CN111108658B - 激光二极管 - Google Patents

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Abstract

描述一种激光二极管(10)，具有半导体层序列(12)，所述半导体层序列基于氮化物化合物半导体材料，所述激光二极管包括：n型包覆层(2)；第一波导层(3A)；第二波导层(3B)；和设置在第一波导层(3A)和第二波导层(3B)之间的有源层(4)，所述有源层用于产生激光辐射；和p型包覆层(6)，其中p型包覆层(6)具有朝向有源层(4)的第一子层(6A)和背离有源层的第二子层(6B)。第一子层(6A)具有Alx1Ga1‑x1N，其中0≤x1≤1，或者具有Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N，其中0≤x1≤1，0≤y1＜1并且x1+y1≤1，其中铝含量x1沿背离有源层(4)的方向减小，使得铝含量在朝向有源层(4)的侧上具有最大值x1max并且在背离有源层的侧(4)上具有最小值x1min＜x1max。第二子层(6B)具有Alx2Ga1‑x2N，其中0≤‑S x2≤x1min，或者具有Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N，其中0＜x2＜x1min，0≤y2＜1并且x2+y2＜1。

Description

激光二极管
技术领域
本申请涉及一种激光二极管，尤其是边缘发射器-激光二极管，其基于氮化物化合物半导体材料。
本申请要求德国专利申请10 2017 122 032.1的优先权，其公开内容通过参引结合于此。
背景技术
激光二极管的半导体层序列典型地具有波导区域，所述波导区域具有设置在第一波导层和第二波导层之间的有源层。波导区域通常设置在n型包覆层和p型包覆层之间。
为了实现高的效率，激光二极管应当具有小的压降。由于小的传导能力和相对大的厚度，对于压降而言p型包覆层尤其是非常重要的。在基于氮化物化合物半导体的激光二极管中，p型包覆层例如由掺杂有镁的p型AlGaN制造，因为AlGaN具有比GaN或InGaN更小的折射率从而适合于屏蔽p型接触部的光波。然而，随着铝含量增加，用于掺杂材料镁的活化能量也增加，并且同时空穴迁移率降低，使得得出小的导电性。因此，p型包覆层通常强烈地贡献于激光二极管的串联电阻。
发明内容
由此，要实现的目的在于，提出一种具有改进的p型包覆层的激光二极管，所述激光二极管具有减小的压降。
所述目的通过一种激光二极管来实现。本发明的有利的设计方案和改进方案是下面描述的主题。
根据至少一个设计方案，激光二极管包括半导体层序列，所述半导体层序列基于氮化物化合物半导体材料。“基于氮化物化合物半导体”在本文中意味着，半导体层序列或其至少一个层包括III族氮化物化合物半导体材料，优选InxAlyGa1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。在此，所述材料不必强制性地具有根据上式的数学上精确的组成。更确切地说，所述材料可以具有一种或多种掺杂材料以及附加的组成部分。为了简单性，上式然而仅包含晶格的主要组成部分(In、Al、Ga、N)，即使所述主要组成部分可以部分地由少量其他物质替代时也如此。基于氮化物化合物半导体的激光二极管根据材料组成尤其适合于发射在紫外光、蓝光或绿光的光谱范围内的辐射。
根据一个设计方案，激光二极管包括n型包覆层、第一波导层、有源层、第二波导层和p型包覆层。这些层尤其以提到的顺序设置，其中这不排除，在提到的层之间设置有一个或多个另外的层。有源层尤其设置在第一波导层和第二波导层之间，其中从有源层起观察，第一波导层朝向n型包覆层并且第二波导层朝向p型包覆层。第一波导层、有源层和第二波导层有利地构成波导区域，所述波导区域由包覆层环绕，其中包覆层具有比波导层更小的折射率从而引起在有源层中产生的激光辐射在波导区域中的波引导。
有源层例如可以构成为pn结、双异质结构、单量子系统结构或多量子系统结构。名称量子系统结构在此包括任意如下结构，在所述结构中，载流子由于限域(Confinement)而经受其能量状态的量子化。尤其，名称量子系统结构不包含关于量子化的维度的说明。由此，名称量子系统结构还包含量子阱、量子线和量子点和这些结构的任意组合。
根据至少一个设计方案，p型包覆层具有朝向有源层的第一子层和背离有源层的第二子层。第一子层有利地具有Alx1Ga1-x1N，其中0≤x1≤1，或者具有Alx1Iny1Ga1-x1-y1N，其中0≤x1≤1，0≤y1＜1并且x1+y1≤1，其中在第一子层中的铝含量x1沿背离有源层的方向减小。第一子层换言之具有铝含量x1的梯度。铝含量优选沿背离有源层的方向连续地，例如线性地减小。铝含量可以在第一子层中尤其严格单调地减少。第一子层的铝含量x1在朝向有源层的侧上具有最大值x1max而在背离有源层的侧上具有最小值x1min＜x1max。在一个设计方案中，铝含量的梯度可以通过具有逐级减小的铝含量的子层的层序列来实现，其中铝含量的包络线近似对应于连续的梯度。
此外，p型包覆层具有第二子层，所述第二子层从有源层起观察跟随第一子层。在第二子层中，铝含量小于在第一子层中，尤其在整个第二子层中的铝含量小于在第一子层中。第二子层尤其具有Alx2Ga1-x2N，其中0≤x2≤x1min，或者具有Alx2Iny2Ga1-x2-y2N，其中0≤x2≤x1min，0≤y2＜1并且x2+y2≤1。在第二子层中的铝含量尤其可以是x2＝0，即第二子层有利地具有GaN。
如果第一和/或第二子层具有铟含量，那么所述铟含量优选仅是非常小的，例如y1≤0.01和y2≤0.01。特别优选地，第一子层和第二子层不具有铟，即y1＝0和y2＝0。
由于在p型包覆层的朝向有源层的侧上的与其余的p型包覆层相比相对高的铝含量，在所述侧上的折射率是相对小的，使得实现在波导区域中的良好的波引导。由此，在波导区域中传播的激光辐射仅略微进入到p型包覆层中从而由更强吸收的p型半导体材料屏蔽。以这种方式可以实现减小的吸收、激光特征曲线的更高的斜度和提高的运行电流强度。由于在p型包覆层的第一子层中的铝含量的梯度，其中铝含量沿生长方向观察减小，载流子密度通过压电效应有利地提高，这造成改善的传导能力。
第一子层在朝向有源层的侧上的铝含量x1max有利地至少为0.05，优选至少为0.08并且特别优选至少为0.12。铝含量越大，电子带隙越大并且半导体材料的折射率有利地越小。高的铝含量因此引起良好的载流子势垒和良好的光波引导。另一方面，铝含量应当不是过高的，因为随着Alx1Ga1-x1N半导体材料的铝含量增加，用于p型掺杂材料、如尤其镁的活化能量增加并且同时空穴迁移率降低，使得传导能力减小。有利地，在第一子层的朝向有源层的侧上的铝含量x1max不大于0.35，优选不大于0.25并且特别优选不大于0.20。
在一个有利的设计方案中，p型包覆层的第一子层在朝向有源层的侧上具有铝含量0.05≤x1max≤0.35，优选0.08≤x1max≤0.25并且特别优选0.12≤x1max≤0.20。
在背离有源层的侧上，p型包覆层的第一子层具有比在朝向有源层的侧上更小的铝含量。根据至少一个设计方案，第一子层在背离有源层的侧上具有铝含量0≤x1min≤0.30，优选0.03≤x1min≤0.15并且特别优选0.05≤x1min≤0.10。
p型包覆层的第一子层在背离有源层的侧上跟随有第二子层并且尤其直接邻接于第一子层。第二子层有利地具有Alx2Ga1-x2N，其中0≤x2≤0.1，其中优选适用0≤x2≤0.05并且特别优选0≤x2≤0.01。
在一个有利的设计方案中，第二子层不具有铝。尤其，第二子层具有GaN或者由其构成。具有较小铝含量或甚至完全不具有铝含量的第二子层具有如下优点，可以实现较低的串联电阻和小的光学吸收。
根据一个实施方式，第一子层小于300nm厚。第一子层的小的厚度是有利的，因为所述厚度由于较高的铝含量更强烈地贡献于串联电阻。优选地，第一子层小于150nm厚并且特别优选小于100nm厚。
第二子层优选比第一子层更厚。尤其，第一子层可以具有铝而第二子层不具有铝，其中不具有铝的第二子层比第一子层更厚。由于不具有铝的部分占p型包覆层的总厚度的高的份额，有利地减小吸收。p型包覆层的第二子层的厚度例如可以为100nm至2000nm，优选为200nm至1000nm并且特别优选为300nm至900nm。
根据一个实施方式，透明导电氧化层设置在p型包覆层的背离有源层的侧上。透明导电氧化层可以直接邻接于p型包覆层的第二子层。然而也可能的是，另一层，尤其p型接触层设置在第二子层和透明导电氧化层之间，所述p型接触层具有比在第二子层中更高的掺杂材料浓度。透明导电氧化层优选包含ITO或ZnO。透明导电氧化层的特征在于良好的导电性并且以这种方式能够实现有利的薄的p型包覆层。
在另一优选的设计方案中，电子势垒层设置在第二波导层和p型包覆层之间。电子势垒层具有AlzGa1-zN，其中铝含量z大于第一子层在朝向电子势垒层的侧上的铝含量x1max。电子势垒层的铝含量z有利地在0.05和0.4之间，优选在0.1和0.3之间并且特别优选在0.15和0.25之间。以这种方式实现，电子势垒层具有大的带隙。这防止电子离开波导区域。此外，由大的带隙造成小的折射率，所述折射率与波导层相比有利地是小的。这改善了在波导区域中的波引导。
根据至少一个实施方式，第一波导层和/或第二波导层具有InGaN。通过在波导层中的铟份额，带隙减小并且折射率增大。这是有利的，以便实现与包覆层的高的折射率对比度。铟比例另外不应是过大的，以便不损害材料质量。第一和/或第二波导层尤其可以具有InyGa1-yN，其中0.005≤y≤0.1，优选具有InyGa1-yN，其中0.02≤y≤0.07，并且特别优选具有InyGa1-yN，其中0.03≤y≤0.05。
附图说明
下面，结合图1至9根据实施例详细阐述激光二极管。
附图示出：
图1A示出贯穿根据一个实施例的激光二极管的横截面的示意图；
图1B示出在根据图1A的激光二极管的实施例的半导体层序列中的带隙Eg的变化曲线的示意图；
图1C示出在根据图1A的激光二极管的实施例的半导体层序列中的p型掺杂材料镁的掺杂材料浓度cMg的变化曲线的示意图；
图2至9分别示出在激光二极管的其他实施例中的带结构的示意图。
相同的或起相同作用的组成部分在附图中分别设有相同的附图标记。示出的组成部分以及组成部分彼此间的大小关系不应视为是按照比例的。
具体实施方式
在图1A中示出激光二极管的一个实施例的横截面。激光二极管10具有半导体层序列12，所述半导体层序列沿生长方向z生长到衬底1上。半导体层序列12基于氮化物化合物半导体，即半导体层序列12的半导体层尤其具有InxAlyGa1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。衬底1是适合于氮化物化合物半导体的生长的衬底，优选是GaN衬底。
为了产生激光辐射，激光二极管10包含有源层4，所述有源层优选构成为单量子系统结构或多量子系统结构。有源层4可以具有多个子层，尤其是势垒层和一个或多个量子系统层的序列，其在图1A中为了简化没有单独示出。
有源层4设置在第一波导层3A和第二波导层3B之间，其中第一波导层3A在n型侧上而第二波导层3B在p型侧上邻接于有源层4。附加地，在一个可能的设计方案中，可以设有另外的波导层3C，所述另外的波导层例如沿生长方向设置在第一波导层3A上游。有源层4和波导层3A、3B、3C构成波导区域3。激光二极管10构成为边缘发射器-激光二极管，其发射垂直于生长方向z，即平行于有源层4的层平面的激光辐射。
波导区域3设置在n型包覆层2和p型包覆层6之间。为了将激光辐射在波导区域3中引导，n型包覆层2和p型包覆层6具有比波导层3A、3B、3C更小的折射率。这例如通过如下方式实现：包覆层2、6至少局部地具有比波导层3A、3B、3C更高的铝含量和/或更低的铟含量，由此产生更大的电子带隙和更小的折射率。
在半导体层序列中的电子带隙Eg的变化曲线示意地在图1B中示出。在激光二极管10中，p型包覆层6有利地具有第一子层6A和第二子层6B。第一子层6A有利地具有Alx1Ga1- x1N，其中铝含量x1具有梯度。铝含量x1在第一子层6A中沿背离有源层的方向，即沿半导体层序列12的生长方向z减小。铝含量x1和相应地带隙Eg连续地，尤其线性地减小。铝含量x1在第一子层6A中尤其是严格单调下降的。
铝含量x1在第一子层6A中在朝向有源层4的侧上具有最大值x1max并且在背离有源层的侧上具有最小值x1min。有利地，适用0.05≤x1max≤0.35，优选0.08≤x1max≤0.25并且特别优选0.12≤x1max≤0.20。对于在背离有源层4的侧上的最小值x1min有利地适用0≤x1min≤0.30，优选0.03≤x1min≤0.15并且特别优选0.05≤x1min≤0.10。
第一子层6A优选具有薄层，所述薄层的厚度为小于300nm，优选小于150nm并且特别优选小于100nm。减少的铝含量和小的厚度具有如下优点，载流子密度由于压电效应而提高并且吸收是小的。此外，对于空穴的势垒作用仅是小的，由此得出良好的注入效率和小的压降。激光二极管10的特征曲线的斜度由此可以提高。
p型包覆层6的第二子层6B尤其可以直接邻接于第一子层6A并且具有如下铝含量，所述铝含量不大于第一子层6A在背离有源层4的侧上的铝含量xmin。第二子层6A尤其具有Alx2Ga1-x2N，其中0≤x2≤0.1，其中优选适用0≤x2≤0.05并且特别优选适用0≤x2≤0.01。优选地，第二子层6B不具有铝。第二子层6B尤其可以是GaN层。第二子层6B的厚度优选大于第一子层6A的厚度。
p型包覆层6的第二子层在背离有源层4的侧上跟随有p型接触层7。p型接触层7尤其可以是GaN层或是InGaN层。p型接触层7是p型掺杂层，其有利地是高掺杂的。在p型接触层7中的掺杂材料浓度有利地至少为5*1019cm-3，优选至少为1*1020cm-3。p型接触层7与p型包覆层6的第二子层6B的区别尤其在于，所述p型接触层具有更高的掺杂材料浓度。然而可能的是，p型包覆层的第二子层6B和p型接触层7除了不同的掺杂材料浓度以外具有相同的半导体材料，例如分别具有GaN。
可能的是，在p型接触层7上直接邻接有p型连结层9，所述p型连结层例如具有金属或金属合金并且用于建立电接触。此外，激光二极管10具有n型连结层11，例如在衬底的背侧上具有n型连结层。n型连结层11例如可以具有金属或金属合金。
在一个优选的设计方案中，如在图1A中所示出，在p型接触层7和p型连结层9之间设置有透明导电氧化层8。透明导电氧化层8尤其可以具有铟锡氧化物(ITO)或氧化锌(ZnO)。由于透明导电氧化层8，尤其提高了传导能力并且减小了折射率，由此能够实现将p型包覆层6有利地薄地构成并且以这种方式减少吸收。
在图1A和1B的实施例中，此外在第二波导层3B和p型包覆层6的第一子层6A之间设置有可选的电子势垒层5。与p型包覆层6的第一子层6A相比，电子势垒层5优选具有再更高的铝含量并且与之相应地具有还更大的带隙。与p型包覆层6的第一子层6A在朝向有源层4的侧上的铝含量x1max相比，在电子势垒层5中的铝含量尤其可以是同样大的或是更大的。
电子势垒层5尤其可以具有AlzGa1-zN，其中铝含量z在0.05和0.4之间，优选在0.1和0.3之间并且特别优选在0.15和0.25之间。尤其是z≥x1max。电子势垒层具有比邻接的第二波导层3B更大的带隙Eg。这阻止电子离开波导区域3。此外，由大的带隙造成小的折射率，所述折射率与波导层相比有利地是小的。这改善了在波导区域3中的波引导。
直接邻接于有源层4的第一波导层3A和第二波导层3B分别具有GaN或优选具有InGaN。
通过在波导层3A、3B中的铟比例，带隙减小并且折射率增大。第一和第二波导层尤其可以具有InyGa1-yN，其中0.05≤y≤0.1，优选具有InyGa1-yN，其中0.02≤y≤0.07并且特别优选具有InyGa1-yN，其中0.03≤y≤0.05。
在图1C中示意地示出根据图1A的激光二极管的实施例的半导体层序列中的p型掺杂材料镁的掺杂材料浓度CMg的变化曲线。在电子势垒层5中的掺杂材料浓度优选至少为5*1018cm-3，特别优选至少为2*1019cm-3。在p型包覆层6的第一子层6A中的掺杂材料浓度有利地低于在电子势垒层5中，以便将吸收保持得小。所述掺杂材料浓度优选在1*1018cm-3和5*1018cm-3之间。在第二子层6B中的掺杂材料浓度与在第一子层6A中相比可以是更高的或者在第二子层之内升高至更高的值。例如，在第二子层6B中的掺杂材料浓度至少局部地在5*1018cm-3和2*1019cm-3之间，优选在1*1019cm-3和2*1019cm-3之间。p型接触层7优选具有再更高的掺杂材料浓度，例如大于7*1019cm-3并且优选大于1*1020cm-3。
在下面的图2至9中分别示出在第一实施例的变型形式中在半导体层序列中的电子带隙Eg的变化曲线。层的设置方式和层系统的其他有利的设计方案，只要没有另作说明，分别对应于图1A、1B和1C的实施例。
在图2的实施例中，p型包覆层6的第二子层6B具有铝含量x2＞0。在第二子层6B的带隙Eg在此情况下大于在p型接触层7中，所述p型接触层在本实施例中具有GaN。
可能的是，p型包覆层6具有多于仅两个子层6A、6B。在图3的实施例中，p型包覆层6的第二子层6B具有铝含量x2＝0。随后跟随有第三子层6C，所述第三子层具有铝含量x2＞0。
在图4的实施例中，p型包覆层6的第一子层6A以及第二子层6B分别具有铝含量的梯度，其中铝含量分别沿背离有源层4的方向，即沿生长方向z减小。在第一子层6A和第二子层6B之间，铝含量从而带隙Eg具有阶梯。
在图5的实施例中，p型包覆层6的第一子层6A以及第二子层6B分别具有铝含量的梯度，其中铝含量分别沿背离有源层4的方向，即沿生长方向z线性地减小。与在图4的实施例中不同，在第一子层6A和第二子层6B之间的边界面处的铝含量不具有阶梯，而是连续地伸展。可能的是，仍存在在第一子层6A和第二子层6B之间的边界面，在该边界面处材料特性跳跃式地改变。例如，第二子层6B可以具有比第一子层6A更高的掺杂材料浓度。
在图6的实施例中，p型包覆层6的第一子层6A以及第二子层6B分别具有铝含量的梯度，其中铝含量分别沿背离有源层4的方向，即沿生长方向z连续地减小。梯度与在图5中示出的实施例中不同地不是线性的梯度。在所述子层6A、6B中的铝含量可以根据任意函数，优选连续地减小。铝含量尤其具有沿生长方向z严格单调降低的函数。
在图7的实施例中，p型包覆层6的仅第一子层6A具有铝含量的梯度，其中铝含量根据非线性的函数连续地减小。在第二子层6B中，铝含量等于零，尤其第二子层是GaN层。优选地，在第一子层6A中的铝含量x1的梯度在数值x1＞0，优选x1≥0.04处终止。然而也可行的是，在第一子层6A中的铝含量降低至数值x1＝0。
在图8的实施例中，有源层4设置在第一波导层3A和第二波导层3B之间。如在前面的实施例中那样，在第一波导层3A和n型包覆层6之间设置有另外的波导层3C。此外，在第二波导层3B和电子势垒层5之间还设置有另外的波导层3D。波导由此在有源层4的两侧上两阶地构成。可能的是，n型包覆层2仅具有小的铝含量或甚至不具有铝。例如，n型包覆层可以具有AlzG1-zN，其中0≤z≤0.05。以这种方式可以有利地减小吸收。尤其n型包覆层2是GaN层。
在图9的实施例中，有源层4如在前面的实施例中那样设置在第一波导层3A和第二波导层3B之间，其中在第一波导层3A和n型包覆层2之间设置有另外的波导层3C，并且在第二波导层3B和电子势垒层5之间还设置有另外的波导层3D。波导由此在有源层4的两侧上多阶地构成。波导层3A、3B、3C、3D有利地是InGaN或GaN层。在图9的实施例中，波导关于有源层4不对称地构成。尤其，有源层4的p型侧上的铟含量可以比在n型侧上更大。优选地，在p型侧上邻接于有源层4的第二波导层3B与在n型侧上邻接于有源层4的第一波导层3A相比具有铟含量更大的InGaN。还有利的是，在p型侧上邻接于第二波导层3B的另外的波导层3D与在n型侧上邻接于第一波导层3A的另外的波导层3C相比具有更大的铟含量。P型侧的波导层3B、3D的相对小的铟含量具有如下优点，改善到有源层4中的载流子注入。
本发明不局限于根据实施例的描述。更确切地说，本发明包括任意新特征以及特征的任意组合，这尤其包含实施例中的特征的任意组合，即使所述特征或所述组合本身并未详尽地在实施例中说明也如此。
附图标记列表
1 衬底
2 n型包覆层
3A 第一波导层
3B 第二波导层
3C 另外的波导层
3D 另外的波导层
4 有源层
5 电子势垒层
6 p型包覆层
6A 第一子层
6B 第二子层
6C 第三子层
7 p型接触层
8 透明的能传导的氧化层
9 p型连结层
10 激光二极管
11 n型连结层
12 半导体层序列。

Claims (16)

1.一种具有半导体层序列(12)的激光二极管(10)，所述半导体层序列基于氮化物化合物半导体材料，所述激光二极管包括：
-n型包覆层(2)；
-第一波导层(3A)，第二波导层(3B)和设置在所述第一波导层(3A)和所述第二波导层(3B)之间的有源层(4)，所述有源层用于产生激光辐射；和
-p型包覆层(6)，其中
-所述p型包覆层(6)具有朝向所述有源层(4)的第一子层(6A)和背离所述有源层的第二子层(6B)；
-所述第一子层(6A)具有Alx1Ga1-x1N，其中0≤x1≤1，或者具有Alx1Iny1Ga1-x1-y1N，其中0≤x1≤1，0≤y1＜1并且x1+y1≤1，其中铝含量x1沿背离所述有源层(4)的方向减小，使得铝含量在朝向所述有源层(4)的侧上具有最大值x1max并且在背离所述有源层的侧(4)上具有最小值x1min＜x1max，并且
-所述第二子层(6B)具有Alx2Ga1-x2N，其中0≤x2≤x1min，或者具有Alx2Iny2Ga1-x2-y2N，其中0≤x2≤x1min，0≤y2＜1并且x2+y2≤1，
-与在所述第一子层(6A)中相比，在所述第二子层(6B)中的掺杂材料浓度至少局部是更高的或者升高至更高的值。
2.根据权利要求1所述的激光二极管，
其中所述第一子层(6A)在朝向所述有源层(4)的侧上具有铝含量0.05≤x1max≤0.35。
3.根据权利要求1或2所述的激光二极管，
其中所述第一子层(6A)在朝向所述有源层(4)的侧上具有铝含量0.08≤x1max≤0.25。
4.根据权利要求1或2所述的激光二极管，
其中所述第一子层(6A)在朝向所述有源层(4)的侧上具有铝含量0.12≤x1max≤0.20。
5.根据权利要求1或2所述的激光二极管，
其中所述第一子层(6A)在背离所述有源层(4)的侧上具有铝含量0≤x1min≤0.30。
6.根据权利要求1或2所述的激光二极管，
其中所述第一子层(6A)在背离所述有源层(4)的侧上具有铝含量0.03≤x1min≤0.15。
7.根据权利要求1或2所述的激光二极管，
其中所述第一子层(6A)在背离所述有源层(4)的侧上具有铝含量0.05≤x1min≤0.10。
8.根据权利要求1或2所述的激光二极管，
其中所述第二子层(6B)具有Alx2Ga1-x2N，其中0≤x2≤0.1。
9.根据权利要求1或2所述的激光二极管，
其中所述第二子层(6B)具有GaN。
10.根据权利要求1或2所述的激光二极管，
其中所述第一子层(6A)小于300nm厚。
11.根据权利要求1或2所述的激光二极管，
其中透明导电氧化层(8)在所述p型包覆层(6)的背离所述有源层(4)的侧上设置。
12.根据权利要求1或2所述的激光二极管，
其中电子势垒层(5)设置在所述第二波导层(3B)和所述p型包覆层(6)之间，其中所述电子势垒层(5)具有AlzGa1-zN，并且
其中所述铝含量z大于所述第一子层(6A)在朝向所述电子势垒层(5)的侧上的铝含量x1max。
13.根据权利要求1或2所述的激光二极管，
其中所述第一波导层(3A)和/或所述第二波导层(3B)具有InyGa1-yN，其中0.005≤y≤0.1。
14.根据权利要求1或2所述的激光二极管，
其中所述第一波导层(3A)和/或所述第二波导层(3B)具有InyGa1-yN，其中0.02≤y≤0.07。
15.根据权利要求1或2所述的激光二极管，
其中所述第一波导层(3A)和/或所述第二波导层(3B)具有InyGa1-yN，其中0.03≤y≤0.05。
16.根据权利要求1或2所述的激光二极管，
其中所述第一子层(6A)小于100nm厚并且所述第二子层(6B)是GaN层。
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