纹的损坏。为了防止该问题，可以在金属层152a上进一步设置金属氧化物层152b。金属氧化物层152b可以防止金属层152a在形成金属层152a的工艺之后被暴露，从而可以防止上述的电弧的问题。
金属氧化物层152b可以包括金属层152a中包括的金属材料的氧化物。此外，金属氧化物层152b可以在形成金属层152a时与金属层152a连续地形成。
在另一示例中，图12示出了利用溅射示意性地形成金属层152a的方法。首先，图12的溅射装置200可以包括腔室201、位于腔室201中并且基底S安放在其上的台203以及用于在基底S上形成薄层的溅射部分220。
腔室201的内部可以保持在真空状态下，并且可以通过溅射部分220的溅射在安放于台203上的基底S上形成屏蔽层152。
在示例中，溅射部分220可以包括彼此面对的第一靶部分221和第二靶部分222。一对靶232和234被安装在第一靶部分221和第二靶部分222上以彼此面对，并且该对靶232和234、第一靶部分221和第二靶部分222经由电源线电连接到诸如直流(“DC”)电源的电源单元(未示出)。诸如氩(Ar)气体的惰性气体可以经由管道240被供应在第一靶部分221和第二靶部分222之间。
当在该对靶232和234之间以及在第一靶部分221和第二靶部分222之间供应电力时，在该对靶232和234之间的空间中发生放电，并且由放电产生的电子与Ar气体碰撞，使得Ar气体被电离，因此可以产生等离子体。Ar离子与包括用于形成金属层152a的材料的该对靶232和234碰撞。因此，用于形成金属层152a的材料的原子或分子从该对靶232和234喷射出，并且沉积在基底S上，从而可以形成金属层152a。
当金属层152a被形成为预定的厚度或者更大时，经由管道250将氧(O2)注入到腔室201中，使得可以在金属层152a上形成金属氧化物层152b，如图10中所示。
金属氧化物层152b可以具有
Figure BDA0002244176780000151
或更大的厚度T2。因此，当在屏蔽层152上形成第二绝缘层153时，由于金属氧化物层152b而可以有效地防止出现电弧。
当通过将氧(O2)注入到腔室201中来形成金属氧化物层152b时，如上所述，注入的氧(O2)的含量逐渐增大，使得金属氧化物层152b中的氧的浓度可以从金属氧化物层152b的下部到上部逐渐增大，如图11中所示。
金属氧化物层152b是在形成金属层152a的同时通过注入氧(O2)而形成的层，未氧化的金属材料可以被包括在金属氧化物层152b中，并且这可以用作电流可以在其上流动的路径。因此，当形成金属氧化物层152b时，注入的氧(O2)的浓度逐渐增大，使得未氧化的金属材料可以不包括在金属氧化物层152b的上部中。因此，可以在随后的工艺中更有效地防止由于金属层152a而出现电弧。
如上所述，在根据一个或更多个示例性实施例的显示设备中，由于用于向像素施加电信号的布线之中的两条相邻的布线在不同的高度处，并且屏蔽层位于这两条相邻的布线之间，所以可以防止在布线之间发生干扰现象。此外，因为可以增大布线的宽度，所以减小了布线的电阻，因此可以实现高分辨率并且由于RC延迟的减小而可以提供高质量的图像。当然，发明不受这些效果的限制。
应该理解的是，在这里描述的示例性实施例应该仅从描述性的意义上考虑，并不是出于限制的目的。每个示例性实施例中的特征或方面的描述应该被认为可用于其他的示例性实施例中的其他类似特征或方面。
尽管已经参照附图描述了一个或更多个示例性实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以在此做出形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底；
第一像素，位于所述基底上；
第一数据线，向所述第一像素施加第一数据信号；
第二像素，位于所述基底上，并且与所述第一像素相邻；
第二数据线，向所述第二像素施加第二数据信号；以及
屏蔽层，处于所述第一数据线与所述第二数据线之间，所述屏蔽层包括金属层，
其中，所述第一数据线和所述第二数据线彼此平行并且设置在不同的高度处。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述屏蔽层还包括处于所述金属层上的金属氧化物层。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述金属氧化物层中的金属氧化物是所述金属层中的金属的氧化物。
4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述金属氧化物层中的氧的浓度从所述金属氧化物层的下部到上部逐渐增大。
5.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括处于所述第一数据线与所述第二数据线之间并且分别设置在所述屏蔽层的下部和上部处的第一绝缘层和第二绝缘层。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述第一像素和所述第二像素中的每个包括有机发光二极管以及用于驱动所述有机发光二极管的电路单元，所述有机发光二极管包括像素电极，并且
所述电路单元包括具有电连接到所述像素电极的漏电极的薄膜晶体管，
所述第一数据线与所述漏电极处于同一层上，并且
有机绝缘层位于所述第二数据线与所述像素电极之间。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述像素电极经由处于所述有机绝缘层、所述第二绝缘层、所述屏蔽层和所述第一绝缘层中的接触孔电连接到所述漏电极，并且所述第二绝缘层在所述接触孔的内侧表面处覆盖所述屏蔽层的侧表面和所述第一绝缘层的侧表面。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述屏蔽层被公共地设置为一体，以与所述第一像素和所述第二像素对应。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述屏蔽层处于浮置状态。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，位于所述屏蔽层上的所述第二数据线的宽度比位于所述屏蔽层下的所述第一数据线的宽度大。
11.一种显示设备，所述显示设备包括：
像素单元，包括多个像素以及向所述多个像素施加数据信号并且被布置为彼此平行的多条数据线；
数据驱动单元，产生所述数据信号，并且连接到所述多条数据线；以及
屏蔽层，阻挡所述多条数据线之中的两条相邻的数据线之间的信号干扰，位于所述两条相邻的数据线之间，并且被公共地设置为一体以与所述多个像素对应，
其中，所述两条相邻的数据线处于不同的高度。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述屏蔽层包括金属层和位于所述金属层上的金属氧化物层。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述金属氧化物层中的金属氧化物是所述金属层中的金属的氧化物。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述金属氧化物层中的氧的浓度从所述金属氧化物层的下部到上部逐渐增大。
15.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述屏蔽层处于浮置状态。
16.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述多条数据线之中的位于所述屏蔽层的下部处的第一数据线和所述多条数据线之中的位于所述屏蔽层的上部处的第二数据线沿第一方向交替布置。
17.根据权利要求16所述的显示设备，所述显示设备还包括处于所述第一数据线与所述第二数据线之间并且分别位于所述屏蔽层的所述下部和所述上部处的第一绝缘层和第二绝缘层。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述多个像素中的每个包括有机发光二极管以及用于驱动所述有机发光二极管的电路单元，所述有机发光二极管包括像素电极，并且
所述电路单元包括具有电连接到所述像素电极的漏电极的薄膜晶体管，并且
所述第一数据线与所述漏电极位于同一层上，并且
有机绝缘层位于所述第二数据线上，并且
所述像素电极位于所述有机绝缘层上。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述像素电极经由处于所述有机绝缘层、所述第二绝缘层、所述屏蔽层和所述第一绝缘层中的接触孔电连接到所述漏电极，并且所述第二绝缘层在所述接触孔的内侧表面处覆盖所述屏蔽层的侧表面和所述第一绝缘层的侧表面。
20.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述第二数据线的宽度比所述第一数据线的宽度大。
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