CN111113269A

CN111113269A - 调节装置及调节用于化学机械研磨的研磨垫的方法

Info

Publication number: CN111113269A
Application number: CN201911051685.1A
Authority: CN
Inventors: 黄君席
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2018-10-31
Filing date: 2019-10-31
Publication date: 2020-05-08
Also published as: TWI737027B; TW202023754A; US20200130139A1

Abstract

一种用于调节在化学机械研磨中使用的研磨垫的调节装置，包括具有开口的基座及可移除地附接至基座的调节盘。调节盘包括：调节部分，安置在基座的第一表面上；以及配合部分，可移除地配合至基座的开口中或穿过基座的开口。配合部分穿过开口配合至基座或在开口中配合至基座，以防止调节盘在调节用于化学机械研磨制程的研磨垫的制程期间自基座脱落。

Description

调节装置及调节用于化学机械研磨的研磨垫的方法

技术领域

本揭露是关于用于调节在化学机械研磨中使用的研磨垫的调节装置及其调节方法。

背景技术

集成电路(integrated circuit；IC)中的关键特征的尺寸已在不断减小，并且执行高解析度微影制程的需求亦在增长。因此，用于微影的辐射的焦点深度亦已减小。需要控制原子级的晶圆平坦化的精度。举例而言，对于28nm、22nm、16nm及10nm技术的典型景深需求接近埃级。当然，这些仅为实例且不欲为限制性。

在晶圆制造期间，最常使用化学机械研磨(Chemical mechanical polishing；CMP)来在微影制程开始时提供原子级平坦表面。另外，随着微影的发展及微影复杂性的增加，CMP的其他应用领域得到了发展。例如，最近，使用CMP以通过研磨诸如铝、铜及钨等的金属层来平坦化浅沟槽。

典型CMP工具包括由面朝上的垫覆盖的旋转平台。将待研磨的晶圆置放在载体上，其中待研磨的表面朝下。在垫上安置化学研磨浆且晶圆(亦即，待研磨的表面)与垫接触。通常在相对方向上旋转平板及载体，同时额外使载体振荡。垫与晶圆表面之间的相对运动导致晶圆表面的研磨。垫通常由多孔聚合物材料制成，此多孔聚合物材料的孔径处于约30-50μm的范围内。在CMP制程期间，垫受到磨耗且需要定期进行调节。

发明内容

根据本揭露的一个态样，用于调节在化学机械研磨中使用的研磨垫的调节装置包括具有开口的基座及可移除地附接至基座的调节盘。调节盘包括调节部分及配合部分。在基座的调节表面上安置调节部分。将配合部分配合至基座的开口中或穿过基座的开口。配合部分将防止调节盘在用于化学机械研磨的研磨垫的调节制程期间自基座脱落。

根据本揭露的另一态样，调节用于化学机械研磨的研磨垫的方法包括识别调节装置需要更换的部分。调节装置包含具有开口的基座，以及可移除地附接至基座的调节盘。调节盘包含：调节部分，安置在基座的第一表面上；以及配合部分，可移除地配合至基座的开口中或穿过基座的开口。配合部分穿过开口配合至基座或在开口中配合至基座，以防止调节盘在调节用于化学机械研磨制程的研磨垫的制程期间自基座脱落。在识别出调节装置需要更换的部分之后，方法自识别出的部分自基座移除一或多个调节盘。随后，方法提供更换调节盘，更换调节盘对应于基座中的一或多个移除调节盘。

根据本揭露的其他态样，用于调节在化学机械研磨中使用的研磨垫的调节装置包括基座、调节盘及更换调节盘。基座具有开口，以及调节盘可移除地附接至基座。调节盘包括调节部分及配合部分。在基座的调节表面上安置调节部分。将配合部分配合至基座的开口中或穿过基座的开口。配合部分将防止调节盘在用于化学机械研磨的研磨垫的调节制程期间自基座脱落。

附图说明

当结合随附附图阅读时，将自下文的详细描述最佳地理解本揭露。要强调的是，根据工业中的标准实务，并未按比例绘制各特征，且各特征仅用于说明目的。事实上，为了论述清楚，可任意增加或减小各特征的尺寸。

图1是根据本揭露的一些实施例构造的用于化学机械研磨(CMP)的设备的示意图；

图2示意性显示根据一实施例构造的用于化学机械研磨(CMP)的设备的横截面视图；

图3A示意性显示用于垫调节的典型调节装置的横截面；

图3B显示在运输期间用于垫调节的典型条件装置的影像；

图3C示意性显示用于垫调节的典型调节装置的上视图；

图4是根据本揭露的一些实施例构造的用于调节在化学机械研磨中使用的研磨垫的调节装置的示意图；

图5A是根据本揭露的一实施例的具有多个开口的调节装置的示意图；

图5B是根据一实施例的具有成形开口的调节装置的示意图；

图6A及图6B是根据本揭露的一些实施例的具有紧固件的调节装置的示意图；

图6C及图6D是根据一些实施例的具有搭扣配合机构的调节装置的示意图；

图7A及图7B是根据一些实施例的具有磁体的调节装置的示意图；

图7C是具有磁性部分处于基座的平坦表面上的调节装置的示意图；

图8是具有接收部分安置在调节盘上的调节装置的示意图；

图9A是具有可更换调节盘及可重复使用基座组件的调节装置的示意图；

图9B示意性显示根据本揭露的各实施例的储存期间调节装置的堆叠；

图10显示根据本揭露的一实施例的调节用于化学机械研磨的研磨垫的方法的流程图。

【符号说明】

90 晶圆

100 设备

105 腔室

110 平台

112 研磨垫

120 研磨头组件

122 头部

124 载体

126 侧向

130 研磨浆供应系统

132 导管

134 研磨浆

140 垫调节器

141 调节臂

142 调节头

144 接合粘着剂

200 调节装置

210 基座

211 调节表面

212 盘开口

214 开口

216 成形开口

217 配合紧固件

218 横截面轮廓

220 调节盘

221 调节膜

222 凹陷部分

224 铁磁性部分

225 调节盘

229 可更换调节盘

230 调节部分

240 配合部分

241 分段配合部分

242 紧固件

243 弹性体

244 接收部分

245 螺纹体

250 搭扣配合部分

252 延伸部分

254 锚定部分(磁性部分)

256 锚定部分

260 磁铁搭扣锁

1000 方法

S1010 操作

S1020 操作

S1030 操作

具体实施方式

以下揭示内容提供许多不同实施例或实例，以便实施所提供的标的的不同特征。下文描述部件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且不欲为限制性。举例而言，在下文的描述中，第一特征形成于第二特征上方或第二特征上可包括以直接接触形成第一特征与第二特征的实施例，且亦可包括可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征可不处于直接接触的实施例。另外，本揭露可在各实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简化与清楚目的，且本身并不指示所论述的各实施例及/或配置之间的关系。

另外，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所图示一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中元件的不同定向。设备/装置可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向上)且因此可类似解读本文所使用的空间相对性描述词。另外，术语“由……制成”可意指“包含”或“由……组成”任一者。

用于研磨薄的平坦半导体晶圆的设备为本领域中所熟知的。此类设备通常包括研磨头，研磨头载有薄膜用于啮合及迫使半导体晶圆抵靠湿研磨表面，诸如研磨垫。旋转垫或研磨头任一者及使晶圆在研磨表面上方振荡。通过压缩空气系统或类似布置将研磨头向下压在研磨表面上。可根据需要调节按压研磨头抵靠研磨表面的向下力。研磨头通常安装在细长枢转承载臂上，细长枢转承载臂可在若干操作位置之间移动压力头。在一个操作位置中，承载臂将安装在压力头上的晶圆定位成与研磨垫接触。为了移除晶圆不再与研磨表面接触，首先向上枢转承载臂以将压力头及晶圆自研磨表面提起。随后横向枢转承载臂以将压力头及由压力头承载的晶圆移动至辅助晶圆处理站。辅助处理站可包括例如用于清洁晶圆及/或研磨头的站；晶圆卸载站；或晶圆装载站。

化学机械研磨(CMP)设备已与气动研磨头结合使用。CMP设备主要用于在晶圆上制造半导体元件期间研磨半导体晶圆的正面或元件侧。在制造制程期间一或更多次地使晶圆“平坦化”或变得平滑，以便使晶圆的顶表面尽可能平坦。通过将晶圆置放在载体上及面朝下按压在研磨垫上来研磨晶圆，研磨垫用去离子水中硅胶或氧化铝的研磨浆覆盖。

本揭露大体上是关于用于监测及控制在半导体制造中使用的化学机械研磨(CMP)制程的方法及设备。通常使用CMP制程平坦化晶圆，CMP制程使用研磨垫及化学研磨浆。研磨浆通常为材料的胶体，此材料充当化学蚀刻剂以便蚀刻晶圆的顶表面处的材料。在安置研磨浆的同时，相对于晶圆旋转研磨垫，以便移除材料及使任何不规则的形貌变得平滑。当平坦化晶圆时，使用研磨垫，并且需要定期调节研磨垫。本文揭示的实施例提供一种用于调节研磨垫的装置。

图1示意性显示根据本揭露的一实施例的用于对晶圆90执行化学机械研磨(CMP)的设备100。在一实施例中，设备100包括封闭平台110(例如，旋转台)、研磨头组件120、化学研磨浆供应系统130及包括调节臂141的垫调节器140的腔室105。

图2示意性显示根据一实施例构造的用于化学机械研磨(CMP)的设备的横截面视图。如图2所示，将平台110连接至马达(未图示)，马达以预定的旋转速度旋转平台110。在一实施例中，用可更换研磨垫112(在本文中可互换地称为“垫”)覆盖平台110。在一些实施例中，研磨垫112为具有凹槽表面的薄聚合物盘，且根据应用可为多孔或实心的。决定研磨垫112的材料及实体特性的因素包括待研磨的材料(亦即，晶圆表面处的材料)，以及研磨之后所需的粗糙度。研磨垫112可在背面上具有压敏粘着剂，使得研磨垫112粘接至平台110。在研磨制程期间，取决于正在研磨的材料类型(亦即，晶圆的顶表面处的材料)，可用适宜润滑剂材料润湿研磨垫112。

在一实施例中，研磨头组件120包括头部122及载体124。头部122固持载体124，载体固持待研磨的晶圆90。在一些实施例中，研磨头组件120包括移动机构(未图示)，以使头部122沿侧向126振荡。在一些实施例中，头部122可包括用于相对于平台110旋转晶圆90的马达。在一些实施例中，以异步非同心图案旋转晶圆90及平台110，以在平台110与晶圆90之间提供不均匀相对运动。相对运动的不均匀性通过避免自同一点重复移除而促进自晶圆表面均匀移除材料。研磨头组件120向晶圆90施加受控向下压力以抵靠平台110固持晶圆90。

研磨浆供应系统130引入适宜材料的化学研磨浆134(在本文中可互换地称为“研磨浆”)以用作研磨垫112与晶圆90之间的研磨介质。在一实施例中，研磨浆134为磨料颗粒的胶体，磨料颗粒与诸如防锈剂及碱的其他化学物质分散在水中以提供碱性pH。在一些实施例中，磨料颗粒具有材料，诸如例如硅石、二氧化铈及氧化铝。在一实施例中，磨料颗粒具有大体上均匀的形状及狭窄的粒度分布，取决于所使用的应用，平均粒度范围自约10nm至约100nm或更大。在一实施例中，研磨浆供应系统130包括储存系统(未明确图示)及导管132，导管用于将研磨浆134输送至平台110顶部的研磨垫112。可基于应用控制研磨浆134的流动速率。

在一实施例中，垫调节器140“调节”研磨垫112以通过研磨垫112在平台110的整个区域上提供均匀的厚度及粗糙度。维持研磨垫112的厚度及粗糙度防止在研磨制程期间晶圆90上非所欲的压力点或翘曲，并且帮助维持晶圆90的均匀厚度。

在调节臂141上安装调节头142，调节臂在研磨垫112的顶部上方延伸，以便跨研磨垫112的整个表面实行扫掠运动。研磨垫112为半导体晶圆制造制程中使用的消耗品。在正常晶圆制造条件下，在使用预定小时之后更换研磨垫。研磨垫112可为不可压缩的硬垫，或为软垫。对于氧化物研磨，通常使用硬的且较坚硬的垫以实现平坦度。在其他研磨制程中通常使用较软的垫以实现改良的均匀性及光滑表面。亦可以堆叠垫的布置组合硬垫及软垫用于定制化应用。

在氧化物平坦化中使用研磨垫时经常遇到的问题为在连续晶圆的情况下氧化物研磨速率的迅速恶化。恶化的原因被称为“垫釉化”，其中研磨垫的表面变得平滑，使得研磨垫无法在纤维之间保持研磨浆。此为研磨垫表面的物理现象，并非由研磨垫与研磨浆之间的任何化学反应引起。为了补救垫釉化效应，已提出许多研磨垫调节或擦洗的技术以重新产生及恢复垫表面，且从而恢复研磨垫的研磨速率。垫调节技术包括使用碳化硅颗粒、金刚石砂纸、刀片或刀刮擦研磨垫表面。调节制程的目标为自研磨垫表面移除研磨碎屑，重新打开孔，且因此在研磨垫的表面中形成微划痕，以改良使用寿命。可在研磨制程期间(亦即，称为同时调节)或研磨制程之后执行研磨垫调节制程。

本文揭示的实施例提供调节装置200，用于调节在CMP制程中使用的研磨垫。本文揭示的调节装置减少了浪费及费用，并且需要较少的储存空间。在图3A至图3B中图示用于垫调节的比较调节盘。

图3A示意性显示用于垫调节的典型调节装置的横截面。尽管垫调节制程改良了研磨垫的一致性及使用寿命，但已知调节盘在重复使用之后常常无法有效地调节垫表面。已知调节装置包括基座210及安置在基座210上的调节盘220。在一些实施例中，用接合粘着剂144将调节盘220粘接至基座210。

图3B及图3C显示比较调节装置的示例性影像。图3B显示在运输期间或在储存中用于垫调节的典型调节装置的影像，且图3C示意性图示典型调节装置的上视图。在这些调节装置的运输期间，关键是封装不得以任何方式损坏。对调节装置及/或金刚石调节膜或调节膜托盘的损坏可导致封装的调节装置内的碎屑，且需要调节装置及调节膜对于调节研磨垫的效果较差。此外，对托盘、膜或托盘/膜密封件的损坏可导致调节能力的丧失，从而导致调节装置的快速更换。

并非一定均匀地损坏调节装置，而是仅损坏了调节装置的一部分或减小了厚度。换言之，在后续调节制程之前更换整个调节装置并非一定。因此，可通过仅更换调节装置需要更换的部分来减少任何不必要的浪费及/或额外费用。然而，图3A所示的调节装置并不允许部分更换，因为调节盘220由于接合粘着剂而无法自基座210移除。本文揭示的实施例仅用于更换该些需要更换的调节盘。

图4是根据本揭露的一些实施例构造的用于调节在化学机械研磨中使用的研磨垫的调节装置200的示意图。调节装置200包括基座210及调节盘220。基座210包括盘开口212，通过及/或穿过盘开口将调节盘220可移除地附接至基座210。调节盘220包括调节部分230及配合部分240。调节部分230用以安置在基座210的调节表面211上。配合部分240用以配合至基座210的盘开口212中或穿过基座210的盘开口212。配合部分240将防止调节盘220在用于化学机械研磨(CMP)的研磨垫的调节制程期间自基座210脱落。在部分实施例中，调节盘220是以合适的金属制成，例如不锈钢。调节盘220包括范围自约1mm至小于约100mm的直径，此取决于(i)基座210的直径，(ii)每一调节部分230的直径，及(iii)附接至基座210的背侧表面或底表面的调节部分230的数目。

调节部分230进一步包括调节膜221，包括诸如例如基座210的调节表面211上的金刚石。举例而非限制，可通过化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)以约0.1mm至约30mm(例如，30mm)的厚度形成调节膜221。在一些实施例中，调节膜221界定调节盘220的“工作区域”。亦即，调节盘220接触垫及“激活”(调节)垫的顶表面的区域。根据一些实施例，调节膜221可具有纳米晶体或微晶体微结构。举例而非限制，调节膜221中的金刚石微晶体或纳米晶体的尺寸可在约1μm至约1000μm的范围内。

图5A是根据本揭露的一实施例的具有多个开口的调节装置的示意图。在一些实施例中，基座210进一步包括多个开口214，以接收配合部分240的一部分。调节盘220的配合部分240包括多个分段配合部分241。在一些实施例中，将多个分段配合部分241的弹性体243插入到位于基座210中的多个开口214的通孔中。随后，弹性体243的啮合爪与通孔的边缘啮合，从而使调节盘220能在基座210中的牢固附接。

图5B是根据本揭露的各个实施例的具有成形开口216的调节装置的示意图。在一些实施例中，如图5B所示，基座210包括具有横截面轮廓218的成形开口216，使得基座210的成形开口216允许调节盘220的配合部分240牢固地附接至基座210。在一些实施例中，如图5B所示，横截面轮廓218包括选自“I”形横截面轮廓、“T”形横截面轮廓、“+”形横截面轮廓的至少一者。然而，应理解，此仅为示例性实施例且本系统可应用于任何横截面轮廓而无任何限制。为了本揭露简洁起见，并未包括每个实例，但本申请案涵盖任何此类实施例。

图6A及图6B是根据本揭露的各个实施例的具有紧固件的调节装置的示意图。在一些实施例中，调节盘220的配合部分240包括紧固件242，诸如螺钉或螺栓，以将调节盘220牢固地固定至基座210。在一些实施例中，将紧固件242的螺纹体245插入到位于基座210中的盘开口212中。螺纹体245的啮合螺纹与通孔的边缘啮合，从而使调节盘220可以牢固附接至基座210。在一些实施例中，紧固件242包括选自螺钉、铆钉及倒钩型配合件的至少一者。然而，应理解，此仅为示例性实施例且本系统可应用于任何紧固件而无任何限制。为了本揭露简洁起见，并未包括每个实例，但本申请案涵盖任何此类实施例。

图6C及图6D是根据本揭露的各实施例的具有搭扣配合机构的调节装置的示意图。在一些实施例中，调节盘220的配合部分240包括搭扣配合部分250以穿过基座210的盘开口212搭扣及以使搭扣配合部分250穿过盘开口212与基座210的安装侧213啮合，从而在调节盘220至基座210的牢固定位下提供快速且简便的搭扣配合机构。搭扣配合部分250包括延伸部分252，延伸部分离开调节部分230延伸至锚定部分254，锚定部分位于延伸部分252的远端处。搭扣配合部分250的锚定部分254允许易于穿过基座210的盘开口212。搭扣配合部分250的锚定部分256使搭扣配合部分250与基座210的安装侧213啮合及将调节盘220牢固地安装至基座210。在一些实施例中，搭扣配合部分250由弹性材料制成，以实现可挠性结构，使得在需要更换时能够将调节盘220自基座210移除。在部分实施例中，搭扣配合部分250是以诸如尼龙或聚碳酸酯的聚合材料制成。形成搭扣配合部分250的弹性材料的实例包括一般交联橡胶材料，诸如硅橡胶、氯丁二烯橡胶、EPDM、NBR、天然橡胶及氟橡胶。在一些实施例中，硅橡胶的一些实例包括含(甲基)丙烯酰氧基的聚硅氧烷、乙烯基聚硅氧烷、含巯基烷基的聚硅氧烷及类似者。

图7A及图7B是根据本揭露的各个实施例的具有磁体的调节装置的示意图。在一些实施例中，如图7A及图7B所示，配合部分240使用磁铁搭扣锁260。在一些实施例中，配合部分240的磁铁搭扣锁260包括凸起部分252，且基座210具有凹陷部分222。凸起部分252及凹陷部分222彼此协作以界定锁定位置。在一些实施例中，凸起部分252位于调节盘220中及凹陷部分222位于基座210中。在替代实施例中，凸起部分252位于基座210中及凹陷部分222位于基座调节盘220中。在一些实施例中，调节盘220的凸起部分252包括磁性材料。在替代实施例中，凹陷部分222包括磁性材料。然而，应理解，此仅为示例性实施例且本系统可应用于磁体的任何位置、形状而无任何限制。为了本揭露简洁起见，并未包括每个实例，但本申请案涵盖任何此类实施例。

图7C是根据本揭露的各个实施例的具有磁性部分处于基座210的平坦表面上的调节装置的示意图。在一些实施例中，如图7C所示，配合部分240的磁铁搭扣锁260包括磁性部分254及相应铁磁性部分224。磁性部分254及相应铁磁性部分224彼此协作以界定锁定位置。在一些实施例中，磁性部分254位于调节盘220(包括调节膜221)中且相应铁磁性部分224位于基座210中。在替代实施例中，磁性部分254位于基座210中且相应铁磁性部分224位于基座调节盘220中。

图8是根据本揭露的各个实施例的具有接收部分244安置在调节盘220上的调节装置的示意图。在一些实施例中，调节盘220的配合部分240包括接收部分244，以接收配合紧固件217及通过配合紧固件217将调节盘220牢固地固定至基座210。在一些实施例中，调节盘220的接收部分244与位于基座210中的盘开口212啮合，以与配合紧固件217配合，使得调节盘220及基座210牢固地锁定在界定位置处。在一些实施例中，配合紧固件217包括选自螺钉、铆钉及倒钩型配合件的至少一者。在一些实施例中，接收部分244为调节盘220的凹陷区域。接收部分244与配合紧固件217协作以界定锁定位置。然而，应理解，此仅为示例性实施例且本系统可应用于任何紧固件而无任何限制。为了本揭露简洁起见，并未包括每个实例，但本申请案涵盖任何此类实施例。

图9A是根据本揭露的各个实施例的具有可更换调节盘及可重复使用基座组件的调节装置的示意图。由于将调节装置200的调节盘220可移除地附接至基座210，调节盘220可容易地更换可更换调节盘229，从而允许重复使用调节装置200的剩余元件，诸如例如包括基座210及配合紧固件217的可重复使用基座组件219，无需更换整个调节装置200，此调节装置用于调节在化学机械研磨(CMP)制程中使用的研磨垫。尽管最佳实施例意欲用作用于调节在化学机械研磨中使用的研磨垫的调节装置，但取决于所用调节介质的类型，调节盘225可用于各种不同应用，以便调节垫。

图9B示意性显示根据本揭露的各实施例的储存期间调节装置的堆叠。由于调节盘实质上小于整个调节装置，用于储存更换调节盘所需的空间实质上较小。在一些实施例中，可更换调节盘229为可堆叠的。因此，根据本揭露的各个实施例的包括可更换调节盘229的调节装置的使用不仅减少了浪费及费用，而且减少了储存更换调节装置所需的储存空间。

图10显示根据本揭露的一实施例的调节用于化学机械研磨的研磨垫的方法1000的流程图。方法包括在操作S1010处识别调节装置需要更换的部分。调节装置包含具有开口的基座，以及可移除地附接至基座的调节盘。调节盘包含：调节部分，安置在基座的第一表面上；以及配合部分，可移除地配合至基座的开口中或穿过基座的开口。配合部分穿过开口配合至基座或在开口中配合至基座，以防止调节盘在调节用于化学机械研磨制程的研磨垫的制程期间自基座脱落。在识别出调节装置需要更换的部分之后，方法包括在操作S1020处自识别出的部分自基座移除一或多个调节盘。随后，在操作S1030处，方法包括提供更换调节盘，更换调节盘对应于基座中的一或多个移除调节盘。

应理解，不必在本文中论述所有优点，对于所有实施例或实例不需要特定优点，且其他实施例或实例可提供不同的优点。

根据本揭露的一个态样，用于调节在化学机械研磨中使用的研磨垫的调节装置包括具有开口的基座及可移除地附接至基座的调节盘。调节盘包括调节部分及配合部分。在基座的调节表面上安置调节部分。将配合部分配合至基座的开口中或穿过基座的开口。配合部分将防止调节盘在用于化学机械研磨的研磨垫的调节制程期间自基座脱落。在一些实施例中，基座进一步包括多个开口，以接收配合部分的一部分。在一些实施例中，基座进一步包括成形开口，具有选自“I”形横截面轮廓、“T”形横截面轮廓及“+”形横截面轮廓的至少一者的轮廓。在一些实施例中，调节盘的配合部分进一步包括紧固件。在此类实施例中，紧固件包含选自螺钉、铆钉及倒钩的至少一者。在一些实施例中，通过搭扣配合机构将配合部分配合至基座。在此类实施例中，搭扣配合机构由弹性材料制成。在一些实施例中，通过磁铁搭扣锁将配合部分配合至基座。在此类实施例中，磁铁搭扣锁包括凸起部分及凹陷部分。在一些实施例中，磁铁搭扣锁包括磁性部分及相应铁磁性部分。在一些实施例中，调节盘的配合部分用以接收配合紧固件。在此类实施例中，配合紧固件包含选自螺钉、铆钉及倒钩的至少一者。在一些实施例中，调节盘进一步包括更换调节盘。

应理解，尽管本文使用术语“调节盘”，但“盘”的形状不受特别限制，并且可为例如圆形、四边形、三角形、六边形或任何其他凸形。

根据本揭露的另一态样，调节用于化学机械研磨的研磨垫的方法包括识别调节装置需要更换的部分。调节装置包含具有开口的基座，以及可移除地附接至基座的调节盘。调节盘包含：调节部分，安置在基座的第一表面上；以及配合部分，可移除地配合至基座的开口中或穿过基座的开口。配合部分穿过开口配合至基座或在开口中配合至基座，以防止调节盘在调节用于化学机械研磨制程的研磨垫的制程期间自基座脱落。在识别出调节装置需要更换的部分之后，方法自识别出的部分自基座移除一或多个调节盘。随后，方法提供更换调节盘，更换调节盘对应于基座中的一或多个移除调节盘。在一些实施例中，方法提供可重复使用基座组件，包括基座及可重复使用紧固件。在一些实施例中，方法提供可重复使用基座组件，包括基座及可重复使用紧固件。

根据本揭露的其他态样，用于调节在化学机械研磨中使用的研磨垫的调节装置包括基座、调节盘及更换调节盘。基座具有开口，以及调节盘可移除地附接至基座。调节盘包括调节部分及配合部分。在基座的调节表面上安置调节部分。将配合部分配合至基座的开口中或穿过基座的开口。配合部分将防止调节盘在用于化学机械研磨的研磨垫的调节制程期间自基座脱落。在一些实施例中，调节装置进一步包含可重复使用基座组件，包括基座及可重复使用紧固件。在一些实施例中，更换调节盘为可堆叠的。在一些实施例中，基座进一步包括成形开口，具有选自“I”形横截面轮廓、“T”形横截面轮廓及“+”形横截面轮廓的至少一者的轮廓。

前文概述了数个实施例或实例的特征，使得一般熟悉此项技术者可更好地理解本揭露的态样。熟悉此项技术者应了解，可易于使用本揭露作为设计或修改其他制程及结构的基础以便实施本文所介绍的实施例或实例的相同目的及/或实现相同优势。熟悉此项技术者亦应认识到，此类等效结构并未脱离本揭露的精神及范畴，并且可在不脱离本揭露的精神及范畴的情况下在本文中实施各种变化、取代及修改。

Claims

1.一种调节装置，用于调节在化学机械研磨中使用的一研磨垫，其特征在于，该调节装置包含：

具有一开口的一基座；以及

可移除地附接至该基座的一调节盘，该调节盘包含：

一调节部分，安置在该基座的一调节表面上，以及

一配合部分，配合至该基座的该开口中或穿过该基座的该开口，

其中该配合部分防止该调节盘在用于该化学机械研磨的该研磨垫的一调节制程期间自该基座脱落。

2.根据权利要求1所述的调节装置，其特征在于，该基座包括多个开口，以接收该配合部分的一部分。

3.根据权利要求1所述的调节装置，其特征在于，该调节盘的该配合部分包括一紧固件。

4.根据权利要求1所述的调节装置，其特征在于，通过一搭扣配合机构将该配合部分配合至该基座。

5.根据权利要求1所述的调节装置，其特征在于，通过一磁铁搭扣锁将该配合部分配合至该基座。

6.根据权利要求1所述的调节装置，其特征在于，该调节盘进一步包括一更换调节盘。

7.一种调节用于化学机械研磨的一研磨垫的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：

识别该调节装置需要更换的一部分，该调节装置包含具有一开口的一基座，以及可移除地附接至该基座的一调节盘，其中该调节盘包含：一调节部分，安置在该基座的一第一表面上；以及一配合部分，可移除地配合至该基座的该开口中或穿过该基座的该开口，其中该配合部分配合穿过该基座的该开口或配合至该基座的该开口中防止该调节盘在调节用于该化学机械研磨制程的一研磨垫的一制程期间自该基座脱落；

自该调节装置的该识别出的部分的该基座移除一或多个调节盘；以及

提供更换调节盘，所述更换调节盘对应于该基座中的该一或多个移除调节盘。

8.一种调节装置，用于调节在化学机械研磨中使用的一研磨垫，其特征在于，该调节装置包含：

具有一开口的一基座；

可移除地附接至该基座的一调节盘，该调节盘包含：

一调节部分，安置在该基座的一调节表面上，以及

一配合部分，配合至该基座的该开口中或穿过该基座的该开口，该配合部分防止该调节盘在用于该化学机械研磨的该研磨垫的一调节制程期间自该基座脱落；以及

一更换调节盘。

9.根据权利要求8所述的调节装置，其特征在于，还包含一可重复使用基座组件，包括该基座及一可重复使用紧固件。

10.根据权利要求8所述的调节装置，其特征在于，该更换调节盘为可堆叠的。