TWI737027B

TWI737027B - 調節裝置及調節用於化學機械研磨的研磨墊的方法

Info

Publication number: TWI737027B
Application number: TW108139565A
Authority: TW
Inventors: 黃君席
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2018-10-31
Filing date: 2019-10-31
Publication date: 2021-08-21
Also published as: CN111113269A; US20200130139A1; TW202023754A

Abstract

一種用於調節在化學機械研磨中使用的研磨墊的調節裝置，包括具有開口的基座及可移除地附接至基座的調節盤。調節盤包括：調節部分，安置在基座的第一表面上；以及配合部分，可移除地配合至基座的開口中或穿過基座的開口。配合部分穿過開口配合至基座或在開口中配合至基座，以防止調節盤在調節用於化學機械研磨製程的研磨墊的製程期間自基座脫落。

Description

調節裝置及調節用於化學機械研磨的研磨墊的方法

本揭露是關於用於調節在化學機械研磨中使用的研磨墊的調節裝置及其調節方法。

積體電路(integrated circuit；IC)中的關鍵特徵的尺寸已在不斷減小，並且執行高解析度微影製程的需求亦在增長。因此，用於微影的輻射的焦點深度亦已減小。需要控制原子級的晶圓平坦化的精度。舉例而言，對於28nm、22nm、16nm及10nm技術的典型景深需求接近埃級。當然，此等僅為實例且不欲為限制性。

在晶圓製造期間，最常使用化學機械研磨(Chemical mechanical polishing；CMP)來在微影製程開始時提供原子級平坦表面。另外，隨著微影的發展及微影複雜性的增加，CMP的其他應用領域得到了發展。例如，最近，使用CMP以藉由研磨諸如鋁、銅及鎢等的金屬層來平坦化淺溝槽。

典型CMP工具包括由面朝上的墊覆蓋的旋轉平台。將待研磨的晶圓置放在載體上，其中待研磨的表面朝下。在墊上安置化學研磨漿且晶圓(亦即，待研磨的表面)與墊接觸。通常在相對方向上旋轉平板及載體，同時額外使載體振盪。墊與晶圓表面之間的相對運動導致晶圓表面的研磨。墊通常由多孔聚合物材料製成，此多孔聚合物材料的孔徑處於約30-50μm的範圍內。在CMP製程期間，墊受到磨耗且需要定期進行調節。

根據本揭露的一個態樣，用於調節在化學機械研磨中使用的研磨墊的調節裝置包括具有開口的基座及可移除地附接至基座的調節盤。調節盤包括調節部分及配合部分。在基座的調節表面上安置調節部分。將配合部分配合至基座的開口中或穿過基座的開口。配合部分將防止調節盤在用於化學機械研磨的研磨墊的調節製程期間自基座脫落。

根據本揭露的另一態樣，調節用於化學機械研磨的研磨墊的方法包括識別調節裝置需要更換的部分。調節裝置包含具有開口的基座，以及可移除地附接至基座的調節盤。調節盤包含：調節部分，安置在基座的第一表面上；以及配合部分，可移除地配合至基座的開口中或穿過基座的開口。配合部分穿過開口配合至基座或在開口中配合至基座，以防止調節盤在調節用於化學機械研磨製程的研磨墊的製程期間自基座脫落。在識別出調節裝置需要更換的部分之後，方法自識別出的部分自基座移除一或多個調節盤。隨後，方法提供更換調節盤，更換調節盤對應於基座中的一或多個移除調節盤。

根據本揭露的其他態樣，用於調節在化學機械研磨中使用的研磨墊的調節裝置包括基座、調節盤及更換調節盤。基座具有開口，以及調節盤可移除地附接至基座。調節盤包括調節部分及配合部分。在基座的調節表面上安置調節部分。將配合部分配合至基座的開口中或穿過基座的開口。配合部分將防止調節盤在用於化學機械研磨的研磨墊的調節製程期間自基座脫落。

100:基礎柵格

102:垂直軸

104:水平軸

106:基礎位置

106a:基礎位置

106b:基礎位置

200:基礎柵格

202:垂直軸

204:水平軸

206:基礎位置

208:敞開基礎

208a:敞開基礎

208b:敞開基礎

300:基礎柵格

302:垂直軸

304:水平軸

306:可用基礎位置

308:敞開基礎

308':擴展基礎開口

310a:蝕刻延伸區域

310b:蝕刻延伸區域

312:針跡重疊區域

314:延伸導體

316:導體

318:導體

400:基礎柵格

402:垂直軸

404:水平軸

406:基礎位置

408:敞開基礎

408':擴展基礎開口

410a:蝕刻延伸區域

410b:蝕刻延伸區域

412:針跡重疊區域

414:延伸導體

416:導體

418:導體

500A:基礎柵格

500B:基礎柵格

500C:基礎柵格

500D:基礎柵格

502:垂直軸

504:水平軸

506:基礎位置

600A:基礎柵格

600B:基礎柵格

600C:基礎柵格

600D:基礎柵格

600E:基礎柵格

600F:基礎柵格

600G:基礎柵格

600H:基礎柵格

602:垂直軸

604:水平軸

606:可用基礎位置

608:敞開基礎

608':擴展基礎開口

610a:蝕刻延伸區域

610b:蝕刻延伸區域

611:最終基礎開口

611':最終基礎開口

616:第一部分

618a:第二部分

618b:第二部分

620a:可用的「O」

620b:不可用的「X」

622:較小位移

700:金屬層

702a:主要金屬切割位置(A)

702b:次要金屬切割位置(B)

704:金屬層

704a:金屬層

704b:金屬層

704c:金屬層

704d:金屬層

704e:金屬層

706a:末端

706b:末端

706c:末端

708a:末端部分

708b:中間部分

710:剩餘部分

800:方法

當結合隨附圖式閱讀時，將自下文的詳細描述最佳地理解本揭露。要強調的是，根據工業中的標準實務，並未按比例繪製各特徵，且各特徵僅用於說明目的。事實上，為了論述清楚，可任意增加或減小各特徵的尺寸。

第1圖係根據本揭露的一些實施例構造的用於化學機械研磨(CMP)的設備的示意圖。

第2圖示意性顯示根據一實施例構造的用於化學機械研磨(CMP)的設備的橫截面視圖。

第3A圖示意性顯示用於墊調節的典型調節裝置的橫截面。

第3B圖顯示在運輸期間用於墊調節的典型條件裝置的影像。

第3C圖示意性顯示用於墊調節的典型調節裝置的上視圖。

第4圖係根據本揭露的一些實施例構造的用於調節在化學機械研磨中使用的研磨墊的調節裝置的示意圖。

第5A圖係根據本揭露的一實施例的具有複數個開口的調節裝置的示意圖。

第5B圖係根據一實施例的具有成形開口的調節裝置的示意圖。

第6A圖及第6B圖係根據本揭露的一些實施例的具有緊固件的調節裝置的示意圖。

第6C圖及第6D圖係根據一些實施例的具有搭扣配合機構的調節裝置的示意圖。

第7A圖及第7B圖係根據一些實施例的具有磁體的調節裝置的示意圖。

第7C圖係具有磁性部分處於基座的平坦表面上的調節裝置的示意圖。

第8圖係具有接收部分安置在調節盤上的調節裝置的示意圖。

第9A圖係具有可更換調節盤及可重複使用基座組件的調節裝置的示意圖。

第9B圖示意性顯示根據本揭露的各實施例的儲存期間調節裝置的堆疊。

第10圖顯示根據本揭露的一實施例的調節用於化學機械研磨的研磨墊的方法的流程圖。

以下揭示內容提供許多不同實施例或實例，以便實施所提供的標的之不同特徵。下文描述部件及佈置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且不欲為限制性。舉例而言，在下文的描述中，第一特徵形成於第二特徵上方或第二特徵上可包括以直接接觸形成第一特徵與第二特徵的實施例，且亦可包括可在第一特徵與第二特徵之間形成額外特徵以使得第一特徵與第二特徵可不處於直接接觸的實施例。另外，本揭露可在各實例中重複元件符號及/或字母。此重複係出於簡化與清楚目的，且本身並不指示所論述的各實施例及/或配置之間的關係。

另外，為了便於描述，本文可使用空間相對性術語(諸如「之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及類似者)來描述諸圖中所圖示一個元件或特徵與另一元件(或多個元件)或特徵(或多個特徵)之關係。除了諸圖所描繪的定向外，空間相對性術語意欲包含使用或操作中元件的不同定向。設備/裝置可經其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向上)且因此可類似解讀本文所使用之空間相對性描述詞。另外，術語「由……製成」可意指「包含」或「由……組成」任一者。

用於研磨薄的平坦半導體晶圓的設備為本領域中所熟知的。此類設備通常包括研磨頭，研磨頭載有薄膜用於嚙合及迫使半導體晶圓抵靠濕研磨表面，諸如研磨墊。旋轉墊或研磨頭任一者及使晶圓在研磨表面上方振盪。藉由壓縮空氣系統或類似佈置將研磨頭向下壓在研磨表面上。可根據需要調節按壓研磨頭抵靠研磨表面的向下力。研磨頭通常安裝在細長樞轉承載臂上，細長樞轉承載臂可在若干操作位置之間移動壓力頭。在一個操作位置中，承載臂將安裝在壓力頭上的晶圓定位成與研磨墊接觸。為了移除晶圓不再與研磨表面接觸，首先向上樞轉承載臂以將壓力頭及晶圓自研磨表面提起。隨後橫向樞轉承載臂以將壓力頭及由壓力頭承載的晶圓移動至輔助晶圓處理站。輔助處理站可包括例如用於清潔晶圓及/或研磨頭的站；晶圓卸載站；或晶圓裝載站。

化學機械研磨(CMP)設備已與氣動研磨頭結合使用。CMP設備主要用於在晶圓上製造半導體元件期間研磨半導體晶圓的正面或元件側。在製造製程期間一或更多次地使晶圓「平坦化」或變得平滑，以便使晶圓的頂表面儘可能平坦。藉由將晶圓置放在載體上及面朝下按壓在研磨墊上來研磨晶圓，研磨墊用去離子水中矽膠或氧化鋁的研磨漿覆蓋。

本揭露大體上係關於用於監測及控制在半導體製造中使用的化學機械研磨(CMP)製程的方法及設備。通常使用CMP製程平坦化晶圓，CMP製程使用研磨墊及化學研磨漿。研磨漿通常為材料的膠體，此材料充當化學蝕刻劑以便蝕刻晶圓的頂表面處的材料。在安置研磨漿的同時，相對於晶圓旋轉研磨墊，以便移除材料及使任何不規則的形貌變得平滑。當平坦化晶圓時，使用研磨墊，並且需要定期調節研磨墊。本文揭示的實施例提供一種用於調節研磨墊的裝置。

第1圖示意性顯示根據本揭露的一實施例的用於對晶圓90執行化學機械研磨(CMP)的設備100。在一實施例中，設備100包括封閉平台110(例如，旋轉台)、研磨頭組件120、化學研磨漿供應系統130及包括調節臂141的墊調節器140的腔室105。

第2圖示意性顯示根據一實施例構造的用於化學機械研磨(CMP)的設備的橫截面視圖。如第2圖所示，將平台110連接至馬達(未圖示)，馬達以預定的旋轉速度旋轉平台110。在一實施例中，用可更換研磨墊112(在本文中可互換地稱為「墊」)覆蓋平台110。在一些7777實施例中，研磨墊112為具有凹槽表面的薄聚合物盤，且根據應用可為多孔或實心的。決定研磨墊112的材料及實體特性的因素包括待研磨的材料(亦即，晶圓表面處的材料)，以及研磨之後所需的粗糙度。研磨墊112可在背面上具有壓敏黏著劑，使得研磨墊112黏接至平台110。在研磨製程期間，取決於正在研磨的材料類型(亦即，晶圓的頂表面處的材料)，可用適宜潤滑劑材料潤濕研磨墊112。

在一實施例中，研磨頭組件120包括頭部122及載體124。頭部122固持載體124，載體固持待研磨的晶圓90。在一些實施例中，研磨頭組件120包括移動機構(未圖示)，以使頭部122沿側向126振盪。在一些實施例中，頭部122可包括用於相對於平台110旋轉晶圓90的馬達。在一些實施例中，以異步非同心圖案旋轉晶圓90及平台110，以在平台110與晶圓90之間提供不均勻相對運動。相對運動的不均勻性藉由避免自同一點重複移除而促進自晶圓表面均勻移除材料。研磨頭組件120向晶圓90施加受控向下壓力以抵靠平台110固持晶圓90。

研磨漿供應系統130引入適宜材料的化學研磨漿134(在本文中可互換地稱為「研磨漿」)以用作研磨墊112與晶圓90之間的研磨介質。在一實施例中，研磨漿134為磨料顆粒的膠體，磨料顆粒與諸如防銹劑及鹼的其他化學物質分散在水中以提供鹼性pH。在一些實施例中，磨料顆粒具有材料，諸如例如矽石、二氧化鈰及氧化鋁。在一實施例中，磨料顆粒具有大體上均勻的形狀及狹窄的粒度分佈，取決於所使用的應用，平均粒度範圍自約10nm至約100nm或更大。在一實施例中，研磨漿供應系統130包括儲存系統(未明確圖示)及導管132，導管用於將研磨漿134輸送至平台110頂部的研磨墊112。可基於應用控制研磨漿134的流動速率。

在一實施例中，墊調節器140「調節」研磨墊112以藉由研磨墊112在平台110的整個區域上提供均勻的厚度及粗糙度。維持研磨墊112的厚度及粗糙度防止在研磨製程期間晶圓90上非所欲的壓力點或翹曲，並且幫助維持晶圓90的均勻厚度。

在調節臂141上安裝調節頭142，調節臂在研磨墊112的頂部上方延伸，以便跨研磨墊112的整個表面實行掃掠運動。研磨墊112為半導體晶圓製造製程中使用的消耗品。在正常晶圓製造條件下，在使用預定小時之後更換研磨墊。研磨墊112可為不可壓縮的硬墊，或為軟墊。對於氧化物研磨，通常使用硬的且較堅硬的墊以實現平坦度。在其他研磨製程中通常使用較軟的墊以實現改良的均勻性及光滑表面。亦可以堆疊墊的佈置組合硬墊及軟墊用於定製化應用。

在氧化物平坦化中使用研磨墊時經常遇到的問題為在連續晶圓的情況下氧化物研磨速率的迅速惡化。惡化的原因被稱為「墊釉化」，其中研磨墊的表面變得平滑，使得研磨墊無法在纖維之間保持研磨漿。此為研磨墊表面的物理現象，並非由研磨墊與研磨漿之間的任何化學反應引起。為了補救墊釉化效應，已提出許多研磨墊調節或擦洗的技術以重新產生及恢復墊表面，且從而恢復研磨墊的研磨速率。墊調節技術包括使用碳化矽顆粒、金剛石砂紙、刀片或刀刮擦研磨墊表面。調節製程的目標為自研磨墊表面移除研磨碎屑，重新打開孔，且因此在研磨墊的表面中形成微划痕，以改良使用壽命。可在研磨製程期間(亦即，稱為同時調節)或研磨製程之後執行研磨墊調節製程。

本文揭示的實施例提供調節裝置200，用於調節在CMP製程中使用的研磨墊。本文揭示的調節裝置減少了浪費及費用，並且需要較少的儲存空間。在第3A圖至第3B圖中圖示用於墊調節的比較調節盤。

第3A圖示意性顯示用於墊調節的典型調節裝置的橫截面。儘管墊調節製程改良了研磨墊的一致性及使用壽命，但習知調節盤在重複使用之後常常無法有效地調節墊表面。習知調節裝置包括基座210及安置在基座210上的調節盤220。在一些實施例中，用接合黏著劑144將調節盤220黏接至基座210。

第3B圖及第3C圖顯示比較調節裝置的示例性影像。第3B圖顯示在運輸期間或在儲存中用於墊調節的典型調節裝置的影像，且第3C圖示意性圖示典型調節裝置的上視圖。在此等調節裝置的運輸期間，關鍵是封裝不得以任何方式損壞。對調節裝置及/或金剛石調節膜或調節膜托盤的損壞可導致封裝的調節裝置內的碎屑，且需要調節裝置及調節膜對於調節研磨墊的效果較差。此外，對托盤、膜或托盤/膜密封件的損壞可導致調節能力的喪失，從而導致調節裝置的快速更換。

並非一定均勻地損壞調節裝置，而是僅損壞了調節裝置的一部分或減小了厚度。換言之，在後續調節製程之前更換整個調節裝置並非一定。因此，可藉由僅更換調節裝置需要更換的部分來減少任何不必要的浪費及/或額外費用。然而，第3A圖所示的調節裝置並不允許部分更換，因為調節盤220由於接合黏著劑而無法自基座210移除。本文揭示的實施例僅用於更換該些需要更換的調節盤。

第4圖係根據本揭露的一些實施例構造的用於調節在化學機械研磨中使用的研磨墊的調節裝置200的示意圖。調節裝置200包括基座210及調節盤220。基座210包括盤開口212，藉由及/或穿過盤開口將調節盤220可移除地附接至基座210。調節盤220包括調節部分230及配合部分240。調節部分230用以安置在基座210的調節表面211上。配合部分240用以配合至基座210的盤開口212中或穿過基座210的盤開口212。配合部分240將防止調節盤220在用於化學機械研磨(CMP)的研磨墊的調節製程期間自基座210脫落。在部分實施例中，調節盤220是以合適的金屬製成，例如不鏽鋼。調節盤220包括範圍自約1mm至小於約100mm的直徑，此取決於(i)基座210的直徑，(ii)每一調節部分230的直徑，及(iii)附接至基座210的背側表面或底表面的調節部分230的數目。

調節部分230進一步包括調節膜221，包括諸如例如基座210的調節表面211上的金剛石。舉例而非限制，可藉由化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)以約0.1mm至約30mm(例如，30mm)的厚度形成調節膜221。在一些實施例中，調節膜221界定調節盤220的「工作區域」。亦即，調節盤220接觸墊及「激活」(調節)墊的頂表面的區域。根據一些實施例，調節膜221可具有奈米晶體或微晶體微結構。舉例而非限制，調節膜221中的金剛石微晶體或奈米晶體的尺寸可在約1μm至約1000μm的範圍內。

第5A圖係根據本揭露的一實施例的具有複數個開口的調節裝置的示意圖。在一些實施例中，基座210進一步包括複數個開口214，以接收配合部分240的一部分。調節盤220的配合部分240包括複數個分段配合部分241。在一些實施例中，將複數個分段配合部分241的彈性體243插入到位於基座210中的複數個開口214的通孔中。隨後，彈性體243的嚙合爪與通孔的邊緣嚙合，從而使調節盤220能在基座210中的牢固附接。

第5B圖係根據本揭露的各個實施例的具有成形開口216的調節裝置的示意圖。在一些實施例中，如第5B圖所示，基座210包括具有橫截面輪廓218的成形開口216，使得基座210的成形開口216允許調節盤220的配合部分240牢固地附接至基座210。在一些實施例中，如第5B圖所示，橫截面輪廓218包括選自「I」形橫截面輪廓、「T」形橫截面輪廓、「+」形橫截面輪廓的至少一者。然而，應理解，此僅為示例性實施例且本系統可應用於任何橫截面輪廓而無任何限制。為了本揭露簡潔起見，並未包括每個實例，但本申請案涵蓋任何此類實施例。

第6A圖及第6B圖係根據本揭露的各個實施例的具有緊固件的調節裝置的示意圖。在一些實施例中，調節盤220的配合部分240包括緊固件242，諸如螺釘或螺栓，以將調節盤220牢固地固定至基座210。在一些實施例中，將緊固件242的螺紋體245插入到位於基座210中的盤開口212中。螺紋體245的嚙合螺紋與通孔的邊緣嚙合，從而使調節盤220可以牢固附接至基座210。在一些實施例中，緊固件242包括選自螺釘、鉚釘及倒鉤型配合件的至少一者。然而，應理解，此僅為示例性實施例且本系統可應用於任何緊固件而無任何限制。為了本揭露簡潔起見，並未包括每個實例，但本申請案涵蓋任何此類實施例。

第6C圖及第6D圖係根據本揭露的各實施例的具有搭扣配合機構的調節裝置的示意圖。在一些實施例中，調節盤220的配合部分240包括搭扣配合部分250以穿過基座210的盤開口212搭扣及以使搭扣配合部分250穿過盤開口212與基座210的安裝側213嚙合，從而在調節盤220至基座210的牢固定位下提供快速且簡便的搭扣配合機構。搭扣配合部分250包括延伸部分252，延伸部分離開調節部分230延伸至錨定部分254，錨定部分位於延伸部分252的遠端處。搭扣配合部分250的錨定部分254允許易於穿過基座210的盤開口212。搭扣配合部分250的錨定部分256使搭扣配合部分250與基座210的安裝側213嚙合及將調節盤220牢固地安裝至基座210。在一些實施例中，搭扣配合部分250由彈性材料製成，以實現可撓性結構，使得在需要更換時能夠將調節盤220自基座210移除。在部分實施例中，搭扣配合部分250是以諸如尼龍或聚碳酸酯的聚合材料製成。形成搭扣配合部分250的彈性材料的實例包括一般交聯橡膠材料，諸如矽橡膠、氯丁二烯橡膠、EPDM、NBR、天然橡膠及氟橡膠。在一些實施例中，矽橡膠的一些實例包括含(甲基)丙烯醯氧基的聚矽氧烷、乙烯基聚矽氧烷、含巰基烷基的聚矽氧烷及類似者。

第7A圖及第7B圖係根據本揭露的各個實施例的具有磁體的調節裝置的示意圖。在一些實施例中，如第7A圖及第7B圖所示，配合部分240使用磁鐵搭扣鎖260。在一些實施例中，配合部分240的磁鐵搭扣鎖260包括凸起部分252，且基座210具有凹陷部分222。凸起部分252及凹陷部分222彼此協作以界定鎖定位置。在一些實施例中，凸起部分252位於調節盤220中及凹陷部分222位於基座210中。在替代實施例中，凸起部分252位於基座210中及凹陷部分222位於基座調節盤220中。在一些實施例中，調節盤220的凸起部分252包括磁性材料。在替代實施例中，凹陷部分222包括磁性材料。然而，應理解，此僅為示例性實施例且本系統可應用於磁體的任何位置、形狀而無任何限制。為了本揭露簡潔起見，並未包括每個實例，但本申請案涵蓋任何此類實施例。

第7C圖係根據本揭露的各個實施例的具有磁性部分處於基座210的平坦表面上的調節裝置的示意圖。在一些實施例中，如第7C圖所示，配合部分240的磁鐵搭扣鎖260包括磁性部分254及相應鐵磁性部分224。磁性部分254及相應鐵磁性部分224彼此協作以界定鎖定位置。在一些實施例中，磁性部分254位於調節盤220(包括調節膜221)中且相應鐵磁性部分224位於基座210中。在替代實施例中，磁性部分254位於基座210中且相應鐵磁性部分224位於基座調節盤220中。

第8圖係根據本揭露的各個實施例的具有接收部分244安置在調節盤220上的調節裝置的示意圖。在一些實施例中，調節盤220的配合部分240包括接收部分244，以接收配合緊固件217及藉由配合緊固件217將調節盤220牢固地固定至基座210。在一些實施例中，調節盤220的接收部分244與位於基座210中的盤開口212嚙合，以與配合緊固件217配合，使得調節盤220及基座210牢固地鎖定在界定位置處。在一些實施例中，配合緊固件217包括選自螺釘、鉚釘及倒鉤型配合件的至少一者。在一些實施例中，接收部分244為調節盤220的凹陷區域。接收部分244與配合緊固件217協作以界定鎖定位置。然而，應理解，此僅為示例性實施例且本系統可應用於任何緊固件而無任何限制。為了本揭露簡潔起見，並未包括每個實例，但本申請案涵蓋任何此類實施例。

第9A圖係根據本揭露的各個實施例的具有可更換調節盤及可重複使用基座組件的調節裝置的示意圖。由於將調節裝置200的調節盤220可移除地附接至基座210，調節盤220可容易地更換可更換調節盤229，從而允許重複使用調節裝置200的剩餘元件，諸如例如包括基座210及配合緊固件217 的可重複使用基座組件219，無需更換整個調節裝置200，此調節裝置用於調節在化學機械研磨(CMP)製程中使用的研磨墊。儘管最佳實施例意欲用作用於調節在化學機械研磨中使用的研磨墊的調節裝置，但取決於所用調節介質的類型，調節盤225可用於各種不同應用，以便調節墊。

第9B圖示意性顯示根據本揭露的各實施例的儲存期間調節裝置的堆疊。由於調節盤實質上小於整個調節裝置，用於儲存更換調節盤所需的空間實質上較小。在一些實施例中，可更換調節盤229為可堆疊的。因此，根據本揭露的各個實施例的包括可更換調節盤229的調節裝置的使用不僅減少了浪費及費用，而且減少了儲存更換調節裝置所需的儲存空間。

第10圖顯示根據本揭露的一實施例的調節用於化學機械研磨的研磨墊的方法1000的流程圖。方法包括在操作S1010處識別調節裝置需要更換的部分。調節裝置包含具有開口的基座，以及可移除地附接至基座的調節盤。調節盤包含：調節部分，安置在基座的第一表面上；以及配合部分，可移除地配合至基座的開口中或穿過基座的開口。配合部分穿過開口配合至基座或在開口中配合至基座，以防止調節盤在調節用於化學機械研磨製程的研磨墊的製程期間自基座脫落。在識別出調節裝置需要更換的部分之後，方法包括在操作S1020處自識別出的部分自基座移除一或多個調節盤。隨後，在操作S1030處，方法包括提供更換調節盤，更換調節盤對應於基座中的一或多個移除調節盤。

應理解，不必在本文中論述所有優點，對於所有實施例或實例不需要特定優點，且其他實施例或實例可提供不同的優點。

根據本揭露的一個態樣，用於調節在化學機械研磨中使用的研磨墊的調節裝置包括具有開口的基座及可移除地附接至基座的調節盤。調節盤包括調節部分及配合部分。在基座的調節表面上安置調節部分。將配合部分配合至基座的開口中或穿過基座的開口。配合部分將防止調節盤在用於化學機械研磨的研磨墊的調節製程期間自基座脫落。在一些實施例中，基座進一步包括複數個開口，以接收配合部分的一部分。在一些實施例中，基座進一步包括成形開口，具有選自「I」形橫截面輪廓、「T」形橫截面輪廓及「+」形橫截面輪廓的至少一者的輪廓。在一些實施例中，調節盤的配合部分進一步包括緊固件。在此類實施例中，緊固件包含選自螺釘、鉚釘及倒鉤的至少一者。在一些實施例中，藉由搭扣配合機構將配合部分配合至基座。在此類實施例中，搭扣配合機構由彈性材料製成。在一些實施例中，藉由磁鐵搭扣鎖將配合部分配合至基座。在此類實施例中，磁鐵搭扣鎖包括凸起部分及凹陷部分。在一些實施例中，磁鐵搭扣鎖包括磁性部分及相應鐵磁性部分。在一些實施例中，調節盤的配合部分用以接收配合緊固件。在此類實施例中，配合緊固件包含選自螺釘、鉚釘及倒鉤的至少一者。在一些實施例中，調節盤進一步包括更換調節盤。

應理解，儘管本文使用術語「調節盤」，但「盤」的形狀不受特別限制，並且可為例如圓形、四邊形、三角形、六邊形或任何其他凸形。

根據本揭露的另一態樣，調節用於化學機械研磨的研磨墊的方法包括識別調節裝置需要更換的部分。調節裝置包含具有開口的基座，以及可移除地附接至基座的調節盤。調節盤包含：調節部分，安置在基座的第一表面上；以及配合部分，可移除地配合至基座的開口中或穿過基座的開口。配合部分穿過開口配合至基座或在開口中配合至基座，以防止調節盤在調節用於化學機械研磨製程的研磨墊的製程期間自基座脫落。在識別出調節裝置需要更換的部分之後，方法自識別出的部分自基座移除一或多個調節盤。隨後，方法提供更換調節盤，更換調節盤對應於基座中的一或多個移除調節盤。在一些實施例中，方法提供可重複使用基座組件，包括基座及可重複使用緊固件。在一些實施例中，方法提供可重複使用基座組件，包括基座及可重複使用緊固件。

根據本揭露的其他態樣，用於調節在化學機械研磨中使用的研磨墊的調節裝置包括基座、調節盤及更換調節盤。基座具有開口，以及調節盤可移除地附接至基座。調節盤包括調節部分及配合部分。在基座的調節表面上安置調節部分。將配合部分配合至基座的開口中或穿過基座的開口。配合部分將防止調節盤在用於化學機械研磨的研磨墊的調節製程期間自基座脫落。在一些實施例中，調節裝置進一步包含可重複使用基座組件，包括基座及可重複使用緊固件。在一些實施例中，更換調節盤為可堆疊的。在一些實施例中，基座進一步包括成形開口，具有選自「I」形橫截面輪廓、「T」形橫截面輪廓及「+」形橫截面輪廓的至少一者的輪廓。

前文概述了數個實施例或實例的特徵，使得一般熟習此項技術者可更好地理解本揭露的態樣。熟習此項技術者應瞭解，可易於使用本揭露作為設計或修改其他製程及結構的基礎以便實施本文所介紹的實施例或實例的相同目的及/或實現相同優勢。熟習此項技術者亦應認識到，此類等效結構並未脫離本揭露的精神及範疇，並且可在不脫離本揭露的精神及範疇的情況下在本文中實施各種變化、取代及修改。

200:調節裝置

210:基座

211:調節表面

212:盤開口

220:調節盤

221:調節膜

230:調節部分

240:配合部分

Claims

一種調節裝置，用於調節在化學機械研磨中使用的一研磨墊，該調節裝置包含：具有一開口的一基座，其中該開口具有I形橫截面輪廓、T形橫截面輪廓或+形橫截面輪廓，並自該基座的一上表面延伸至一下表面；以及可移除地附接至該基座的一調節盤，該調節盤包含：一調節部分，安置在該基座的一調節表面上，以及一配合部分，配合至該基座的該開口中或穿過該基座的該開口，其中該配合部份藉由搭扣的方式搭扣至該開口中，其中該配合部分防止該調節盤在用於該化學機械研磨的該研磨墊的一調節製程期間自該基座脫落。
如請求項1所述之調節裝置，其中該基座包括複數個該開口，以接收該配合部分的一部分。
如請求項1所述之調節裝置，其中該配合部分包含一延伸部分與一錨定部分，該延伸部份自該調節部分延伸至錨定部分。
如請求項1所述之調節裝置，其中該配合部分包含一第一延伸部分、一第二延伸部分，一第一錨定部分與一第二錨定部分，該第一延伸部分與該第二延伸彼此沿側向分開，並分別自該調節部分延伸至該第一錨定部分與該第二錨定部分。
一種調節裝置，用於調節在化學機械研磨中使用的一研磨墊，該調節裝置包含：一基座，該基座為一體成形的結構；複數個第一磁性部分位於該基座中，並直接鄰接該基座；複數個調節盤；複數個第二磁性部分，分別連接該些調節盤，並分別與該些第一磁性部分磁性搭扣，其中每一該些第二磁性部分面對對應的該第一磁性部分的表面並完全被對應的該第一磁性部分所覆蓋。
如請求項5所述之調節裝置，其中該調節盤進一步包括複數個更換調節盤，且該些更換調節盤是堆疊成柱狀。
一種調節用於化學機械研磨的一研磨墊的方法，該方法包含以下步驟：識別該調節裝置需要更換的一部分，該調節裝置包含具有一開口的一基座，以及可移除地附接至該基座的一調節盤，而該調節盤包含：一調節部分，安置在該基座的一第一表面上；一調節膜，至少位於該調節部分背對該基座的一表面；以及一配合部分，可移除地配合至該基座的該開口中或穿過該基座的該開口，其中該配合部分配合穿過該基座的該開口或配合至該基座的該開口中防止該調節盤在調節用於該化學機械研磨製程的一研磨墊的一製程期間自該基座脫落，且該調節部分與該配合部分一體成形；自該調節裝置的該識別出的部分的該基座移除一或多個調節盤；以及提供更換調節盤，該等更換調節盤對應於該基座中的該一或多個移除調節盤。
一種調節裝置，用於調節在化學機械研磨中使用的一研磨墊，該調節裝置包含：具有一開口的一基座，其中該開口具有I形橫截面輪廓、T形橫截面輪廓或+形橫截面輪廓；可移除地附接至該基座的一調節盤，該調節盤包含：一調節部分，安置在該基座的一調節表面上；以及一配合部分，配合至該基座的該開口中或穿過該基座的該開口，該配合部分防止該調節盤在用於該化學機械研磨的該研磨墊的一調節製程期間自該基座脫落；以及至少三個更換調節盤，沿一線性方向排列且彼此分開。
如請求項8所述之調節裝置，進一步包含一可重複使用基座組件，包括該基座及一可重複使用緊固件。
如請求項8所述之調節裝置，其中該些更換調節盤為可堆疊的。