CN111112212A - 一种集成电路制造用石英热屏板再生方法 - Google Patents

一种集成电路制造用石英热屏板再生方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111112212A
CN111112212A CN201911200811.5A CN201911200811A CN111112212A CN 111112212 A CN111112212 A CN 111112212A CN 201911200811 A CN201911200811 A CN 201911200811A CN 111112212 A CN111112212 A CN 111112212A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quartz
parts
etching
integrated circuit
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201911200811.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111112212B (zh
Inventor
王云鹏
贺贤汉
张正伟
蒋立峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Fullerde Intelligent Technology Development Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Fullerde Intelligent Technology Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Fullerde Intelligent Technology Development Co Ltd filed Critical Shanghai Fullerde Intelligent Technology Development Co Ltd
Priority to CN201911200811.5A priority Critical patent/CN111112212B/zh
Publication of CN111112212A publication Critical patent/CN111112212A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111112212B publication Critical patent/CN111112212B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B08B11/04—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto specially adapted for plate glass, e.g. prior to manufacture of windshields
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0007—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by explosions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

本发明涉及一种集成电路制造用石英热屏板再生方法，包括A、有机溶剂浸泡：将待再生石英热屏板放置于温度为30～50℃的有机溶液处理剂中浸泡；B、CO2微粒喷射：将A处理后的石英热屏板进行CO2微粒喷射冲洗，所采用的气压力为0.3‑0.9Mpa，出冰量为0.1‑1kg/min；C、表面蚀刻：将CO2微粒喷射处理后的石英屏蔽板放入蚀刻槽，使用酸性蚀刻液进行表面蚀刻，纯水冲洗，干燥后完成表面修复；D、超声波清洗：微蚀刻处理后的石英热屏板搬运至100级无尘室进行超声波清洗，而后超纯水冲洗并氮气吹干。

Description

一种集成电路制造用石英热屏板再生方法
技术领域
本发明属于半导体设备零件修复再生领域，特别涉及一种集成电路制造用石英热屏板再生方法。
背景技术
半导体集成电路制造技术持续快速发展，其制程正加速朝着细微化、高密度化/高集成化方向发展。半导体制造设备中的颗粒、金属杂质、表面吸附化学物质等非常微小的污染物质也变影响芯片制造的合格率和可靠性，尤其是腔室的零部件在运行一段时间后，其表面逐渐沉积一层高温金属氧化物、有机附着物，这些污染物会在运行过程中脱落，在腔体内形成particle，造成不良，因此，半导体零件的表面状态以及洁净程度变得非常重要。
高纯石英因其二氧化硅含量可达99.99％以上，硬度为莫式七级，具有耐高温、热膨胀系数低、耐热震性和电绝缘性能良好等特点，通常为作为半导体设备零件制造中必不可少的材料，其中一种基于半导体技术领域使用的双面反光结构石英热屏板就是其中一类重要产品，这类石英热屏板在腔体内起到隔热、反光作用。此类石英热屏板对清洁度以及表面粗糙度均有要求较高，作为一种核心零部件，高昂的采购成本导致不可能频繁更换购置，则需要通过清洗进行再生，重复投入使用。
现阶段通过采用有机械喷砂、手工研磨、以及强氢氟酸溶液等方法使石英表面获的一定的清洁度和不同的粗糙度，但是由于石英热屏尺寸为200.0*100.0*1.5mm,零件厚度较薄、易碎，喷砂、研磨过程中会产生缺角、微裂纹，所以并不适合使用采用该方法。研发一种彻底去除石英热屏板沉积物，又无损石英表面状态的清洗再生方法变得尤为重要。
发明内容
为解决现有技术的不足，本发明提供了一种集成电路制造用石英热屏板再生方法，包括有机溶剂浸泡、CO2微粒喷射、表面蚀刻以及超声波清洗四道再生工序，通过该再生方法，实现石英热屏板的重复利用。
为了实现上述目的，本发明通过以下技术方案实施：
本发明提供的集成电路制造用石英热屏板再生方法，包括如下工序：
A、有机溶剂浸泡：
将待再生石英热屏板放置于温度为30～50℃的有机溶液处理剂中浸泡，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；
B、CO2微粒喷射
将经步骤A处理后的石英热屏板进行CO2微粒喷射冲洗，所采用的气压力为0.3-0.9Mpa，出冰量为0.1-1kg/min；
C、表面蚀刻
将CO2微粒喷射处理后的石英屏蔽板放入蚀刻槽，使用酸性蚀刻液进行表面蚀刻，纯水冲洗，干燥后完成表面修复；
D、超声波清洗
微蚀刻处理后的石英热屏搬运至100级无尘室进行超声波清洗，而后超纯水冲洗并氮气吹干。
优选的，步骤A中，石英热屏板的浸泡处理时间为10～30min，而后将其取出，超纯水冲淋3～5min并吹干。
所采用的有机溶液处理剂包含如下体积份组分：5～10份酸性缓冲剂、5～10份氟化物、10～20份胺类有机溶剂、10～20份酮类有机溶剂以及10～30份纯水。
其中，酸洗缓冲液为甲酸、乙酸、草酸之一或任意组合；氟化物为氟酸、氟化铵、氟化氢铵之一或任意组合；胺类有机溶剂为一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N,N-二甲基甲酰胺之一或任意组合；酮类有机溶剂为环已酮、N-甲基吡咯烷酮之一或组合；纯水为电阻率大于6M的去离子水。
优选的，步骤B中的CO2微粒喷射清洗工序在CO2微粒喷射机中进行，清洗时微粒喷射喷枪与石英热屏板的间距设置为20-40mm，方向与清洁表面的角度为45°，清洗完毕后通过波长为254nm的紫外灯进行部件清洗效果的检测，当石英热屏板表面无亮斑时，CO2微粒喷射处理完毕，进入下一处理工序。
优选的，在步骤C中的酸性蚀刻工序中，蚀刻温度为20～30℃，蚀刻时间为30～60min，蚀刻完毕后使用18M去离子水冲洗5min并吹干。
所采用的酸性蚀刻液包括如下体积份组分：5～15份氟酸、10～20份乙酸、10～20份乙酸铵、0.02～2份吐温80以及30～80体积份纯水。
优选的，在步骤D中的超声清洗步骤中，所采用的超声波频率为40～80KHz，超声波清洗时间为10～30min，而后采用18M超纯水冲洗5～10min，氮气吹干。
本发明的有益效果如下：
在本发明提供的集成电路制造用石英热屏板再生方法中，通过特定有机溶剂浸泡，能够对吸附在石英热屏板表面的有机附着物、氧化物进行溶解或者疏松；通过CO2微粒喷射工序，对残余吸附的附着物进行去除；通过特定的蚀刻液及蚀刻条件，对石英表面进行微蚀刻，去除表面金属离子，还原石英理想微观粗糙度，达到零件使用的性能标；最后通过超声波清洗，实现石英表面的清洁要求，进而减少该类零件的采购频率，降低集成电路企业制造成本。
此外，与现有机械喷砂、手工研磨、强氢氟酸清洗的再生处理方式对比，本发明中的再生处理方法更轻柔，对石英热屏板无任何机械创伤，确保了热屏板的完整性，严格避免了其产生缺角、微裂纹等机械损伤。
附图说明
图1为石英热屏板表面状态对比图，(a)为清洗前石英热屏板表面的状态图，(b)为清洗后石英热屏板表面的状态图。
具体实施方式
下面结合本发明的附图和实施例对本发明的实施作详细说明，以下实施例是在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
本发明所用试剂和原料均市售可得或可按文献方法制备。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，通常按照常规条件或按照制造厂商所建议的条件。
实施例一
本实施例中的集成电路制造用石英热屏板再生方法，包括如下工序：
A、有机溶剂浸泡：
将待再生石英热屏板放置于温度为30℃的有机溶液处理剂中浸泡30min，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物，而后将石英热屏板取出，超纯水冲淋3min，吹干待用。
所采用的有机溶液处理剂配比为：甲酸5体积份、氟酸2体积份、氟化铵8体积份、一乙醇胺5体积份、二乙醇胺5体积份、环已酮10体积份、纯水为10体积份。
B、CO2微粒喷射
采用CO2微粒喷射机对经步骤A处理后的石英热屏板进行物理清洗，其中CO2微粒喷射的控制条件如下：CO2微粒喷射机所供提供的气压力为0.3Mpa，出冰量为0.3kg/min，微粒喷射喷枪与热屏板的间距设置为20mm，方向与清洁表面的角度为45°，反复进行清洗。清洗完毕，使用通过波长为254nm的紫外灯进行部件清洗效果的检测，如表面无亮斑，CO2微粒喷射处理完毕。
C、表面蚀刻
将CO2微粒喷射处理后的石英屏蔽板放入蚀刻槽，使用酸性蚀刻液进行表面蚀刻，蚀刻温度20℃，蚀刻时间30min，然后使用18M去离子水进行冲洗5min，吹干。
所采用的酸性蚀刻液配比如下：5体积份氢氟酸、10体积份乙酸、10体积份乙酸铵、0.05份吐温80以及30体积份纯水。
D、超声波清洗
微蚀刻处理后的石英热屏搬运到100级无尘室进行超声波清洗，超声波频率40KHz，超声波清洗时间30min，超纯水18M冲洗5min，氮气吹干，干燥包装。
实施例二
本实施例中的集成电路制造用石英热屏板再生方法，包括如下工序：
A、有机溶剂浸泡：
将待再生石英热屏板放置于温度为40℃的有机溶液处理剂中浸泡40min，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物，而后将石英热屏板取出，超纯水冲淋4min，吹干待用。
所采用的有机溶液处理剂配比为：甲酸3体积份、乙酸5体积份、氟酸2体积份、氟化氢铵6体积份、二乙醇胺6体积份、三乙醇胺8体积份、N-甲基吡咯烷酮15体积份、纯水为20体积份。
B、CO2微粒喷射
采用CO2微粒喷射机对经步骤A处理后的石英热屏板进行物理清洗，其中CO2微粒喷射的控制条件如下：CO2微粒喷射机所供提供的气压力为0.6Mpa，出冰量为0.5kg/min，微粒喷射喷枪与热屏板的间距设置为30mm，方向与清洁表面的角度为45°，反复进行清洗。清洗完毕，使用通过波长为254nm的紫外灯进行部件清洗效果的检测，如表面无亮斑，CO2微粒喷射处理完毕。
C、表面蚀刻
将CO2微粒喷射处理后的石英屏蔽板放入蚀刻槽，使用酸性蚀刻液进行表面蚀刻，蚀刻温度25℃，蚀刻时间45min，然后使用18M去离子水进行冲洗5min，吹干。
所采用的酸性蚀刻液配比如下：10体积份氢氟酸、15体积份乙酸、15体积份乙酸铵、0.1份吐温80以及60体积份纯水。
D、超声波清洗
微蚀刻处理后的石英热屏搬运到100级无尘室进行超声波清洗，超声波频率60KHz，超声波清洗时间20min，超纯水18M冲洗8min，氮气吹干，干燥包装。
实施例三
本实施例中的集成电路制造用石英热屏板再生方法，包括如下工序：
A、有机溶剂浸泡：
将待再生石英热屏板放置于温度为50℃的有机溶液处理剂中浸泡30min，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物，而后将石英热屏板取出，超纯水冲淋5min，吹干待用。
所采用的有机溶液处理剂配比为：乙酸5体积份、草酸5体积份、氟化铵5体积份、氟化氢铵5体积份、一乙醇胺10体积份、N,N-二甲基甲酰胺10体积份、N-甲基吡咯烷酮20体积份、纯水为30体积份。
B、CO2微粒喷射
采用CO2微粒喷射机对经步骤A处理后的石英热屏板进行物理清洗，其中CO2微粒喷射的控制条件如下：CO2微粒喷射机所供提供的气压力为0.9Mpa，出冰量为1kg/min，微粒喷射喷枪与热屏板的间距设置为40mm，方向与清洁表面的角度为45°，反复进行清洗。清洗完毕，使用通过波长为254nm的紫外灯进行部件清洗效果的检测，如表面无亮斑，CO2微粒喷射处理完毕。
C、表面蚀刻
将CO2微粒喷射处理后的石英屏蔽板放入蚀刻槽，使用酸性蚀刻液进行表面蚀刻，蚀刻温度30℃，蚀刻时间60min，然后使用18M去离子水进行冲洗5min，吹干。
所采用的酸性蚀刻液配比如下：15体积份氢氟酸、20体积份乙酸、20体积份乙酸铵、2份吐温80以及80体积份纯水。
D、超声波清洗
微蚀刻处理后的石英热屏搬运到100级无尘室进行超声波清洗，超声波频率80KHz，超声波清洗时间30min，超纯水18M冲洗10min，氮气吹干，干燥包装。
清洗前后石英热屏板的表面状态对比效果如图1中的(a)和(b)所示，根据紫外灯下的表面检测结果可知，清洗前石英热屏板表面附着有较多近似呈圆形的金属化有机物(图1(a))，经过上述三个实施例中再生方法清洗后，如图1(b)所示，有机物污染物已经完全被去除，热屏板表面结晶光滑。
以上已对本发明创造的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (7)

1.一种集成电路制造用石英热屏板再生方法，其特征在于，包括如下工序：
A、有机溶剂浸泡
将待再生石英热屏板放置于温度为30～50℃的有机溶液处理剂中浸泡，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；
B、CO2微粒喷射
将经步骤A处理后的石英热屏板进行CO2微粒喷射冲洗，所采用的气压力为0.3-0.9Mpa，出冰量为0.1-1kg/min；
C、表面蚀刻
将CO2微粒喷射处理后的石英屏蔽板放入蚀刻槽，使用酸性蚀刻液进行表面蚀刻，纯水冲洗，干燥后完成表面修复；
D、超声波清洗
微蚀刻处理后的石英热屏板运至100级无尘室进行超声波清洗，而后超纯水冲洗并氮气吹干，
其中，所述有机溶液处理剂包含如下体积份组分：5～10份酸性缓冲剂、5～10份氟化物、10～20份胺类有机溶剂、10～20份酮类有机溶剂以及10～30份纯水；
所述酸性蚀刻液包括如下体积份组分：5～15份氟酸、10～20份乙酸、10～20份乙酸铵、0.02～2份吐温80以及30～80体积份纯水。
2.根据权利要求1所述的集成电路制造用石英热屏板再生方法，其特征在于：
其中，步骤A中，所述酸洗缓冲液为甲酸、乙酸、草酸之一或任意组合；
所述氟化物为氟酸、氟化铵、氟化氢铵之一或任意组合；
所述胺类有机溶剂为一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N,N-二甲基甲酰胺之一或任意组合；
所述酮类有机溶剂为环已酮、N-甲基吡咯烷酮之一或组合；
所述纯水为电阻率大于6M的去离子水。
3.根据权利要求1所述的集成电路制造用石英热屏板再生方法，其特征在于：
其中，步骤A中，石英热屏板的浸泡处理时间为10～30min，而后将其取出，超纯水冲淋3～5min并吹干。
4.根据权利要求1所述的集成电路制造用石英热屏板再生方法，其特征在于：
其中，步骤B中，微粒喷射喷枪与石英热屏板的间距设置为20-40mm，方向与清洁表面的角度为45°。
5.根据权利要求4所述的集成电路制造用石英热屏板再生方法，其特征在于：
其中，CO2微粒喷射清洗完毕后，通过波长为254nm的紫外灯进行部件清洗效果的检测，当石英热屏板表面无亮斑时，CO2微粒喷射处理完毕。
6.根据权利要求1所述的集成电路制造用石英热屏板再生方法，其特征在于：
其中，步骤C中，蚀刻温度为20～30℃，蚀刻时间为30～60min，蚀刻完毕后使用18M去离子水冲洗5min并吹干。
7.权利要求1所述的集成电路制造用石英热屏板再生方法，其特征在于：
其中，步骤D中所采用的超声波频率为40～80KHz，超声波清洗时间为10～30min，而后采用18M超纯水冲洗5～10min，氮气吹干。
CN201911200811.5A 2019-11-29 2019-11-29 一种集成电路制造用石英热屏板再生方法 Active CN111112212B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911200811.5A CN111112212B (zh) 2019-11-29 2019-11-29 一种集成电路制造用石英热屏板再生方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911200811.5A CN111112212B (zh) 2019-11-29 2019-11-29 一种集成电路制造用石英热屏板再生方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111112212A true CN111112212A (zh) 2020-05-08
CN111112212B CN111112212B (zh) 2021-07-30

Family

ID=70497103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911200811.5A Active CN111112212B (zh) 2019-11-29 2019-11-29 一种集成电路制造用石英热屏板再生方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111112212B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111940394A (zh) * 2020-07-17 2020-11-17 上海富乐德智能科技发展有限公司 半导体高阶制程apc装置的石英部件再生清洗方法
CN111993287A (zh) * 2020-07-31 2020-11-27 上海富乐德智能科技发展有限公司 一种半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法
CN113213736A (zh) * 2021-05-11 2021-08-06 沈阳偶得科技有限公司 一种延长lpcvd工艺用石英制品使用寿命的加工方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101219429A (zh) * 2007-01-10 2008-07-16 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法
CN101226872A (zh) * 2007-01-15 2008-07-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法
CN103011611A (zh) * 2012-12-24 2013-04-03 上海申和热磁电子有限公司 一种半导体用石英的表面处理方法
CN106345753A (zh) * 2016-09-06 2017-01-25 浙江晶科能源有限公司 一种无损伤清洗硅片的方法
CN106833962A (zh) * 2016-12-26 2017-06-13 上海申和热磁电子有限公司 用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂及其制备和应用
CN108554936A (zh) * 2018-04-08 2018-09-21 苏州珮凯科技有限公司 半导体8寸晶元薄膜制程的e-max工艺的石英零部件的再生方法
KR20190105701A (ko) * 2018-03-06 2019-09-18 주식회사 이엔에프테크놀로지 반도체 기판용 세정액 조성물

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101219429A (zh) * 2007-01-10 2008-07-16 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法
CN101226872A (zh) * 2007-01-15 2008-07-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法
CN103011611A (zh) * 2012-12-24 2013-04-03 上海申和热磁电子有限公司 一种半导体用石英的表面处理方法
CN106345753A (zh) * 2016-09-06 2017-01-25 浙江晶科能源有限公司 一种无损伤清洗硅片的方法
CN106833962A (zh) * 2016-12-26 2017-06-13 上海申和热磁电子有限公司 用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂及其制备和应用
KR20190105701A (ko) * 2018-03-06 2019-09-18 주식회사 이엔에프테크놀로지 반도체 기판용 세정액 조성물
CN108554936A (zh) * 2018-04-08 2018-09-21 苏州珮凯科技有限公司 半导体8寸晶元薄膜制程的e-max工艺的石英零部件的再生方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111940394A (zh) * 2020-07-17 2020-11-17 上海富乐德智能科技发展有限公司 半导体高阶制程apc装置的石英部件再生清洗方法
CN111993287A (zh) * 2020-07-31 2020-11-27 上海富乐德智能科技发展有限公司 一种半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法
CN113213736A (zh) * 2021-05-11 2021-08-06 沈阳偶得科技有限公司 一种延长lpcvd工艺用石英制品使用寿命的加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111112212B (zh) 2021-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111112212B (zh) 一种集成电路制造用石英热屏板再生方法
CN109092792B (zh) 一种陶瓷基片表面处理方法
CN101219429A (zh) 一种多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法
TWI770556B (zh) 半導體處理設備零部件的清洗方法
KR100527047B1 (ko) 박막증착방법
CN101205621B (zh) 一种铝材料零件的清洗方法
CN111993287A (zh) 一种半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法
CN101154558A (zh) 刻蚀设备组件的清洗方法
CN114211405A (zh) 一种去除铝基材表面的氟化物的清洗方法
CN111804674A (zh) 一种etch设备中阳极氧化部件面污染物的洗净方法
CN111900070A (zh) 半导体高阶制程蚀刻装置硅部件的再生清洗和返修方法
CN111217532B (zh) 一种半导体设备用石英屏蔽板表面修复方法
CN115382843A (zh) 半导体设备腔体内铝基多层带孔零部件的超洁净清洗工艺
CN114717513A (zh) 一种适用于物理气相沉积工艺的不锈钢部件的电弧熔射方法
WO2023274009A1 (zh) 陶瓷件清洗方法
CN113714178A (zh) 半导体设备腔体内阳极氧化铝与陶瓷喷涂材质静电吸盘超洁净清洗工艺
TW201325744A (zh) 具有氧化釔包覆層的工件的污染物的處理方法
CN112354976A (zh) 一种去除阳极氧化铝表面沉积污染物的清洗方法
CN110571134B (zh) 一种挡板上钼及其氧化物的清洗工艺
CN112934829A (zh) 半导体夹具的清洗方法
CN112605039A (zh) 一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法
CN114664699A (zh) 一种半导体用ETCH设备中Bell jar的再生方法
CN101332462B (zh) 一种静电吸盘的清洗方法
CN115125468B (zh) 一种用于干刻工艺中熔射壁板再生的方法
KR101370596B1 (ko) 화학 강화유리 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant